JPS5836844B2 - プッシュプル増幅回路 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はプッシュプル増幅回路に関し特にコンブリメン
タリプッシュプル増幅回路に関する。

オーディオ機器における出力増幅回路であるパワーアン
プは各種のタイプのものが用いられているが、その基本
となるものはＡ級及びＢ級のプッシュプル増幅回路であ
り、特にプッシュプルの出力段トランジスタとして１対
のＮＰＮ型及びＰＮＰ型トランジスタを用いたいわゆる
コンブリメンタリプッシュプル増幅回路が多用されてい
る。

Ａ級のコンブリメンタリプッシュプル増幅回路では、１
対の出力トランジスタは常に能動領域にて動作し遮断領
域へ移行することがないので、後述するＢ級増幅回路に
みられるようなスイッチング歪が発生しない利点がある
が、他方バイアス電流を多く流す必要があり、熱損失が
大きくなる欠点がある。

一方、Ｂ級のコンブリメンタリプッシュプル増幅回路で
は、上記Ａ級増幅回路に比してバイアス電流は少なくよ
って熱損失は小となる利点はあるが、１対の出力トラン
ジスタを交互に能動及び遮断状態に切換えて動作させる
ために、スイッチング歪が発生する欠点がある。

本発明の目的は、Ａ級及びＢ級プッシュプル増幅回路に
おける上記欠点を共に除いたプッシュプル増幅回路を提
供することであり、従って熱損失が少なくスイッチング
歪のないプッシュプル増幅回路を提供することである。

以下、本発明を図面を用いて詳細に説明する。

第１図は本発明の１実施例を示す回路図であり、図にお
いて、コンブリメンタリ出力トランジスタであるＮＰＮ
トランジスタＱ１及びＰＮＰ ｌ−ランジスタＱ２の両
エミツタはそれぞれ接続手段であるダイオードＤ１及び
Ｄ２により出力点Ｏに接続される。

この夕゛イオードＤ１，Ｄ２は共にトランジスタＱｔ
ｅＱ２に流れる電流の向きに対して順方向に接続されて
おり、換言すれば、ダイオードＤ１のアノードはトラン
ジスタＱ１のエミツタに、カソードは出力点Ｏにそれぞ
れ接続され、ダイオードＤ２のアノードは出力点Ｏに、
カソードはトランジスタＱ２のエミツタにそれぞれ接続
されている。

トランジスタＱ１，Ｑ２の両ベース間にはベースバイア
ス用の基準電圧発生源Ｅが接続され、定電流源■１と共
にトランジスタＱｌ ，Ｑ２のベースバイアス電圧を発
生している。

そして入力用トランジスタＱ３のベースに入力された信
号がプッシュプル増幅されて出力点Ｏと接地間の負荷Ｒ
Ｌを駆動する。

更に定電流源■２がトランジスタＱ２のエミツタと例え
ば正電流との間に設けられ、他の定電流源■３がトラン
ジスタＱ１のエミツタと例えば負電流との間に設けられ
ている。

従って、トランジスタＱ． ， Ｑ２には常に電流源■
３，■２の電流がそれぞれ流れることになる。

か＼る構戒において、人力信号条件により出力点Ｏが正
側に遷移した場合、プッシュプルトランジスタＱ１，Ｑ
２のベース間電圧はベースバイアス回路（Ｄにより一定
であるから出力点ＯとトランジスタＱ２のエミツタとの
間の電圧は減少し、トランジスタＱ２は遮断領域へ移行
しようとする。

しかしながら電流源■２により電流がトランジスタＱ２
のエミツタへ供給されているので、前述した如くダイオ
ードＤ２の両端の電圧が減少してダイオードＤ２に電流
が流れなくなっても、電流源■２により定まる電流がト
ランジスタＱ２に流れよって当該トランジスタの遮断領
域への移行が阻止されることになる。

他方、出力点Ｏが負側に遷移した場合には、同様な理由
により、トランジスタＱ１には電流源■３で定まる電流
が流れ、よって当該トランジスタの遮断領域への移行が
阻止されることになる。

第３図にＮＰＮ ｌ−ランジスタＱ１の電流１及びＰＮ
ＰトランジスタＱ２の電流２の波形を示す。

図示の如く両トランジスタに流れる電流は零になること
がないので常に能動領域にて動作させることが可能であ
り、かつ無信号時には、電流源Ｉ２ｊＩ３の電流値を小
としておけば従来のＡ級増幅回路におけるアイドル電流
に比し極めて小とすることができる。

尚図中の点線は従来のＢ級プッシュプル増幅回路の電流
波形であり、３，３′は無信号時のアイドル電流波形で
ある。

第２図は本発明の他の実施例を示す回路図であり、第１
図と同等部分は同一符号で示している。

図において、第１図のダイオードＤ１及びＤ２をトラン
ジスタを用いて構或したものであり、換言すればダイオ
ードＤ１の代りにＮＰＮ トランジスタのベースとコレ
クタとを共通接続し、又ダイオードＤ２の代りにＰＮＰ
トランジスタのベースとコレクタとを共通接続して使
用している。

従って、第１図の回路に対して大容量の回路が得られる
ことになる。

尚、ベースバイアス源として本例では４個のダイオード
の直列接続構或Ｄを用いたものである。

他の回路構或及び回路動作は第１図と同等であることは
明白である。

上記実施例においては、エミツタを出力点Ｏに接続する
手段としてダイオードを用いることにより、電流源■２
，■３の電流が負荷ＰＬへ流れる′ことを防止している
が、特にこの負荷ＰＬへの電流源よりの電流流入が問題
とならない場合にはダイオードの代りに抵抗を用いても
よいことは明白である。

以上の如く本発明によれば熱損失の少ないかつスイッチ
ング歪のない良好なコンブリメンタリプッシュプル増幅
回路が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２図は本発
明の他の実施例を示す回路図、第３図は出力トランジス
タの電流波形図である。 主要部分の符号の説明、Ｑ１，Ｑ２・・・・・・コンブ
リメンタリプッシュプルトランジスタ、Ｑ４，Ｑ５・・
・・・・ダイオード構或のトランジスタ、Ｄ１，Ｄ２・
・・・・・ダイオード、Ｅ，Ｄ・・・・・・ベースバイ
アス電圧発生源、■，，■２，■３・・・・・・電流源
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 第１及び第２のトランジスタと、前記第１及び第２
   のトランジスタのエミツタをそれぞれ出力点に接読する
   第１及び第２の接続手段と、前記第１及び第２のトラン
   ジスタのベース間に接続されたベースバイアス手段とを
   含むプッシュプル増幅回路であって、前記第１のトラン
   ジスタのエミッタに接続され前記第１のトランジスタに
   電流を流す定電流源と、前記第２のトヲンジスタのエミ
   ツタに接続され前記第２のトランジスタに電流を流す定
   電流源とを含み、前記第１及び第２のトランジスタを常
   に能動状態とするようにしたことを特徴とするプッシュ
   プル増幅回路。 ２ 前記第１及び第２の接続手段はそれぞれ前記第１及
   び第２のトランジスタに流れる電流の向きに対して順方
   向に接続されたダイオードよりなることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載のプツシュプル増幅回路。 ３ 前記ダイオードはそれぞれトランジスタのベース及
   びコレクタが共通接続されたダイオード構戒であること
   を特徴とする特許請求の範囲第２項記載のプッシュプル
   増幅回路。