JPS58205780A - 感熱印字ヘツド - Google Patents
感熱印字ヘツドInfo
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- JPS58205780A JPS58205780A JP57087873A JP8787382A JPS58205780A JP S58205780 A JPS58205780 A JP S58205780A JP 57087873 A JP57087873 A JP 57087873A JP 8787382 A JP8787382 A JP 8787382A JP S58205780 A JPS58205780 A JP S58205780A
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- Japan
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
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- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は感熱印字ヘッドに関するものである。
発明の技術的背景とその問題点
以下、第1図を参照して従来の感熱印字ヘッドを説明す
る計絶縁基板(1)上に発熱抵抗体(2)と複数の駆動
用集積回路(以下IC’と称す)(3)とを配置してい
る。そして、各IC(33と接続するグランドパッド(
4)と、絶縁基板(1)上に形成された電気的に外部と
接続するグランド端子(5)との間には、共通線(刀と
各IC(31へ分岐配線するための個別M f61 、
!:からなるグランド配線が形成されている。このグラ
ンド配線により各IC+31とグランド端子(5)とは
−気的に接続している。また、グランド配線は真空蒸着
法やスパッタリング法等による薄膜、印刷法等による厚
膜、あるいはメッキ膜等といった膜形成技術を用いた導
体膜により形成されている。
る計絶縁基板(1)上に発熱抵抗体(2)と複数の駆動
用集積回路(以下IC’と称す)(3)とを配置してい
る。そして、各IC(33と接続するグランドパッド(
4)と、絶縁基板(1)上に形成された電気的に外部と
接続するグランド端子(5)との間には、共通線(刀と
各IC(31へ分岐配線するための個別M f61 、
!:からなるグランド配線が形成されている。このグラ
ンド配線により各IC+31とグランド端子(5)とは
−気的に接続している。また、グランド配線は真空蒸着
法やスパッタリング法等による薄膜、印刷法等による厚
膜、あるいはメッキ膜等といった膜形成技術を用いた導
体膜により形成されている。
さらに、I C+:3)と外部接続用の端子群(10)
との間には、図示していないが複数個のIC制御□信号
ライン及びIC用電源ラインがマトリックス状に2層配
線されている。つまり、たとえばY方向に個別線(6)
とIC制御信号ラインとが絶縁基板上に形成されて、こ
の個別線(6)とIC制御信号ラインとの上に絶縁層を
形成する。この絶縁層上にX方向に共通線(7)とIC
用電源ラインとが形成されている。そして、個別線(6
)と共通線(7)、IC制御信号ラインとIC用電源ラ
インとは絶縁層に設けられた開口を介して電気的に接続
している。
との間には、図示していないが複数個のIC制御□信号
ライン及びIC用電源ラインがマトリックス状に2層配
線されている。つまり、たとえばY方向に個別線(6)
とIC制御信号ラインとが絶縁基板上に形成されて、こ
の個別線(6)とIC制御信号ラインとの上に絶縁層を
形成する。この絶縁層上にX方向に共通線(7)とIC
用電源ラインとが形成されている。そして、個別線(6
)と共通線(7)、IC制御信号ラインとIC用電源ラ
インとは絶縁層に設けられた開口を介して電気的に接続
している。
しかし、グランド配線がIC制御信号ラインと電源ライ
ンと同一平面上に形成されるので、グランド配線の幅に
制約が生じて線幅を広くとることが出来ない。特に上述
の例の様に、個別線(6)とIC制御信号ラインとは配
線数が多いので、個別線(6)の線幅を広くすることが
