JPS58212616A - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS58212616A JPS58212616A JP9574082A JP9574082A JPS58212616A JP S58212616 A JPS58212616 A JP S58212616A JP 9574082 A JP9574082 A JP 9574082A JP 9574082 A JP9574082 A JP 9574082A JP S58212616 A JPS58212616 A JP S58212616A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lower core
- core
- coil
- thin film
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜磁気へ・リドに関するものである。
薄膜磁気へ−Ｊドは通常第１図に示す断面形状を持つよ
うに成形されている。すなわち、基台（１）に下部コア
（２）を配設し、さらにその上に第１絶縁体層（３）を
設け、次いでこの第１絶縁体層（３）上に、第２図１に
示すような平面形状を有する第１コイル部分（４）を配
設し、次いでこの第１コイル部分の端部（４λ）を除き
第２絶縁体層（５）を付設し、その後この第２絶縁体層
（５）の上に前記端部（４ａ）化接続する端部（６３）
を有する第２コイル部分（６）を第２図すに示す如く設
け、さらにその上に第３絶縁体層（７）を配設し、次い
でこの第３絶縁体層の上刃）ら上部コア（８）を配設し
て構成するようにしてｌ、）る。ところで、この磁気へ
・リドは上部コア（８）の１】伊）（第２図Ｃ）でトラ
・リフ１】を規定し、上下各部コア（２）（８）の距離
Ｑでギヤ・リプ長を規定するようにしても）る。距離ｑ
は第１．第２．第３絶縁体層（３１（５）（７）の各層
厚の和であり、各層厚は必要な絶縁を確保するために小
さくするには限度があるからギヤ・リプ長を小さくする
には限度がある。例えば各絶縁体層（３）（５）（７）
を５ｉ０２膜で成形する場合、各部のピンホールをなく
すためには０．５μｍ以上、また絶縁の完全性およびコ
イルによる段差（例えば１μ″ｍ）のカッく−から各部
につき０．７μｍ、したがってギヤ・リプ長は２．１μ
ｍ以上となる。
うに成形されている。すなわち、基台（１）に下部コア
（２）を配設し、さらにその上に第１絶縁体層（３）を
設け、次いでこの第１絶縁体層（３）上に、第２図１に
示すような平面形状を有する第１コイル部分（４）を配
設し、次いでこの第１コイル部分の端部（４λ）を除き
第２絶縁体層（５）を付設し、その後この第２絶縁体層
（５）の上に前記端部（４ａ）化接続する端部（６３）
を有する第２コイル部分（６）を第２図すに示す如く設
け、さらにその上に第３絶縁体層（７）を配設し、次い
でこの第３絶縁体層の上刃）ら上部コア（８）を配設し
て構成するようにしてｌ、）る。ところで、この磁気へ
・リドは上部コア（８）の１】伊）（第２図Ｃ）でトラ
・リフ１】を規定し、上下各部コア（２）（８）の距離
Ｑでギヤ・リプ長を規定するようにしても）る。距離ｑ
は第１．第２．第３絶縁体層（３１（５）（７）の各層
厚の和であり、各層厚は必要な絶縁を確保するために小
さくするには限度があるからギヤ・リプ長を小さくする
には限度がある。例えば各絶縁体層（３）（５）（７）
を５ｉ０２膜で成形する場合、各部のピンホールをなく
すためには０．５μｍ以上、また絶縁の完全性およびコ
イルによる段差（例えば１μ″ｍ）のカッく−から各部
につき０．７μｍ、したがってギヤ・リプ長は２．１μ
ｍ以上となる。
薄膜磁気へ・リドにおいては発生磁界の増大、発熱防止
、及び微小電流による駆動を可能にするためコイルのタ
ーン数を上げる必要があるが、第１図の磁気へ噌ドでは
コイルの多層化に比例してギャリプ長は大きくならざる
を得ない。このため磁気へ・リドのフロントギヤ・リプ
部における絶縁体層の一部を除去あるいは省略して該当
部１こおける層厚を小さくするようにしている。第３図
及び第４図はそのための工夫を施した磁気へ・リドの異
なる例を断面して示すものである。第３図は、コイル（
４）をマスクとしてコイル下を除く部分の絶縁体層をす
べて除去したものであり、第４図はギヤリプ部゛（フロ
ント側及びリヤ側）の絶縁体層のみを写真蝕刻技術を用
いて除去しその後にギャップ長を規定するためのスペー
サ（９）を設けて上部コア（８）を形成するようにした
