JPH0430565A - 高出力用混成集積回路装置 - Google Patents

高出力用混成集積回路装置

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JPH0430565A
JPH0430565A JP2138748A JP13874890A JPH0430565A JP H0430565 A JPH0430565 A JP H0430565A JP 2138748 A JP2138748 A JP 2138748A JP 13874890 A JP13874890 A JP 13874890A JP H0430565 A JPH0430565 A JP H0430565A
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JP
Japan
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lead terminal
substrate
power
substrates
case material
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JP2138748A
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Hideshi Saito
秀史 西塔
Hisashi Shimizu
清水 永
Susumu Ota
太田 晋
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/14Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/144Stacked arrangements of planar printed circuit boards

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (り産業上の利用分野 本発明は高出力用回路基板とそれを制御する制御用回路
基板とがケース材を介して一体化された高出力用混成集
積回路装置に関し、更に詳しくは高出力用混成集積回路
装置のパッケージ構造に関する。
(ロ)従来の技術 一般的にインバータエアコンの室外器などの電力駆動制
御用として電力半導体装置が使用されるが、従来のこの
種の電力半導体装置では、電力用半導体素子が接続され
た電力回路基板と各種の電気部品が接続された制御回路
基板とが夫々別個に独立して制御パネル等に配置されて
いた。このため、装置の小形化や簡単に交換可能なモジ
ュール形態とすることが困難であった。
そこで近年では上述した問題を解決するために電力回路
基板と制御回路基板とを1つのパッケージに集積化した
電力半導体装置なるものが存在する。
第7図は例えば1つの従来の電力半導体装置を示した断
面図である。
第7図に示すように、電力回路基板(51)と制御回路
基板(52)とを備え、電力回路基板〈51)がモール
ド用樹脂外枠〈54)内にシリコンゲル等の内部注入樹
脂〈56〉により固定され、また、制御回路基板〈52
〉がモールド用樹脂外枠(54)に嵌合されると共にエ
ポキシ樹脂等の封止樹脂(58)の注入硬化により固定
されて、両回路基板(51)(52)がモールド用樹脂
外枠(54)に互いに平行に積層保持されている。そし
て、電力回路基板(51)上に形成された配線パターン
にトランジスタやダイオード等の電力用半導体素子(1
10)が、制御回路基板<52)上に形成された配線パ
ターンに各種の電気部品(112)が夫々接続されてい
る。更に、電力回路基板(51)には、外部入出力用端
子(114)が半田付けきれ、この外部入出力用端子<
114)が封止樹脂(58)および制御回路基板(52
)を貫通して上部に導出されている。また、制御回路基
板(52)には外部接続用コネクタ(116)が接続さ
れ、この外部接続用コネクタ(116)が封止樹脂り5
8)で固定されて上部に突出されている。そして、電力
回路基板(51)と制御回路基板(52)とは、基板接
続用コネクタ(118)により互いに電気的に接続され
ている。
(ハ)発明が解決しようとする課題 上述の如く説明した従来の電力半導体装置では以下に示
す種々の不具合がある。
先ず、この様な電力半導体装置は、小形化や交換可能な
モジュール形態を実現できたものの、電力回路基板(5
1〉と制御回路基板(52)との間が内部注入樹脂(5
6〉と封止樹脂(58)とによって充填されているので
、電力回路基板(51)上に配置された電力用半導体素
子(110)から発生する熱が内部注入樹脂(56)お
