JPS58148486A - セラミツク厚膜印刷回路基板の異種基板多数個取り方法 - Google Patents

セラミツク厚膜印刷回路基板の異種基板多数個取り方法

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Publication number
JPS58148486A
JPS58148486A JP3277882A JP3277882A JPS58148486A JP S58148486 A JPS58148486 A JP S58148486A JP 3277882 A JP3277882 A JP 3277882A JP 3277882 A JP3277882 A JP 3277882A JP S58148486 A JPS58148486 A JP S58148486A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thick film
printed circuit
film printed
different types
boards
Prior art date
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Pending
Application number
JP3277882A
Other languages
English (en)
Inventor
土井 康継
武内 省二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP3277882A priority Critical patent/JPS58148486A/ja
Publication of JPS58148486A publication Critical patent/JPS58148486A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、セラミック厚膜印刷基板の異種基板多数個
取り方法に係る。
ハイブリッドICは、セラミック厚膜印刷基板の上へ、
導体パターン、抵抗パターン、絶縁ガラスパターンなど
を、繰返し印刷して、回路を構成し、さらに、半導体I
Cチップ、コンデンサチップ、ミニモールドトランジス
タなどのチップ部品をハンダづけし、リードを電極にハ
ンダづけして製作する。
導体パターンは、基板の上へ、配線、電極などを形成す
るが、これは交叉する事があるので、間に絶縁ガラス層
を介して、上下に、交叉する。導体パターンを印刷する
このように、導体パターンは、上下方向に多重印刷する
必要がある。絶縁ガラスも、場合によって、何層にも繰
返し印刷する事もある。
抵抗パターンは、抵抗用ペーストを適当な長さ。
幅で印刷して、所望の抵抗値が生ずるようにする。
しかし、抵抗値は非常に範囲が広いので、比抵抗の異な
る抵抗ペーストを用意し、何段階にも分けて、繰返し印
刷し、所望の抵抗パターンを形成する。
このように、導体ペースト、ガラスペースト、抵抗ペー
ストを用いて、何回も繰返し印刷する必要がある。
厚膜印刷をする場合、所望のパターンに対応した位置、
寸法の穴を切り抜いたスクリーンをセラミック厚膜印刷
基板へ当てて、上からペーストを塗りこんで、穴どおり
のペーストパターンを基板上に形成する。これを乾燥し
、さら番こ、適当な温一度で焼成する。
これで1サイクル完了する。つまり、1回の、zaター
ンの「印刷」には、印刷、乾燥、焼成の工程が必要にな
る。これを含めて、広義の「印刷」と定義する。
従って、ひとつの厚膜印刷回路基板を作る番こ1ま、導
体ペースト、絶縁ガラスペースト、各種抵抗ペーストを
何層にも印刷しなければならなし)。
こうして、回路構成ができ上ると、半導体ICチップ、
コンデンサチップ、ミニモールドトランジスタチップな
どを、対応する電極へノ1ンダづ番すする。
このように、印刷に時間がかかるから、従来i!、同種
のハイブリッドICを並べて、多数個数るようにしてい
た。
第2図は従来例に係るノ1イブリッドIC製造のための
セラミック厚膜印刷回路基板の略平面図である。
これは、同一の71イブリツドIOAの回路を、縦、横
に8個取る例を示す。
厚膜印刷基板は、通常2〜3インチ角のものとして製作
されるから、所望のハイブリッドICAノ寸法ニより、
1枚のセラミック厚膜印刷基板1から、できるだけ多数
のハイブリッドICが取れるように工夫する。
こうすると、抵抗、導体、ガラスを印刷する際に用いる
スクリーンは、縦横に同じパターンで繰返すような穴を
穿って製作することになる。
以上の技術は周知である。一度に、多数のノ1イブリッ
ドIC用の回路基板ができる、という長所がある。
しかし、ハイブリッドICの利点は、小量多品種のIC
の製造に適している、というところにある。従って、さ
まざまの新規な回路のハイブリッドICを試作しなけれ
ばならない場合も多い。
ハイブリッドICを開発試作する場合、従来のように、
同種類の回路基板を多数印刷するものでは、必ずしも有
効とはいえない。
もしも、試作すべきハイブリッドICが0種ある場合、
n組のスクリーン(各種抵抗、導体、ガラスパターン)
を製作しなければならない。さらに、印刷回路基板も少
なくともn枚必要となる。
当然、印刷工数もn組となる。
このように、試作コストを押上げるので、開発費用が嵩
む。こういう難点があった。
本発明は、このような難点を解決する事を目的とする。
本発明の方法は、1枚のセラミック厚膜印刷基板に、異
種のハイブリッドICのための厚膜回路を同時に厚膜印
刷した後、個々の厚膜印刷回路基板に分割することとし
たものである。
第1図は本発明方法を実施する場合のセラミック厚膜印
刷回路基板の略配置例図である。
セラミック厚膜印刷回路基板1には、同種のハイブリッ
ドICが印刷されるのではなく、A 、B。
C、、、、、、、、Gの7種類の異なるハイブリッドI
Cの回路パターンが印刷される。
A、B、  ・・、Gのパターンは、寸法も、回路構成
も異なる。
もちろん、導体、抵抗、ガラスパターンの印刷は、1枚
の基板の上へまとめて行うから、印刷の際、必要となる
スクリーンは、A、・・・・・・、Gの回路構成を、所
定の位置に対応させて設けたものとなる。つまり、もは
や、スクリーンは、同一パターンの縦横方向の繰返しに
はならない。
印刷回数の多い抵抗パターンは、なるべく、異種ハイブ
リッドICA、B、・・・・・・Gに於て、オーダーを
統一し、印刷回数を減すようにすると良い。
異種のハイブリッドIC用の基板を作る際でも、従来と
全く同じように、導体、抵抗、ガラスを繰返し印刷する
。印刷工数は、従来の1枚のセラミック厚膜基板への印
刷と全く同じである。
こうして、回路構成ができた後に、各々の個々の厚膜印
刷基板A、B、・・・・・・、Gに分割する。分割に便
