JPS616865A - 半導体集積回路の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路の製造方法Info
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- JPS616865A JPS616865A JP12679684A JP12679684A JPS616865A JP S616865 A JPS616865 A JP S616865A JP 12679684 A JP12679684 A JP 12679684A JP 12679684 A JP12679684 A JP 12679684A JP S616865 A JPS616865 A JP S616865A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体集積回路の製造方法に関し、特に絶縁ゲ
ート型電界効果トランジスタを主構成素子とする半導体
集積回路の製造方法に関する。
ート型電界効果トランジスタを主構成素子とする半導体
集積回路の製造方法に関する。
（従来の技術）
従来、絶縁ゲート型電界効果トランジスタを主構成素子
とする半導体集積回路において、絶縁ゲート型電界効果
トランジスタのゲート電極と配線部分となる金属層と、
前記金属層と拡散層を接続するコンタクト部分を形成す
る方法は第２図（ａ）〜（ｄ）に示す方法が一般的に用
いられている。すなわち第２図（ａ）に示すように、先
ず、半導体基板ｌに素子分離絶縁膜３及びゲート絶縁膜
２を形成する。
とする半導体集積回路において、絶縁ゲート型電界効果
トランジスタのゲート電極と配線部分となる金属層と、
前記金属層と拡散層を接続するコンタクト部分を形成す
る方法は第２図（ａ）〜（ｄ）に示す方法が一般的に用
いられている。すなわち第２図（ａ）に示すように、先
ず、半導体基板ｌに素子分離絶縁膜３及びゲート絶縁膜
２を形成する。
次いで前記基板上に始めにコンタクト部分の開孔された
ホトレジスト膜４を形成する。次いで第２図（ｂ）に示
すようにホトレジスト膜４をマスクとしてエツチングし
コンタクト部分のゲート絶縁膜を除去する。次いでマス
クとしたホトレジスト膜を除去する。
ホトレジスト膜４を形成する。次いで第２図（ｂ）に示
すようにホトレジスト膜４をマスクとしてエツチングし
コンタクト部分のゲート絶縁膜を除去する。次いでマス
クとしたホトレジスト膜を除去する。
次に、第２図（Ｃ）に示すように、半導体基板上に全面
に金属層５を形成し、次いで金属層５上にゲート電極部
分及び配線部分を覆うホトレジスト層６をマスクとして
金属層５をエツチングしてゲート電極及び配線部分を形
成し、マスクのホトレジスト層を除去して第２図（ｄ）
の構造のゲート電極及び配線部分を有する絶縁ゲート電
界効果トランジスタを有する半導体集積回路を得ていた
。
に金属層５を形成し、次いで金属層５上にゲート電極部
分及び配線部分を覆うホトレジスト層６をマスクとして
金属層５をエツチングしてゲート電極及び配線部分を形
成し、マスクのホトレジスト層を除去して第２図（ｄ）
の構造のゲート電極及び配線部分を有する絶縁ゲート電
界効果トランジスタを有する半導体集積回路を得ていた
。
以上の従来の方法によると、２回のホトレジスト層の形
成工程が必要となシ、それぞれ拡散層に対し目合せをす
る必要が６Ｄ、コンタクト部分と金属層との間に２回分
の目合せズレが生ずる可能性を含んでいるという欠点が
ある。
成工程が必要となシ、それぞれ拡散層に対し目合せをす
る必要が６Ｄ、コンタクト部分と金属層との間に２回分
の目合せズレが生ずる可能性を含んでいるという欠点が
ある。
そのために、コンタクト部分は配線を含み、かつ充分な
余裕をもたせるようにしなければならず、例えば間隙部
９のような余分な部分が発生する。
余裕をもたせるようにしなければならず、例えば間隙部
９のような余分な部分が発生する。
また週辺部もコンタクト部分に対し制限を受けるためパ
ターンの微細化を困難にしていた。
ターンの微細化を困難にしていた。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、拡散層と配線のコ
ンタクト部分とゲート電極及び配線を１度の目合せで形
成し、目合せズレを軽減し、−またコンタクト部分を配
線の下のみの領域に形成し周囲に対する制限を少なくシ
、余分なところをなくしパターンの微細化が可能となる
半導体集積回路の製造方法を提供す′ることにある。
ンタクト部分とゲート電極及び配線を１度の目合せで形
成し、目合せズレを軽減し、−またコンタクト部分を配
線の下のみの領域に形成し周囲に対する制限を少なくシ
、余分なところをなくしパターンの微細化が可能となる
半導体集積回路の製造方法を提供す′ることにある。
