JPS5849324A - 1−シクロヘキシル−2−(4′−ハロロビフエニル)エタン誘導体 - Google Patents
1−シクロヘキシル−2−(4′−ハロロビフエニル)エタン誘導体Info
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- JPS5849324A JPS5849324A JP14172881A JP14172881A JPS5849324A JP S5849324 A JPS5849324 A JP S5849324A JP 14172881 A JP14172881 A JP 14172881A JP 14172881 A JP14172881 A JP 14172881A JP S5849324 A JPS5849324 A JP S5849324A
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- liquid crystal
- halobiphenyl
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気光学的表示材料として有用なシクロヘキシ
ルピフエニ羨エタン誘導体の新規ネマチック液晶化合物
に関する0本発明によって提供される新規ネマチック液
晶は一般式 で表わされる1−1トランス(エカトリアル−エカトリ
アル)−4’−m−アルキルシクロヘキシル) −2−
(4’−ハロロビフェニル)エタンである。
ルピフエニ羨エタン誘導体の新規ネマチック液晶化合物
に関する0本発明によって提供される新規ネマチック液
晶は一般式 で表わされる1−1トランス(エカトリアル−エカトリ
アル)−4’−m−アルキルシクロヘキシル) −2−
(4’−ハロロビフェニル)エタンである。
式(I)O化合物は弱い正の#1電異方性をもつ化合物
であり例えば、エム・シャット(M118chadt)
等[APPLIIDPHY81C1i11JTTgR8
18127〜128(1971)1によって提案された
電界効果型セル(フィールド・エフェクト・モード・セ
ル)又はジー・エイチ・バイルマイヤー(GlIHH*
I1meler)等(PROCEEDING OF T
HEl、11.N、E、 56 1162〜1171
(19,68))Kよつて提案された動的光散型セル
(ダイミック・スキャッタリンク・モート・セル)又は
ンーeエイチ・バイルマイヤー(G @HHe11m山
r ) 等(APPLIED PHYsIC8LETT
ER813,91(1958))あるいはディー・エル
・ホワイト(D L Whlte ) 等(JOURN
AL OF APPLIED PHYSIC1l!4鼻
、4718(1974))、によって提案されたゲスト
・ホスト型セルなどに適用することができる。
であり例えば、エム・シャット(M118chadt)
等[APPLIIDPHY81C1i11JTTgR8
18127〜128(1971)1によって提案された
電界効果型セル(フィールド・エフェクト・モード・セ
ル)又はジー・エイチ・バイルマイヤー(GlIHH*
I1meler)等(PROCEEDING OF T
HEl、11.N、E、 56 1162〜1171
(19,68))Kよつて提案された動的光散型セル
(ダイミック・スキャッタリンク・モート・セル)又は
ンーeエイチ・バイルマイヤー(G @HHe11m山
r ) 等(APPLIED PHYsIC8LETT
ER813,91(1958))あるいはディー・エル
・ホワイト(D L Whlte ) 等(JOURN
AL OF APPLIED PHYSIC1l!4鼻
、4718(1974))、によって提案されたゲスト
・ホスト型セルなどに適用することができる。
式(I)の化合物はネマチック−等方性液体の転移温度
が高く粘度が低いことを特色とするものであり、緑化学
的に非常に安定であって水分、光等によって分解せず、
然も無色乳白色といった幾多の優れた特性を有している
。よって式(L)の、化合物を用いれば長寿命でネマチ
ック温度範囲の広い高速応答の液晶表示素子を制作する
ことができる。
が高く粘度が低いことを特色とするものであり、緑化学
的に非常に安定であって水分、光等によって分解せず、
然も無色乳白色といった幾多の優れた特性を有している
。よって式(L)の、化合物を用いれば長寿命でネマチ
ック温度範囲の広い高速応答の液晶表示素子を制作する
ことができる。