ものである。しかしながら、前者は下部コアとコイル平
面間の段差が大きくこれらを包み込むように形成するそ
の後の絶縁体層の成荊時に図中に部分が被覆不完全とな
る可能性が大きい、また後者は上部コアの、下部コアと
絶縁体層表面間の段差部（８１において膜厚低下、磁束
漏れを発生させるおそれがある、などの欠点があった６ 本発明はこの欠点を除去し、良好なギヤ・リプを有する
磁気へリドを提供することを目的とするものであり、下
部コアと、該下部コアの上に形成される、コイルを含む
複数の絶縁体層との間の段差を減少又は解消するために
、上部コアに対向する下部コア上に第２の下部コアを配
備してなる磁気へリドを提供しようとするものである。
、及び微小電流による駆動を可能にするためコイルのタ
ーン数を上げる必要があるが、第１図の磁気へ噌ドでは
コイルの多層化に比例してギャリプ長は大きくならざる
を得ない。このため磁気へ・リドのフロントギヤ・リプ
部における絶縁体層の一部を除去あるいは省略して該当
部１こおける層厚を小さくするようにしている。第３図
及び第４図はそのための工夫を施した磁気へ・リドの異
なる例を断面して示すものである。第３図は、コイル（
４）をマスクとしてコイル下を除く部分の絶縁体層をす
べて除去したものであり、第４図はギヤリプ部゛（フロ
ント側及びリヤ側）の絶縁体層のみを写真蝕刻技術を用
いて除去しその後にギャップ長を規定するためのスペー
サ（９）を設けて上部コア（８）を形成するようにした
ものである。しかしながら、前者は下部コアとコイル平
面間の段差が大きくこれらを包み込むように形成するそ
の後の絶縁体層の成荊時に図中に部分が被覆不完全とな
る可能性が大きい、また後者は上部コアの、下部コアと
絶縁体層表面間の段差部（８１において膜厚低下、磁束
漏れを発生させるおそれがある、などの欠点があった６ 本発明はこの欠点を除去し、良好なギヤ・リプを有する
磁気へリドを提供することを目的とするものであり、下
部コアと、該下部コアの上に形成される、コイルを含む
複数の絶縁体層との間の段差を減少又は解消するために
、上部コアに対向する下部コア上に第２の下部コアを配
備してなる磁気へリドを提供しようとするものである。
次に、本発明を図示実施側番こ基づき説明する。
第５図は１実施例の平面図、第６図は第５図中のＡＡ断
面図、第７図は第５図の矢印Ｂ方向から見た正面図であ
る。ただし第５図及び第６図において上部コアの上方の
保護部材を省略している。
面図、第７図は第５図の矢印Ｂ方向から見た正面図であ
る。ただし第５図及び第６図において上部コアの上方の
保護部材を省略している。
本実施例は１つの基板上に２０個の磁気へリドを備えて
怠り、各磁気へリドは一定のトラリフ巾（１）（例えば
８０μ）を有しかつ一定のトラ・リクピ噌チ（Ｕ）（例
えば１６５μ）で揃列されており、両端の磁気ヘッドの
各側方にギヤ雫プ深さくＶ）を規定するためのモニタパ
ターン（８を配備し、該モニタパターンを利用してテー
プ当接面（４１）を研磨するようにしている。また、こ
の研磨により除去される部分（ａ内に、後述の第２の下
部コアを形成するための電極導入部（４３１を備えてい
る。各磁気へ・リドは何れも対称的に形成されているの
で、以下１つの磁気へリドについて代表して詳説する。
怠り、各磁気へリドは一定のトラリフ巾（１）（例えば
８０μ）を有しかつ一定のトラ・リクピ噌チ（Ｕ）（例
えば１６５μ）で揃列されており、両端の磁気ヘッドの
各側方にギヤ雫プ深さくＶ）を規定するためのモニタパ
ターン（８を配備し、該モニタパターンを利用してテー
プ当接面（４１）を研磨するようにしている。また、こ
の研磨により除去される部分（ａ内に、後述の第２の下
部コアを形成するための電極導入部（４３１を備えてい
る。各磁気へ・リドは何れも対称的に形成されているの
で、以下１つの磁気へリドについて代表して詳説する。
各図において、ａωは基台、０１）はこの基台上ｌこ付
設してなる下部コア、（２）はこの下部コア上１こ配設
してなる第２の下部コア、（１３αａ（至）は第１．第
２．第３絶縁体層、（ｔｅ１１１ηはそれぞれ第１．第
２コイル部分、叩はフロントギヤ９１部を構成するスペ
ーサ、α優は上部コアである。下部コア０υ及び第２の
下部コア□□□は何れも導電性の良いパーマロイで形成
され、各絶縁体層（２）α４１（１５１及び各コイル部
分はそれぞれシリカ（Ｓｉ０２） 、アルミニウム（Ａ
／）で形成されている。
設してなる下部コア、（２）はこの下部コア上１こ配設
してなる第２の下部コア、（１３αａ（至）は第１．第
２．第３絶縁体層、（ｔｅ１１１ηはそれぞれ第１．第