（問題点を解決するだめの手段）
本発明の半導体集積回路の製造方法は、絶縁ゲート型電
界効果トランジスタを主構成素子とする半導体集積回路
の製造方法において、素子分離絶縁膜及びゲート絶縁膜
の形成された半導体基板の絶縁ゲート電界効果トランジ
スタのゲート電極部分及び配線部分が開孔された第１の
ホトレジストｊ−を形成する工程と、該第１のホトレジ
スト層上に前記配線部分と拡散層を接続するコンタクト
部分の開孔された第２のホトレジスト層を形成スル工程
と、前記第１及び第２のホトレジスト層の共通開孔部分
の絶縁膜を除去する工程と、前記第２のホトレジスト層
を除去し第１のホトレジスト層を残す工程と、残された
前記第１のホトレジスト層の開孔部分にゲート電極部及
び配線部分となる金属ｌ＠を形成する工程とを含んで構
成される。
界効果トランジスタを主構成素子とする半導体集積回路
の製造方法において、素子分離絶縁膜及びゲート絶縁膜
の形成された半導体基板の絶縁ゲート電界効果トランジ
スタのゲート電極部分及び配線部分が開孔された第１の
ホトレジストｊ−を形成する工程と、該第１のホトレジ
スト層上に前記配線部分と拡散層を接続するコンタクト
部分の開孔された第２のホトレジスト層を形成スル工程
と、前記第１及び第２のホトレジスト層の共通開孔部分
の絶縁膜を除去する工程と、前記第２のホトレジスト層
を除去し第１のホトレジスト層を残す工程と、残された
前記第１のホトレジスト層の開孔部分にゲート電極部及
び配線部分となる金属ｌ＠を形成する工程とを含んで構
成される。
（実施例）
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第１図（ａ）〜げ）は本発明の一実施例を説明するため
に、工程順に示した断面図である。
に、工程順に示した断面図である。
先ず、第１図（ａ）に示すように、ゲート絶縁膜２゜素
子分離絶縁膜３の形成された半導体基板１上に、ゲート
電極部分及び配線部分を開孔した第１のホトレジスト層
７を形成する。
子分離絶縁膜３の形成された半導体基板１上に、ゲート
電極部分及び配線部分を開孔した第１のホトレジスト層
７を形成する。
次に、Ｅ１図（ｂ）に示すように、配線部分と拡散層を
接続させるためのコンタクト部分を開孔するように第２
のホトレジスト層８を前記第１のホトレジスト層７の上
に形成する。この時第２のホトレジスト層８に開孔する
コンタクト部分は拡散層と配線の接触する部分がすでに
第１のホトレジスト層７によって決定されているため、
目合せ精度を第１のホトレジスト層７に開孔する部分よ
り粗くすることが可能である。
接続させるためのコンタクト部分を開孔するように第２
のホトレジスト層８を前記第１のホトレジスト層７の上
に形成する。この時第２のホトレジスト層８に開孔する
コンタクト部分は拡散層と配線の接触する部分がすでに
第１のホトレジスト層７によって決定されているため、
目合せ精度を第１のホトレジスト層７に開孔する部分よ
り粗くすることが可能である。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、邪ｌ及び第２の２つ
のホトレジスト層７．８の共通開孔部分にあるゲート絶
縁膜２を除去し、コンタクト部分の基板面を露出させる
。
のホトレジスト層７．８の共通開孔部分にあるゲート絶
縁膜２を除去し、コンタクト部分の基板面を露出させる
。
次に、第１図（ｄ）に示すように、第２のホトレジスト
Ｔ−８のみを除去する。
Ｔ−８のみを除去する。
次に、第２図（ｅ）に示すように、ゲート電極及び配線
となる金属ＩＶＩ５を全面に形成する。この時第１のホ
トレジスト層７を形成する金属層６の膜厚よシ充分厚く
形成しておけば、第１のホトレジスト層７の開孔部分に
形成される金属層５とホトレジスト層上に形成される金
属層５がつながらないようにできる。また、すでにコン
タクトとなる部分のゲート絶縁膜は除去されているので
拡散層と配線を接続できる。
となる金属ＩＶＩ５を全面に形成する。この時第１のホ
トレジスト層７を形成する金属層６の膜厚よシ充分厚く
形成しておけば、第１のホトレジスト層７の開孔部分に
形成される金属層５とホトレジスト層上に形成される金
属層５がつながらないようにできる。また、すでにコン
タクトとなる部分のゲート絶縁膜は除去されているので
拡散層と配線を接続できる。
次に、第２図げ）に示すように、第１のホトレジスト層
７とホトレジスト層上の金属層５を同時に除去すること
によシ、ゲート電極及び配線部分のみに金属層５を形成
することができる。
７とホトレジスト層上の金属層５を同時に除去すること
によシ、ゲート電極及び配線部分のみに金属層５を形成
することができる。
（発明の効果）
以上説明したように、拡散層と配線のコンタクト部分と
