JPH0417797B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 この発明は、サーマルヘツドに関し、詳しく言
えば端部と中央部との間の印字濃度のむらを解消
したサーマルヘツドに関する。

(ロ) 従来の技術 従来のサーマルヘツドの一例を第５図を用いて
説明する。２１は、サーマルヘツド基板であり、
アルミナセラミツク等の絶縁基板２２上に、発熱
抵抗体２３、共通電極２４、個別電極（図示せ
ず）、接続端子２５、…、２５を形成し、駆動用
IC２６、…、２６を装着してなるものである。
発熱抵抗体２３及び共通電極２４は、絶縁基板２
２の長手方向に延伸しており、共通電極２４は発
熱抵抗体２３に共通に通電する。共通電極２４の
両端部は、接続端子２４ａ，２４ａとされる。

個別電極は発熱抵抗体２３に個別に通電し、駆
動用IC２６にそれぞれワイヤボンデイングされ
る。また、駆動用IC２６は、接続端子２５とも
ワイヤボンデイングされている。接続端子２５
は、所定の数ずつ各駆動用IC２６に割り当てら
れており、各駆動用IC２６がそれぞれ独立に、
例えばDI（データイン）、DO（データアウト）、
V_DD、GND等の接続端子を有することとなる。

前記接続端子２４ａ，２５上には、フレキシブ
ル基板３１の縁部３１ａが重ねられる。フレキシ
ブル基板３１には、前記接続端子２４ａ，２５の
それぞれに接触導通する導体パターン（図示せ
ず）が形成されている。また、フレキシブル基板
３１は、補強板３２によつて補強され、この補強
板３２にはフレキシブル基板３１を外部に接続す
るためのコネクタ（図示せず）が取り付けられ
る。

フレキシブル基板縁部３１ａは、カバー３５の
シリコンゴム３６により、サーマルヘツド基板２
１に圧接される。このカバー３５は、ビス３７、
…、３７（両端の２本のみ図示）により放熱板３
０に取付けられ、これらビス３７、…、３７の締
付け力により、フレキシブル基板縁部３１ａとサ
ーマルヘツド基板２１との間の圧接力が生じる。
また、このカバー３５は、駆動用IC２６を保護
する機能を有している。なお、３５ａ，３３はビ
ス３７の挿通孔、３０ａはビス３７が螺入される
雌ねじ孔である。

(ハ) 発明が解決しようとする課題 上記従来のサーマルヘツドでは、共通電極２４
は絶縁基板２２の縁部と発熱抵抗体２３との間の
幅のさまい領域に形成されるため、その抵抗を小
さくすることが困難である。よつて、共通電極２
４の電圧降下により、中央部での印字濃度が、両
端部の印字濃度より低くなつてしまう問題があつ
た。

この発明は、上記に鑑みなされたもので、その
全長にわたり印字濃度にむらのないサーマルヘツ
ドの提供を目的としている。

(ニ) 課題を解決するための手段 この発明のサーマルヘツドの構成を、一実施例
に対応する第１図を用いて説明すると、長方形状
の絶縁基板２と、この絶縁基板２上の一方の長辺
端縁近傍に長辺に平行に形成される発熱抵抗体３
と、この絶縁基板２上の前記一方の長辺端縁と発
熱抵抗体３間及び両辺間にわたり形成され、前記
発熱抵抗体３に共通に通電する共通電極４と、前
記絶縁基板２上に形成され前記発熱抵抗体３に個
別に通電する個別電極７（第１図には図示せず）
と、前記絶縁基板２上に設けられ、これら個別電
極７に接続される複数個の駆動回路素子６と、前
記絶縁基板２上に形成され前記各駆動回路素子６
に接続するグランド電極８とを備えてなるものに
おいて、前記グランド電極８は、前記絶縁基板２
の他方の長辺端縁の長手方向へ中央側から端部側
に互いに離隔して一対延伸して前記各駆動回路素
子６のそれぞれに共通に接続し、かつ絶縁基板２
長手方向の他方の長辺端縁の中央側に前記グラン
ド電極８に一体的にそれぞれ個別に接続される少
なくとも一対の接続端子８ａを有することを特徴
としている。

(ホ) 作 用 この発明のサーマルヘツドでは、グランド電極
８が絶縁基板２長手方向に延伸しているため、グ
ランド電極８においても電圧降下が生じる。しか
も、グランド電極８は絶縁基板２の中央側に接続
端子８ａを有しており、電圧降下は絶縁基板２端
部に行くほど大きくなる。ところで、共通電極４
の電圧降下は、絶縁基板２の中央に行くほど大き
くなるから、グランド電極８の電圧降下と共通電
極４の電圧降下を加えたものは、絶縁基板２長手
方向のどこでも略同じとなり、発熱抵抗体３の発
熱エネルギが均一化される。よつて、サーマルヘ
ツドの両端部と中央部での印字濃度を均一にし
て、印字品位を向上させることができる。

