JPS61225924A - インバ−タ回路 - Google Patents

インバ−タ回路

Info

Publication number
JPS61225924A
JPS61225924A JP60066754A JP6675485A JPS61225924A JP S61225924 A JPS61225924 A JP S61225924A JP 60066754 A JP60066754 A JP 60066754A JP 6675485 A JP6675485 A JP 6675485A JP S61225924 A JPS61225924 A JP S61225924A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
whose
base
transistor
power supply
terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60066754A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhiro Sugimoto
泰博 杉本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP60066754A priority Critical patent/JPS61225924A/ja
Publication of JPS61225924A publication Critical patent/JPS61225924A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は大きい負荷を遅延なく駆動できるようにしたイ
ンバータ回路に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来の0MOSインバータを第5図に示す。
図中M、はNチャネル型MOSトランジスタ。
M!はPf考ネル型MOSトランジスタ、INハ入力端
子、ou’rは出力端子、vl)I)、Vssは電源で
ある。ところで従来のCMOSインバータは、素子のP
m(相互コンダクタンス)がバイポーラ素子のそれに比
して約2桁低いため。
出力に大きな容量性負荷または重い負荷がつくと、速度
が極端に遅くなったり、抵抗性負荷等の場合には出力振
幅が低下し、雑音余裕度がなくなったりするものである
但し第5図のインバータを軽負荷′で動作させた場合に
はその動作速度は充分速く、高速性を保ったまま重い負
荷を駆動することができれば。
従来L8I内部で重負荷のために速度が遅くなつていた
部分を高速にでき、結果としてL8I全体の速度が向上
することになる。
〔発明の目的〕
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので。
重い負荷の場合でも高速に駆動でき、しかも電力消費の
少ないインバータ回路を提供しようとするものである。
〔発明の概要〕
本発明は、第1極性の第1.第2のバイポーラトランジ
スタを電源間に直列接続してその接続点を出力とし、第
1のバイポーラトランジスタのベースは従来のCMOS
インバータで駆動し、第2のバイポーラトランジスタは
第1チャネル型のMOBトランジスタとのダーリントン
接続により駆動すると共に、第2のバイポーラトランジ
スタのベース蓄積電荷を引き抜くための第1チャネル型
のMOBトランジスタを加えた構成としたものである。
〔発駅の実施例〕
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第1
121に示される如く電源VDD 、出力端子OUT間
にそれぞれコレクタ、エミッタが接続されるNPN型ト
ランジスタQ、を設け。
出力端子OUT、電源Vss間にそれぞれコレクタ、エ
ミッタが接続されるNPN型のトランジスタQ、を設け
、NPN トランジスタQ1のベースにドレインを、入
力端子INにゲートを。
IE源VDD * Vssにそれぞれソースを接続した
一対の相補MOS型トランジスタM、、M。
を設け、出力端子OUTにドレインを、入力端子INに
ゲートを、NPNトランジスタQ、のベースにソースを
接続したNチャネル型MOSトランジスタM、を設け、
トランジスタQ、のベースドレインを、トランジスタQ
1のベースにゲートを、電源Vssにソースを接続した
Nチャネル型MOSトランジスタM、を設けたものであ
る。
第1図の回路動作は、(イ)入力IN=@0”レベルの
場合(正論理を用いる)、トランジスタQ、のベースは
高レベル(=″′ν”)トナリ。
トランジスタQ、はオンする。一方トランジスタM、は
オフ、トランジスタM、はオンでトランジスタQ、はオ
フである。結果として出力OUTは高レベル(=″1”
)となる。
(olまた入力IN=″′1”レベルの場合、トランジ
スタQ、のベースは低レベル(=”o”)でトランジス
タQ1はオフである。トランジスタM3はオフ、トラン
ジスタM4はオンでトランジスタQ、はオンする。結果
とし、て出力OUTは低レベル(=” O”)となる。
上記(イ)、((2)の動作により、第1図の回路はイ
ンバータとして働くことが分かる。なお出力端子の電位
vOυTは・ VD D−VBEQ7 ≧Your ≧VBRQ、2ト
ナルコトハ、VD8M2″、O9■D8M4″、0テあ
る(定常状態では電流が流れない)ことにより分かる。
上記VBgq1はトランジスタQ1のベース、エミッタ
間電圧、VBBQ、2  はトランジスタQ、のベース
、エミッタ間電圧、VoaM2はトランジスタM!のド
レイン、ソース間電圧。
VD8M4はトランジスタM4のドレイン、ソース間電
圧である。また上記(イ)、−1のどちらにおいても、
電源VDD  、vss間を接続する線路が存在し得な
いので1回路の定常状態における電力消費は殆んど無視
できるものである。
第2図は本発明の変形例を示す2人力ナンド回路例、第
3図は本発明の他の変形例を示す2人力ノア回路例であ
る。第2図においてMOSトランジスタMI  IM!
  =M4〜M、rはナンド回路を構成し、第3図にお
いてMOBトランジスタM1  t M!  = M4
〜M、はノア回路を構成する。
154図に、第2図の2人力ナンド回路と従来のCM0
82人力ナンド回路を15段リングオシレータ構成とし
て、その遅延時間対負荷容量特性を8PICE回路シエ
ミレーシ冒ン・プログラムによりシニミレーションした
結果な示す。
但しNチャネル、PチャネルMOSトランジスタともそ
のゲート幅を30μmとしである。また2人力の双方と
も、共通に接続して前段の負荷とした。第4図において
Aは純粋0M08回路を甲いた場合の特性、Bは第2図
のBi−CMOS回路を甲いた場合の特性である。
第4図によれば、負荷がQ、 l P F以下の軽負荷
の場合にはCMOS単体のゲートの方が早く動作でるが
、負荷容量が増大してくると、第2図の回路の方がバイ
ポーラ素子Qt=Qtの駆動能力が大きいから、高速1
:動作することが分かる。これにより、IC内部の負荷
容量の大きいところ(ファンアウト大、或いはアルミニ
ウム配線長が長い)やICC出力バッファ役目を負わせ
るような場合に0本発明のインバータ回路を用いれば効
果的であることが分かるものである。
〔発明の効果〕
以上説明した如く本発明によれば1重い負荷の場合でも
高速(:動作でき、しかも電力消費の少ないインバータ
回路が提供できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図。 第3図は本発明の変形例の回路図、第4図は本発明の回
路例と従来の回路例の特性比較図、第5r1!Jは従来
のCMOSインバータ回路図である。 Q、、Q、・・・バイポーラトランジスタ、M1〜M4
・・・MOSトランジスタ、IN・・・入力端子。 OUT・・・出力端子、VDD 、vss・・・電源。 出願人代理人 弁理士  鈴  江  武  彦第3図 手続補正書 60,5.24 昭和 年 月 日