本発明によれば、式口)の化合物は次の製造方法に従っ
て製造される。
て製造される。
第1段階−P−ハロロビフェニルに二硫化炭素あるいは
ニド四ベンゼン中で肉(2)の化合物と無水塩化アルき
ニクムを反応させて式−の化合物を製造する。
ニド四ベンゼン中で肉(2)の化合物と無水塩化アルき
ニクムを反応させて式−の化合物を製造する。
第2段階−能1段階で製造された式−の化合物にジエチ
レングリコールあるいはトリエチレングリコール中でヒ
ドラジンと水酸化カリウムを反応させて4I)の化合物
を染造する。
レングリコールあるいはトリエチレングリコール中でヒ
ドラジンと水酸化カリウムを反応させて4I)の化合物
を染造する。
斯くして製造された式([)の化合物の転移温度を第1
表に掲げる。
表に掲げる。
[1表
RX 転移温度(’C)
m −CsHy Cj 100 (C;’N )
158 (N;! I )慕−C,lI、−F
76(C’;!N) 125(N:I)表中、Cは結
晶%Nはネマチック相、夏は等方性液体を夫々表わす。
158 (N;! I )慕−C,lI、−F
76(C’;!N) 125(N:I)表中、Cは結
晶%Nはネマチック相、夏は等方性液体を夫々表わす。
電卓、腕時計その他の機器の表示素子材料として用いる
場合、復[)の化合物は、該化合物の2檀以上の混合物
の形態或は該化合物の1檀又は2棟以上と他のネマチッ
ク液晶化金物及び/又は非ネマチック液晶化合物との混
合物の形態で用いることができるが、好ましくは1式(
[)の化合物の2種以上の混合物を母体液晶とし、この
母体液晶に他のネマチック液晶化合物及び/又は非ネマ
チック液晶化合物を混合した形態も用いることが推奨さ
れ゛る。輝I)の化合物と混合して使用することのでき
る他のネマチック液晶化合物及び/又は非ネマチツ、り
液晶化合物には、大きい正の誘電率異方性をもつネマチ
ック液晶化合物(以下Np型液晶という)及び/又はN
p型液晶の同族体である非ネマチック液晶化合物(以下
Np型液晶同族体という)、負又は小さい正あ誘電率異
方性をもつネマチック液晶化合物(以下N11M液晶と
いう)及び/又はNu型液晶の同族体である非ネマチッ
ク液晶化合物(以下Nn型液晶同族体という)、更にそ
れらの滌合物が含まれる。
場合、復[)の化合物は、該化合物の2檀以上の混合物
の形態或は該化合物の1檀又は2棟以上と他のネマチッ
ク液晶化金物及び/又は非ネマチック液晶化合物との混
合物の形態で用いることができるが、好ましくは1式(
[)の化合物の2種以上の混合物を母体液晶とし、この
母体液晶に他のネマチック液晶化合物及び/又は非ネマ
チック液晶化合物を混合した形態も用いることが推奨さ
れ゛る。輝I)の化合物と混合して使用することのでき
る他のネマチック液晶化合物及び/又は非ネマチツ、り
液晶化合物には、大きい正の誘電率異方性をもつネマチ
ック液晶化合物(以下Np型液晶という)及び/又はN
p型液晶の同族体である非ネマチック液晶化合物(以下
Np型液晶同族体という)、負又は小さい正あ誘電率異
方性をもつネマチック液晶化合物(以下N11M液晶と
いう)及び/又はNu型液晶の同族体である非ネマチッ
ク液晶化合物(以下Nn型液晶同族体という)、更にそ
れらの滌合物が含まれる。
式I)の化合物と混合して使用することのできるNpm
1K晶及びNp@液晶同族体の好ましい具体例を次に列
記する。
1K晶及びNp@液晶同族体の好ましい具体例を次に列
記する。
式中、8はn−CmHlmq−1n CmH2rn+1
0−の、いずれかを表わす(但し、mは1〜10の整
数)。、式中、Rはvn−Cn+H1m+1−1n−C
mHll−1n−Cのいずれかを表わす(但し、mは1
〜8の整数)。
0−の、いずれかを表わす(但し、mは1〜10の整
数)。、式中、Rはvn−Cn+H1m+1−1n−C
mHll−1n−Cのいずれかを表わす(但し、mは1
〜8の整数)。
式中、Rはm−CmH1m+1−を表わす(但し、mは
1〜10.0整数)。
1〜10.0整数)。
式中、Rはm−CmH,m4B−1n−CmH1n++
1−0’曹−0〜B1m41−g−o−のいずれかを表
わ讐(但し、mは1〜10の整数)。
1−0’曹−0〜B1m41−g−o−のいずれかを表
わ讐(但し、mは1〜10の整数)。
式中、RはIS CC111H2+1−を表わす(但し
、mは1〜8の整数)。
、mは1〜8の整数)。
式中、8は!I C1!IH1lIE1+1−1*−C
mH,m+1−0−のいずれかを表わす(但し1mは1