(ヘ) 実施例 この発明の一実施例を第１図乃至第４図に基づ
いて以下に説明する。

第１図は、実施例サーマルヘツドの分解斜視
図、第２図は、同サーマルヘツドの縦断面図、第
３図は同サーマルヘツドの要部背面図、第４図
は、同サーマルヘツドのサーマルヘツド基板１の
要部拡大平面図である。

サーマルヘツド基板１は、アルミナセラミツク
等よりなる絶縁基板２上に導体パターンを形成
し、共通電極４、接続端子５、個別電極７、グラ
ンド電極８としたものである。また、絶縁基板２
上には、駆動用IC６、…、６が列設されている。

さらに詳しく見ると、接続端子５は、絶縁基板
後縁中央部２ａに列設されている。接続端子５の
数が従来と比べて非常に少なくなつているが、こ
れは、従来フレキシブル基板側で行つていた配線
を絶縁基板２上の導体パターン５ａで行うように
したからである。これら導体パターン５ａは、第
４図にもその一部が示されており、対応する駆動
用IC６のパツド６ａとワイヤＷによりボンデイ
ングされる。なお、この発明は駆動用IC６の接
続回路自体を要部とするものではないので詳細な
説明は省略する。

接続端子５には、前記導体パターンがつながつ
ており、DI、DO、LA（ラツチ）、CLK（クロツ
ク）、V_DD、STR（ストローブ）１〜４が割り当て
られる。なお、中央に位置する駆動用IC６，６
は、配置の関係からグランド電極８と直接ワイヤ
ボンデイングするのが困難なので、それぞれ専用
のグランド端子５（GND）が用意されている。

共通電極４は、絶縁基板２の周縁に沿つて形成
され、その端部は絶縁基板後縁中央部２ａに達し
て接続端子４ａ，４ａとされる。接続端子４ａ
は、接続端子５と同形状の３つの導体パターン４
ｂが割り当てられており、また、抵抗値を少なく
するため銀ペースト４ｃが重ねて塗布されてい
る。

７は個別電極であり、その先端部７ａは共通電
極４の櫛歯部４ｄと噛み合うように配置される。
個別電極７の基端部７ｂは、駆動用IC６の近傍
にまで引き出され、対応するパツド６ｂとワイヤ
Ｗによりボンデイングされる。なお、個別電極７
が斜めに引き出されているのは、駆動用IC６，
６間の間隔をとるためである。

共通電極櫛歯部４ｄ、個別電極先端部７ａ上に
は、厚膜の発熱抵抗体３が形成される。発熱抵抗
体３の櫛歯部４ｄ，４ｄに挟まれる部分が一つの
ドツトに対応する。もちろん、発熱抵抗体３を薄
膜とすることもでき、適宜設計変更可能である。

グランド電極８，８は、それぞれ絶縁基板後縁
中央部２ａより両端２ｂ，２ｂへ向かつて、共通
電極４の内側に沿つて絶縁基板２長手方向へ延伸
する。グランド電極８の接続端子８ａは、接続端
子５と類似形状の導体パターン８ｂ、…、８ｂが
割り当てられており、抵抗値を下げるために銀ペ
ースト８ｃが塗布されている。両グランド電極
８，８は、中央部の２つの駆動用IC６，６を除
く、駆動用IC６、…、６のGND用パツドと、ワ
イヤボンデイングされる。なお、駆動用IC６、
…、６は樹脂９で被覆され、ワイヤＷ、…、Ｗと
共に絶縁保護される。

サーマルヘツド基板１は、放熱板１０上に取付
けられる。この時、サーマルヘツド基板１は、放
熱板中央部１０ｃでのみ接着されるが、これは、
サーマルヘツド基板１と放熱板１０の熱膨張係数
が異なるためであり、温度が上昇してもサーマル
ヘツド基板１、放熱板１０を互いに自由に膨張さ
せて、そりが生じないようにするためである。

フレキシブル基板縁部１１ａは、絶縁基板後縁
部２ａに重なり、接続端子４ａ，５，８ａに接触
導通する導体パターン（図示せず）が形成されて
いる。上述のように接続端子５は、絶縁基板後縁
部２ａに集中しているから、フレキシブル基板１
１の幅（補強板１２も）を小さくすることができ
る。