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 第1の電源端子、出力端子間にそれぞれコレクタ、エミ
    ッタが接続される第1極性の第1のバイポーラトランジ
    スタと、前記出力端子、第2の電源端子間にそれぞれコ
    レクタ、エミッタが接続される第1極性の第2のバイポ
    ーラトランジスタと、前記第1のバイポーラトランジス
    タのベースにドレインを、入力端子にゲートを、第1、
    第2の電源端子にそれぞれソースを接続した一対の相補
    MOS型トランジスタと、前記出力端子にドレインを、
    前記入力端子にゲートを、前記第2のバイポーラトラン
    ジスタのベースにソースを接続した第1チャネル型のM
    OSトランジスタと、前記第2のバイポーラトランジス
    タのベースにドレインを、前記第1のバイポーラトラン
    ジスタのベースにゲートを、第2の電源端子にソースを
    接続した第1チャネル型のMOSトランジスタとを具備
    したことを特徴とするインバータ回路。
JP60066754A 1985-03-30 1985-03-30 インバ−タ回路 Pending JPS61225924A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60066754A JPS61225924A (ja) 1985-03-30 1985-03-30 インバ−タ回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60066754A JPS61225924A (ja) 1985-03-30 1985-03-30 インバ−タ回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61225924A true JPS61225924A (ja) 1986-10-07

Family

ID=13324986

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60066754A Pending JPS61225924A (ja) 1985-03-30 1985-03-30 インバ−タ回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61225924A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6394666A (ja) * 1986-10-09 1988-04-25 Hitachi Ltd 半導体素子のレイアウト方式
JPS63202126A (ja) * 1987-02-17 1988-08-22 Toshiba Corp 論理回路
JPH02119428A (ja) * 1988-10-28 1990-05-07 Nec Corp BiCMOS論理集積回路
US5754061A (en) * 1993-03-17 1998-05-19 Fujitsu Limited Bi-CMOS circuits with enhanced power supply noise suppression and enhanced speed

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6154712A (ja) * 1984-08-27 1986-03-19 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPS61198817A (ja) * 1984-12-10 1986-09-03 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6154712A (ja) * 1984-08-27 1986-03-19 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPS61198817A (ja) * 1984-12-10 1986-09-03 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6394666A (ja) * 1986-10-09 1988-04-25 Hitachi Ltd 半導体素子のレイアウト方式
JPS63202126A (ja) * 1987-02-17 1988-08-22 Toshiba Corp 論理回路
JPH02119428A (ja) * 1988-10-28 1990-05-07 Nec Corp BiCMOS論理集積回路
US5754061A (en) * 1993-03-17 1998-05-19 Fujitsu Limited Bi-CMOS circuits with enhanced power supply noise suppression and enhanced speed

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60177723A (ja) 出力回路
JPS62154917A (ja) デジタル回路
JPH035692B2 (ja)
JP2760195B2 (ja) 論理回路
JPH0220017B2 (ja)
US6445215B1 (en) Logic circuit with single charge pulling out transistor and semiconductor integrated circuit using the same
JPS61225924A (ja) インバ−タ回路
JPS6362411A (ja) 半導体回路
JPH0261821B2 (ja)
JP2820980B2 (ja) 論理回路
JPH0685497B2 (ja) 半導体集積回路
JPS60206222A (ja) 排他的論理和回路
JP2538986B2 (ja) 論理回路
JPH02180426A (ja) レベルシフト回路
JPS61270916A (ja) 3ステ−ト・ドライバ回路
JP2830244B2 (ja) トライステートバッファ回路
JPH02162827A (ja) 半導体回路
JPS594890B2 (ja) デイジタル回路
JP2541289B2 (ja) 出力回路
JPS6318181Y2 (ja)
JP3092257B2 (ja) BiCMOS回路
JP2783464B2 (ja) 半導体集積回路
JPS5910090B2 (ja) 出力ドライバ−回路
KR0113958Y1 (ko) 인터널 3-상태 버스 구동 회로
JPS62231521A (ja) 半導体集積回路