JPS60231396A - 半導体層を有する積層体 - Google Patents
半導体層を有する積層体Info
- Publication number
- JPS60231396A JPS60231396A JP8813384A JP8813384A JPS60231396A JP S60231396 A JPS60231396 A JP S60231396A JP 8813384 A JP8813384 A JP 8813384A JP 8813384 A JP8813384 A JP 8813384A JP S60231396 A JPS60231396 A JP S60231396A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- laminate
- support
- semiconductor
- transfer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、例えば導電材料の製造に用いる積層体に関す
るものであり、さらに詳しくは剥離可能な状態の半導体
層を有する積層体に関するものである。
るものであり、さらに詳しくは剥離可能な状態の半導体
層を有する積層体に関するものである。
近年、表面を半導体の状態としたプラスチックは、電磁
シールド材、センサー材料等の電子機器分野に多用され
ており、特にこのうち透明性プラスチックを用いたもの
は、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネッセンスディ
スプレイ等の薄型ディスプレイや電子写真の分野に、今
後将来性のある材料として脚光金浴びている。
シールド材、センサー材料等の電子機器分野に多用され
ており、特にこのうち透明性プラスチックを用いたもの
は、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネッセンスディ
スプレイ等の薄型ディスプレイや電子写真の分野に、今
後将来性のある材料として脚光金浴びている。
プラスチック表面全半導体の状態とするための一般的方
法としては、例えば金属酸化物を蒸着もしくはスパッタ
リングにより薄膜を形成させる方法、無機塩、有機金属
を塗布後、熱処理する方法、あるいは金属や金属酸化物
を蒸着もしくはスパッタリングで薄膜を形成した後に酸
化性雰囲気中で酸化処理する方法等が挙げられるＯ しかしながら半導体膜とプラスチックとは通常接着強度
が弱く、該接着強度を改善する方法が種々提案されてい
る。例えば半導体層形成前にプラスチック、基体表面を
放電処理、プラズマ処理化学エツチング、コーテング処
理等の予備処理を施こすことによりプラスチック基体と
半導体との接着強度を向上させる試みがなされているが
、いず扛の予備処理によってもその効果は不充分なもの
であり、この結果半導体膜を被覆したプラスチックの用
途は制限されているというのが実状である。
法としては、例えば金属酸化物を蒸着もしくはスパッタ
リングにより薄膜を形成させる方法、無機塩、有機金属
を塗布後、熱処理する方法、あるいは金属や金属酸化物
を蒸着もしくはスパッタリングで薄膜を形成した後に酸
化性雰囲気中で酸化処理する方法等が挙げられるＯ しかしながら半導体膜とプラスチックとは通常接着強度
が弱く、該接着強度を改善する方法が種々提案されてい
る。例えば半導体層形成前にプラスチック、基体表面を
放電処理、プラズマ処理化学エツチング、コーテング処
理等の予備処理を施こすことによりプラスチック基体と
半導体との接着強度を向上させる試みがなされているが
、いず扛の予備処理によってもその効果は不充分なもの
であり、この結果半導体膜を被覆したプラスチックの用
途は制限されているというのが実状である。
しかも、透明な半導体層を形成させる場合においては、
必ず高温下での酸化処理を必要とするため基体として使
用しうるプラスチック材料は制限され、例えば光学特性
に優れた耐熱性の比較的低いポリメチルメタクリレート
等の透明プラスチックへの応用は不可能に近い状況にあ
る。
必ず高温下での酸化処理を必要とするため基体として使
用しうるプラスチック材料は制限され、例えば光学特性
に優れた耐熱性の比較的低いポリメチルメタクリレート
等の透明プラスチックへの応用は不可能に近い状況にあ
る。
本発明の目的は、一般のプラスチック基体の上に半導体
層を密着性よく転写でき、しかも支持体から容易に剥離
させて転写のできる半導体層１有する積層体を提供する
ことにある。
層を密着性よく転写でき、しかも支持体から容易に剥離
させて転写のできる半導体層１有する積層体を提供する
ことにある。
〔発明の構成〕
本発明は、上記の目的を達成するためになされたもので
、支持体上に半導体層金膜けてなる半導体層を有する積
層体全第一の発明とし、支持体上に半導体層を設け、次
に該半導体層の上に接着剤層を設けてなる半導体層１有
する積層体全第二の発明とするものである。
、支持体上に半導体層金膜けてなる半導体層を有する積
層体全第一の発明とし、支持体上に半導体層を設け、次
に該半導体層の上に接着剤層を設けてなる半導体層１有
