JPS58172810A - プラスチツク基体上への透明電導膜の形成方法 - Google Patents
プラスチツク基体上への透明電導膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS58172810A JPS58172810A JP5479882A JP5479882A JPS58172810A JP S58172810 A JPS58172810 A JP S58172810A JP 5479882 A JP5479882 A JP 5479882A JP 5479882 A JP5479882 A JP 5479882A JP S58172810 A JPS58172810 A JP S58172810A
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- Japan
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- film
- transparent conductive
- conductive film
- plastic substrate
- forming
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、低抵抗で付着力の高い透明電導換金プラスチ
ック基体４面上に形成する方法に関するものである。
ック基体４面上に形成する方法に関するものである。
プラスチック基体面上に酸化インジウムや酸化錫等の透
明電導膜を形成する場合、一般的にプラスチック基体と
透明電導膜の界面との整合性が悪い上に、プラスチック
基体は一般的に２５０℃以上の高温に耐えられないため
、比較的低温、例えば室温〜２５０℃以下で透明電導膜
を形成する必要がある。し・かじながら、一般的に２５
０℃以下で基体上に成長させた透明電導膜は、例えは４
５０℃〜５００℃の高温で成長させた透明電導膜に比べ
ると、透明電導膜が微粒子であり、かつ充分に結晶化さ
れておらず、膜の比抵抗が太きいという欠点を有する。
明電導膜を形成する場合、一般的にプラスチック基体と
透明電導膜の界面との整合性が悪い上に、プラスチック
基体は一般的に２５０℃以上の高温に耐えられないため
、比較的低温、例えば室温〜２５０℃以下で透明電導膜
を形成する必要がある。し・かじながら、一般的に２５
０℃以下で基体上に成長させた透明電導膜は、例えは４
５０℃〜５００℃の高温で成長させた透明電導膜に比べ
ると、透明電導膜が微粒子であり、かつ充分に結晶化さ
れておらず、膜の比抵抗が太きいという欠点を有する。
従って、プラスチック基体上に透明電導膜を形成すると
、界面の整合性が悪い上に低温形成膜となるため、一般
的に低材着力、高抵抗の腺になり易かった。
、界面の整合性が悪い上に低温形成膜となるため、一般
的に低材着力、高抵抗の腺になり易かった。
本発明は、かかる欠点を改善することを目的として検討
の結果、プラスチック基体と整合性の良い下地化合物膜
をプラスチック基体と透明電導膜の界面に介在させるこ
とにより、低温形成膜ながら上記欠点が改善されること
を見出し、本発明として提案するに到”””Ｑたもので
ある。
の結果、プラスチック基体と整合性の良い下地化合物膜
をプラスチック基体と透明電導膜の界面に介在させるこ
とにより、低温形成膜ながら上記欠点が改善されること
を見出し、本発明として提案するに到”””Ｑたもので
ある。
即ち、本発明の要旨は、プラスチックシート又はプラス
チックフィルムからなるプラスチック基体上に、ケイ素
、アルミニウム、又はチタニウムの酸化物、窒化物又は
オキシナイトライドから選ばれる化合物の少くとも一棟
を含む下地膜を形成した後、該下地膜上に酸化インジウ
ム透明電導膜又は酸化錫透明電導膜からなる透明電導膜
を真空蒸着法、イオンブレーティング法、又はスパッタ
リング法により形成することを特徴とするプラスチック
基体上への透明電導膜の形成方法に関するものである。
チックフィルムからなるプラスチック基体上に、ケイ素
、アルミニウム、又はチタニウムの酸化物、窒化物又は
オキシナイトライドから選ばれる化合物の少くとも一棟
を含む下地膜を形成した後、該下地膜上に酸化インジウ
ム透明電導膜又は酸化錫透明電導膜からなる透明電導膜
を真空蒸着法、イオンブレーティング法、又はスパッタ