２コイル部分、叩はフロントギヤ９１部を構成するスペ
ーサ、α優は上部コアである。下部コア０υ及び第２の
下部コア□□□は何れも導電性の良いパーマロイで形成
され、各絶縁体層（２）α４１（１５１及び各コイル部
分はそれぞれシリカ（Ｓｉ０２） 、アルミニウム（Ａ
／）で形成されている。
第２のコア部分圓は＠ｉ〜第３絶縁体層０３）圓（至）
をマスクとして下部コアα１）上にこれら絶縁体層の全
厚分に相当する厚さだけ電着によって形成されるもので
あり、この第２の下部コア（２）表面と第３絶縁体層（
至）の、下部にコイル部分を含まない部分の表面との間
には実質的な段差を形成しないようにしている。そのた
め、この第２の下部コア（２）と第３絶縁体層αω上に
スペーサａ印を介して共通的に形成される上部コアα９
はコイル部分Ｏｅ０ηに対しては絶縁体層（ｌω傷）に
よって十分に絶縁され、また第４図に示す従来例のよう
番こ段差部分ｉｓ）を備えていないので該上部コア自体
の肉厚が極端に薄くなるようなことがなく磁束漏れを防
止することができる。
をマスクとして下部コアα１）上にこれら絶縁体層の全
厚分に相当する厚さだけ電着によって形成されるもので
あり、この第２の下部コア（２）表面と第３絶縁体層（
至）の、下部にコイル部分を含まない部分の表面との間
には実質的な段差を形成しないようにしている。そのた
め、この第２の下部コア（２）と第３絶縁体層αω上に
スペーサａ印を介して共通的に形成される上部コアα９
はコイル部分Ｏｅ０ηに対しては絶縁体層（ｌω傷）に
よって十分に絶縁され、また第４図に示す従来例のよう
番こ段差部分ｉｓ）を備えていないので該上部コア自体
の肉厚が極端に薄くなるようなことがなく磁束漏れを防
止することができる。
モニタバタン（軸上には、上記第２の下部コアの成形時
に同時に該第２の下部コア材が付着され、磁気ヘッドの
デプス（ギヤ・リプのテープ当接面からギャヅブエンド
までの距離）（Ｖ）を決めるため複数の深さの異なるく
し歯が形成されている。第７図の正面図を見てわかるよ
うに、モニタパターンのくし歯数によってデプス（Ｖ）
を推定することができる。かかる方法に代え、第５図中
に仮想線で示したように、コイル部分の成形時に同時に
図示の如きモニタパターン（４４）を成形しかつ該パタ
ーン上の一部（ａをデプスを決める位置に切欠縁をもつ
ように切欠いて、テープ当接面をパターン（４４ａ）（
４４ｂ）間の抵抗値の変化で検出するようにしても良い
。尚、第７図中、艶は保護層、（５υは接着材層、（支
）はシールド及び保護材であり、これらの保護部材番こ
ついては他の図面では図示省略している。
に同時に該第２の下部コア材が付着され、磁気ヘッドの
デプス（ギヤ・リプのテープ当接面からギャヅブエンド
までの距離）（Ｖ）を決めるため複数の深さの異なるく
し歯が形成されている。第７図の正面図を見てわかるよ
うに、モニタパターンのくし歯数によってデプス（Ｖ）
を推定することができる。かかる方法に代え、第５図中
に仮想線で示したように、コイル部分の成形時に同時に
図示の如きモニタパターン（４４）を成形しかつ該パタ
ーン上の一部（ａをデプスを決める位置に切欠縁をもつ
ように切欠いて、テープ当接面をパターン（４４ａ）（
４４ｂ）間の抵抗値の変化で検出するようにしても良い
。尚、第７図中、艶は保護層、（５υは接着材層、（支
）はシールド及び保護材であり、これらの保護部材番こ
ついては他の図面では図示省略している。
次に、かかる磁気へ・リドを製造する手順について第８
図の工程図１こ従い説明する。厚さ１ｍ程度のホトセラ
ム製基台（イ）の表面に、３〜５μ程度の厚さで下部コ
アとなる導電性の良い軟磁性体（パーマロイ）よりなる
薄膜のυを付設する。（第８図ａ）次いでこの薄膜のυ
の上に絶縁体たとえば５ｉ０２よりなる第１絶縁体膜と
なる薄膜（２）（膜厚は１．５μ程度）を付設しく第８
図ｂ）、その後この薄膜の上に第１コイル部分となるア
ルミニウムよりなるパターン幻を付設しく第８図Ｃ）、
次いで第２絶縁体膜となる薄膜（財）、第２コイル部分
となるパターン（（へ）、さらに第３絶縁体膜となる薄
膜■を順次同様番こ付設する（第８図ｄ）。なお薄膜（
財）の付設後、パターン（８３ｍ）止め薄膜を除去し、
パターン（へ）の成形時、薄膜田土のパターン（８３ｍ
月こ短絡するようにしている。
図の工程図１こ従い説明する。厚さ１ｍ程度のホトセラ
ム製基台（イ）の表面に、３〜５μ程度の厚さで下部コ
アとなる導電性の良い軟磁性体（パーマロイ）よりなる
薄膜のυを付設する。（第８図ａ）次いでこの薄膜のυ
の上に絶縁体たとえば５ｉ０２よりなる第１絶縁体膜と
