JPS5835179B2 - 1−イソシアナト−3−(イソシアナトメチル)−3,5,5−トリメチルシクロヘキサンの連続的製法 - Google Patents
1−イソシアナト−3−(イソシアナトメチル)−3,5,5−トリメチルシクロヘキサンの連続的製法Info
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- JPS5835179B2 JPS5835179B2 JP49050377A JP5037774A JPS5835179B2 JP S5835179 B2 JPS5835179 B2 JP S5835179B2 JP 49050377 A JP49050377 A JP 49050377A JP 5037774 A JP5037774 A JP 5037774A JP S5835179 B2 JPS5835179 B2 JP S5835179B2
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- trimethylcyclohexane
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C265/00—Derivatives of isocyanic acid
- C07C265/10—Derivatives of isocyanic acid having isocyanate groups bound to carbon atoms of rings other than six-membered aromatic rings
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
ドイツ特許第1202785号明細書には1−アミノ−
3−(アミノメチル)−3・5・5−トリメチルシクロ
ヘキサン(インホロンジアミン又はIPD とも呼ば
れる)をホスゲン化することによる1−インシアナト−
3−(インシアナトメチル)−3・5・5−)!Jメチ
ルシクロヘキサン(インホロンジイソシアネート又はI
PDIとも呼ばれる)のバッチ式製法が記載されている
。
3−(アミノメチル)−3・5・5−トリメチルシクロ
ヘキサン(インホロンジアミン又はIPD とも呼ば
れる)をホスゲン化することによる1−インシアナト−
3−(インシアナトメチル)−3・5・5−)!Jメチ
ルシクロヘキサン(インホロンジイソシアネート又はI
PDIとも呼ばれる)のバッチ式製法が記載されている
。
環式脂肪族ジアミンのホスゲン化は3つの基本法、即ち
塩基−、カルバメート−又は塩酸塩法により行なうこと
ができる。
塩基−、カルバメート−又は塩酸塩法により行なうこと
ができる。
塩基−ホスゲン化は2段階で実施される。
先ずジアミンを冷却状態(はXO℃)で過剰のホスゲン
と反応させ、その際カルバミン酸クロリドと塩酸塩との
混合物が生じる(ジアミンのカルバメートから出発した
混合CO2の放出下で同様な反応生成物が生成する)。
と反応させ、その際カルバミン酸クロリドと塩酸塩との
混合物が生じる(ジアミンのカルバメートから出発した
混合CO2の放出下で同様な反応生成物が生成する)。
次に第2の反応段階において温度〉80℃でカルバミル
クロリドからHCl−分離下に所望のインシアネートが
生じ、一方アミンヒドロクロリド−基は゛′熱ホスゲン
化″によりインシアネートに転化する。
クロリドからHCl−分離下に所望のインシアネートが
生じ、一方アミンヒドロクロリド−基は゛′熱ホスゲン
化″によりインシアネートに転化する。
カルバメート法による環式脂肪族ジアミンのホスゲン化
は例えば以下のように行なうことができる。
は例えば以下のように行なうことができる。
例えば0−ジクロルペンゾール中のジアミン溶液をまず
CO2で飽和する。
CO2で飽和する。
次に強い攪拌下に生じた懸濁液を0℃であらかじめ仕込
んだホスゲン溶液中に流入する。
んだホスゲン溶液中に流入する。
この反応混合物を温度160°Cに加熱し、次にこの温
度で溶液が澄むまでホスゲンで処理する。
度で溶液が澄むまでホスゲンで処理する。
これは約io時間続は得る。塩酸塩法による前述の方法
とは異なって、ジアミン−ジヒドロクロリドから出発し
た場合、この安定した塩は冷却時にはホスゲンと実質的
に反応しないので、熱ホスゲン化しか使用できない。
とは異なって、ジアミン−ジヒドロクロリドから出発し
た場合、この安定した塩は冷却時にはホスゲンと実質的
に反応しないので、熱ホスゲン化しか使用できない。
ホスゲン化は一般に不活性有機溶剤、例えば芳香族−1
塩素化芳香族−及び水酸化芳香族化合物中で行なわれる
。
塩素化芳香族−及び水酸化芳香族化合物中で行なわれる
。
非芳香族ジアミンのカルバメート、カルバミルクロリド