リング法により形成することを特徴とするプラスチック
基体上への透明電導膜の形成方法に関するものである。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明において適用されるプラスチック基体としては、
透明ないし半透明性で、かつ透明電導膜形成時の加熱下
においても、化学的、物理的に変化しないシート状、又
はフィルム状のものが挙げられる。例えば、ポリエチレ
ンテレフタレート（ポリエステル）、ポリカーボネート
。
透明ないし半透明性で、かつ透明電導膜形成時の加熱下
においても、化学的、物理的に変化しないシート状、又
はフィルム状のものが挙げられる。例えば、ポリエチレ
ンテレフタレート（ポリエステル）、ポリカーボネート
。
ポリメチルメタクリレート、ポリビスアリル力−ボネー
トなど７５Ｅ挙げられる。中でも、本発明ノ方法ハ、ポ
リエチレンテレフタレートフィルムに対して最適である
。
トなど７５Ｅ挙げられる。中でも、本発明ノ方法ハ、ポ
リエチレンテレフタレートフィルムに対して最適である
。
又、本発明においてプラスチック基体上に形成される電
導膜としては、透明ないし半透明性を有し、任意の電気
抵抗値が得られ、かつ真空蒸着法やスパッタリング法な
どにより容易に膜形成することができ、更に、優れた光
学特性及び優れた物理的・化学的耐久性を持つ錫がドー
ピングされた酸化インジウム電導膜、あるいはアンチモ
ンがドーピングされた酸化錫亀導膜が選ばれる。なお、
電導膜の膜厚は３００〜５０００人程度１抵抗値はｌｋ
Ω／、〜５０Ωろとするの力；好ましい。
導膜としては、透明ないし半透明性を有し、任意の電気
抵抗値が得られ、かつ真空蒸着法やスパッタリング法な
どにより容易に膜形成することができ、更に、優れた光
学特性及び優れた物理的・化学的耐久性を持つ錫がドー
ピングされた酸化インジウム電導膜、あるいはアンチモ
ンがドーピングされた酸化錫亀導膜が選ばれる。なお、
電導膜の膜厚は３００〜５０００人程度１抵抗値はｌｋ
Ω／、〜５０Ωろとするの力；好ましい。
又、本発明において、プラスチック基体と透明電導膜の
界面に介在させる下地膜としては、プラスチック基体と
透明電導膜との整合性の高い化合物、即ち、酸化ケイ素
、酸化アルミニウム、酸化チタニウム等の酸化物、ある
いは窒化ケイ素、シリコンオキシナイトライド等の窒化
物又はオキシナイトライドからなる膜が選ばれる。なお
、かかる化合物からなる下地膜には、膜の耐久性、光学
特性などを改善するために３０チ以下の他の成分を含ま
せることもできる。たとえは、リンやホウ素の化合物が
その例として挙げられる。かかる下地膜は、プラスチッ
ク基体との密着性が高くて剥離したシすることがなく、
プラスチック基体表面を均質に覆い、かつその上に形成
させる透明電導膜が結晶性よく、又配向性よくなる様に
１ｏｏｏＸ〜１ｏｏｏｏ ｉの膜厚とするのが最適であ
る。
界面に介在させる下地膜としては、プラスチック基体と
透明電導膜との整合性の高い化合物、即ち、酸化ケイ素
、酸化アルミニウム、酸化チタニウム等の酸化物、ある
いは窒化ケイ素、シリコンオキシナイトライド等の窒化
物又はオキシナイトライドからなる膜が選ばれる。なお
、かかる化合物からなる下地膜には、膜の耐久性、光学
特性などを改善するために３０チ以下の他の成分を含ま
せることもできる。たとえは、リンやホウ素の化合物が
その例として挙げられる。かかる下地膜は、プラスチッ
ク基体との密着性が高くて剥離したシすることがなく、
プラスチック基体表面を均質に覆い、かつその上に形成
させる透明電導膜が結晶性よく、又配向性よくなる様に
１ｏｏｏＸ〜１ｏｏｏｏ ｉの膜厚とするのが最適であ
る。
かかる下地膜の形成方法としては、真空蒸着法、スパッ
ター法あるいはｃｖＤ法などの各種被膜形成方法が利用
できる。中でも、下地膜の形成方法としては、以下の例
に示すような条件により、下地効果の高い膜を形成する
ことができる。
ター法あるいはｃｖＤ法などの各種被膜形成方法が利用
できる。中でも、下地膜の形成方法としては、以下の例
に示すような条件により、下地効果の高い膜を形成する
ことができる。
（１） Ｓ １０２粉末を原料として、真空蒸着法を
用いて、５ＸＩＯ”−’）−ル以下の真空度で、室温基
板に酸化ケイ素膜を成長させる。
用いて、５ＸＩＯ”−’）−ル以下の真空度で、室温基
