JPH0487358A - 混成集積回路装置 - Google Patents

混成集積回路装置

Info

Publication number
JPH0487358A
JPH0487358A JP2201219A JP20121990A JPH0487358A JP H0487358 A JPH0487358 A JP H0487358A JP 2201219 A JP2201219 A JP 2201219A JP 20121990 A JP20121990 A JP 20121990A JP H0487358 A JPH0487358 A JP H0487358A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
integrated circuit
microcomputer
circuit device
hybrid integrated
multilayer substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2201219A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2620649B2 (ja
Inventor
Koji Nagahama
長浜 浩二
Hiroyuki Tamura
浩之 田村
Masao Kaneko
正雄 金子
Kazuyuki Kashimura
樫村 和之
Toshiaki Higa
利明 比賀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2201219A priority Critical patent/JP2620649B2/ja
Publication of JPH0487358A publication Critical patent/JPH0487358A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2620649B2 publication Critical patent/JP2620649B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0296Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
    • H05K1/0298Multilayer circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/14Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/141One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341Surface mounted components
    • H05K3/3431Leadless components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/36Assembling printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/368Assembling printed circuits with other printed circuits parallel to each other

Landscapes

  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は混成集積回路装置に関し、特にメモリおよびマ
イクロコンピュータを搭載した混成集積回路装置の配線
接続構造に関する。
(ロ)従来の技術 第4図を参照して従来の混成集積回路装置を説明する。
第4図は混成集積回路装置の平面図を示し、混成集積回
路装置は絶縁金属基板(70)と、導電路(72)と、
中継バッド(74)と、外部リード用ノベッド(76)
と、ボンディングワイア(78)と、第1のゲトアレイ
(80)、マイクロコンピュータ(82)、メモリ(8
4)、第2のゲートアレイ(86)、その他の周辺集積
回路(88)等の複数の集積回路素子と、チップ抵抗(
90)等で構成されている。
絶縁金属基板(70)は糸色縁処理されtとアルミニウ
ム基板が主として用いられ、この絶縁金属基板(70)
に貼着した銅箔をホトエツチングする等して所定形状に
配線パターンが形成され、後述する集積回路素子を固着
するためのパッド、その電極を接続するためのパッド、
中継バッド(74)等の導電路(72)および外部リー
ド用バッド(76)等が形成されている。
上記した導電路(72)の所定位置には、第1および第
2のゲートアレイ(80)(86)、マイクロコンピュ
ータ(82)、メモリ(84)および周辺集積回路(8
8)を形成するチップ状の素子がAgペーストにより固
着され、チップコンデンサ、チップ抵抗素子等の電子部
品が接続強度、コンタクト抵抗を考慮して半田固着され
ている。
、斯る大規模な混成集積回路装置は多種の電気機器に使
用され、近年ではプリンタコントローラとしても使用さ
れる。
一般的なプリンタコントローラを混成集積回路装置とし
て実現する場合につき簡単に説明すると、例えば第1の
ゲートアレイ(80)はセントロニクス仕様のパラレル
 データ、センサ人力およびプリンタのフロントパネル
−スイッチ信号等を入力してマイクロコンピュータ(8
2)に人力する人力インターフェースとして機能し、第
2のゲートアレイ(86)はマイクロコンピュータ(8
2)の命令に基づいて文字フォントを印字ヘッドに出力
