JPS58141382A - イオンプレ−テイング装置 - Google Patents

イオンプレ−テイング装置

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Publication number
JPS58141382A
JPS58141382A JP2258482A JP2258482A JPS58141382A JP S58141382 A JPS58141382 A JP S58141382A JP 2258482 A JP2258482 A JP 2258482A JP 2258482 A JP2258482 A JP 2258482A JP S58141382 A JPS58141382 A JP S58141382A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
shutter
electrode
vapor
electrodes
shutters
Prior art date
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Granted
Application number
JP2258482A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS613393B2 (ja
Inventor
Isao Saito
斉藤 勇夫
Toru Ii
伊井 亨
Takao Kawai
川井 孝雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Nihon Shinku Gijutsu KK
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Publication date
Application filed by Ulvac Inc, Nihon Shinku Gijutsu KK filed Critical Ulvac Inc
Priority to JP2258482A priority Critical patent/JPS58141382A/ja
Publication of JPS58141382A publication Critical patent/JPS58141382A/ja
Publication of JPS613393B2 publication Critical patent/JPS613393B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/32Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は中間に高周波電極を備える高周波励起型或は活
性化反応蒸着蓋等のイオンブレーティング装置に関する
従来この種装置として、真空処層麿内に下側の蒸発源と
、上側のサブストレートとを備えると共にその中間に高
周波電源に連るコイルその他の高周波電極と、開閉自在
のシャッタとを備える式のものは知られるが、この場合
該シャッタは該電極の下側に存してその下側の該蒸発源
との間を開閉する式を一般とするもので、か−るもので
は該シャッタの閉じ位置では該電極部分は該蒸発源の蒸
気を作用されず、かくて該電極はこれに予めインピーダ
ンスマツチングを与え!られない不都合費伴う。
本発明はか−る不都合のない装置を得ることをその目的
としたもので、真空処iitm内に、下側の蒸発源と、
上側のサブストレートとを備えると共にその中間に高周
波電極と、開閉自在のシャッタとを備える式のものにお
いて、該シャッタを該電極の上側の第1シヤツタと、該
電極の下側の孔明書式のlI2シャッタとで構成さ曽る
ことを特徴とする。
本発明実施01例を別紙図面に付説明する。
図面で(1)は真空処環寵を示し、験11 (1)内の
下側に蒸発源(2)と1その上側にサブストレート(3
)とを備えると共にその中間に高周波電源に遮る高周波
電極(4)と開閉自在のシャッタ(5)とを備える。
該蒸発源(2)はるつぼ(2a)内の蒸発材料を電子銃
(2b)の電子ビームで照射する蓋式から成り、図示の
ものではこれを左右1対に備えるようにし、更に該ナー
スシレート(3)はその上側のプラネタリ式のすブス)
レージホルダ(6)上に傭数個に配設されるようにし、
更に鋏電極(4)はコイル状をなして左右1対に並設さ
れるようにし、更にこれに対応して該シャッタ(5)も
左右1対に並設されるようにした。
以上は従来のものと特に異らないが、本発明によれば1
該シヤツタ(5)を該電極(4の上側の第1シヤツタ(
S&)と、該電極(4)の下側のlI2シャッタ(51
)とで構成させ、蒙第2シャッタ(5b)は透孔(50
)な備えてその下側の蒸発源(2)に得られる蒸気をこ
れを介して多少ともその上側に導き得るようにした。
その作動を説明するに1当初は該シャッタ(5)即ち上
下の第1第2シヤツタ(5m)(5b)が共に閉′1.
1.1 しるものとし1この状態で蒸発源(2)に蒸気を生じさ
せるときは、該蒸気の一部は下側の該第2シヤツタ(5
b)に予め形成される透孔(50)を介してこの上側の
電極(4)傭に導かれ、かくて該電極(4)は該蒸気を
作用された状態となってこれにインピーダンス整合を与
え得られるから、次でその状態から両シャッタ(5a)
(Sb)な開けばその會\正規の作動を得られる。即ち
次で両シャッタ(5m)(S b)を開いたとき該電極
(4)はそのま−作動な継続し1その上側のサブストレ
ー) (33にはイオンブレーティング処理が与えられ
る。
尚真空処j11m(1)を直径500閤の円胴状とし、
その内部下側に蒸発源(2)を左右1対に配置し1各蒸
発源(2)が直径50閣のるつぼ(2a)を有する型式
の場合、該jll!シャッタ(5b)はその上側の約s
O−の高さ位置に直径100■程度に用意され、これに
直径20〜50■の中心の透孔(50)が形成されると
共に、該第1シヤツタ(5番)はその上側に直!!1s
O11ml程度に用意されるようにした。
このように本発明によるときはシャッタを上側の第1シ
ヤツタと下側の第2シヤツタとで構成させると共に該第
2シヤツタを孔明き脂とするもので、該シャッタの閉じ
状態において蒸発源の蒸気は該第2シヤツタを介して多
少とも高周波電極に導かれ、これに予めインピーダンス
!ツチングを与えることが出来、従来のものの前記した
不都合がなく、次で該シャッタを開くのみで足り作動を
円滑車高能率とする効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明装置の1例の截断正面図、第2図はその
截断平Wjli¥lである。 (1)・・・真空処理室 (2)・・・蒸発源 (3)
・・・ずプストレ−)(4)・・・高周波電極 (5J
・・・シャッタ (51)・・・第1シヤツタ (5b
)・・・第2シャッタ外2名 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 真空処m富内に、下側の蒸発源と、上側のすブス)レー
    トとを備えると共にその中間に高周波電極と1開閉自在
    のシャッタとな備える式のものにおいて、該シャッタを
    該電極の上側の第1シヤツタと、該電極の下側の孔明き
    式の第2シヤツタとで構成させることを特徴とするイオ
    ンブレーティング装置
JP2258482A 1982-02-17 1982-02-17 イオンプレ−テイング装置 Granted JPS58141382A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2258482A JPS58141382A (ja) 1982-02-17 1982-02-17 イオンプレ−テイング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2258482A JPS58141382A (ja) 1982-02-17 1982-02-17 イオンプレ−テイング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58141382A true JPS58141382A (ja) 1983-08-22
JPS613393B2 JPS613393B2 (ja) 1986-01-31

Family

ID=12086898

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2258482A Granted JPS58141382A (ja) 1982-02-17 1982-02-17 イオンプレ−テイング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58141382A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5858425A (en) * 1996-10-11 1999-01-12 Sun Project Co., Ltd. Process for producing a composite garlic-egg yolk food

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5858425A (en) * 1996-10-11 1999-01-12 Sun Project Co., Ltd. Process for producing a composite garlic-egg yolk food

Also Published As

Publication number Publication date
JPS613393B2 (ja) 1986-01-31

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