及びヒドロクロリドは実質的にこれらの溶剤に不溶なの
で、これらは懸濁した形で反応させる。
及びヒドロクロリドは実質的にこれらの溶剤に不溶なの
で、これらは懸濁した形で反応させる。
前述のすべての方法は、究極的に主反応としての熱ホス
ゲン化反応が共通している。
ゲン化反応が共通している。
このような方法は、反応混合物を一連の前後に連結した
攪拌容器−いわゆる”攪拌カスケード′”−を通過させ
ることにより勿論連続的に行なうこともできる。
攪拌容器−いわゆる”攪拌カスケード′”−を通過させ
ることにより勿論連続的に行なうこともできる。
特に例えば熱ホスゲン化の如き長時間反応の場合には、
滞留時間スペクトルを改善するために多段攪拌カスケー
ドを使用する必要があり、その他の場合には、十分に反
応した生成物を得ながらでは、装入量が減少する。
滞留時間スペクトルを改善するために多段攪拌カスケー
ドを使用する必要があり、その他の場合には、十分に反
応した生成物を得ながらでは、装入量が減少する。
これらホスゲン化法の共通特性は、反応混合物としてで
きるだけ希薄な懸濁液を使用することである。
きるだけ希薄な懸濁液を使用することである。
上述の方法の1つによるIPDのホスゲン化は、他の公
知のジアミンの場合には従来全く見られなかった特別な
性質の為に非常に困難である。
知のジアミンの場合には従来全く見られなかった特別な
性質の為に非常に困難である。
熱ホスゲン化を開始する場合、この反応相の懸濁した出
発物質(カルバミルクロリド−塩酸塩或はジヒドロクロ
リド)が、自体結合して粘稠な物質となり、それは塊状
で反応器壁又は攪拌器に堆積する。
発物質(カルバミルクロリド−塩酸塩或はジヒドロクロ
リド)が、自体結合して粘稠な物質となり、それは塊状
で反応器壁又は攪拌器に堆積する。
このことは機械的妨害、例えば攪拌器に不均衡を生せし
め、又は導管を閉塞させる。
め、又は導管を閉塞させる。
従って本発明はIPDIを連続的に得るための方法を開
発することを課題としており、その方法は連続的方法の
長所を有するばかりでなく、簡単な装置中で、従来懸濁
液の塊状化により生じた妨害を起すことなしに操作する
ことを可能とするものである。
発することを課題としており、その方法は連続的方法の
長所を有するばかりでなく、簡単な装置中で、従来懸濁
液の塊状化により生じた妨害を起すことなしに操作する
ことを可能とするものである。
本発明者は公知方法の前述の欠点を、一般式(式中Rは
CIH−H−1又はC1−C−基である)なる1−アミ
ノ−(3−アミノメチル)−3・5・5−トリメチルシ
クロヘキサンの予め形成された誘導体を高められた温度
でホスゲン化することにより1−イソシアナト−3−(
イソシアナトメチル)−3・5・5−トリメチルシクロ
ヘキサンを連続的に製造する公知の方法の上述の欠点が
、予め形成された上記誘導体の1種を不活性溶剤中に懸
濁した懸濁液と過剰のホスゲンとの反応を90〜180
℃、特に130〜160℃の温度で、既に予め形成され
た1−インシアナ1−−3−(インシアナトメチル)−
3・5・5−トリメチルシクロヘキサン中で行ない、続
いて、場合により後反応を行なった後に、得られた反応
混合物を脱ガスすることにより公知の方法で後処理した
場合に、避けられるという驚くべきことを見いだした。
CIH−H−1又はC1−C−基である)なる1−アミ
ノ−(3−アミノメチル)−3・5・5−トリメチルシ
クロヘキサンの予め形成された誘導体を高められた温度
でホスゲン化することにより1−イソシアナト−3−(
イソシアナトメチル)−3・5・5−トリメチルシクロ
ヘキサンを連続的に製造する公知の方法の上述の欠点が
、予め形成された上記誘導体の1種を不活性溶剤中に懸
濁した懸濁液と過剰のホスゲンとの反応を90〜180
℃、特に130〜160℃の温度で、既に予め形成され
た1−インシアナ1−−3−(インシアナトメチル)−
3・5・5−トリメチルシクロヘキサン中で行ない、続
いて、場合により後反応を行なった後に、得られた反応
混合物を脱ガスすることにより公知の方法で後処理した
場合に、避けられるという驚くべきことを見いだした。
更にこの方法によれば多段攪拌カスケードを使用しない
ことが可能である。
ことが可能である。
主反応器と著しくより小規模な後反応器とで、高収率で
反応を実施するのに完全に十分であることが判った。
反応を実施するのに完全に十分であることが判った。
更に驚くべきことに一攪拌段階にて、不利な滞留時間分
布にもか工わらず殆んど完全に反応した生成物を取り出
すことができ、しかもバッチ法の反応時間内にある平均
滞留時間のもとである。
布にもか工わらず殆んど完全に反応した生成物を取り出
すことができ、しかもバッチ法の反応時間内にある平均
滞留時間のもとである。