し、またキャリッジリターンあるいはフィードフォワー
ド信号等の制御信号等を出力する出力インターフェース
として機能する。また、マイクロコンピュータ(82)
には例えば16ビツトの人出力ボートと20ビツトのア
ドレス空間を有する80ビンのマイクロコンピュータが
使用され、メモリ(84)には例えば256にビット、
28ピンのメモリが使用される。
上記構造の混成集積回路装置はプリンタコントローラに
要求される小型化の要求に一応、応えることができ、ま
た絶縁金属基板を使用するため機器の放熱の問題も解決
されている。
(ハ)発明が解決しようとする課題 しかしながら、16ビツトのデータバスと20ビツトも
のアドレス空間を有し、しかも大規模構成されるディジ
タル回路の配線パターンは極めて複雑なしのとなり、デ
ータバス、アドレスバス等の導電路は基板上の処断で、
ジャンピングワイア接続と称される技術を用いて相互に
接続しなければならなかった。
斯るジャンピングワイア接続技術を用いることにより、
比較的離間する導電路間の接続が行えるものの、極めて
多数のデータバス、アドレスバスを必要とするマイクロ
コンピュータ、メモリ等を搭載する混成集積回路装置に
おいては、第4図に示す如く、極めて多数のジャンピン
グワイアを必要としていた。
その結果、ジャンピングワイアを固着するだめのパッド
数の増加による基板実装有効面積の低下および装置の小
型化の点で限界があり、大容量かつ超小型の混成集積回
路装置の実現が困難であった。
(ニ)課題を解決するための手段 本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、メモ
リおよびマイクロコンピュータ等の素子の周辺にアドレ
スバス、データバス等の配線パターンを形成した多層基
板を絶縁配置し、この多層基板を介してマイクロコンピ
ュータとそノ周辺回路素子間のアドレスバス、データバ
ス等の接続、並びにマイクロコンピュータおよびその周
辺回路素子と所定の導電路との接続を行うことによって
、ワイヤボンディングの数を著しく削減し高信頼並びに
高密度かつ小型の混成集積回路装置を提供するものであ
る。
(ホ)作用 多層基板に形成された導電路を介してアドレスバス、デ
ータバス等の接続が行われるため長スパンの接続が可能
になり、マイクロコンピュータとその周辺回路素子間の
接続、並びにマイクロコンピュータおよびその周辺回路
素子と所定の導電路との接続において、従来の如き、ジ
ャンピングワイア接続を不要とすることができる。
くべ)実施例 以下、本発明をプリンタコントローラ用の混成集積回路
装置に適用した実施例を第1図乃至第3図を参照して説
明する。
第1図は実施例の平面図であり、混成集積回路装置は絶
縁金属基板(12) (但し、同平面図には当該金属基
板上に形成された絶縁樹脂層が現れるにすぎないので、
後述の断面構造の説明に際しては絶縁金属基板(12)
に使用する参照番号を絶縁樹脂層に使用する)、この絶
縁金属基板(12)上に所定のパターンに形成された導
電路(14)、外部リード用パッド(18)、第1のゲ
ートアレイ(24)、マイクロコンピュータ(26)、
メモリ(28)、第2のゲートアレイ(30)、その他
の周辺集積回路(32)、チップ抵抗(34)および本
発明に特徴的な多層基板(40)等で示されている。な
お、多層基板(40)下の絶縁金属基板(12)上にも
導電路(14)が形成さねている。
絶縁金属基板(12)にはアルミニウムが使用され、陽
極酸化により表面がアルマイト処理され、その−主面に
エポキシ樹脂あるいはポリイミド樹脂等の接着性を有す
る絶縁樹脂が被覆される。
導電路(14)、外部リード用パッド(18)は前記絶
縁金属基板(12)に予め貼着しだ銅箔をホトエツチン
グする等して所定のパターンに形成され、特にバス(1
6)として示す導電路(14)により分断される一部の
導電路(14)はアルミワイア(22)によりジャンピ
ング接続される。また、接地電位の導電路(14)は基
板金属(20)に接続される。
第1および第2のゲートアレイ(24)(30)、マイ
クロコンピュータ(26)、メモリ(28)、その他の
周辺集積回路(32)にはチップ素子が使用され、それ
らは所定の導電路(14)上にAgペーストにより固着
される。また、チップ抵抗(34)およびチンプコンデ
ンザは所定の導電路(14)に半田固着される。
なお、集積回路素子の機能は従来例の項で説明したので
省略する。
次に、第2図を参照して本発明に特徴的な多層基板(4
0)を説明する。
多層基板(40)は厚さ0.6mm〜]、、Ommのガ
ラスエポキシ、紙エポキシ、紙フエノール、ポリイミド
等の樹脂により形成され、図示するように、第1および
第2のゲートアレイ(24)(30)、マイクロコンピ
ュータ(26)およびメモリ(28)のチップを露出さ
せる孔(42)および切り欠き(42)が形成されてい
る。なお、以下の説明により明かとなるが、この孔(4
2)はマイクロコンピュータ(26)等の集積回路素子
の周辺にポンディングパッドを多層に配列するtこめに
形成されるものであって、実質的にその目的が達成され
る形状であれば孔に限定されるものではない。
また、この多層基板(40)の両面には周知の方法によ
り、その一部を図示するように、アドレスバス、データ
バス等の導電路(44)が形成され、適宜の位置でスル
ーホール(46)により接続されている。
所定の導電路(44)の一部は多層基板(40)の周端
部に延在形成されて、絶縁金属基板(12)上に形成さ
れたバンドとボンディング接続されるパッド(48)が
形成され、他の所定の導電路(44)の一部は孔(42
)の周囲に延在形成されて、第1および第2のゲートア