よび封止樹脂(58)を介して制御回路基板(52〉上
に配置された各種の電気部品(112)に伝わり、この
ため、各種電気部品(o2)が熱の影響を受けて特性が
変化するなどして誤動作の原因となり、電力回路基板(
51)上に形成されるパワー回路の大きな制約原因とな
っていた。そのため、50A〜20OAクラスのハイパ
ワー回路対応の装置が実現できないという大きな問題が
ある。
次に、制御回路基板(52)は樹脂系の基板で形成され
−且つ、基板(52)上に搭載された電気部品(112
)が上面側に配置された構造となるために、耐ノイズ性
が著しく悪いため、ノイズによる誤動作が発生する。
更に、電力回路基板(51)と制御回路基板(52)と
の接続は、先に外枠(54〉に電力回路基板(Sl)を
固着しあらかじめ、基板(51)上に固着された接続コ
ネクタ(118)なるものを基板(52)の表面上に突
出させて、その突出部を半田付けしなければならず作業
性および信頼性が著しく低下すると共に自動化が行えな
い問題がある。
更に入出力用端子(114)およびコネクタ(116)
の全ての端子が本体より上面方向に突出されているため
、完成時の積重ねが行えず梱包作業の能率が低下する問
題がある。
(ニ)課題を解決するための手段 本発明は上述した課題を鑑みて為されたものであり、少
なくとも一方の基板の表面が露出する様に対向配置され
た二枚の金属基板と前記両系板上に形成された所望形状
の導電路と前記一方の基板上の導電路と接続された複数
の制御系の回路素子と前記他方の基板上の導電路と接続
された複数のパワー系の回路素子と前記側基板を固着一
体化するケース材とを備え、前記一方の基板の少なくと
も一側辺周端部から小信号用リード端子を導出させ、前
記他方の基板の周端部に固着されたパワー用リード端子
を前記ケース材の表面に沿って延在させ、そのパワー用
リード端子の外部接続部は前記ケース材に固定されて外
部回路と接続されることを特徴とする。
(*)作用 この様に本発明に依れば、二枚の金属基板の一方の基板
表面を露出する様にケース材を介して対向配置させ、一
方の基板から小信号用リード端子を導出させ、他方の基
板の周端部に固着されたパワー用リード端子をケース材
の表面に沿って延在きせ、パワー用リード端子の外部接
続部はケース材に固定されて外部回路と接続されること
により、夫々のリード端子の突出しない比較的薄型の高
出力用混成集積回路装置を提供できる。また、パワー用
リード端子は外部回路との接続時にケース材と一体化し
て接続されるので外部回路との接続が強固に行える。
また、本発明の高出力用混成集積回路装置ではその表面
が露出して配置される一方の基板上に制御系のトランジ
スタ、IC,チップコンデンサ、チップ抵抗等の回路素
子がチップ状のものが使用されているので高集積化され
た制御基板を提供することができる。
更に内基板は夫々の基板周端部分で接続されるので内基
板の接続が極めて容易に行えるメリットを有する。
更に内基板はその裏面が露出され且つ夫々の回路素子が
対向する様に配置されているため外来ノイズに対して著
しく遮蔽効果が向上する。
(へ)実施例 以下に第1図乃至第3図に示した実施例に基づいて本発
明の高出力用混成集積回路装置を詳述に説明する。
第1図は本発明の高出力用混成集積回路装置を示す断面
図、第2図は平面図、第3図は正面図である。
本発明の高出力用混成集積回路装置は第1図乃至第3図
に示す如く、二枚の金属基板(la)(lb)と、内基
板(1g)(lb)上に搭載された複数の制御系および
パワー系の回路素子<2aバ2b)と、内基板(1a)
(lb)の周端辺に固着された小信号用およびパワー用
のリード端子(3a)(3b)と、二枚の基板(1a)
(1b)を離間袋せて固着一体化するケース材(4)と
から構成される。
金属基板としては例えば0.5〜5.0mm厚のアルミ
ニウム基板を用いる。その内基板(la)(lb)の表
面には、周知の陽極酸化により酸化アルミニウム膜(ア
ルマイト層)が形成され、その−主面側に10〜70μ
厚のエポキシあるいはポリイミド等の絶縁樹脂層が貼着
される。更に絶縁樹脂層上には10〜105μ厚の銅箔
が絶縁樹脂層と同時にローラーあるいはホットプレス等
の手段により貼着されている。
内基板(la)(lb)の−主面上に設けられた銅箔表
面上にはスクリーン印刷によって所望形状の導電路を露
出してレジストでマスクきれ、貴金属(金、銀、白金)
メツキ層が銅箔表面にメツキされる。然る後、レジスト
を除去して貴金属メツキ層をマスクとして銅箔のエツチ
ングを行い所望の導電路が形成される。ここでスクリー
ン印刷による導電路の細さは0 、5 mmが限界であ