なる薄膜（２）（膜厚は１．５μ程度）を付設しく第８
図ｂ）、その後この薄膜の上に第１コイル部分となるア
ルミニウムよりなるパターン幻を付設しく第８図Ｃ）、
次いで第２絶縁体膜となる薄膜（財）、第２コイル部分
となるパターン（（へ）、さらに第３絶縁体膜となる薄
膜■を順次同様番こ付設する（第８図ｄ）。なお薄膜（
財）の付設後、パターン（８３ｍ）止め薄膜を除去し、
パターン（へ）の成形時、薄膜田土のパターン（８３ｍ
月こ短絡するようにしている。
このようにしてコイル部分を基板（８１）上１こ成形し
た後、このコイル部分を挾むフロント及びバ・リンギヤ
・リプとなる部分及びモニタパターンを形成する部分の
薄膜（８２）＠ｌＪ＠を写真蝕刻技術によって打抜き作
成し、同時に電極導入穴明を形成する（第８図Ｃ）。尚
、（資）は打抜孔である。本実施例のよう１こ絶縁層と
してシリカ（ＳｉＯ２）を用いている場合には、ＨＦ−
ＮＨ４Ｆ混合溶液を用いることによって不要部を除去す
ることができる（なお、ＣＣＪ４＋０２ガスのりアクテ
ィブイオンニーＪチングを用いれば史書こ精度良く打抜
くことができる）。次いでこの打抜部分に、次の３７８
槽を用いて、下部コアとなる薄膜のυ上に第２の下部コ
アとなるパーマロイよりなる厚さ４．５μ程度の薄膜（
＠を電着で付設する（第８図ｆ）。溶液は、ＮｉＳＯ４
・６ＨｚＯ，ＮｉＣ１！４・＋５Ｈ２０，ＦｅＳＯ４・
７Ｈ２０，Ｈ２ＢＯ３、サッカリン・ナトリウム、ラウ
リル酸ソーダがそれぞれ、３００，２５゜５〜ｚｏ、１
ｓ、ｏ、ｓ、ｏ、ｚ（ｐ／ｌりであり、陽極は７８％Ｎ
ｉ／Ｆｅである。
た後、このコイル部分を挾むフロント及びバ・リンギヤ
・リプとなる部分及びモニタパターンを形成する部分の
薄膜（８２）＠ｌＪ＠を写真蝕刻技術によって打抜き作
成し、同時に電極導入穴明を形成する（第８図Ｃ）。尚
、（資）は打抜孔である。本実施例のよう１こ絶縁層と
してシリカ（ＳｉＯ２）を用いている場合には、ＨＦ−
ＮＨ４Ｆ混合溶液を用いることによって不要部を除去す
ることができる（なお、ＣＣＪ４＋０２ガスのりアクテ
ィブイオンニーＪチングを用いれば史書こ精度良く打抜
くことができる）。次いでこの打抜部分に、次の３７８
槽を用いて、下部コアとなる薄膜のυ上に第２の下部コ
アとなるパーマロイよりなる厚さ４．５μ程度の薄膜（
＠を電着で付設する（第８図ｆ）。溶液は、ＮｉＳＯ４
・６ＨｚＯ，ＮｉＣ１！４・＋５Ｈ２０，ＦｅＳＯ４・
７Ｈ２０，Ｈ２ＢＯ３、サッカリン・ナトリウム、ラウ
リル酸ソーダがそれぞれ、３００，２５゜５〜ｚｏ、１
ｓ、ｏ、ｓ、ｏ、ｚ（ｐ／ｌりであり、陽極は７８％Ｎ
ｉ／Ｆｅである。
その後、スペーサとなる薄膜（材料は例えばシリカ）を
スパッタリング、蒸着等により厚さ例えば０．７μ程度
付設する。この際、バックギヤ、ブに相当する部分にマ
スクを設けその部分に薄膜が付着しないようにしても良
いが、本実施例では作業を単純化するためこの薄膜を全
面に付設するようにしている。次いで、軟磁性材料（例
えばパーマロイ）の薄膜をスバ・リンリング、蒸着等に
よって厚さ５〜５μ程度付設し、これを写真蝕刻技術を
用いてパターン化を行ない上部コアを作成する。
スパッタリング、蒸着等により厚さ例えば０．７μ程度
付設する。この際、バックギヤ、ブに相当する部分にマ
スクを設けその部分に薄膜が付着しないようにしても良
いが、本実施例では作業を単純化するためこの薄膜を全
面に付設するようにしている。次いで、軟磁性材料（例
えばパーマロイ）の薄膜をスバ・リンリング、蒸着等に
よって厚さ５〜５μ程度付設し、これを写真蝕刻技術を
用いてパターン化を行ない上部コアを作成する。
尚、ギヤ・リプデプスをモニタするなめに利用する切欠
（４５１を成形するには、アルミニウムよりなるパター
ン（個を選択的ｉこ除去する工・リチャントを使用すれ
ば良く、本実施例ではＣＦ ４−４−０２ガスのプラズ
マエ噌チングにより選択的に切欠１４Ｂに表出するパタ
ーンを除去するようにしている。
（４５１を成形するには、アルミニウムよりなるパター
ン（個を選択的ｉこ除去する工・リチャントを使用すれ
ば良く、本実施例ではＣＦ ４−４−０２ガスのプラズ
マエ噌チングにより選択的に切欠１４Ｂに表出するパタ
ーンを除去するようにしている。
第９図は他の実施例の第６図に相当する断面図を示すも
ので、図中同一機能要素には同一図番を付している。こ
れは第１〜第３絶縁体層ａ、４ａｊａ５）を水ガラスを
固化して成形したものである。これにより、第１第２コ
イル部の接続を行なうスルーホールを除き全て・の段差
を解消することができ、段差部に射ける断線、絶縁破壊
、磁束漏れなどをはゾ完全になくすことができる。また
、常に平面上で膜作成およびパターン化を実行でき、膜
の特性、工程を安定化させることができる。
ので、図中同一機能要素には同一図番を付している。こ
れは第１〜第３絶縁体層ａ、４ａｊａ５）を水ガラスを
固化して成形したものである。これにより、第１第２コ
イル部の接続を行なうスルーホールを除き全て・の段差
を解消することができ、段差部に射ける断線、絶縁破壊
、磁束漏れなどをはゾ完全になくすことができる。また
、常に平面上で膜作成およびパターン化を実行でき、膜
の特性、工程を安定化させることができる。
第１０図及び第１１図は更に他の実施例の、第６図及び
第７図に相当する図で各図中、同一図番は同一機能要素
を示している。これは、第２の下部コア（１りを付設す
るためのスルーホール■のトラ噌り中方向の巾（ホ）を
トラ・リンＩＩＪに一致させ、かつ、このスルーホール
内への第２の下部コアの伺設置（膜厚）（Ｘ）を第１〜
第３絶縁体層の全厚（Ｙ）に比べて小さくするように構
成し、もって、トラ・リフ巾を絶縁体層のスルーホール
で規制するようにしたものである。これにより、正確な
トラ・リフ中制御が可能となりまた上部コアの微細なパ
ターン化が不要となる。
第７図に相当する図で各図中、同一図番は同一機能要素
を示している。これは、第２の下部コア（１りを付設す
るためのスルーホール■のトラ噌り中方向の巾（ホ）を
トラ・リンＩＩＪに一致させ、かつ、このスルーホール
内への第２の下部コアの伺設置（膜厚）（Ｘ）を第１〜
第３絶縁体層の全厚（Ｙ）に比べて小さくするように構
成し、もって、トラ・リフ巾を絶縁体層のスルーホール
で規制するようにしたものである。これにより、正確な
トラ・リフ中制御が可能となりまた上部コアの微細なパ
ターン化が不要となる。
第１図は従来の薄膜磁気へ・リドの部分縦断面図である
。第２図ａ、ｂ、ｃはコイル部分及び上部コアの成形手
順を示す部分平面図である。第３図及び５３４図はそれ
ぞれ従来例の部分縦断面図である。第５図、第６図、第
７図は本発明の磁気へ噌ドの中央断面図、部分平面図、
正面図である。第８図１〜ｆは磁気へ・シトの製造手＠
図を示し、ａ、ｂ、ｄ、ｅ、ｆは断面図、Ｃは部分平面
図である。第９図は他の実施例の断面図、第１０図及び
第１１図は更に他の実施例の断面図及び正面図である。 主な図番の説明 （１１）・・・Ｆ部コア、０３）圓（１５）・・・第１
．第２．第３絶縁体層（絶縁体層）、（１り・・第２の
下部コア、（Ｉ９）・・・上部コア。 １１５図 Ｂ 第６図 第１図
。第２図ａ、ｂ、ｃはコイル部分及び上部コアの成形手
順を示す部分平面図である。第３図及び５３４図はそれ
ぞれ従来例の部分縦断面図である。第５図、第６図、第
７図は本発明の磁気へ噌ドの中央断面図、部分平面図、
正面図である。第８図１〜ｆは磁気へ・シトの製造手＠
図を示し、ａ、ｂ、ｄ、ｅ、ｆは断面図、Ｃは部分平面
図である。第９図は他の実施例の断面図、第１０図及び
第１１図は更に他の実施例の断面図及び正面図である。 主な図番の説明 （１１）・・・Ｆ部コア、０３）圓（１５）・・・第１
．第２．第３絶縁体層（絶縁体層）、（１り・・第２の
下部コア、（Ｉ９）・・・上部コア。 １１５図 Ｂ 第６図 第１図
Claims (1)
- （１）基台上に配備された平担な下部コアと、該下部コ
ア上に磁気へ・リドのフロント及びバックギヤ噌プ構成
部分を除いて形成されているコイルを内包する絶縁体層
と、該絶縁体層の除去部分に付設された第２の下部コア
と、該第２の下部コアにスペーサを挾んで対向配置され
ている上部コアとを備えてなる磁気へ・リド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9574082A JPS58212616A (ja) | 1982-06-03 | 1982-06-03 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9574082A JPS58212616A (ja) | 1982-06-03 | 1982-06-03 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58212616A true JPS58212616A (ja) | 1983-12-10 |
| JPH0557642B2 JPH0557642B2 (ja) | 1993-08-24 |
Family
ID=14145881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9574082A Granted JPS58212616A (ja) | 1982-06-03 | 1982-06-03 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58212616A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0163998A2 (en) * | 1984-06-06 | 1985-12-11 | Hitachi, Ltd. | Multi-track magnetic thin film heads and a method of producing the same |
| JPS62107418A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS62110612A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPH0391108A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-16 | Victor Co Of Japan Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| US5113300A (en) * | 1985-10-01 | 1992-05-12 | Sony Corporation | Thin film magnetic head |
| US5241440A (en) * | 1989-08-23 | 1993-08-31 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic head and manufacturing method therefor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5778613A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-17 | Canon Inc | Thin film magnetic head and its manufacture |
-
1982
- 1982-06-03 JP JP9574082A patent/JPS58212616A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5778613A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-17 | Canon Inc | Thin film magnetic head and its manufacture |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0163998A2 (en) * | 1984-06-06 | 1985-12-11 | Hitachi, Ltd. | Multi-track magnetic thin film heads and a method of producing the same |
| US5113300A (en) * | 1985-10-01 | 1992-05-12 | Sony Corporation | Thin film magnetic head |
| JPS62107418A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS62110612A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| US5241440A (en) * | 1989-08-23 | 1993-08-31 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic head and manufacturing method therefor |
| JPH0391108A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-16 | Victor Co Of Japan Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0557642B2 (ja) | 1993-08-24 |
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