レイ(24)(30)、マイクロコンピュータ(26)
およびメモリ(28)の電極とボンディング接続される
パッド(50)が形成されている。前記パッド(48)
およびそのワイヤボンディング工程は、多層基板(40
)の裏面の所定位置に半田バンブを形成し、絶縁金属基
板(12)上に形成された対応するパッドとバンブ接続
を行うようにすることにより省略することができる。
第3図を参照して本発明をさらに詳細に説明する。
同図は理解を容易にするため一部側面図で示した第1図
のI−I線断面図であり、本発明の混成集積回路装置は
金属基板(10)、絶縁樹脂層(12)、この絶縁樹脂
層(12)上に形成された導電路(14)および外部リ
ード用バンド(18)、Agペースト層(15)を介し
て導電路(14)上に固着した第1および第2のゲート
アレイ(24)(30)、マイクロコンピュータ(26
)、メモリ(28)からなる主基板と、前記集積回路チ
ップのための孔(42) (側面図で示されている)を
形成した多層基板(40)と、この多層基板(40)を
主基板に絶縁接着する絶縁性接着樹脂層(60)で示さ
れている。
絶縁性接着樹脂層(60)は厚さ0.5mm程度の和紙
に接着性の樹脂を含浸させた接着性樹脂含浸シートを多
層基板(40)と略同形に形成したものであり、多層基
板(40)に重ねて主基板上に配置した後、押圧、加熱
することによってその含浸樹脂が溶融し、さらに熱硬化
して多層基板(40)と主基板との接着が強固に行われ
る。この絶縁性接着樹脂層(60)はこの他、単にエボ
牛シ樹脂を塗布することにより、さらにはソルダーレジ
ストを塗布することによっても形成することができる。
しかし、前記何れの方法により絶縁性接着樹脂層(60
)を形成する場合でも、ワイヤボンディングを容易にす
るため、多層基板(40)の上面の高さを前記集積回路
素子の上面の高さより低く設計するのが好ましい。
多層基板(40)は主基板に形成したガイドボスト(図
示しない)に係合させる等して主基板上の所定の位置に
配置され、さらに前記したようにして接着される。多層
基板(40)の接着後、その孔(42)により露出され
る領域にはスタンプ法によりAgペースト層(15)が
形成され、第1および第2のゲートアレイ(24)(3
0)、マイクロコンピュータ(26)、メモリ(28)
等の集積回路素子が配置される。
そこで、主基板を加熱してAgペースト層(15)を溶
融させ、前記集積回路素子を導電路(14)上に固着す
ると、第1図に図示するように、第1および第2のゲー
トアレイ(24) (30)、マイクロコンピュータ(
26)、メモリ(28)の周辺にはそれら集積回路素子
の電極と接続すべきパッドが2層に配列され、最短距離
で絶縁金属基板(12)上の導電路(14)あるいは多
層基板(40)上の導電路(44)の何れかにワイヤボ
ンディングすることが可能になる。
それら集積回路素子の電極と導電路(14)を接続する
ボンディングワイヤを参照番号(36)、集積回路素子
の電極と多層基板(40)のバッド(50)を接続する
ボンディングワイヤを参照番号(52)、さらに多層基
板(40)のパラF (48)と導電路(14)を接続
するボンディングワイヤを参照番号(54)で示す。
上記のように、多層基板(40)に形成された導電路(
44)を介してアドレスバス、データバス等の接続が行
われる本発明では、多層基板(40)を介する最大でも
2個所のワイヤボンディングによって長スパンの接続が
可能になると共に、マイクロコンピュータとその周辺回
路素子間の接続、並びにマイクロコンピュータおよびそ
の周辺回路素子と所定の導電路との接続において、中継
パッドを不要とすることができる。また、これによりマ
イクロコンピュータおよびその周辺回路素子のレイアウ
トを規格化し、図示するようにシンプルにすることがで
きる。
ここで、本発明の混成集積回路装置を実現する工程例を
以下に簡単に示す。
半田印刷 に)チップ付(チップ抵抗) に)半田溶融
(210°C) −> 洗浄 仲 絶縁性接着樹脂層形
成 に)多層基板接着 に) Agペースト塗布 中 
ダイボンディング(集積回路チップ) φ Agキュア
(155℃) に)ワイヤボンディング Q 樹脂コー
) (125°C) に)外部リード付 に) ケーシ
ング 以上、本発明を一実施例に基づいて説明したが、本発明
の、例えば絶縁性接着樹脂層の素材、レイアウトを規格
化すべきマイクロコンピュータおよびその周辺回路素子
の範囲、種類等は種々の変更が可能であって実施例に限
定されるものでないことは当業者に明らかである。
(ト)発明の効果 以上述べたように本発明によれば、 (1)ワイヤボンディング数が削減されるため工程が簡
素化される。また、混成集積回路装置の信頼性が向上す
る。
(2)多層基板により長スパンの接続が可能になり中継
バンドが削減されるため実装密度が向上する。
(3)マイクロコンピュータおよびその周辺回路素子の
所定の電極が最短距離で接続されるため、配線容量に起
因する障害がない。
(4)マイクロコンピュータおよびその周辺回路素子の
レイアウトを小型かつ規格化することができるため、混
成集積回路装置のパターン設計が容易になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の平面図、第2図は本発明に
特徴的な多層基板の平面図、第3図は第1図の1−1線
断面図、第4図は従来例の平面図。 (12)・・絶縁金属基板、 (18)・外部リード用パッド ・−ボンディングワイア、 素子、(34)・・チップ抵抗、 (42)・孔。 (14044)・・導電路1 、(22)(36)(52)(54) (24)〜(32)−・集積回路 (40)・・多層基板、

