JPS5815330A - 論理集積回路 - Google Patents

論理集積回路

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JPS5815330A
JPS5815330A JP56114245A JP11424581A JPS5815330A JP S5815330 A JPS5815330 A JP S5815330A JP 56114245 A JP56114245 A JP 56114245A JP 11424581 A JP11424581 A JP 11424581A JP S5815330 A JPS5815330 A JP S5815330A
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JP
Japan
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input signal
transistors
series connection
response speed
circuit
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JP56114245A
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English (en)
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JPH0129096B2 (ja
Inventor
Hiroshi Mobara
茂原 宏
Masataka Hirasawa
平沢 正孝
Norishige Tanaka
田中 教成
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS5815330A publication Critical patent/JPS5815330A/ja
Publication of JPH0129096B2 publication Critical patent/JPH0129096B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/094Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
    • H03K19/0944Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET
    • H03K19/0948Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET using CMOS or complementary insulated gate field-effect transistors

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、 MOB型電界効果トランジスタから構成
されるMO8型集積回路に関する。
第1図は従来の0MO8(Compl@m@ntary
 m@talOxld@ S@m1eonductor
 )ナンド回路である。第1図においてTrl及びTr
鵞はMO8!IINチャンネルトランジスタ、Tr)及
びTr4はMO8型Pチャンネルトランジスタである。
セして上記トランジスタTr1およびTr4のr−)に
入力信号人が供給され、トランジスタTr3には入力信
号Bが供給されている。なお、vDDは正電源とする。
容量C1はこのナンド回路の負荷容量であり、トランジ
スタTrl 、 Tr3 、 Tr4のドレイン容量、
配線容量、ダート容量等からなる。一方、容量Cs I
d )ランジスタTrlのソース容量およびトランジス
タTrsのPレイン容量からなる。このナンド回路の応
答時において充電あるいは放電しなければならない負荷
容量は次の第1表に示される。但し、表ではvDDレベ
ルを@1″、壁地レベルを@θ′mとしている・ 第  1  表 第1表において、回路応答の最も速い場合は負荷容量が
C1の時であシ、最も遅い場合は負荷容量がcl +c
、の時である。このため、立上がり、立下がりの時のそ
れぞれにおいて、入力信号A、Bの変化の状態により、
遷移スピードが異なる。また入力信号A、Bの変化に対
する回路応答を出力信号の立上がり、立下がりそれぞれ
において、一様にせねばならない場合、第1図に示した
、従来のナンドの回路では不可能である。その理由はト
ランジスタTrlおよびTr!の様にMOg型トランジ
スタ1組が直列接続されていることにある。より詳しく
は各トランジスタTrl 、 Tr2への入力信号の状
態により、立上がり又は立下がり直前での容量C1* 
Cmの状態が異なるからである。
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、
入力信号の変化に対して出力信号の立上が9および立下
がりにおける応答速度の差を短縮させることができるM
O8型集積回路を提供することを目的とする。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第2図はこの発明の一実施例のナンド回路の回路図であ
る。この第2図に示すナンド回路は、第1図に示した従
来のナンド回路に対して、この発明を適用したものでお
る。す表わち、電源vDDと節点TP間に、Pチャンネ
ル型トランジスタTr3およびTr4が並列に接続され
ている。そしてトランジスタTrsのダートには入力信
号Bが供給され、トランジスタTr4のダートには入力