即ちバッチ法におけるよりも良い空時収率に相当する装
入量が達成せられる。
入量が達成せられる。
130℃の反応温度の如きこのように節約的条件の下で
すら、平均滞留時間6時間以下である。
すら、平均滞留時間6時間以下である。
バッチ式反応においては塊状化物の出現により160℃
の高い反応温度のもとで24時間までの反応時間がドイ
ツ特許第1202785号明細書の実施例から認められ
る如く必要である。
の高い反応温度のもとで24時間までの反応時間がドイ
ツ特許第1202785号明細書の実施例から認められ
る如く必要である。
更に本発明による方法により温やかな条件下に著しく純
粋な生成物が得られる。
粋な生成物が得られる。
収率も著しく高められた。
この方法を実施する為には、次の方法及び装置を使用で
きる。
きる。
装置はカルバメート−法のための図に示した。
導管1を介して飽和槽2に強力な攪拌下に連続的にIP
D−溶液(例えばクロルベンゾールにIPDを溶解した
もの)を供給する。
D−溶液(例えばクロルベンゾールにIPDを溶解した
もの)を供給する。
同時に導管3を介してCO2を過剰に、温度O〜70℃
、特に20〜30℃で導入する。
、特に20〜30℃で導入する。
生じたカルバメータ懸濁液を導管4を介して冷ホスゲン
化のために前反応器5に流入させ、そこでは同様に良好
な攪拌下に導管6を通して過剰のホスゲンと−10から
+40℃、特に20〜30℃で接触せしめる。
化のために前反応器5に流入させ、そこでは同様に良好
な攪拌下に導管6を通して過剰のホスゲンと−10から
+40℃、特に20〜30℃で接触せしめる。
次にそこで本発明による反応混合物(懸濁せれたカルバ
ミルクロリド−塩酸塩−混合物)を導管7を介して主反
応器8に導入し、そこでは90〜180℃、特に130
〜160℃で過剰のホスゲンを用いて熱ホスゲン化に委
ねる。
ミルクロリド−塩酸塩−混合物)を導管7を介して主反
応器8に導入し、そこでは90〜180℃、特に130
〜160℃で過剰のホスゲンを用いて熱ホスゲン化に委
ねる。
反応器8の大きさ及び1における配量供給速度に依存す
る若干の平均滞留時間の後に生成物を導管9を介して、
反応器8と同様な条件下に運転する後反応器10に導入
する。
る若干の平均滞留時間の後に生成物を導管9を介して、
反応器8と同様な条件下に運転する後反応器10に導入
する。
更に温度は反応器8におけるよりも多少高くてもよい。
そこで反応が終了する。後に連結したホスゲン−回収装
置11からホスゲン流を導管12を介して10に及び導
管13を介して8に生成物流に対して向流状態で導入す
る。
置11からホスゲン流を導管12を介して10に及び導
管13を介して8に生成物流に対して向流状態で導入す
る。
反応器8の過剰ホスゲンは導管14を介して再び回収装
置11にもどす。
置11にもどす。
同様に得られたHCI及びCO2は導管15を介して系
から排出する。
から排出する。
生成物は溢流して導管16を通して取り出し、後処理の
ために通常の分別蒸留に供給する。
ために通常の分別蒸留に供給する。
塩酸塩−法の場合には前反応器5は必要ではない。
飽和槽2において90℃までの温度で初めて塩酸塩形成
が行なわれる。
が行なわれる。
塩酸塩−懸濁液は直接に主反応器8に流入させる。
新鮮なホスゲンは導管17を介して主反応器8に又は1
2を介して回収ホスゲンと共に後反応器10及び導管1
3を通って主反応器8に導入する。
2を介して回収ホスゲンと共に後反応器10及び導管1
3を通って主反応器8に導入する。
その他、熱ホスゲン化はカルバメート−法のそれと一致
する。
する。
これに対して塩基−法の場合には飽和槽2は必要ではな
い。
い。
冷ホスゲン化はより高いホスゲン過剰を用いて前反応器
5中で行なう。
5中で行なう。
この目的の為には新鮮なホスゲンと同時に回収したホス
ゲンの支流を前反応器に導入しなげればならない。
ゲンの支流を前反応器に導入しなげればならない。
その他はカルバメート−法における如く熱ホスゲン化を
行なう。
行なう。
下記の例は本発明による方法を説明するものである。
例1
カルバメート−法
前述のような装置中で容量0.51の飽和槽2に温度2
0〜30℃で毎時、クロルベンゾール1.51に溶解L
りIPD 200 P及びCO2−ガス551を導入す
る。
0〜30℃で毎時、クロルベンゾール1.51に溶解L
りIPD 200 P及びCO2−ガス551を導入す
る。
溢流物は、温度30℃でホスゲン240Pが導入される
容量1.51の前反応器5に流入する。
容量1.51の前反応器5に流入する。
次に懸濁液を、7を通して、反応容量81反反応度13
0℃の主反応器8に入れる。
0℃の主反応器8に入れる。
この反応器を、運転を始めるために、クロルベンゾール