できなかった。一方、グランド配線の膜厚の厚さにも限
界がある。たとえば薄膜の導体1μm厚のシート抵抗は
50mΩ/口程度である。即ち、これは幅0.1朋、長
さ20m1I+で】0Ωに相当する。これにIAの電流
が流れると、この導体の両端の電位差はIOVにもなっ
てしまう。
ンと同一平面上に形成されるので、グランド配線の幅に
制約が生じて線幅を広くとることが出来ない。特に上述
の例の様に、個別線(6)とIC制御信号ラインとは配
線数が多いので、個別線(6)の線幅を広くすることが
できなかった。一方、グランド配線の膜厚の厚さにも限
界がある。たとえば薄膜の導体1μm厚のシート抵抗は
50mΩ/口程度である。即ち、これは幅0.1朋、長
さ20m1I+で】0Ωに相当する。これにIAの電流
が流れると、この導体の両端の電位差はIOVにもなっ
てしまう。
そこで、この電位差’i0.2V程度に抑えるには膜厚
が50μmも必要となり膜形成時間が長時間となり感熱
印字ヘッドの製造上現実的ではない。
が50μmも必要となり膜形成時間が長時間となり感熱
印字ヘッドの製造上現実的ではない。
上述の様にグランド配線幅を広くとることも出来ず、ま
たグランド配線の厚さを厚くすることが出来ないので、
グランド配線抵抗が大きくなる。
たグランド配線の厚さを厚くすることが出来ないので、
グランド配線抵抗が大きくなる。
また、感熱印字ヘッドは比較的大きな電流例えば10A
を消費するので、グランド配線抵抗が大きすぎるとグラ
ンドパッド(4)とグランド端子(5)との間での電圧
上昇が大となり、グランドパッド(4)の電位が許容限
度を越えてしまKIC(3)の正確な動作を保証できな
くなった。また、各グランドパッド(4)間の電位差に
より記録濃度のむらが生じた。
を消費するので、グランド配線抵抗が大きすぎるとグラ
ンドパッド(4)とグランド端子(5)との間での電圧
上昇が大となり、グランドパッド(4)の電位が許容限
度を越えてしまKIC(3)の正確な動作を保証できな
くなった。また、各グランドパッド(4)間の電位差に
より記録濃度のむらが生じた。
発明の目的
上述の欠点を鑑み、本発明はグランド配線抵抗が低い感
熱印字ヘッドを提供することを目的とする。
熱印字ヘッドを提供することを目的とする。
発明の概要
本発明により、絶縁基板上に形成した導体層とこの導体
層上に絶縁層を形成して、この絶縁層を一部開口し、こ
の開口を介して導体層と絶一層上との駆動用集積回路と
を低抵抗で電気的に接続した感熱印字ヘッドを提供出来
る。
層上に絶縁層を形成して、この絶縁層を一部開口し、こ
の開口を介して導体層と絶一層上との駆動用集積回路と
を低抵抗で電気的に接続した感熱印字ヘッドを提供出来
る。
発明の実施例
以下、第2図を参照して本発明の一実施例を説明する。
なお以下、第1図と同所同部材には同符号を付す。絶縁
基板(1)上に発熱抵抗体(2)と、グランド端子(5
)に接続させて導電性導体1轡f9)とを形成する。こ
の導体層(9)はたとえば真空蒸着法やスパッタリング
法等による薄膜、印刷法等による厚膜等の膜形成技術に
より直接形成された平面状導体膜である。また、さらに
金属箔や金属片等を接着剤によシ絶縁基板(1)に取着
して導体層(9)としても良い。この導体層(9)上に
絶縁層(901)が形成されている。なお図示していな
いが、この絶縁層(901)上には通常、IC制御信号
ラインとIC用電源ラインとが「発明の技術的背景とそ
の問題点」の項で述べた様に、マ) IJラックス状2
層配線されている。また、絶縁層(901)に一部、開
口即ちスルーホール(801)が形成され、このスルー
ホール(801)を介して、導体層(9)と電気的に接
続する様に絶縁層(901)上に導電材質からなるダイ
ボンディング用グランドパッド(8)が設けられている
。このダイボンディング用グランドパッド(8)と導体
層(9)との間隙即ちスルーホール(soi)には導電
物質を詰めても良いし、またスルーホール(soi)に
嵌合する突起をダイボンディング用グランドパッド(8
)に設けておいても良い。このダイボンディング用グラ
ンドパッド(8)上にICチップをたとえば銀エポキシ
等で接着する。また、本実施例では絶縁層(901)の
厚さは約30μmであり、スルーホールは一辺が約1.