るため、極細配線パターンを必要とするときは周知の写
真蝕刻技術に依り約2μルールまでの極細導電路の形成
が可能となる。
第4図は上述した技術を用いて形成された二枚の基板(
la)(lb)の一方の基板(18)、即ち、制御回路
基板の平面図であり、第4図から明らかな如く、一方の
基板〈1a)上には制御用、即ち、信号線用の導電路(
5a)が略基板(1a)の全面に形成されている。その
導電路(5a)が延在される基板(1a)の周端部には
複数のリード固着用バッド(6a)が設けられている。
基板(1a)の対向する周端部に設けられたパッド(6
a)には外部回路と接続を行う小信号用のリード端子(
3a)が固着されている。このリード端子(3a)は各
図からでは明らかにされてないがその先端部は水平方向
より上向きとなる様に配置され、更にそのリード端子(
3a)の先端部は一方の基板(1a)の基板露出面(反
対面)より突出しない様に考慮されている。また、一方
の基板(1a)のもう−側辺に設けられた固着パッド(
6g’)は後述する他方の基板(1b)と接続するため
の固着用バッドである。
上述した制御系の基板(1a)上に発熱を有さないトラ
ンジスタ、ICおよびチップコンデンサ、チップ抵抗等
のチップ状の回路素子(2a)が所定位置にグイ状で搭
載されている。
一方、第5図は他方の基板(1b)、即ち、パワー出力
用基板の平面図であり、第5図の如く、基板(1b)上
にはパワー用の太い導電路(5b)が主に形成されてい
る。その導電路(5b)から延在された基板(1b)の
−周端辺にはパワー用リード端子固着用の複数のバッド
〈6b)が設けられ、そのバッド〈6b)にパワー用リ
ード端子(3b)が固着されている。また、他方の基板
(1b)上にはパワー用の導電路(5b)のみならず一
部の信号系の導電路が形成されており、その導電路の先
端部分はパワー用リード端子(3b〉が固着された反対
側に延在形成され、上述した一方の基板(1a)の接続
バッド(6a’)と接続されるバッド(6b’)となる
この他方の基板(1b)上にはパワートランジスタ、パ
ワーMO5S IGBT等のパワー素子および、大電流
検出用抵抗を含むパワー系の保護回路を構成すべき複数
の回路素子(2b)が搭載されている。説明するまでも
ないがパワー素子で必要とされるものは(u、インバー
等のいわゆるヒートシンク材(7)を介して基板(1b
)上に搭載される。
尚、本実施例での他方の基板(1b)の銅箔の厚みは1
05μのため、100A〜200Aクラスの大電流を最
小限の発熱で流すことが可能となっている。
他方の基板(1b)上に固着されたパワー用のリード端
子(3b)は第1図および第2図に示す如く、固着パッ
ド〈6b〉に固着され、いったん水平方向に導出されて
所定のところで折曲げ形成されている。
この折曲げされた部分は後述するケース材(4)の表面
に沿う様に折曲げされるが、本実施例では略直角になる
様に折曲げ形成されている。
ところで、二枚の基板(la)(lb)のパワー系の他
方の基板(1b)の大きさは制御系の一方の基板(1a
)より大きくなる様に設計時に考慮されている。それら
の二枚の基板(la)(tb)は夫々の回路素子(2a
)(2b)が対向する様にケース材(4)によって所定
間隔離間して固着一体化される。
本実施例で用いられるケース材(4)を第6図A乃至第
6図Cを用いて説明する。
第6図Aはケース材(4)の正面図、同図Bは平面図、
同図Cは底面図である。
第6図A乃至同図Cに示す如く、ケース材(4)は両基
板(la)(tb)を離間させるために枠状に形成され
た枠部(10)と、枠部(10)の両端部から導出され
た翼状の係止部(11)と、パワー用リード端子(3b
)が実質的に当接され外部回路と接続する外部接続部材
(12)を主要部分として構成されている。
更に本実施例のケース材(4)では上述した主要構成部
以外に両基板(la)(lb)を接続するための領域を
形成する突出部(13)と射出成形後にケース材(4)
のひずみ(反り)を肪止するための補強部(19)とが
ケース材(4)と一体形成されている。
ケース材(4)の特徴とするところは、外部接続部材り
12)にある。即ち、外部接続部材(12〉はパワー用
リード端子(3b)の接続部分が装置の側面と上面に設
定される様にケース材(4)の垂直面と水平面に夫々設
けられ、この外部接続部材(12)にはネジ止め用のナ
ツト(16)を挿入する孔(19’ )が設けられてい
る。孔(19’)内にナツト(16)を挿入した後、ナ
ツト(16)は孔(19’)で接着固定される。
また、このナツト(16)をケース材(4)を射出成形
する際に外部接続部材(12)となる領域に埋込しても