板に酸化ケイ素膜を成長させる。
（２）ＳｉＯ，ｉターゲットとして、マグネトロ／スパ
ッタ法を用いて５００〜Ｉ ＫＷ程度の高周波電力を印
加し、室温〜２ｏｏ℃の基板に酸化ケイ素膜を成長させ
る。
ッタ法を用いて５００〜Ｉ ＫＷ程度の高周波電力を印
加し、室温〜２ｏｏ℃の基板に酸化ケイ素膜を成長させ
る。
例えば、プラスチック基体がポリエチレンテレフタレー
ト・フィルムの場合には、上記（１）に示した方法によ
り２５０久〜ｚｏｏｏｏ＠程度の膜厚の酸化ケイ素から
なる下地膜を形成するのが好ましい。
ト・フィルムの場合には、上記（１）に示した方法によ
り２５０久〜ｚｏｏｏｏ＠程度の膜厚の酸化ケイ素から
なる下地膜を形成するのが好ましい。
又、本発明において下地膜上に透明電導膜を形成する方
法も、抵抗又は電子加熱真空蒸着法。
法も、抵抗又は電子加熱真空蒸着法。
イオンブレーティング法等のいわゆる真空蒸層法の他、
ＣＶＤ法やマグネトロ／スパッター法などのスパッター
法など各種被膜形成法が利用できるが、中でも以下の例
に示す条件により下地膜との付着性が高く、かつ低抵抗
で光学的特性も均質な透明電導膜を形成することができ
る。
ＣＶＤ法やマグネトロ／スパッター法などのスパッター
法など各種被膜形成法が利用できるが、中でも以下の例
に示す条件により下地膜との付着性が高く、かつ低抵抗
で光学的特性も均質な透明電導膜を形成することができ
る。
（３） ５ｎ０２を含む工ｎ２０．を原料として、酸
素雰囲気中で２５０℃以下の温度の基板上に、１００Ｗ
程度の高周波電力を印加したＲＦイオンブレーティング
法によシ酸化インジウム膜ヲ成長させる。
素雰囲気中で２５０℃以下の温度の基板上に、１００Ｗ
程度の高周波電力を印加したＲＦイオンブレーティング
法によシ酸化インジウム膜ヲ成長させる。
（４） ５ｎｏ２に含む工ｎ２０ａ ｔ”ターゲット
にして、酸素１０％を含むアルゴンガス中で６００Ｗの
高周波電力を印加したマグネトロンスパッタ法により、
２５０℃以下の温度の基板に酸化インジウム膜を成長さ
せる。
にして、酸素１０％を含むアルゴンガス中で６００Ｗの
高周波電力を印加したマグネトロンスパッタ法により、
２５０℃以下の温度の基板に酸化インジウム膜を成長さ
せる。
例えば、プラスチック基体がポリエチレンテレフタレー
ト・フィルムで、下地膜が酸化ケイ素膜、酸化アルミニ
ウム膜、あるいは酸化チタン膜で、その上に形成される
透明電導膜が酸化イノジウム透明電導膜の場合には、特
に１００Ｗ程度の高周波電力を印加したＲＦイオンブレ
ーティング法により室温基板上に酸化インジウム膜ｆｃ
２５’０＾〜５０００λ程度の膜厚に形成するのが好ま
、しい。
ト・フィルムで、下地膜が酸化ケイ素膜、酸化アルミニ
ウム膜、あるいは酸化チタン膜で、その上に形成される
透明電導膜が酸化イノジウム透明電導膜の場合には、特
に１００Ｗ程度の高周波電力を印加したＲＦイオンブレ
ーティング法により室温基板上に酸化インジウム膜ｆｃ
２５’０＾〜５０００λ程度の膜厚に形成するのが好ま
、しい。
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例
中性洗剤で洗浄し、流水で充分にすすいだ後、エタノー
ルで洗浄し、Ｎ２ガスで乾燥したポリエチレンテレフタ
レート・フィルム（寸法；１０ｍＸ ｌ０Ｃｂ ィルム上に表１記載の方法・条件によシ各種下地膜及び
透明電導膜を形成した。この各種サンプルにつき、電気
抵抗値及び付着カテストヲ行なった結果全回じく第１表
に示した。
ルで洗浄し、Ｎ２ガスで乾燥したポリエチレンテレフタ
レート・フィルム（寸法；１０ｍＸ ｌ０Ｃｂ ィルム上に表１記載の方法・条件によシ各種下地膜及び
透明電導膜を形成した。この各種サンプルにつき、電気
抵抗値及び付着カテストヲ行なった結果全回じく第１表
に示した。
なお、比較例として示したサンプル１４，１６゜１７は
下地膜を形成ぜずに透明電導膜を形成したものであり、
又サンプル１５．１８．１９はポリエチレンテレフタレ
ートフィルムの代りにガラス板（寸法； ｌ Ｏｃｍ
ｘ １０ ｃｍ Ｘ ３Ｍ） ｆ用い、このガラス板上
に下地膜を形成せずに透明電導膜を形成したものである
。
下地膜を形成ぜずに透明電導膜を形成したものであり、
又サンプル１５．１８．１９はポリエチレンテレフタレ
ートフィルムの代りにガラス板（寸法； ｌ Ｏｃｍ