5絹の略矩形状である。また、グランド端子(5)は導
体層(9)全延長して、グランド端子(5)として用い
る部分だけ絶縁層(901) e設けなhようにして形
成しても良い。
基板(1)上に発熱抵抗体(2)と、グランド端子(5
)に接続させて導電性導体1轡f9)とを形成する。こ
の導体層(9)はたとえば真空蒸着法やスパッタリング
法等による薄膜、印刷法等による厚膜等の膜形成技術に
より直接形成された平面状導体膜である。また、さらに
金属箔や金属片等を接着剤によシ絶縁基板(1)に取着
して導体層(9)としても良い。この導体層(9)上に
絶縁層(901)が形成されている。なお図示していな
いが、この絶縁層(901)上には通常、IC制御信号
ラインとIC用電源ラインとが「発明の技術的背景とそ
の問題点」の項で述べた様に、マ) IJラックス状2
層配線されている。また、絶縁層(901)に一部、開
口即ちスルーホール(801)が形成され、このスルー
ホール(801)を介して、導体層(9)と電気的に接
続する様に絶縁層(901)上に導電材質からなるダイ
ボンディング用グランドパッド(8)が設けられている
。このダイボンディング用グランドパッド(8)と導体
層(9)との間隙即ちスルーホール(soi)には導電
物質を詰めても良いし、またスルーホール(soi)に
嵌合する突起をダイボンディング用グランドパッド(8
)に設けておいても良い。このダイボンディング用グラ
ンドパッド(8)上にICチップをたとえば銀エポキシ
等で接着する。また、本実施例では絶縁層(901)の
厚さは約30μmであり、スルーホールは一辺が約1.
5絹の略矩形状である。また、グランド端子(5)は導
体層(9)全延長して、グランド端子(5)として用い
る部分だけ絶縁層(901) e設けなhようにして形
成しても良い。
上述の様に導体層(9)、が形成されることにより、グ
ランド端子(5)からICに流れるグランド電流は、ダ
イボンディング用グランドパッド(8)→スルーホール
(801)→導体層(9)→グランド端子(5)という
経路で流れる。この為、従来の個別配線に比べ、配線面
積を数10倍に増加さすことが出き、導体層(9)の抵
抗が小さくなる。その為、ダイボンディング用グランド
パッド(8)とグランド端子(5)との間での電圧上昇
が見られなくなり、ダイボンディング用グランドパッド
(8)の電位が許容限度を越えず、ICの正確な動作を
保証できるようになった。また、各ダイボンディング用
グランドパッド(8)間の電位差がなくなり記録濃度の
むらが生じることはなくなった。
ランド端子(5)からICに流れるグランド電流は、ダ
イボンディング用グランドパッド(8)→スルーホール
(801)→導体層(9)→グランド端子(5)という
経路で流れる。この為、従来の個別配線に比べ、配線面
積を数10倍に増加さすことが出き、導体層(9)の抵
抗が小さくなる。その為、ダイボンディング用グランド
パッド(8)とグランド端子(5)との間での電圧上昇
が見られなくなり、ダイボンディング用グランドパッド
(8)の電位が許容限度を越えず、ICの正確な動作を
保証できるようになった。また、各ダイボンディング用
グランドパッド(8)間の電位差がなくなり記録濃度の
むらが生じることはなくなった。
次に第3図を参照して本発明の他の実施例を説明する。
本実施例は、第2図を参照して説明した一実施例の感熱
印字ヘッドの絶縁層(901)に、グランド端子(5)
側に一部開口即ちスルーホール(1001)が形成され
ている。絶縁層(901)上には、図示していないがマ
) IJクス状の2層配線が設けられ外部接続の端子群
α〔とIC(3)との間が接続される。
印字ヘッドの絶縁層(901)に、グランド端子(5)
側に一部開口即ちスルーホール(1001)が形成され
ている。絶縁層(901)上には、図示していないがマ
) IJクス状の2層配線が設けられ外部接続の端子群
α〔とIC(3)との間が接続される。
マ) IJクス状の2層配線の眉間絶縁層(902)に
も開口即ちスルーホール(1001)を形成し、このス
ルーホール(1001)を介して導体層(9)と電気的
に接続する様に絶縁層(902)上に導電性材料からな
るバルク導体(1〔が形成されている。またこのスルー
ホール(1001)には導電物質を詰めても良いし、ま
たスルーホール(1001)に嵌合する突起をバルク導
体i11に設けても良い。そして、バルク導体Onと導
体層(9)との接続は、たとえば導電性接着剤を用いた
シ、半田付けを用いても良い。またバルク導体(11と
ほぼ同一形状に厚膜を印刷・焼成した上に銅メッキを施
し、更にバルク導体(lGを半田付けしても良い。本実
施例では、絶縁層(901)、(902)の厚さが各約
30μmで、スルーホール(1001)は−辺が略1.