利なように予め、各々の境界に■溝を刻んでおいても良
い。
個々の基板に分割した後、これに必要な半導体ICチッ
プ、コンデンサチップ、ミニモールドトランジスタチッ
プなどチップ部品をハンダ接合する。そして、適当な電
極部にリードを取付ける。
このようにしてもよいし、回路構成を印刷した後、すぐ
に分割(スクライブ)せず、異種のハイブリッドIC回
路が並んだ状態のまま、チップ部品をハンダ接合しても
よい。ハンダ接合のために、ハンダペーストをスクリー
ン印刷し、印刷された電極、ハンダの上へ、チップ部品
を置いて、炉へ入れ加熱しハンダ接合するようにする。
次に、半導体ICチップの電極と、厚膜印刷された導体
電極とをワイヤボンディングする。さらに、ICチップ
は適当なシーラーリッド等を被せて保護する。
このように、チップ部品の実装を完了してから、個々の
基板A、B、・・・・・・、Gごとにスクライブ(分割
)する事もできる。
本発明は、1枚のセラミック厚膜印刷回路基板の上に、
異なる種類のハイブリッドICのための回路を厚膜印刷
することとしているから、多品種少量のハイブリッドt
C開発試作を行う際、極めて好都合である。
n種類のハイブリッドIC回路を印刷することとすれば
、従来の育成に比して、スクリーン製造費用は約1/n
になる。また、印刷工数も約1/nになる。
自動車用電子機器その他の電子機器のためのハイブリッ
ドICの開発試作等に最適である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明方法を実施する場合のセラミック厚膜印
刷回路基板の略配置例図。 第2図は従来例に係るハイブリッドIC製造のためのセ
ラミック厚膜印刷回路基板の回路の略配置例図。 1・・・・・・セラミック厚膜印刷回路基板A、・・・
・・、G ・・・・・・異種ハイブリッドICのための
回路パターン 発明者  土井康継 武  内  省  ニ 第1図 JII2図 手続補正書(自発) 昭和57年11月30 日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 1、事件の表示 特願昭57−327783、補正をす
る者 事件との関係  特許出願人 居 所大阪市東区北浜5丁目15番地 名 称(213)住友電気工業株式会社代表者社長 川
 上 哲 部 4、代 理 人 537 住 所 大阪市東成区中道3丁目15番16号明細書の
「発明の詳細な説明」の欄 (1)明細書第1頁第14行目 「セラミック厚膜印刷基板」とあるのを、「セフミック
基板」と訂正する。 (2)明細書第4頁第4行目 「セフミック厚膜印刷基板」とあるのを、「セラミック
基板」と訂正する。 (8)  明細書第4頁第5行目 「ハイブリッドICJとあるのを、 「セラミック厚膜印刷基板」と訂正する。 (4)明細書第5頁第8行目 「印刷回路基板も少なくともn枚必要となる。」とある
のを、 「セラミック基板も最大n種必要となる。」と訂正する
。 (5)  明細書第6頁第8行目〜9行目「オーダーを
統一し、」とあるのを、 「抵抗ベーヌトの比抵抗を統一し、」と訂正する。 (6)  明−納置第6頁第12行目〜18行目「セラ
ミック厚膜基板」とあるのを、 「セラミック基板」と訂正する。 (7)明細書第7頁第16行目 「セラミック厚膜印刷回路基板」とおるのを、 Uセラミック基板」と訂正する。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1枚のセラミック厚膜印刷基板に、異種のハイブリッド
    ICのための厚膜回路を同時に厚膜印刷した後、個々の
    厚膜印刷回路基板ごとに分割することを特徴とするセラ
    ミック厚膜印刷回路基板の異種基板多数個取り方法。
JP3277882A 1982-03-01 1982-03-01 セラミツク厚膜印刷回路基板の異種基板多数個取り方法 Pending JPS58148486A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3277882A JPS58148486A (ja) 1982-03-01 1982-03-01 セラミツク厚膜印刷回路基板の異種基板多数個取り方法

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JP3277882A JPS58148486A (ja) 1982-03-01 1982-03-01 セラミツク厚膜印刷回路基板の異種基板多数個取り方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58148486A true JPS58148486A (ja) 1983-09-03

Family

ID=12368297

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3277882A Pending JPS58148486A (ja) 1982-03-01 1982-03-01 セラミツク厚膜印刷回路基板の異種基板多数個取り方法

Country Status (1)

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JP (1) JPS58148486A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5035052A (en) * 1989-03-08 1991-07-30 Nippondenso Co., Ltd. Method of assembling a heat exchanger including a method of determining values of parameters in a heat exchanger, and determining whether the efficiency of the heat exchanger is acceptable

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5035052A (en) * 1989-03-08 1991-07-30 Nippondenso Co., Ltd. Method of assembling a heat exchanger including a method of determining values of parameters in a heat exchanger, and determining whether the efficiency of the heat exchanger is acceptable

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