〜10の整数)。
mH,m+1−0−のいずれかを表わす(但し1mは1
〜10の整数)。
式中、Rは1−CmH1m+1−1n1−1n−C+1
−o −のいずれかを表わす(但し、mは1〜Bの整数
)。
−o −のいずれかを表わす(但し、mは1〜Bの整数
)。
式中、8は亀−0〜B1m41−を表わす(但し、mは
1〜10の整数)。
1〜10の整数)。
式中、8は*−Cn+H1m+1−を表わし、XはF%
CI。
CI。
Br、Iのいずれかを表わす(但し1mは1〜8の整数
)。
)。
式中、Rは鳳−CmH1m+1−を表わす(但し、mは
1〜10の整数)、′ 式中−Raび鼠′は夫々m−CmH44,−を表わす(
但し、鵬は1〜5の整数)。
1〜10の整数)、′ 式中−Raび鼠′は夫々m−CmH44,−を表わす(
但し、鵬は1〜5の整数)。
式中、8は*−CmH1m+t−を表わす(但し、mは
1〜10の整数)。
1〜10の整数)。
0
R−CI−08GCN
次に、式口)の化合物と混合して使用することのできる
Nng液晶及びN曙液晶同族体の好ましい具体例を夛I
J記する。
Nng液晶及びN曙液晶同族体の好ましい具体例を夛I
J記する。
R(戸−〇(Σ’ml
・()さ−・()−nl
0 0
復【)の化合物の2−以上の混合物の形態戒はII)の
化合物の1種又は2種以上と前記したN1型液晶及び/
又はその同族体との混合物の静態でD8Mセル用液晶と
して使用できる。
化合物の1種又は2種以上と前記したN1型液晶及び/
又はその同族体との混合物の静態でD8Mセル用液晶と
して使用できる。
また、 50I)の化合物の1種又は2種以上と前記し
たNp1i*晶及び/又はその同族体と゛前記したNm
#i液晶及び/又はその同族体との混合物の形態でFE
Mセル用液晶として使用できる。
たNp1i*晶及び/又はその同族体と゛前記したNm
#i液晶及び/又はその同族体との混合物の形態でFE
Mセル用液晶として使用できる。
次に本発明を実施例をもって具体的に説明する。
実施例に
砕化炭素100MI中に無水塩化アルミニウム16.0
Ii(α120mn17を加え室温で攪拌しながらトラ
ンス−4−n−プロピルシクロヘキシル酢酸クロライド
2α6I(α100m・1)を滴下した。これを10℃
に冷却し、攪拌しながらP−りoロビ7−E−=ル1
&9J’ (Q、100mol)を二硫化炭素3QaZ
に溶解した溶液を滴下し、10℃で5時間反応させた後
、室温にもとして2時間反応させた。反応後、二硫化炭
素を留去した後、これを氷水中和加え60℃で1時間攪
拌した。冷却後、エーテルで抽出し、水洗、乾燥しエー
テル留去後エタノールで再結晶精製し、下記化合物2五
41(10660mol)を得た。
Ii(α120mn17を加え室温で攪拌しながらトラ
ンス−4−n−プロピルシクロヘキシル酢酸クロライド
2α6I(α100m・1)を滴下した。これを10℃
に冷却し、攪拌しながらP−りoロビ7−E−=ル1
&9J’ (Q、100mol)を二硫化炭素3QaZ
に溶解した溶液を滴下し、10℃で5時間反応させた後
、室温にもとして2時間反応させた。反応後、二硫化炭
素を留去した後、これを氷水中和加え60℃で1時間攪
拌した。冷却後、エーテルで抽出し、水洗、乾燥しエー
テル留去後エタノールで再結晶精製し、下記化合物2五
41(10660mol)を得た。
137℃(INN)
この化合物にトリエチレングリコール200m1%80
%ヒドラジ/ハイドライド1t6j’(0,185mo
l)、85%水酸化カリウム2t7Ii(α:530m
ol)を加え、攪拌しながら温度を徐々に上げ、160
℃で6時間反応させた。冷却後、水3005!/を加え
ベンゼンで抽出した。水で洗浄後、無水硫酸ナトリウム
で乾燥した後、ベンゼンを留去し、鳳−ヘキサン−エタ
ノールで再結晶精製し、下記化合物1&6Ii(104
88mol)を得た。
%ヒドラジ/ハイドライド1t6j’(0,185mo
l)、85%水酸化カリウム2t7Ii(α:530m
ol)を加え、攪拌しながら温度を徐々に上げ、160
℃で6時間反応させた。冷却後、水3005!/を加え
ベンゼンで抽出した。水で洗浄後、無水硫酸ナトリウム
で乾燥した後、ベンゼンを留去し、鳳−ヘキサン−エタ
ノールで再結晶精製し、下記化合物1&6Ii(104
88mol)を得た。
実施例2
二硫化炭素10011j中に無水塩化アルミニウム1&
OII(1120mol)を加え室温で攪拌しながらト
ランス−4−n−プロピルシクロヘキシル酢酸クロライ