ｘ １０ ｃｍ Ｘ ３Ｍ） ｆ用い、このガラス板上
に下地膜を形成せずに透明電導膜を形成したものである
。
なお、付着力テストは、透明電導膜面にセロハンテープ
を貼り、そのテープをはがした時の透明電導膜のはぐり
状態を肉眼で観察したものである。
を貼り、そのテープをはがした時の透明電導膜のはぐり
状態を肉眼で観察したものである。
サンプル１４．１６．１７ （比較例）は、下地化合物
がない場合の結果であり、ガラス上と同様に基板に直接
導電膜を形成した例である。ガラス上の膜に比較すると
高抵抗である。サンプル１〜４．１１〜１３（本発明の
実施例）は、下地化合物として酸化ケイ素を用いた例で
、３ＯＯ人程度の厚さでも効果が認められる。又、サン
プル５〜１０に示すように、Ａ１やＴｉなどの各種化合
物が下地化合物として有効であることがわかる。
がない場合の結果であり、ガラス上と同様に基板に直接
導電膜を形成した例である。ガラス上の膜に比較すると
高抵抗である。サンプル１〜４．１１〜１３（本発明の
実施例）は、下地化合物として酸化ケイ素を用いた例で
、３ＯＯ人程度の厚さでも効果が認められる。又、サン
プル５〜１０に示すように、Ａ１やＴｉなどの各種化合
物が下地化合物として有効であることがわかる。
なお、本発明の下地層は、−一に限定するものではなく
、例えば酸化珪素膜と基板との付着労金より高めるため
に、これ等の界面にさらに別の有機又は無機層を介在さ
せることを何ら障けない。例えば、サンプル１の下地層
の上にサンプル７の下地層全形成踵その上に電導膜を形
成することにより、異った無機層を重ねることが可能で
ある。又、原料としてサンプル１３に示すように、珪酸
エチル等を含む化合物を常温で加水分解することによっ
て酸化珪素と基板との界面に有機物層を介在させること
が可能となる。
、例えば酸化珪素膜と基板との付着労金より高めるため
に、これ等の界面にさらに別の有機又は無機層を介在さ
せることを何ら障けない。例えば、サンプル１の下地層
の上にサンプル７の下地層全形成踵その上に電導膜を形
成することにより、異った無機層を重ねることが可能で
ある。又、原料としてサンプル１３に示すように、珪酸
エチル等を含む化合物を常温で加水分解することによっ
て酸化珪素と基板との界面に有機物層を介在させること
が可能となる。
以上の様に、本発明によれは、低抵抗、例えば２００Ω
／口以下°で、かつ付着力の高い透明電導膜をプラスチ
ック基体上に常温〜２５０℃の低温域で形成することが
できる。
／口以下°で、かつ付着力の高い透明電導膜をプラスチ
ック基体上に常温〜２５０℃の低温域で形成することが
できる。
Claims (5)
- （１） プラスチックシート又はプラスチックフィル
ムからなるプラスチック基体上に、ケイ素。 アルミニウム、又はチタニウムの酸化物、窒化物又はオ
キシナイトライドから選はれる化合物の少くとも一種を
含む下地膜全形成した後、該下地膜上に酸化インジウム
透明電導膜又は酸化錫透明電導膜からなる透明電導膜を
真空蒸着法、又はスパッタリング法により形成すること
に％徴とするプラスチック基体上への透明電導膜の形成
方法。 - （２）下地膜の膜厚が１００１〜２００００Ｘ（２μｍ
）であること全特徴とする％許詣求の範囲第１項記載の
プラスチック基体上への湾明電導膜の形成方法。 - （３）下地膜を真空蒸着法又はイオンブレーティング法
によシ形成したこと全特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のプラスチック基体上への透明電導膜の形成方法。 - （４）下地膜全スパッタリング法により形成したことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラスチック基
体上への透明電導膜の形成方法。 - （５） プラスチック基体がポリエチレンテレフタレ
ートフィルムからなることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のプラスチック基体上への透明電導膜の形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5479882A JPS58172810A (ja) | 1982-04-03 | 1982-04-03 | プラスチツク基体上への透明電導膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5479882A JPS58172810A (ja) | 1982-04-03 | 1982-04-03 | プラスチツク基体上への透明電導膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58172810A true JPS58172810A (ja) | 1983-10-11 |