する積層体全第二の発明とするものである。
本発明において用いられる半導体としては、例えば酸化
スズ、酸化インジウム、酸化カドミウム、沃化銅等が挙
げられ、目的に応じて任意に蒼することができるが、特
にこれらのものに限定されるものではない。又、半導体
層が透明かものであるときには、例えば金属や金属酸化
物を支持体上に蒸着又はスパッタリングで薄膜金形成し
、この後に酸化性雰囲気中で高温酸化処理することによ
り得ることが可能である。
スズ、酸化インジウム、酸化カドミウム、沃化銅等が挙
げられ、目的に応じて任意に蒼することができるが、特
にこれらのものに限定されるものではない。又、半導体
層が透明かものであるときには、例えば金属や金属酸化
物を支持体上に蒸着又はスパッタリングで薄膜金形成し
、この後に酸化性雰囲気中で高温酸化処理することによ
り得ることが可能である。
本発明における支持体は、その上に形成される半導体層
と該支持体とが剥離し易いものであることが必要である
。又、半導体が透明であるものの場合においては、高温
下での酸化処理全可能とするために支持体は酸化処理時
の熱に耐えられる耐熱性を有するものであることが望ま
しいＯ 本発明に用いる支持体についてさらに説明するとこの支
持体は、半導体の種類に応じて任意の材質を選択するこ
とができ、支持体の形状についてもシート状、板状、又
はフィルム状のいずれも可能でおり、目的に応じて選択
すればよい。これらの支持体の具体例としては無機物、
金属及びフッ素系樹脂、フェノール樹脂、芳香族ポリス
ルフォン、芳香族ポリアミド、芳香族ポリイミド、シリ
コン樹脂等の耐熱性に優れた樹脂あるいはポリエステル
樹脂、セルロース樹脂等の表面にフッ素系樹脂やシリコ
ン系樹脂等の耐熱性と離形性に優れた樹脂をコーティン
グしたものが挙げられる。なお、金属又は無機物を支持
体として用いる場合には、該支持体の上に形成さ扛る透
明導電層と高い親和性を有することから、該支持体に前
述したよりな離形性を付与する処理を行なうことが望ま
しい。
と該支持体とが剥離し易いものであることが必要である
。又、半導体が透明であるものの場合においては、高温
下での酸化処理全可能とするために支持体は酸化処理時
の熱に耐えられる耐熱性を有するものであることが望ま
しいＯ 本発明に用いる支持体についてさらに説明するとこの支
持体は、半導体の種類に応じて任意の材質を選択するこ
とができ、支持体の形状についてもシート状、板状、又
はフィルム状のいずれも可能でおり、目的に応じて選択
すればよい。これらの支持体の具体例としては無機物、
金属及びフッ素系樹脂、フェノール樹脂、芳香族ポリス
ルフォン、芳香族ポリアミド、芳香族ポリイミド、シリ
コン樹脂等の耐熱性に優れた樹脂あるいはポリエステル
樹脂、セルロース樹脂等の表面にフッ素系樹脂やシリコ
ン系樹脂等の耐熱性と離形性に優れた樹脂をコーティン
グしたものが挙げられる。なお、金属又は無機物を支持
体として用いる場合には、該支持体の上に形成さ扛る透
明導電層と高い親和性を有することから、該支持体に前
述したよりな離形性を付与する処理を行なうことが望ま
しい。
本発明によって得られた半導体層を有する積層体は、該
半導体層を一般のプラスチック基体上に転写することが
容易であることから、支持体上に形成さｎた半導体層の
上にさらにプラスチック基体との接着性に優れた接着剤
層を設けておくことができる。これによって表面に耐久
性に優扛た半導体層を有するプラスチック材料を効率的
に製造することができることとなる。
半導体層を一般のプラスチック基体上に転写することが
容易であることから、支持体上に形成さｎた半導体層の
上にさらにプラスチック基体との接着性に優れた接着剤
層を設けておくことができる。これによって表面に耐久
性に優扛た半導体層を有するプラスチック材料を効率的
に製造することができることとなる。
この場合の接着剤層は、半導体層と半導体層を転写する
プラスチック基体との両方に親和性があり両者全強力に
接着しうるものであれば特に限定されるものではない。
プラスチック基体との両方に親和性があり両者全強力に
接着しうるものであれば特に限定されるものではない。
尚、本発明の半導体層を有する積層体が半導体層上に接
着剤層を有していない場合には、該半導体贋金転写する
プラスチック基体上に予め接着剤層を設けておけばよい
。
着剤層を有していない場合には、該半導体贋金転写する
プラスチック基体上に予め接着剤層を設けておけばよい
。
本発明の半導体層を有する積層体は、主として一般のプ
ラスチックを対象とし、この表面に半導体層１有する導
電性に優れた材料を製造するために用いられるが、その
方法としては以下に示す方法等が挙げられる。
ラスチックを対象とし、この表面に半導体層１有する導
電性に優れた材料を製造するために用いられるが、その
方法としては以下に示す方法等が挙げられる。
すなわち本発明の半導体層を有する積層体と、一般のグ
ラスチック基体とを、接着剤層を介して前者の半導体層
が接着剤層と接触するように圧着する。このとき接着剤
層は圧着前に半導体層の上か又はプラスチック基体の上
に設けてあればよい。