フレキシブル基板１１は、従来と同様補強板１
２により補強されている。補強板１２には、コネ
クタ１４が取付けられており、このコネクタ１４
のピン１４ａはフレキシブル基板１１上の図示し
ない導体パターンに接続される。

補強板１２は、カバー１５と共にビス１７ａに
より放熱板１０に固定される（第２図も参照）。
ビス１７ａは、カバー１５の挿通孔１５ａ、補強
板１２の挿通孔１３の挿通孔１３を挿通して放熱
板１０の雌ねじ孔１０ａの螺入される。この時、
カバー１５底面のシリコンゴム１６がフレキシブ
ル基板縁部１１ａを絶縁基板後縁中央部２ａに圧
接する。フレキシブル基板縁部１１ａの導体パタ
ーンと接続端子４ａ，５，８ａとの均一な接触導
通状態が得られるよう、ビス１７ａ，１７ａの締
め付けトルクを管理する。この実施例では、２本
のビス１７ａ，１７ａの締め付け力だけで圧接を
行つているが、これは上述のようなフレキシブル
基板１１の幅が狭くてもよいからであり、従来よ
りも容易にビス締め付けトルクを管理できる。

カバー１５両端部には、大径の挿通孔１５ｂが
穿設されており、スペーサ１８が挿入され、さら
にこのスペーサ１８を通してビス１７ｂが放熱板
１０の雌ねじ孔１０ｂに螺入される（第３図も参
照）。ビス１７ｂの頭部はカバー１５に接触して
いるが、ビス１７ｂの締め付け力はもつぱらスペ
ーサ１８にかかつており、ビス１７ｂは単にカバ
ー１５の端部が浮き上がるのを防止する構成とな
つている。これは、カバー１５端部を放熱板１０
に完全に固着すると、各部材の熱膨張係数の差異
により、温度が上昇した場合に全体がそるおそれ
があるからである。

この実施例サーマルヘツドでは、従来と同様共
通電極４の電圧降下はサーマルヘツド基板１両端
部で小さく、中央部で大きくなる。しかし、グラ
ンド電極８の電圧降下は、サーマルヘツド基板１
中央部では、両端部では大きくなる。よつて、共
通電極４の電圧降下とグランド電極８の電圧降下
とを加えたものは、サーマルヘツド基板１の長手
方向について略均一となる。このため、サーマル
ヘツド基板１の発熱エネルギが均一化され、印字
濃度のむらが解消される。

(ト) 発明の効果 以上説明したように、この発明のサーマルヘツ
ドは、グランド電極を絶縁基板長手方向へ延伸し
て駆動素子のそれぞれに共通に接続し、その中央
側に接続端子を有するものであるから、各発熱抵
抗体の発熱を均一となし得、サーマルヘツド中央
部と両端部との間の印字濃度のむらが解消され印
字品位が向上する上に、さらに外部回路と接続容
易で、しかも簡単な構成で実現できるという、利
点を有している。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例に係るサーマル
ヘツドの分解斜視図、第２図は、同サーマルヘツ
ドの縦断面図、第３図は、同サーマルヘツドの一
部を破断して示す要部背面図、第４図は、同サー
マルヘツドのサーマルヘツド基板の要部平面図、
第５図は、従来のサーマルヘツドの分解斜視図で
ある。 ２……絶縁基板、３……発熱抵抗体、４……共
通電極、６……駆動用IC、７……個別電極、８
……グランド電極、８ａ……接続端子。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 長方形状の絶縁基板と、この絶縁基板上の一
   方の長辺端縁近傍に長辺に平行に形成される発熱
   抵抗体と、前記絶縁基板上の前記一方の長辺端縁
   と発熱抵抗体間及び両短辺間にわたり形成され、
   前記発熱抵抗体に共通に導電する共通電極と、前
   記絶縁基板上に形成され前記発熱抵抗体に個別に
   通電する個別電極と、前記絶縁基板上に設けられ
   個別電極に接続される複数個の駆動回路素子と、
   前記絶縁基板上に形成され前記各駆動回路素子に
   接続するグランド電極とを備えてなるサーマルヘ
   ツドにおいて 前記グランド電極は、前記絶縁基板の他方の長
   辺端縁の長手方向へ中央側から端部側に互いに離
   隔して一対延伸して前記各駆動回路素子のそれぞ
   れに共通に接続し、かつ絶縁基板長手方向の他方
   の長辺端縁の中央側に前記グランド電極に一体的
   にそれぞれ個別に接続される少なくとも一対の接
   続端子を有することを特徴とするサーマルヘツ
   ド。