JPS58225671A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS58225671A
JPS58225671A JP57108004A JP10800482A JPS58225671A JP S58225671 A JPS58225671 A JP S58225671A JP 57108004 A JP57108004 A JP 57108004A JP 10800482 A JP10800482 A JP 10800482A JP S58225671 A JPS58225671 A JP S58225671A
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polycrystalline silicon
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Kazuya Nagase
永瀬　一哉
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/68—Floating-gate IGFETs
    • H10D30/681—Floating-gate IGFETs having only two programming levels

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2001196478A (ja) * 2000-01-17 2001-07-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法、フラッシュメモリの製造方法、およびスタティックランダムアクセスメモリの製造方法ならびにフラッシュメモリ
JP2011129936A (ja) * 2011-01-06 2011-06-30 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法、フラッシュメモリの製造方法、およびスタティックランダムアクセスメモリの製造方法ならびにフラッシュメモリ

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