ラスチック基体とを、接着剤層を介して前者の半導体層
が接着剤層と接触するように圧着する。このとき接着剤
層は圧着前に半導体層の上か又はプラスチック基体の上
に設けてあればよい。
このようにして得らｎた積層物を接着剤硬化処理によシ
接着剤層を硬化させ、しかる後、支持体を剥離する。こ
扛によって半導体層の特性を損うことなく一般のプラス
チック基体上に半導体層を転写することができ、しかも
半導体層は該プラスチック基体に強固に密着した導電性
プラスチックを得ることができる。
接着剤層を硬化させ、しかる後、支持体を剥離する。こ
扛によって半導体層の特性を損うことなく一般のプラス
チック基体上に半導体層を転写することができ、しかも
半導体層は該プラスチック基体に強固に密着した導電性
プラスチックを得ることができる。
ここで対象となるプラスチック基体としては、例えばポ
リメタクリル系、ポリアクリル系、ポリオレフィン系、
ポリアミド系、ポリエステル系、ホリスチレン系、ポリ
塩化ビニル系アルいはこれらの共重合体などが挙げられ
るが、これらに限冗さｎるものではない。
リメタクリル系、ポリアクリル系、ポリオレフィン系、
ポリアミド系、ポリエステル系、ホリスチレン系、ポリ
塩化ビニル系アルいはこれらの共重合体などが挙げられ
るが、これらに限冗さｎるものではない。
次に本発明全実施例により説明する・
〈実施例１〉
支持体として「テフロン」（デュポン社製フッソ系ポリ
マーシート）フィルムを用い、このテフロンフィルム上
に通常の蒸着手段でインジウム／スズ（重量比９５：５
）の蒸着膜を形成し、その後３００℃のオーブン中で２
時間熱処理し、半導体層を有する積層体を得た。
マーシート）フィルムを用い、このテフロンフィルム上
に通常の蒸着手段でインジウム／スズ（重量比９５：５
）の蒸着膜を形成し、その後３００℃のオーブン中で２
時間熱処理し、半導体層を有する積層体を得た。
得られた半導体層は透明なものであり、その表面抵抗は
１０３Ω／口であった。
１０３Ω／口であった。
上記積層体の特性を評価するために、アクリル系接着剤
を塗布したポリメチルメタクリレート板上に該積層体を
半導体層がポリメチルメタクリレート板上の接着剤層に
接触するようにして圧着し、支持体の剥離性及び転写後
の半導体層の導電性を調べた。その結果、「テフロン」
フィルムは容易に剥離することができ、かつ転写状態も
優れていた。又、転写後の導電性は転写前に比べて全く
変化は認めら牡なかった。
を塗布したポリメチルメタクリレート板上に該積層体を
半導体層がポリメチルメタクリレート板上の接着剤層に
接触するようにして圧着し、支持体の剥離性及び転写後
の半導体層の導電性を調べた。その結果、「テフロン」
フィルムは容易に剥離することができ、かつ転写状態も
優れていた。又、転写後の導電性は転写前に比べて全く
変化は認めら牡なかった。
さらに転写後の半導体層は摩擦試験（綿布を摩擦子とし
、加速１００ ｆ ７ｃｍ”で１００回摩擦）を実施し
ても表面抵抗値に変化は認められなかった。
、加速１００ ｆ ７ｃｍ”で１００回摩擦）を実施し
ても表面抵抗値に変化は認められなかった。
〈実施例２〉
実施例１と同様にして「テフロン」フィルムの表面に透
明導電層を形成し、さらにこの上にアクリル系樹脂を塗
布し半導体層を有する積層体を得た。これを実施例１と
同様に表面を酸化処理したポリエチレンシートに圧着さ
せ実施例１と同様の評価を行なったところ、テフロンフ
ィルムは容易に剥離することができ、かつ転写状態も優
れていた。又、転写後の導電性は転写前に比べて全く変
化は認められず、表面抵抗値は１０３０／口であった。
明導電層を形成し、さらにこの上にアクリル系樹脂を塗
布し半導体層を有する積層体を得た。これを実施例１と
同様に表面を酸化処理したポリエチレンシートに圧着さ
せ実施例１と同様の評価を行なったところ、テフロンフ
ィルムは容易に剥離することができ、かつ転写状態も優
れていた。又、転写後の導電性は転写前に比べて全く変
化は認められず、表面抵抗値は１０３０／口であった。
又、転写後のポリエチレンシートは光透過率が７０％以
上（６３ｏ閣単色元の透過率）であった。
上（６３ｏ閣単色元の透過率）であった。
さらに転写後の半導体層は摩擦試験（綿布を摩擦子とし
、加速１００ ｆ ７ｃｍ”で１００回摩擦）を実施し
ても表面抵抗値に変化は認められなかった。
、加速１００ ｆ ７ｃｍ”で１００回摩擦）を実施し
ても表面抵抗値に変化は認められなかった。
以上詳述したように本発明の半導体層を有する積層体は
一般のプラスチック基体上に半導体層を密着性よく転写
でき、しかも支持体から容易に剥離することができるも
のであり、その効果は顕著なものである。
一般のプラスチック基体上に半導体層を密着性よく転写
でき、しかも支持体から容易に剥離することができるも
のであり、その効果は顕著なものである。
第１図及び第２図は本発明の半導体層を有する積層体の
断面図を示す。 １・・・・・半導体層 ２・・・・・支持体 ３・・・・・接着剤層
断面図を示す。 １・・・・・半導体層 ２・・・・・支持体 ３・・・・・接着剤層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 支持体上に剥離可能な状態で半導体層が設けら扛