信号Aが供給されるようになっている。上記節点TPお
よびアース間には、直列接続されたNチャンネル型トラ
ンジスタ〒ハおよびTr@から表る直列接続回路と、直
列接続され九Nチャンネル型トランジスタTryおよび
Tr−からなる直列接続回路が並列に接続されている。
さらに上記トランジスタTrgおよびTr$には入力信
号Aが供給され、トランジスタTr6およびTryには
入力信号Bが供給されるようになっている。そして、上
記節点TPO電位を出力信号V。Ulとして出力するよ
うにしている。
この実施例ではトランジスタTrsとTr$のゲートの
相互コンダ久夕/スは第1図のトランジスタTrlの相
互コンダクタンスの棒としている。
さらに、トランジスタTr・とTryの相互コンダクタ
ンスは第1図のトランジスタTryの相互コンダクタン
スの棒としている。この時、第2図のナンド回路の負荷
容iLC,とトランジスタTrマのソース容量およびト
ランジスタTrBのドレイン容量を合わせた容量、ある
いはトランジスタ’fryのソース容量とトランジスタ
Tr6のドレイン容量を合わせた容量である中間容量C
4はそれぞれ第1図に示した回路と対比してC3=(、
、04m Ct/2と考えることができる。
第  2  表 すなわち、第2表に示すように、このナンド回路の応答
時において、充電あるいは放電しなければならない負荷
容量は、一定でその値は(4+c、/2である。したが
って、本願のナンド回路の応答速度は第1図に示した従
来のナンド回路の最高応答速度(負荷容量C10時)よ
りも遅いが、最低応答速度(負荷容量c1 +c、の時
)よりも速くなる。従りて、回答全体でみれば回路応答
が速く表るといえる。また、負荷容量が常にCI +c
l / 2となるので出力信号の立上がり。
立下がシそれぞれにおいて入力信号A、mIO変化の順
序にかかわらず、回答応答が一様となる。
応答速度比はこの場合、負荷容量比と考えてよい。そと
でC3=αC!とすると α 2(1+α) より。(1+a)×100(@の速度が速くなった割合
である。
一般に、0〈α≦1と設計するから、 となり上記αと応答速度改良率の関係は第4図に示すよ
うになる− したがって、上記実施例では次のような効果を奏する・ 1)立上がり、立下がシ応答それぞれにおいて、入力信
号の変化の順序によらない一様な応答を得ることができ
る。
2)回路の応答速度を従来の回路の最高応答速度よりは
遅いが最低応答速度よりは速くするととが可能である。
従って、回路全体としての応答速度を上げることができ
る。
なお、上記実施例では、相互コンダクタンスの値にまで
制限したが、トランジスタTrgとTrg、)ランジス
タTr6とTryの相互コンダクタンスが等しくなるよ
うにさえすれば、回路応答時の負荷容量は次の第3表に
示すようになる。
この場合に少なくとも出力信号の立上がりおよび立下が
りそれぞれにおいて、入力信号A、Hの変化の順序にか
かわらず応答が一様になるという効果が得られる。
第  3  表 さらに、トランジスタTrBとTrg、)?ンジスタT
r@とTryの相互コンダクタンスを等しくしなかつた
場合で、#I1図に示したトランジスタTrlとTr意
がトランジスタTrBとTrgと同一なものとした場合
には、第1図に示す従来の回路に比べて入力信号の変化
に対して出力信号の立上がりおよび立下がりにおける応
答力監一様に近くなるという効果が得られる。
以上述べたこの発明によれば、入力信号の変化に対して
出力信号の立上がりおよび立下Itりにおける応答速度
の差を短縮させること力鷺できるMO8型集積回路を提
供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のMO8型電界効果トランジスタからなる
ナンド回路の回路図、第2図はこの発明の一実施例のナ
ンド回路の回路図、第3図は上記実施例の効果を示すた
めのグラフ図である。 T r3 t T ”a ”・Pチャンネル型トランジ
スタ、Trg eTr@ 、Try 、Trg −” 
NチャネルトランジスタO 出願人代理人  弁理士 鈴 江 武 彦第1図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  M08型電界効果トランジスタから構成され
    る集積回路において、各グー)K異なる種類の入力信号
    が供給されるトランジスタが直列に接続された第1の直
    列接続回路と、上記入力信号と種類が共通でかつ同一種
    類の入力信号がr−トに供給されるトランジスタの直列
    における接続順序を上記第1の直列接続回路とは異なら
    せるようにした第2の直列接続回路とを具備し上記第1
    の直列接続回路と第2の直列接続とを並列に接続したこ
    とを特徴とする集積回路。
  2. (2)上記第1および第2の直列接続回路において同一
    種類の入力信号が供給されるトランジスタの相互=ンダ
    クタンスを等しくするようにした特許請求の範囲第1項
    記載の集積回路・
JP56114245A 1981-07-21 1981-07-21 論理集積回路 Granted JPS5815330A (ja)

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JPS5815330A true JPS5815330A (ja) 1983-01-28
JPH0129096B2 JPH0129096B2 (ja) 1989-06-07

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