ド2α5jlI(0,100mol)を滴下した。これ
を10℃に冷却し、攪拌しながらP−70ロピフエニル
17.21 (0,100m@l)を二硫化炭素5QM
IK溶解した溶液を滴下し、10℃で5時間反応させた
後、室温にもとして2時間反応させた。反応後、二硫化
炭素を留去した後、これを氷水中に加え60℃で1時間
攪拌した。冷却後、エーテルで抽出し、水洗、乾燥し、
エーテル留去後エタノールで再結晶精製し、下記化合物
2t6I(α0639mol)を得た。
OII(1120mol)を加え室温で攪拌しながらト
ランス−4−n−プロピルシクロヘキシル酢酸クロライ
ド2α5jlI(0,100mol)を滴下した。これ
を10℃に冷却し、攪拌しながらP−70ロピフエニル
17.21 (0,100m@l)を二硫化炭素5QM
IK溶解した溶液を滴下し、10℃で5時間反応させた
後、室温にもとして2時間反応させた。反応後、二硫化
炭素を留去した後、これを氷水中に加え60℃で1時間
攪拌した。冷却後、エーテルで抽出し、水洗、乾燥し、
エーテル留去後エタノールで再結晶精製し、下記化合物
2t6I(α0639mol)を得た。
104℃(I;!N)
この化合物にトリエチレングリコール150m、80%
ヒドラジンハイドライド1t2.f(α179mn1)
、’85%水酸化カリウム2t09い。−5mol)を
加え、攪拌しながら温度な徐々に上げ、150℃で3時
間反応させた。冷却後、水2QQmlを加えn−ヘキサ
ンで抽出した。水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥
した後、n−ヘキサンを留去し、亀−ヘキサン−エタノ
ールで再結晶M製し、下記化合物148jl(α052
0mol)を得た。
ヒドラジンハイドライド1t2.f(α179mn1)
、’85%水酸化カリウム2t09い。−5mol)を
加え、攪拌しながら温度な徐々に上げ、150℃で3時
間反応させた。冷却後、水2QQmlを加えn−ヘキサ
ンで抽出した。水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥
した後、n−ヘキサンを留去し、亀−ヘキサン−エタノ
ールで再結晶M製し、下記化合物148jl(α052
0mol)を得た。
特許出願人 大日本インキ化学工業株式会社手 続
補 正 書 昭和57年11月7日 QIM庁長官若杉和夫殿 t 事件の表示 昭和56年特許願第141728号 2 発明の名称 1−シクロヘキシル−2−(4’−ハロロビフェニル)
エタン誘導体 S 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 〒174 東京都板橋区坂下6丁目35査58号 明細書の特許請求の範囲の欄 5 補正の自答 明細書の特許請求の範囲を別紙のように釘止する。
補 正 書 昭和57年11月7日 QIM庁長官若杉和夫殿 t 事件の表示 昭和56年特許願第141728号 2 発明の名称 1−シクロヘキシル−2−(4’−ハロロビフェニル)
エタン誘導体 S 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 〒174 東京都板橋区坂下6丁目35査58号 明細書の特許請求の範囲の欄 5 補正の自答 明細書の特許請求の範囲を別紙のように釘止する。
補正後の特許請求の範囲
(%願昭56−141728号)
1゛
一般式
で表わされる化合物。
」
Claims (1)
- で表わされる化合物。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14172881A JPS5935900B2 (ja) | 1981-09-10 | 1981-09-10 | 1−シクロヘキシル−2−(4′−ハロロビフエニル)エタン誘導体 |
US06/413,798 US4455443A (en) | 1981-09-10 | 1982-09-01 | Nematic halogen Compound |
DE19823233641 DE3233641C2 (de) | 1981-09-10 | 1982-09-10 | Neue nematische Halogenverbindungen |