てなる半導体層を有する積層体。 ２ 半導体層が実質的に透明であること全特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の半導体層を有する積層体。 五 支持体上に剥離可能な状態で半導体層が設けられ、
次に該半導体層の上に接着剤層を設けてなる半導体層を
有する積層体。 ４、 半導体層が実質的に透明であることを特徴とする
特￥ｆ請求の範囲第３項記載の半導体層を有する積層体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8813384A JPS60231396A (ja) | 1984-05-01 | 1984-05-01 | 半導体層を有する積層体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8813384A JPS60231396A (ja) | 1984-05-01 | 1984-05-01 | 半導体層を有する積層体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60231396A true JPS60231396A (ja) | 1985-11-16 |
Family
ID=13934424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8813384A Pending JPS60231396A (ja) | 1984-05-01 | 1984-05-01 | 半導体層を有する積層体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60231396A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1046945A2 (en) * | 1999-04-19 | 2000-10-25 | Kyodo Printing Co., Ltd. | Method for transferring transparent conductive film |
| WO2005041217A1 (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-06 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | 透明導電積層体とその製造方法及び透明導電積層体を用いたデバイス |
| US7154045B2 (en) | 2001-11-13 | 2006-12-26 | Nitto Denko Corporation | Wired circuit board |
| EP2567811A1 (en) | 2000-05-19 | 2013-03-13 | TDK Corporation | Functional film having functional layer and article provided with the functional layer |
-
1984
- 1984-05-01 JP JP8813384A patent/JPS60231396A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1046945A2 (en) * | 1999-04-19 | 2000-10-25 | Kyodo Printing Co., Ltd. | Method for transferring transparent conductive film |
| EP1046945A3 (en) * | 1999-04-19 | 2001-10-10 | Kyodo Printing Co., Ltd. | Method for transferring transparent conductive film |
| US6413693B1 (en) | 1999-04-19 | 2002-07-02 | Kyodo Printing Co., Ltd. | Method for transferring transparent conductive film |
| EP2567811A1 (en) | 2000-05-19 | 2013-03-13 | TDK Corporation | Functional film having functional layer and article provided with the functional layer |
| US7154045B2 (en) | 2001-11-13 | 2006-12-26 | Nitto Denko Corporation | Wired circuit board |
| WO2005041217A1 (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-06 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | 透明導電積層体とその製造方法及び透明導電積層体を用いたデバイス |