ゲート電極及び配線を１度の目合せて形成できるため、
目合せズレを軽減することができる。まだ、コンタクト
部分を配線の下のみの領域にできるため、周囲に対する
制限が少なくなるので、パターンの微細化をはかること
ができる。
ゲート電極及び配線を１度の目合せて形成できるため、
目合せズレを軽減することができる。まだ、コンタクト
部分を配線の下のみの領域にできるため、周囲に対する
制限が少なくなるので、パターンの微細化をはかること
ができる。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例を説明するた
めに工程１１０に示した断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）
は従来の絶縁ゲート電界効果トランジスタを有する半導
体集積回路の製造方法を説明するために工程順に示した
断面図である。 ｌ・・・・・・半導体基板、２・・・・・・ゲート絶縁
膜、３・・・・・・素子分離絶縁膜、４・・・・・・ホ
トレジスト層、５・・・・・・ゲート電極及び配線部分
となる金用層、６・・・・・・従来技術のホトレジスト
層、７・・・・・・本発明による第１のホトレジスト層
、８・・・・・・本発明による第２のホトレジスト層。 第１閲 第２閏
めに工程１１０に示した断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）
は従来の絶縁ゲート電界効果トランジスタを有する半導
体集積回路の製造方法を説明するために工程順に示した
断面図である。 ｌ・・・・・・半導体基板、２・・・・・・ゲート絶縁
膜、３・・・・・・素子分離絶縁膜、４・・・・・・ホ
トレジスト層、５・・・・・・ゲート電極及び配線部分
となる金用層、６・・・・・・従来技術のホトレジスト
層、７・・・・・・本発明による第１のホトレジスト層
、８・・・・・・本発明による第２のホトレジスト層。 第１閲 第２閏
Claims (1)
- 絶縁ゲート型電界効果トランジスタを主構成素子とする
半導体集積回路の製造方法において、素子分離絶縁膜及
びゲート絶縁膜の形成された半導体基板の絶縁ゲート電
界効果トランジスタのゲート電極部分及び配線部分が開
孔された第１のホトレジスト層を形成する工程と、該第
１のホトレジスト層上に前記配線部分と拡散層を接続す
るコンタクト部分の開孔された第２のホトレジスト層を
形成する工程と、前記第１及び第２のホトレジスト層の
共通開孔部分の絶縁膜を除去する工程と、前記第２のホ
トレジスト層を除去し第１のホトレジスト層を残す工程
と、残された前記第１のホトレジスト層の開孔部分にゲ
ート電極部及び配線部分となる金属層を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12679684A JPS616865A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | 半導体集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12679684A JPS616865A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | 半導体集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS616865A true JPS616865A (ja) | 1986-01-13 |
Family
ID=14944159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12679684A Pending JPS616865A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | 半導体集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS616865A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6423432U (ja) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 |
-
1984
- 1984-06-20 JP JP12679684A patent/JPS616865A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6423432U (ja) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 |
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