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)絶縁金属基板上に所定形状に導電路を形成し、そ
    の導電路の所定位置に少なくともメモリおよびマイクロ
    コンピュータを固着搭載し、前記メモリおよびマイクロ
    コンピュータ等の素子の固着領域を除く所定の領域に、
    共通アドレスバス、データバス等の配線パターンを形成
    した多層基板を絶縁性接着樹脂層を介して絶縁配置した
    ことを特徴とする混成集積回路装置。
  2. (2)絶縁金属基板上に固着されたメモリおよびマイク
    ロコンピュータ等の素子のバスの所要の配線が前記多層
    基板の配線パターンを介して行われることを特徴とする
    請求項1記載の混成集積回路装置。
  3. (3)前記多層基板がガラスエポキシ、紙エポキシ、P
    CBあるいはポリイミド等の樹脂により形成されること
    を特徴とする請求項1記載の混成集積回路装置。
  4. (4)前記絶縁性接着樹脂層にエポキシ樹脂あるいはソ
    ルダーレジストを用いたことを特徴とする請求項1記載
    の混成集積回路装置。
  5. (5)前記メモリおよびマイクロコンピュータにチップ
    素子を用いたことを特徴とする請求項1記載の混成集積
    回路装置。
  6. (6)前記多層基板の周端部であって、前記チップ素子
    に隣接する位置にパッドを形成し、このパッドと前記チ
    ップ素子とをワイヤボンディング接続したことを特徴と
    する請求項5記載の混成集積回路装置。
  7. (7)前記多層基板のボンディング・パッドと絶縁金属
    基板のボンディング・パッドをワイヤボンディングした
    ことを特徴とする請求項1記載の混成集積回路装置。
JP2201219A 1990-07-31 1990-07-31 混成集積回路装置 Expired - Fee Related JP2620649B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2201219A JP2620649B2 (ja) 1990-07-31 1990-07-31 混成集積回路装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2201219A JP2620649B2 (ja) 1990-07-31 1990-07-31 混成集積回路装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0487358A true JPH0487358A (ja) 1992-03-19
JP2620649B2 JP2620649B2 (ja) 1997-06-18