よい。
また、複数の外部接続部材(12)は所定の深を有した
スリット(14’)によって各ブロック毎に仕切られて
いる。このスリット(14’)には絶縁体(図示しない
)が挿入きれ隣接して配電されるパワー用リード端子間
の絶縁距離を一定に保持することに用いることができる
様に設計されている。
斯るケース材(4)を用いて両基板(la)(lb)は
ケース材(4)と一体化される。
制御系回路基板となる一方の基板(1a)はケース材(
4)の上面側に、パワー系回路基板となる他方の基板(
1b)はケース材(4)の下面側に配置きれ、夫々の基
板(la)(lb)上に搭載された回路素子(2a)〈
2b)が対向する様に考慮されている。ところで、ケー
ス材(4)と夫々の基板(la)(lb)との接着は接
着性シート(Jシート:商品名)となるもので熱加圧着
方法によって固着一体上される。
ケース材(4)に一体上された側基板(la)(lb)
は、ケース材(4)の突出部(13)と側基板(la)
(lb)の周端部で形成される空間内で互いに電気的に
接続される。その接続手段としては、フィルム、金属製
リード等のいくつかの方法があるが、本実施例では金属
製リード(15)を用いて接続するものとする。側基板
(la)(lb)を接続した後、上述した空間部にはエ
ポキシ系の封止樹脂(17)が充填され、夫々の接続領
域が保護される。また、側基板(1a)(1b)と突出
部(13)とで形成された空間部内に樹脂(17)を充
填する必要のために側基板(la)(lb)の基板周端
辺は略一致する様に設計されている。
ケース材(4)の上面に配置された一方の基板(1a)
から導出された小信号用のリード端子(3a〉は第2図
に示す如く、上面側に配置きれ且つ、そのリード端子(
3a)の先端部は第3図に示す如く基板(1a)の表面
より突出することはない。
一方、ケース材(4)の下面に配置された他方の基板(
1b)に固着されたパワー用リード端子(3b)は第1
図乃至第3図に示す如く、ケース材(4)の外部接続部
材(12)に沿って折曲げ配t−aれている。
本実施例ではケース材(4)の垂直面側、即ち、側基板
(la)(lb)の中間部分にリード端子(3b)の接
続部が配置される様に設計されている。ケース材(4)
の外部接続部材(12)の孔(13’)にはナツト(1
6)があらかじめ配置されているので、ナツト(16)
は折曲げされたリード端子(3b)によって封止された
状態となる。説明するまでもないがリード端子(3b)
には穴が設けられており、その穴にネジ(18)を挿入
してネジ(18)とナツト(16)とをネジ止めし、パ
ワー用リード端子(3b)と外部回路との接続を行う、
このときリード端子(3b)は外部回路との接続電極を
ネジ止めするネジ(18)とケース材(4)に固着され
たナツト(16)で強固に固定される。
本実施例では、パワー用リード端子(3b)の外部接続
部は上述した様に側基板(la)(lb)間に設けらて
いるが、本実施例のケース材(4)では、一方の基板(
18)の表面側、即ち、上面側にもリード端子〈3b〉
の接続部を折曲げ配置することによって設定できる。
本実施例では、他方の基板(1b)の表面に第3の基板
となるマザー基板(20〉が固着一体上される。
マザー基板(20)は放熱性および絶縁性を向上きせる
ことを目的とするために、金属基板が用いられ、且つそ
の主面にはポリイミド樹脂等の絶縁性樹脂層(図示され
ない)が設けられている。このマザー基板〈20)は第
1図から明らかな様に他方の基板(1b)より大きく形
成され、二枚の基板(la)(1b)と同様にケース材
(4)内に収納される。
即ち、マザー基板(20)は第6図C(ケース材の底面
を示す図)に示す様に一点鎖線で示した領域に配置され
る。このとき、マザー基板(20)はケース材(4)の
両端部に設けられた翼状の係止部(11)によって位置
規制が行われるために他方の基板(1b)とマザー基板
<20)とを固着する際に位置ズレ等の問題が発生する
恐れはない。
マザー基板(20)と他方の基板(1b)とを固着しケ
ース材(4)と一体上すると、第1図および第3図に示
す様にマザー基板(2o)とケース材(4)の接続部材
(12)とで形成された空間部にはエポキシ系の封止樹
脂(17)が充填され、パワー用リード端子〈3b)の
固着接続部分が封止保護される。
斯る本発明に依れば、二枚の金属基板の一方の基板表面
を露出する様にケース材を介して対向配置させ、一方の
基板から小信号用リード端子を導出させ、他方の基板の
周端部に固着されたパワー用リード端子をケース材の表
面に沿って延在させ、パワー用リード端子の外部接続部
はケース材に固定されて外部回路と接続されることによ
