JPS58141382A - イオンプレ−テイング装置 - Google Patents
イオンプレ−テイング装置Info
- Publication number
- JPS58141382A JPS58141382A JP2258482A JP2258482A JPS58141382A JP S58141382 A JPS58141382 A JP S58141382A JP 2258482 A JP2258482 A JP 2258482A JP 2258482 A JP2258482 A JP 2258482A JP S58141382 A JPS58141382 A JP S58141382A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shutter
- electrode
- vapor
- electrodes
- shutters
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は中間に高周波電極を備える高周波励起型或は活
性化反応蒸着蓋等のイオンブレーティング装置に関する
。
性化反応蒸着蓋等のイオンブレーティング装置に関する
。
従来この種装置として、真空処層麿内に下側の蒸発源と
、上側のサブストレートとを備えると共にその中間に高
周波電源に連るコイルその他の高周波電極と、開閉自在
のシャッタとを備える式のものは知られるが、この場合
該シャッタは該電極の下側に存してその下側の該蒸発源
との間を開閉する式を一般とするもので、か−るもので
は該シャッタの閉じ位置では該電極部分は該蒸発源の蒸
気を作用されず、かくて該電極はこれに予めインピーダ
ンスマツチングを与え!られない不都合費伴う。
、上側のサブストレートとを備えると共にその中間に高
周波電源に連るコイルその他の高周波電極と、開閉自在
のシャッタとを備える式のものは知られるが、この場合
該シャッタは該電極の下側に存してその下側の該蒸発源
との間を開閉する式を一般とするもので、か−るもので
は該シャッタの閉じ位置では該電極部分は該蒸発源の蒸
気を作用されず、かくて該電極はこれに予めインピーダ
ンスマツチングを与え!られない不都合費伴う。
本発明はか−る不都合のない装置を得ることをその目的
としたもので、真空処iitm内に、下側の蒸発源と、
上側のサブストレートとを備えると共にその中間に高周
波電極と、開閉自在のシャッタとを備える式のものにお
いて、該シャッタを該電極の上側の第1シヤツタと、該
電極の下側の孔明書式のlI2シャッタとで構成さ曽る
ことを特徴とする。
としたもので、真空処iitm内に、下側の蒸発源と、
上側のサブストレートとを備えると共にその中間に高周
波電極と、開閉自在のシャッタとを備える式のものにお
いて、該シャッタを該電極の上側の第1シヤツタと、該
電極の下側の孔明書式のlI2シャッタとで構成さ曽る
ことを特徴とする。
本発明実施01例を別紙図面に付説明する。
図面で(1)は真空処環寵を示し、験11 (1)内の
下側に蒸発源(2)と1その上側にサブストレート(3
)とを備えると共にその中間に高周波電源に遮る高周波
電極(4)と開閉自在のシャッタ(5)とを備える。
下側に蒸発源(2)と1その上側にサブストレート(3
)とを備えると共にその中間に高周波電源に遮る高周波
電極(4)と開閉自在のシャッタ(5)とを備える。
該蒸発源(2)はるつぼ(2a)内の蒸発材料を電子銃
(2b)の電子ビームで照射する蓋式から成り、図示の
ものではこれを左右1対に備えるようにし、更に該ナー
スシレート(3)はその上側のプラネタリ式のすブス)
レージホルダ(6)上に傭数個に配設されるようにし、
更に鋏電極(4)はコイル状をなして左右1対に並設さ
れるようにし、更にこれに対応して該シャッタ(5)も
左右1対に並設されるようにした。
(2b)の電子ビームで照射する蓋式から成り、図示の
ものではこれを左右1対に備えるようにし、更に該ナー
スシレート(3)はその上側のプラネタリ式のすブス)
レージホルダ(6)上に傭数個に配設されるようにし、
更に鋏電極(4)はコイル状をなして左右1対に並設さ
れるようにし、更にこれに対応して該シャッタ(5)も
左右1対に並設されるようにした。
以上は従来のものと特に異らないが、本発明によれば1
該シヤツタ(5)を該電極(4の上側の第1シヤツタ(
S&)と、該電極(4)の下側のlI2シャッタ(51
)とで構成させ、蒙第2シャッタ(5b)は透孔(50
)な備えてその下側の蒸発源(2)に得られる蒸気をこ
れを介して多少ともその上側に導き得るようにした。
該シヤツタ(5)を該電極(4の上側の第1シヤツタ(
S&)と、該電極(4)の下側のlI2シャッタ(51
)とで構成させ、蒙第2シャッタ(5b)は透孔(50
)な備えてその下側の蒸発源(2)に得られる蒸気をこ
れを介して多少ともその上側に導き得るようにした。
その作動を説明するに1当初は該シャッタ(5)即ち上
下の第1第2シヤツタ(5m)(5b)が共に閉′1.