5朋の略矩形状となって匹る。また、バルク導体01が
そのままグランド端子(5)となっても良い。
も開口即ちスルーホール(1001)を形成し、このス
ルーホール(1001)を介して導体層(9)と電気的
に接続する様に絶縁層(902)上に導電性材料からな
るバルク導体(1〔が形成されている。またこのスルー
ホール(1001)には導電物質を詰めても良いし、ま
たスルーホール(1001)に嵌合する突起をバルク導
体i11に設けても良い。そして、バルク導体Onと導
体層(9)との接続は、たとえば導電性接着剤を用いた
シ、半田付けを用いても良い。またバルク導体(11と
ほぼ同一形状に厚膜を印刷・焼成した上に銅メッキを施
し、更にバルク導体(lGを半田付けしても良い。本実
施例では、絶縁層(901)、(902)の厚さが各約
30μmで、スルーホール(1001)は−辺が略1.
5朋の略矩形状となって匹る。また、バルク導体01が
そのままグランド端子(5)となっても良い。
この様にすると、グランド電流はダイボンディング用グ
ランドパッド(8)→スルーホール(801)→導体層
(9)→スルーホール(1001)→バルク導体(II
→グランド端子(5)という経路で流れる。即ちバルク
導体OIを設けることによシー実施例よシも導体層(9
)の抵抗値を下げることができる。たとえば、バルク導
体を厚さ略1關の銅で形成すると、従来の感熱印字ヘッ
ドの略10μmの厚さで形成している銅の導体膜からな
る共通線(7)に比べ、バルク導体の抵抗は略100分
の1の抵抗になる。即ち、バルク導体を用いると真空蒸
着法やスパッタリング法等で形成した薄膜の導体層(9
)の電気抵抗を下げるのに著しい効果が見られた。
ランドパッド(8)→スルーホール(801)→導体層
(9)→スルーホール(1001)→バルク導体(II
→グランド端子(5)という経路で流れる。即ちバルク
導体OIを設けることによシー実施例よシも導体層(9
)の抵抗値を下げることができる。たとえば、バルク導
体を厚さ略1關の銅で形成すると、従来の感熱印字ヘッ
ドの略10μmの厚さで形成している銅の導体膜からな
る共通線(7)に比べ、バルク導体の抵抗は略100分
の1の抵抗になる。即ち、バルク導体を用いると真空蒸
着法やスパッタリング法等で形成した薄膜の導体層(9
)の電気抵抗を下げるのに著しい効果が見られた。
また、さらに感熱印字ヘッドのIC+IC制御信号ライ
ンやIC用電源ライン等を保護するキャップに導電性金
属性キャップを用い、第3図のスルーホール(1001
)上にバルク導体のかわりに導電性金属性キャップを用
いても良い。この様にすると、わざわざバルク導体Hを
取り付ける工程が省けて製造工程が簡略となる。
ンやIC用電源ライン等を保護するキャップに導電性金
属性キャップを用い、第3図のスルーホール(1001
)上にバルク導体のかわりに導電性金属性キャップを用
いても良い。この様にすると、わざわざバルク導体Hを
取り付ける工程が省けて製造工程が簡略となる。
発明の効果
絶縁基板上に導体層を形成したことにより、グランドラ
インの配線抵抗が低減した。これによ〕ググランドパラ
とグランド端子との間での電圧上昇が見られなくなり、
グランドパッドの電位が許容限度内となり、駆動用集積
回路の正確な動作を保証できるようになった。また、各
グランドパッド間の電位差がなくなり記録濃度のむらが
生じることはなくなった。
インの配線抵抗が低減した。これによ〕ググランドパラ
とグランド端子との間での電圧上昇が見られなくなり、
グランドパッドの電位が許容限度内となり、駆動用集積
回路の正確な動作を保証できるようになった。また、各
グランドパッド間の電位差がなくなり記録濃度のむらが
生じることはなくなった。
第1図は従来の感熱印字ヘッドの平面図、第2図は本発
明の一実施例の感熱印字ヘッドの平面図、第3図は本発
明の他、の実施例の感熱印字ヘッドの平面図である。 (1)・絶縁基板 (2)・・発熱抵抗体(3
)・駆動用集積回路(IC) +4)・・グランドパ
ッド(9)導体層 (901)・絶縁層α〔
・バルク導体
明の一実施例の感熱印字ヘッドの平面図、第3図は本発
明の他、の実施例の感熱印字ヘッドの平面図である。 (1)・絶縁基板 (2)・・発熱抵抗体(3
)・駆動用集積回路(IC) +4)・・グランドパ
ッド(9)導体層 (901)・絶縁層α〔
・バルク導体
Claims (4)
- (1)絶縁基板上に複数の発熱抵抗体と、複数の駆動用
集積回路とを配置した感熱印字ヘッドにおいて、前記絶
縁基板上に形成したグランド配線用の導体層と前記導体