に溶解した既に予め形成されたIPDIで満たす。
に溶解した既に予め形成されたIPDIで満たす。
続いて反応混合物を容量1.51の後反応器10に同様
に130℃の温度のもとで流し込む。
に130℃の温度のもとで流し込む。
後反応器及び主反応器を通して生成物流に向って順々に
150f/時のホスゲン流を導入する。
150f/時のホスゲン流を導入する。
はとんど水のように澄明な溶液が得られる。
この溶液を蒸留の前に安全のために乾燥した窒素を吹き
込むことにより脱ガスをする。
込むことにより脱ガスをする。
排ガスはホスゲン回収器にもどす。
得られたIPDI−溶液を50CIrLの充填塔におい
て蒸留に処理した後に、毎時平均して256iのIPD
Iが得られ、これは使用したIPDに対して理論収率の
98%に相当する。
て蒸留に処理した後に、毎時平均して256iのIPD
Iが得られ、これは使用したIPDに対して理論収率の
98%に相当する。
粗生成物中のクロル化合物の含量は0.1重量%であり
、蒸留できない残留物は2重量%以下である。
、蒸留できない残留物は2重量%以下である。
例2
塩酸塩−法
容量0.51の飽和槽2中で毎時、■、51の〇−クロ
ルベンゾールに溶解した170グのIPDをHCl8(
lと60℃で強力な攪拌下に反応させる。
ルベンゾールに溶解した170グのIPDをHCl8(
lと60℃で強力な攪拌下に反応させる。
混合物を7を介して直接に主反応器8に供給し、容量8
1の主反応器8及び1.51の後反応器10を両方とも
反応温度160℃のもとで貫通させる。
1の主反応器8及び1.51の後反応器10を両方とも
反応温度160℃のもとで貫通させる。
生成物流に向って順々に後−及び主反応器を通して25
0 P/時のホスゲン流を導入する。
0 P/時のホスゲン流を導入する。
後処理を例1に記載の如く行なう。
その際平均して毎時213グのIPDIが得られ、これ
はIPDに対して理論収率の96%に相当する。
はIPDに対して理論収率の96%に相当する。
粗生成物には0.3重量%のクロル化合物及び蒸留する
ことのできない4重量%より少ない残留物が含まれる。
ことのできない4重量%より少ない残留物が含まれる。
例3
塩基−法
容量1.51の前反応器5において約lO℃に冷却の下
に毎時連続的に、1.51のクロルベンゾールに溶解し
た200S’のIPD とホスゲン460iとを反応さ
せる。
に毎時連続的に、1.51のクロルベンゾールに溶解し
た200S’のIPD とホスゲン460iとを反応さ
せる。
続いて懸濁液を7を介して81の主反応器8及び容量1
,51の後反応器に、両方とも130℃の反応温度のも
とで流入する。
,51の後反応器に、両方とも130℃の反応温度のも
とで流入する。
後−及び主反応器を通して、生成物流に向って毎時15
0?のホスゲンを導入する。
0?のホスゲンを導入する。
流れ出た反応生成物は平均して毎時249ftのIPD
Iを含み、同様に、使用したIPDに対して理論収率の
95.5%に相当する。
Iを含み、同様に、使用したIPDに対して理論収率の
95.5%に相当する。
粗生成物にはクロル化合物0.2重量%及び蒸留するこ
とのできない残留物約4重量%が含まれている。
とのできない残留物約4重量%が含まれている。
この方法の場合には主反応器に毎時供給される懸濁液の
容量が反応器容量の約%〜Hの範囲であるのが好ましい
。
容量が反応器容量の約%〜Hの範囲であるのが好ましい
。
この効果的供給量は反応温度及び懸濁液の固体物質含量
に従う。
に従う。
以上の説明から明らかな様に本発明の対象は特許請求の
範囲に記載の通りであるが、その実施の態様として下記
を包含するものである。
範囲に記載の通りであるが、その実施の態様として下記
を包含するものである。
(1)特許請求の範囲に記載の方法に於いて、毎時供給
する懸濁液容量を反応容量の約%〜にであることよりな
る方法。
する懸濁液容量を反応容量の約%〜にであることよりな
る方法。
図面は本発明による方法を実施するための装置のフロー
シートであり、図中の記号は下記の意味を有する。 1:導管、2:飽和槽、3,4:導管、5:前反応器、
6,7:導管、8:主反応器、9:導管、10:後反応
器、11:ホスゲン回収装置、12゜13.14,15
,16,17:導管。
シートであり、図中の記号は下記の意味を有する。 1:導管、2:飽和槽、3,4:導管、5:前反応器、
6,7:導管、8:主反応器、9:導管、10:後反応
器、11:ホスゲン回収装置、12゜13.14,15
,16,17:導管。
Claims (1)
- (式中RはCIH−H−又はCl−C−基である)なる
l−アミノ−(3−アミノメチル)−3・5・5−トリ
メチルシクロヘキサンの予め形成された誘導体を庫めら
れた温度でホスゲン化することにより1−インシアナト