Family
ID=12980769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5479882A Pending JPS58172810A (ja) | 1982-04-03 | 1982-04-03 | プラスチツク基体上への透明電導膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58172810A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60127608A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-08 | 株式会社半導体エネルギ−研究所 | 透明導電膜およびその作製方法 |
| JPS60189118A (ja) * | 1984-03-08 | 1985-09-26 | 積水化学工業株式会社 | 導電性透明薄膜の形成方法 |
| JPS6142819A (ja) * | 1984-08-02 | 1986-03-01 | 住友ベークライト株式会社 | 透明導電性フイルム |
| US4927915A (en) * | 1987-10-06 | 1990-05-22 | Mitsubishi Rayon Company, Ltd. | Process for producing antistatic polymeric material |
| JP2000285752A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Hoya Corp | 透明電極及びその形成方法 |
| JP2006166694A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-22 | Kohei Hayamizu | 圧電素子、音力発電装置および振動力発電装置 |
-
1982
- 1982-04-03 JP JP5479882A patent/JPS58172810A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60127608A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-08 | 株式会社半導体エネルギ−研究所 | 透明導電膜およびその作製方法 |
| JPS60189118A (ja) * | 1984-03-08 | 1985-09-26 | 積水化学工業株式会社 | 導電性透明薄膜の形成方法 |
| JPH046243B2 (ja) * | 1984-03-08 | 1992-02-05 | Sekisui Chemical Co Ltd | |
| JPS6142819A (ja) * | 1984-08-02 | 1986-03-01 | 住友ベークライト株式会社 | 透明導電性フイルム |
| US4927915A (en) * | 1987-10-06 | 1990-05-22 | Mitsubishi Rayon Company, Ltd. | Process for producing antistatic polymeric material |
| JP2000285752A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Hoya Corp | 透明電極及びその形成方法 |
| JP2006166694A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-22 | Kohei Hayamizu | 圧電素子、音力発電装置および振動力発電装置 |
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