Family

ID=16437318

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2201219A Expired - Fee Related JP2620649B2 (ja) 1990-07-31 1990-07-31 混成集積回路装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2620649B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6674153B2 (en) * 2001-12-14 2004-01-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device utilizing pad to pad wire interconnection for improving detection of failed region on the device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06323006A (ja) * 1993-05-19 1994-11-22 Misawa Homes Co Ltd 蔵型収納付き建物
JPH0941480A (ja) * 1995-08-04 1997-02-10 Sekisui House Ltd 建 物
JP2001324222A (ja) * 2000-05-18 2001-11-22 Paloma Ind Ltd 遮炎装置付給湯器
JP2003064889A (ja) * 2001-08-27 2003-03-05 Misawa Homes Co Ltd 住宅および住宅の改装方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06323006A (ja) * 1993-05-19 1994-11-22 Misawa Homes Co Ltd 蔵型収納付き建物
JPH0941480A (ja) * 1995-08-04 1997-02-10 Sekisui House Ltd 建 物
JP2001324222A (ja) * 2000-05-18 2001-11-22 Paloma Ind Ltd 遮炎装置付給湯器
JP2003064889A (ja) * 2001-08-27 2003-03-05 Misawa Homes Co Ltd 住宅および住宅の改装方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6016014234; 'ガレージのある家' 不動建設工業のブログ , 20120420, 不動建設工業 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6674153B2 (en) * 2001-12-14 2004-01-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device utilizing pad to pad wire interconnection for improving detection of failed region on the device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2620649B2 (ja) 1997-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3633559B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
US6016013A (en) Semiconductor device mounting structure
KR100711675B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP3930222B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US6101098A (en) Structure and method for mounting an electric part
JP2620650B2 (ja) 混成集積回路装置
JPH0487361A (ja) 混成集積回路装置
JP2620649B2 (ja) 混成集積回路装置
JP3450477B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH0487360A (ja) 混成集積回路装置
JP4078723B2 (ja) コンデンサを備えたフレキシブル両面プリント回路板及びコンデンサの形成方法。
JP3627949B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPS58159361A (ja) 多層混成集積回路装置
JPH0517709B2 (ja)
CN112566390B (zh) 多层柔性线路板及其制备方法
JPH0487356A (ja) 混成集積回路の製造方法
JPH0487357A (ja) 混成集積回路の製造方法
JPH0735389Y2 (ja) 半導体装置
JPH0735413Y2 (ja) 混成集積回路におけるチツプ電子部品の取付構造
JPH07106503A (ja) 半導体装置用パッケージおよび半導体装置
JPH0537119A (ja) 混成集積回路装置
JP4514459B2 (ja) 配線基板およびその製造方法
JPS58205780A (ja) 感熱印字ヘツド
KR100604327B1 (ko) 다층형 tbga 반도체 팩키지 및, 그 제조방법
JPH04111460A (ja) 混成集積回路装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees