JPS6286517A - 磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS6286517A JPS6286517A JP22738085A JP22738085A JPS6286517A JP S6286517 A JPS6286517 A JP S6286517A JP 22738085 A JP22738085 A JP 22738085A JP 22738085 A JP22738085 A JP 22738085A JP S6286517 A JPS6286517 A JP S6286517A
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- Japan
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- layer
- high permeability
- magnetic layer
- magnetic
- permeability magnetic
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ヘッドの製造方法に関する。
本発明は、基板上に下部保護層、下部高透磁率磁性層、
絶縁層、導電体層、上部高透磁率磁性層および上部保護
層を積層することくよって成る磁気ヘッドで上下高透磁
率磁性層の少なくともどちらか一方がギャップ近傍で他
の部分より意図的に薄くしてある構造のものをリフトオ
フ法とイオンエツチング法を併用することによって高透
磁率磁性層を単層で形成することにより、高透磁率磁性
層の畠気特注の向上、高透磁率磁性層のバターニング形
状の改善およびａ遣方法のｌＨ１縮７＆：実現したもの
である。
絶縁層、導電体層、上部高透磁率磁性層および上部保護
層を積層することくよって成る磁気ヘッドで上下高透磁
率磁性層の少なくともどちらか一方がギャップ近傍で他
の部分より意図的に薄くしてある構造のものをリフトオ
フ法とイオンエツチング法を併用することによって高透
磁率磁性層を単層で形成することにより、高透磁率磁性
層の畠気特注の向上、高透磁率磁性層のバターニング形
状の改善およびａ遣方法のｌＨ１縮７＆：実現したもの
である。
従来、基板上に下部保護層、下部高透磁率磁性層、絶縁
層、導電体ｊ―、上部高透磁率磁性１％！および上部保
護層を積層する仁とによって成る磁気ヘッドで上下高透
磁率磁性層の少なくともどちらか一方がギャップ近傍で
他の部分より意図的に薄くしてある構造のものの高透磁
率磁性層のパターニング方法は例えば第２図の様であっ
た１本発明でき及するような構造のｉ気ヘノドでは磁気
飽和しに〈〈かり発生磁界が急峻になるべく高透磁率磁
性層はギャップ近傍では薄くその他部分では厚くなりて
＾る。そのため高透磁率磁性層は第２図に示Ｔようにリ
フトオフ法によって上下高透磁率磁性層を各々少なくと
も二層以上に分けて形成していた。
層、導電体ｊ―、上部高透磁率磁性１％！および上部保
護層を積層する仁とによって成る磁気ヘッドで上下高透
磁率磁性層の少なくともどちらか一方がギャップ近傍で
他の部分より意図的に薄くしてある構造のものの高透磁
率磁性層のパターニング方法は例えば第２図の様であっ
た１本発明でき及するような構造のｉ気ヘノドでは磁気
飽和しに〈〈かり発生磁界が急峻になるべく高透磁率磁
性層はギャップ近傍では薄くその他部分では厚くなりて
＾る。そのため高透磁率磁性層は第２図に示Ｔようにリ
フトオフ法によって上下高透磁率磁性層を各々少なくと
も二層以上に分けて形成していた。
〔発明が解決しようとする問題点および目的〕しかし、
前述の従来技術では上下高透磁率磁性層の少なくともい
ずれか一方が二層膜以上になっているため製造方法は必
ずしも簡略ではなく、また同じ厚さを有する単／ｉｆ膜
に比べて透−率等の磁気特性が劣るという問題点を有す
る。更に高透磁率磁性層のパターニングをリフトオフ法
による場合、第３図のようにパターンのエツジに突起物
があるという問題点を有する。
前述の従来技術では上下高透磁率磁性層の少なくともい
ずれか一方が二層膜以上になっているため製造方法は必
ずしも簡略ではなく、また同じ厚さを有する単／ｉｆ膜
に比べて透−率等の磁気特性が劣るという問題点を有す
る。更に高透磁率磁性層のパターニングをリフトオフ法
による場合、第３図のようにパターンのエツジに突起物
があるという問題点を有する。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは基板上に下部保饅層、下部高速ｆ
ｆｉ率磁性層、絶縁層、導電体層、上部高透磁率磁性層
および上部床ｒｊｊＩ−を積層することによって成る磁
気ヘッドにおいて製造に安する時間を短縮し、同時に上
下各磁性層の磁気特性の向上およびｅ＆性層パターニン
グ形状の改善を興現する製造方法を提供することにある
。
の目的とするところは基板上に下部保饅層、下部高速ｆ
ｆｉ率磁性層、絶縁層、導電体層、上部高透磁率磁性層
および上部床ｒｊｊＩ−を積層することによって成る磁
気ヘッドにおいて製造に安する時間を短縮し、同時に上
下各磁性層の磁気特性の向上およびｅ＆性層パターニン
グ形状の改善を興現する製造方法を提供することにある
。
本発明の磁気ヘッドの製造方法は、基板上に下部保護層
、下部高透磁率磁性層、絶縁層、導電体層、上部高透磁
性層および上部保護層を積層することによって成る磁気
ヘッドで上下高透磁率磁性層の少なくともどちらか一方
がギャップ近傍では意図的に薄くなってｉる嘴造のもの
をリフトオフ法とイオンエツチング法を併用することに
上り高透磁率ｍ性層を導層で形成することを特徴とする
。
、下部高透磁率磁性層、絶縁層、導電体層、上部高透磁
性層および上部保護層を積層することによって成る磁気
ヘッドで上下高透磁率磁性層の少なくともどちらか一方
がギャップ近傍では意図的に薄くなってｉる嘴造のもの
をリフトオフ法とイオンエツチング法を併用することに
上り高透磁率ｍ性層を導層で形成することを特徴とする
。
第１図は本発明の実施例における下隅透磁率磁性層の形
成方法の概略図である。まず基板上に下保護層が形成さ
れているものの上に所望形状部分以外を憶うようにレジ
ストパターンを形成する。
成方法の概略図である。まず基板上に下保護層が形成さ
れているものの上に所望形状部分以外を憶うようにレジ
ストパターンを形成する。
次にリフトオフ法により、高透磁率ＶＢ磁性層形成する
１次に形成した高透磁率磁性層上にギャップ付近である
先端部だけがエツチングされるように、先端部以外を覆
うようなレジストパターンを形成する。これをイオンエ
ツチングによってエラチンブレ、レジストを剥離するこ
とによって下部高透磁率ａ性１−の形成は完了する１以
上率実施例によれば、高透磁率磁性層の透磁率は従来の
２層のものに比べて高くなっている。その測定結果を第
４図に示す、またこの方法で高透磁率磁性層を形成する
と一３図のような突起物は見られない。
１次に形成した高透磁率磁性層上にギャップ付近である
先端部だけがエツチングされるように、先端部以外を覆
うようなレジストパターンを形成する。これをイオンエ
ツチングによってエラチンブレ、レジストを剥離するこ
とによって下部高透磁率ａ性１−の形成は完了する１以
上率実施例によれば、高透磁率磁性層の透磁率は従来の
２層のものに比べて高くなっている。その測定結果を第
４図に示す、またこの方法で高透磁率磁性層を形成する
と一３図のような突起物は見られない。
また従来のようにす７トオフ法で２層形成する場合と本
実施列で快する時間を比較すると、リフトオフ法の工程
中、２層目をスパッタする為に減圧する時間が短縮され
るというメリットがある。
実施列で快する時間を比較すると、リフトオフ法の工程
中、２層目をスパッタする為に減圧する時間が短縮され
るというメリットがある。
以上は下隅透磁率磁性層の形成についての実施例である
が、上高透磁率−切層も同徐にして形成できる。
が、上高透磁率−切層も同徐にして形成できる。
以上述べたように発明によれば、高透磁率磁性層をリフ
トオフ法とイオンエツチング法を併用し単増で形成する
ことによって、磁性層の透磁率は向上しそ■バターニン
グ形状は改善され、また磁気ヘッド製造に安する時間は
短縮される。
トオフ法とイオンエツチング法を併用し単増で形成する
ことによって、磁性層の透磁率は向上しそ■バターニン
グ形状は改善され、また磁気ヘッド製造に安する時間は
短縮される。
第１図（α）〜ωは実施例による下部高透磁率磁性層の
形成方法の工程図。 第２図Ｇ）〜ωはリフトオフ法による下部高透磁率磁性
層の形成方法の工程図。 ＃に３図はリフトオフ法でパターニングした場合に見ら
れる突起物の図。 第４図Ｆｉｅ層および２ ｔ＊のＣｏＺｙＮｂ の透
磁率の周波数特性図。 １・・基板 ２−・下部保護１曽 ３・・レジスト ４・・高透磁率磁性層５・・突起物 以上
形成方法の工程図。 第２図Ｇ）〜ωはリフトオフ法による下部高透磁率磁性
層の形成方法の工程図。 ＃に３図はリフトオフ法でパターニングした場合に見ら
れる突起物の図。 第４図Ｆｉｅ層および２ ｔ＊のＣｏＺｙＮｂ の透
磁率の周波数特性図。 １・・基板 ２−・下部保護１曽 ３・・レジスト ４・・高透磁率磁性層５・・突起物 以上
Claims (1)
- 基板上に下部保護層、下部高透磁率磁性層、絶縁層、導
電体層、上部高透磁率磁性層および上部保護層を積層す
ることによって成る磁気ヘッドで上下高透磁率磁性層の
少なくともどちらか一方がギャップ近傍で他の部分より
意図的に薄くしてある構造のものをリフトオフ法とイオ
ンエッチング法を併用して高透磁率磁性層を単層で形成
することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22738085A JPS6286517A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22738085A JPS6286517A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6286517A true JPS6286517A (ja) | 1987-04-21 |
Family
ID=16859900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22738085A Pending JPS6286517A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6286517A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0348230A2 (en) * | 1988-06-23 | 1989-12-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Process for producing thin film magnetic head |
-
1985
- 1985-10-11 JP JP22738085A patent/JPS6286517A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0348230A2 (en) * | 1988-06-23 | 1989-12-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Process for producing thin film magnetic head |
| JPH025213A (ja) * | 1988-06-23 | 1990-01-10 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JP2501873B2 (ja) * | 1988-06-23 | 1996-05-29 | シャープ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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