層上に形成した絶縁層と、前記絶縁層の一部を開口し、
この開口を介して複数の前記駆動用集積回路と前記導体
層とを電気的に接続したこ8番特徴とする感熱印字ヘッ
ド。 - (2)前記導体層は平面状導体層であることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の感熱印字ヘッド。 - (3) 前記絶縁層の一部を開口してこの開口を介し
て前記導体層と電気的に接続したバルク導体を複数の前
記駆動用集積回路と対向して前記絶縁層上に形成したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項または第2項記載
の感熱印字ヘッド。 - (4) 前記バルク導体は、感熱印字ヘッドの前記駆
動用集積回路等を保護する金属性キャップであり、前記
絶縁層の一部を開口してこの開口を介して前記導体層と
電気的に接続したことを特徴とする特許請求の範囲第3
項記載の感熱印字ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57087873A JPS58205780A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | 感熱印字ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57087873A JPS58205780A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | 感熱印字ヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58205780A true JPS58205780A (ja) | 1983-11-30 |
Family
ID=13926982
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57087873A Pending JPS58205780A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | 感熱印字ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58205780A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6279227A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 全芳香族コポリピロメリトイミド |
JPH02286261A (ja) * | 1989-04-27 | 1990-11-26 | Rohm Co Ltd | サーマルヘッド |
WO1997004965A1 (fr) * | 1995-07-31 | 1997-02-13 | Rohm Co., Ltd. | Tete d'impression thermique lineaire et systeme a tete d'impression thermique lineaire |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5387238A (en) * | 1977-01-12 | 1978-08-01 | Toshiba Corp | Diode matrix heat sensitive heads combined in one body |
JPS578177A (en) * | 1980-06-17 | 1982-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thermal head |
-
1982
- 1982-05-26 JP JP57087873A patent/JPS58205780A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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JPS578177A (en) * | 1980-06-17 | 1982-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thermal head |
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