1.1 しるものとし1この状態で蒸発源(2)に蒸気を生じさ
せるときは、該蒸気の一部は下側の該第2シヤツタ(5
b)に予め形成される透孔(50)を介してこの上側の
電極(4)傭に導かれ、かくて該電極(4)は該蒸気を
作用された状態となってこれにインピーダンス整合を与
え得られるから、次でその状態から両シャッタ(5a)
(Sb)な開けばその會\正規の作動を得られる。即ち
次で両シャッタ(5m)(S b)を開いたとき該電極
(4)はそのま−作動な継続し1その上側のサブストレ
ー) (33にはイオンブレーティング処理が与えられ
る。
下の第1第2シヤツタ(5m)(5b)が共に閉′1.
1.1 しるものとし1この状態で蒸発源(2)に蒸気を生じさ
せるときは、該蒸気の一部は下側の該第2シヤツタ(5
b)に予め形成される透孔(50)を介してこの上側の
電極(4)傭に導かれ、かくて該電極(4)は該蒸気を
作用された状態となってこれにインピーダンス整合を与
え得られるから、次でその状態から両シャッタ(5a)
(Sb)な開けばその會\正規の作動を得られる。即ち
次で両シャッタ(5m)(S b)を開いたとき該電極
(4)はそのま−作動な継続し1その上側のサブストレ
ー) (33にはイオンブレーティング処理が与えられ
る。
尚真空処j11m(1)を直径500閤の円胴状とし、
その内部下側に蒸発源(2)を左右1対に配置し1各蒸
発源(2)が直径50閣のるつぼ(2a)を有する型式
の場合、該jll!シャッタ(5b)はその上側の約s
O−の高さ位置に直径100■程度に用意され、これに
直径20〜50■の中心の透孔(50)が形成されると
共に、該第1シヤツタ(5番)はその上側に直!!1s
O11ml程度に用意されるようにした。
その内部下側に蒸発源(2)を左右1対に配置し1各蒸
発源(2)が直径50閣のるつぼ(2a)を有する型式
の場合、該jll!シャッタ(5b)はその上側の約s
O−の高さ位置に直径100■程度に用意され、これに
直径20〜50■の中心の透孔(50)が形成されると
共に、該第1シヤツタ(5番)はその上側に直!!1s
O11ml程度に用意されるようにした。
このように本発明によるときはシャッタを上側の第1シ
ヤツタと下側の第2シヤツタとで構成させると共に該第
2シヤツタを孔明き脂とするもので、該シャッタの閉じ
状態において蒸発源の蒸気は該第2シヤツタを介して多
少とも高周波電極に導かれ、これに予めインピーダンス
!ツチングを与えることが出来、従来のものの前記した
不都合がなく、次で該シャッタを開くのみで足り作動を
円滑車高能率とする効果を有する。
ヤツタと下側の第2シヤツタとで構成させると共に該第
2シヤツタを孔明き脂とするもので、該シャッタの閉じ
状態において蒸発源の蒸気は該第2シヤツタを介して多
少とも高周波電極に導かれ、これに予めインピーダンス
!ツチングを与えることが出来、従来のものの前記した
不都合がなく、次で該シャッタを開くのみで足り作動を
円滑車高能率とする効果を有する。
第1図は本発明装置の1例の截断正面図、第2図はその
截断平Wjli¥lである。 (1)・・・真空処理室 (2)・・・蒸発源 (3)
・・・ずプストレ−)(4)・・・高周波電極 (5J
・・・シャッタ (51)・・・第1シヤツタ (5b
)・・・第2シャッタ外2名 第2図
截断平Wjli¥lである。 (1)・・・真空処理室 (2)・・・蒸発源 (3)
・・・ずプストレ−)(4)・・・高周波電極 (5J
・・・シャッタ (51)・・・第1シヤツタ (5b
)・・・第2シャッタ外2名 第2図
Claims (1)
- 真空処m富内に、下側の蒸発源と、上側のすブス)レー
トとを備えると共にその中間に高周波電極と1開閉自在
のシャッタとな備える式のものにおいて、該シャッタを
該電極の上側の第1シヤツタと、該電極の下側の孔明き
式の第2シヤツタとで構成させることを特徴とするイオ
ンブレーティング装置
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2258482A JPS58141382A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | イオンプレ−テイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2258482A JPS58141382A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | イオンプレ−テイング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58141382A true JPS58141382A (ja) | 1983-08-22 |
JPS613393B2 JPS613393B2 (ja) | 1986-01-31 |
Family
ID=12086898