り、夫々のリード端子の突出しない比較的薄型の高出力
用混成集積回路装置を提供できる。また、パワー用リー
ド端子は外部回路との接続時にケース材と一体化して接
続されるので外部回路との接続が強固に行える。
(トΣ発明の効果 以上に詳述した如く、本発明に依れば、両基板(la)
(lb)に固着されたリード端子(3a)(3b)が突
出されないので薄型で且つ取扱い性の優れた装置を提供
することができる。
更に本発明に依れば一方の基板(1a)の基板表面が露
出する様に配置されているのでパワー用の他方の基板(
1b)からの熱の影響を受けることは従来構造のものと
比較すると著しく低減する。その結果、他方の基板(1
b)上に大出力用の回路を形成したとしても熱によって
制御系の一方の基板(1a)上に設けられた回路素子(
2a)の信頼性を向上することができる。
更に本発明に依れば、両基板(la)(lb)上にチッ
プ状の回路素子(2a)(2b)が搭載されているので
高集積化した高出力用の混成集積回路装置を提供するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を示す断面図、第2図は第1図の平面図
、第3図は第1図の正面図、第4図、第5図は基板を示
す平面図、第6図A乃至Cは本実施例で用いられるケー
ス材を示す図、および第7図は従来例を示す断面図であ
る。 (la)(lb)は基板、(2a)(2b)は回路素子
、(3a)(3b)はリード端子、(4)はケース材、
(5a)(5b)は導電路、(6a)(6b)はリード
端子固着用パッド、(7)はヒートシンク、(10)は
枠部、(11)は係止部、(12)は外部接続部材、(
13)は突出部、(14)は補強部、(15)は金属製
リード、(16)はナツト、(17)は封止樹脂、〈1
8〉はネジ、(20)はマザー基板である。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)少なくとも一方の基板の表面が露出する様に対向
    配置された二枚の金属基板と 前記両基板上に形成された所望形状の導電路と前記一方
    の基板上の導電路と接続された複数の制御系の回路素子
    と 前記他方の基板上の導電路と接続された複数のパワー系
    の回路素子と 前記両基板を固着一体化するケース材とを備え、 前記一方の基板の少なくとも一側辺周端部から小信号用
    リード端子を導出させ、前記他方の基板の周端部に固着
    されたパワー用リード端子を前記ケース材の表面に沿っ
    て延在させ、そのパワー用リード端子の外部接続部は前
    記ケース材に固定されて外部回路と接続されることを特
    徴とする高出力用混成集積回路装置。
  2. (2)前記導電路は銅箔を用いたことを特徴とする請求
    項1記載の高出力用混成集積回路装置。
  3. (3)前記他方の基板は前記一方の基板より大きく且つ
    、夫々の基板は互いに電気的に接続されていることを特
    徴とする請求項1記載の高出力用混成集積回路装置。
  4. (4)前記両基板が電気的に接続される夫々の基板周端
    辺は実質的に一致されていることを特徴とする請求項3
    記載の高出力用混成集積回路装置。
  5. (5)前記パワー用リード端子は上方向に折曲げされて
    いることを特徴とする請求項1記載の高出力用混成集積
    回路装置。
JP2138748A 1990-05-28 1990-05-28 高出力用混成集積回路装置 Pending JPH0430565A (ja)

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JP (1) JPH0430565A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5777783A (en) * 1993-05-17 1998-07-07 Olympus Optical Co., Ltd. Microscope
US9190397B2 (en) 2012-02-14 2015-11-17 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device

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JPS59215762A (ja) * 1983-05-23 1984-12-05 Toshiba Corp 複合半導体装置

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