| JPWO2005041217A1 (ja) * | 2003-10-28 | 2007-04-26 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明導電積層体とその製造方法及び透明導電積層体を用いたデバイス |
| US7638807B2 (en) | 2003-10-28 | 2009-12-29 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent conductive multi-layer structure, process for its manufacture and device making use of transparent conductive multi-layer structure |
| JP4600284B2 (ja) * | 2003-10-28 | 2010-12-15 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明導電積層体とその製造方法及び透明導電積層体を用いたデバイス |
| US7901538B2 (en) | 2003-10-28 | 2011-03-08 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent conductive multi-layer structure, process for its manufacture and device making use of transparent conductive multi-layer structure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI301798B (en) | Functional film having functional layer and article provided with the functinal layer | |
| EP0159942A3 (en) | Fluoropolymer composites and novel method for making them | |
| TW200847866A (en) | Electric device, connecting method and adhesive film | |
| TW200418641A (en) | A functional film with functional layers for transfer uses, an object with imparted functional layer and its production method | |
| JP2975766B2 (ja) | 可撓性のある薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JPH04299873A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPS60140685A (ja) | フイルム状電極コネクタ及びその製造方法 | |
| JPS60231396A (ja) | 半導体層を有する積層体 | |
| JPH1124081A (ja) | 光学要素および積層体転写シート | |
| WO2020037543A1 (zh) | 光学胶及其制备方法、显示面板 | |
| JPS58176538A (ja) | 感湿抵抗素子 | |
| JPS60233895A (ja) | 導電層被覆体及びその製造法 | |
| JP3503735B2 (ja) | 異方導電性接着フィルム巻重体 | |
| JP2004106512A (ja) | 機能性層を有する転写用機能性フィルム、その機能性層が付与された物体及びその製造方法 | |
| JPH0384892A (ja) | 発光素子 | |
| US3804689A (en) | Process for removing copper films from substrates | |
| JP2915812B2 (ja) | 微粒子膜の転写付着方法 | |
| JPH0387089A (ja) | 回路パターン形成用フィルムおよび回路板の製造法 | |
| JPS59204542A (ja) | 透明導電性膜の形成方法 | |
| JPS58172810A (ja) | プラスチツク基体上への透明電導膜の形成方法 | |
| CN115312264B (zh) | 一种uv型单层双面纳米银透明导电膜 | |
| JPS59151705A (ja) | 透明導電性膜を有する基体及びその製造方法 | |
| JP2582801Y2 (ja) | シリコーン粘着テープが収納された容器 | |
| JPS6115387A (ja) | 導電性図柄を有する曲面状基板の製造方法 | |
| JP2695944B2 (ja) | Ｅｌ素子およびその製造方法 |