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2258482A Granted JPS58141382A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | イオンプレ−テイング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58141382A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5858425A (en) * | 1996-10-11 | 1999-01-12 | Sun Project Co., Ltd. | Process for producing a composite garlic-egg yolk food |
-
1982
- 1982-02-17 JP JP2258482A patent/JPS58141382A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5858425A (en) * | 1996-10-11 | 1999-01-12 | Sun Project Co., Ltd. | Process for producing a composite garlic-egg yolk food |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS613393B2 (ja) | 1986-01-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE973156C (de) | Verfahren zur Herstellung lichtelektrisch leitender Schichten fuer Photowiderstaende | |
JPH05294800A (ja) | 微小粒子の作製方法及びその装置 | |
JPS58141382A (ja) | イオンプレ−テイング装置 | |
JPH0160546B2 (ja) | ||
KR900019219A (ko) | 빔 디포지션법 및 이를 실시하기 위한 장치 | |
JPS56123368A (en) | Crucible for evaporation source | |
Reynolds et al. | Zeeman studies of photoluminescence of excited terminal states of a bound-exciton-donor complex in GaAs | |
JPS61174371A (ja) | 薄膜作成装置 | |
JPH03100174A (ja) | イオンビームによる表面改質装置 | |
Brenner | Trapping of Antimony by TiC in Ion-Implanted Iron | |
JPH0459606A (ja) | 超伝導薄膜作成装置 | |
JPS61163270A (ja) | イオン蒸着薄膜形成装置 | |
JPS5580742A (en) | Production of illuminator | |
JPS5514820A (en) | Thin film forming method by ion plating method | |
JPS5767165A (en) | Method and device for production of ultrafine particle film | |
JPH0213483Y2 (ja) | ||
JPH06948B2 (ja) | 金属蒸発方法 | |
Stetsenko et al. | Structure and Reflecting Properties of Silver Coatings Produced by a Direct Electron Beam Evaporation and Ion Sputtering | |
JPH0241165Y2 (ja) | ||
JPS6475666A (en) | Method for attaching vapor deposition material in vacuum evaporator | |
JPS61170567A (ja) | 加工物の表層改質方法および装置 | |
Oikawa et al. | SOME KINDS OF INFORMATION FROM ELECTRON ENERGY LOSS SPECTROSCOPY | |
Uschida et al. | Kinetics of Hydrogen Absorption of Tantalum Between 500 and 700 deg K | |
JPS63259073A (ja) | 電子ビ−ム蒸発源装置 | |
JPS60162770A (ja) | 金属溶融装置 |