−3−(インシアナトメチル)−3・5・5−トリメチ
ルシクロヘキサンを製造するに際し、予め形成された誘
導体の1種を不活性溶剤中に懸濁した懸濁液と過剰のホ
スゲンとの反応を温度90〜iso’cで、既に予め形
成されたl−イソシアナ)−3−(イソシアナトメチル
)3・5・5−トリメチルシクロヘキサン中で一つの攪
拌段階で行ない、続いて場合により後反応を行なった後
に、得られた反応混合物を公知の方法で脱ガスすること
により後処理することを特徴とする上記化合物の連続的
製法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2323299 | 1973-05-09 | ||
DE2323299A DE2323299C3 (de) | 1973-05-09 | 1973-05-09 | Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von 1-Isocyanato-3-(isocyanatomethyl)-3,5,5-trimethylcyclohexan |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5052048A JPS5052048A (ja) | 1975-05-09 |
JPS5835179B2 true JPS5835179B2 (ja) | 1983-08-01 |
Family
ID=5880360
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP49050377A Expired JPS5835179B2 (ja) | 1973-05-09 | 1974-05-08 | 1−イソシアナト−3−(イソシアナトメチル)−3,5,5−トリメチルシクロヘキサンの連続的製法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3916006A (ja) |
JP (1) | JPS5835179B2 (ja) |
DE (1) | DE2323299C3 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2614243C2 (de) * | 1976-04-02 | 1982-10-07 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Cycloaliphatische Triisocyanate, Vefahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
DE19928741A1 (de) * | 1999-06-23 | 2000-12-28 | Basf Ag | Helle Isocyanate, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE844896C (de) * | 1944-04-04 | 1952-09-15 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von organischen Isocyanaten |
US2908704A (en) * | 1957-08-07 | 1959-10-13 | Du Pont | Process of preparing isocyanates |
DE1192641B (de) * | 1963-10-09 | 1965-05-13 | Basf Ag | Verfahren zur Herstellung von Isocyanaten |
-
1973
- 1973-05-09 DE DE2323299A patent/DE2323299C3/de not_active Expired
-
1974
- 1974-05-08 US US467976A patent/US3916006A/en not_active Expired - Lifetime
- 1974-05-08 JP JP49050377A patent/JPS5835179B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5052048A (ja) | 1975-05-09 |
US3916006A (en) | 1975-10-28 |
DE2323299A1 (de) | 1974-11-21 |
DE2323299B2 (de) | 1978-06-22 |
DE2323299C3 (de) | 1983-12-08 |
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