CH539782A CH650238A5 (de) | 1981-09-10 | 1982-09-10 | 1-cyclohexyl-2-phenylaethane und -biphenylaethane. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14172881A JPS5935900B2 (ja) | 1981-09-10 | 1981-09-10 | 1−シクロヘキシル−2−(4′−ハロロビフエニル)エタン誘導体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5849324A true JPS5849324A (ja) | 1983-03-23 |
JPS5935900B2 JPS5935900B2 (ja) | 1984-08-31 |
Family
ID=15298821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14172881A Expired JPS5935900B2 (ja) | 1981-09-10 | 1981-09-10 | 1−シクロヘキシル−2−(4′−ハロロビフエニル)エタン誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5935900B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05500830A (ja) * | 1990-04-13 | 1993-02-18 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 液晶媒体 |
JPH0625669A (ja) * | 1983-06-14 | 1994-02-01 | Merck Patent Gmbh | 液晶組成物 |
JP2000080371A (ja) * | 1990-04-13 | 2000-03-21 | Merck Patent Gmbh | 液晶媒体 |
JP2000096060A (ja) * | 1990-04-13 | 2000-04-04 | Merck Patent Gmbh | 液晶媒体 |
JP2000096057A (ja) * | 1990-04-13 | 2000-04-04 | Merck Patent Gmbh | 液晶媒体 |
JP2000096065A (ja) * | 1990-08-03 | 2000-04-04 | Merck Patent Gmbh | 液晶媒体 |
-
1981
- 1981-09-10 JP JP14172881A patent/JPS5935900B2/ja not_active Expired
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0625669A (ja) * | 1983-06-14 | 1994-02-01 | Merck Patent Gmbh | 液晶組成物 |
JPH05500830A (ja) * | 1990-04-13 | 1993-02-18 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 液晶媒体 |
JP2000080371A (ja) * | 1990-04-13 | 2000-03-21 | Merck Patent Gmbh | 液晶媒体 |
JP2000080367A (ja) * | 1990-04-13 | 2000-03-21 | Merck Patent Gmbh | 液晶媒体 |
JP2000096060A (ja) * | 1990-04-13 | 2000-04-04 | Merck Patent Gmbh | 液晶媒体 |
JP2000096057A (ja) * | 1990-04-13 | 2000-04-04 | Merck Patent Gmbh | 液晶媒体 |
JP2000109841A (ja) * | 1990-04-13 | 2000-04-18 | Merck Patent Gmbh | 液晶媒体 |
JP2000096065A (ja) * | 1990-08-03 | 2000-04-04 | Merck Patent Gmbh | 液晶媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5935900B2 (ja) | 1984-08-31 |
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