JPH03100174A - イオンビームによる表面改質装置 - Google Patents
イオンビームによる表面改質装置Info
- Publication number
- JPH03100174A JPH03100174A JP23734889A JP23734889A JPH03100174A JP H03100174 A JPH03100174 A JP H03100174A JP 23734889 A JP23734889 A JP 23734889A JP 23734889 A JP23734889 A JP 23734889A JP H03100174 A JPH03100174 A JP H03100174A
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- JP
- Japan
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- ion beam
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- work
- ion
- irradiated
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- 238000002407 reforming Methods 0.000 title abstract 3
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオンビームを利用した表面改質装置に係り、
特に構造が簡単で装置構成の容易なダイナミックミキシ
ング装置に関する。
特に構造が簡単で装置構成の容易なダイナミックミキシ
ング装置に関する。
従来の装置は、第２回イオン注入表層処理シンポジウム
予稿表６９〜７０ページの「セミロードロック式大容量
表面改質装置」に記載のように被処理物下方に電子ビー
ム蒸発器を設け、被処理物面に対向する位置にイオン源
を配置した構成になっていた。
予稿表６９〜７０ページの「セミロードロック式大容量
表面改質装置」に記載のように被処理物下方に電子ビー
ム蒸発器を設け、被処理物面に対向する位置にイオン源
を配置した構成になっていた。
上記従来技術は、蒸発器が被処理物の下方に位置しなけ
ればならない、という構造上の制約があり、また、蒸発
器には電源、及び制御装置が必要であり、高価な上、制
御性、信鯨性にも問題があった。さらに、−ａ的に、被
処理物はイオンビームの照射範囲より小さいため、被処
理物を外れたイオンビームは、処理室等を加熱するとい
う問題があった。
ればならない、という構造上の制約があり、また、蒸発
器には電源、及び制御装置が必要であり、高価な上、制
御性、信鯨性にも問題があった。さらに、−ａ的に、被
処理物はイオンビームの照射範囲より小さいため、被処
理物を外れたイオンビームは、処理室等を加熱するとい
う問題があった。
本発明の目的は、特別な蒸発装置を設けることなく、イ
オンビームを有効に利用したイオンビームミキシング装
置を提供することにある。
オンビームを有効に利用したイオンビームミキシング装
置を提供することにある。
上記目的は、イオン源とこれに対向するスパッタターゲ
ットの中間位置にイオンビーム照射範囲よりも小さい断
面積の被処理物を配置し、イオンビームによるターゲッ
トのスパッタとイオンビームにより、イオンビームミキ
シングを行う構成とすることにより達成される。
ットの中間位置にイオンビーム照射範囲よりも小さい断
面積の被処理物を配置し、イオンビームによるターゲッ
トのスパッタとイオンビームにより、イオンビームミキ
シングを行う構成とすることにより達成される。
イオン源とスパッタターゲットの間に、イオンビームの
照射範囲より小さい断面積の被処理物を配置しているの
で、被処理物は、イオン源からのイオン注入とともに、
被処理物部分を通りぬけたイオンビームによってターゲ
ットからスパッタされた粒子が付着し、被処理物を回転
運動させることによって、スパッタ粒子とイオンビーム
から成る、イオンビームミキシング成膜を行うことがで
きる。
照射範囲より小さい断面積の被処理物を配置しているの
で、被処理物は、イオン源からのイオン注入とともに、
被処理物部分を通りぬけたイオンビームによってターゲ
ットからスパッタされた粒子が付着し、被処理物を回転
運動させることによって、スパッタ粒子とイオンビーム
から成る、イオンビームミキシング成膜を行うことがで
きる。
以下、本発明の一実施例を第１図及び第２図により説明
する。
する。
第１図は第２図の上面図である０両図で、被処理物５は
、回転ホルダ６に取付けられ、自転運動する。イオン源
ｌ及びスパッタターゲット３は、被処理物５をはさむ位
置に配置されている。イオン源１から引出されたイオン
ビーム２は、一部は被処理物５に注入され、他の一部は
スパッタターゲット３に打込まれ、ターゲットをスパッ
タする。
、回転ホルダ６に取付けられ、自転運動する。イオン源
ｌ及びスパッタターゲット３は、被処理物５をはさむ位
置に配置されている。イオン源１から引出されたイオン
ビーム２は、一部は被処理物５に注入され、他の一部は
スパッタターゲット３に打込まれ、ターゲットをスパッ
タする。
スパッタされた粒子４は、被処理物５に付着する。
被処理物５は自転運動しているので、被処理物５表面に
は、スパッタ粒子４及びイオンビーム２によりイオンビ
ームミキシングが行われ新物質が成膜される。
は、スパッタ粒子４及びイオンビーム２によりイオンビ
ームミキシングが行われ新物質が成膜される。
他の実施例を第３図及び第４図に示す。第３図は第４図
の上面図であり、小形の被処理物５を同時に多数処理す
る場合の例を示している。動作は第１図、第２図に示し
た場合と同様である。
の上面図であり、小形の被処理物５を同時に多数処理す
る場合の例を示している。動作は第１図、第２図に示し
た場合と同様である。
本発明によれば、特別な蒸発源を必要とすることなく、
イオンビームミキシング処理をすることが可能である。
イオンビームミキシング処理をすることが可能である。
本発明によれば、特別な蒸発装置なしにイオンビームミ
キシング処理ができるので、 １）蒸発装置が不要となり、それに伴なう、電源、制御
装置、冷却機構も不要になるため、経済性、信頼性が増
す。
キシング処理ができるので、 １）蒸発装置が不要となり、それに伴なう、電源、制御
装置、冷却機構も不要になるため、経済性、信頼性が増
す。
２）蒸発装置は、被処理物の下方に配置する必要があっ
たが、その制限がなくなるため、設計の自由度が増す。
たが、その制限がなくなるため、設計の自由度が増す。
また、従来、被処理物がイオンビームの範囲より小さい
場合、被処理物を照射しなかったイオンビームは、装置
の他の部分を照射して加温するため、冷却対策が必要で
あったのが不要になり、装置が簡潔になる効果もある。
場合、被処理物を照射しなかったイオンビームは、装置
の他の部分を照射して加温するため、冷却対策が必要で
あったのが不要になり、装置が簡潔になる効果もある。
第１図、第２図は、本発明の一実施例で、第１図は第２
図の上面図である。第３図、第４図は他の実施例で、第
３図は第４図の上面図である。 １・・・イオン源、２・・・イオンビーム、３・・・ス
パッタターゲット、４・・・スパッタ粒子、５・・・被
処理物、６・・・回転ホルダ。
図の上面図である。第３図、第４図は他の実施例で、第
３図は第４図の上面図である。 １・・・イオン源、２・・・イオンビーム、３・・・ス
パッタターゲット、４・・・スパッタ粒子、５・・・被
処理物、６・・・回転ホルダ。
Claims (3)
- １． イオン源を備えた真空処理容器内において、前記
イオン源で加速されたイオンビームによって照射される
位置に、成膜の素材となるターゲットを設けるとともに
、前記ターゲットと前記イオン源との中間の前記イオン
ビームによって照射される位置に、前記イオンビームの
照射範囲よりも小さい断面積を有する被処理物を配置し
たことを特徴とするイオンビームによる表面改質装置。 - ２． 前記ターゲットは、前記イオンビームの照射方向
に対して、その対向面が角度変更自在に設置されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイオンビ
ームによる表面改質装置。 - ３． 前記被処理物は、前記イオンビームに照射されつ
つ回転運動するように設置されていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のイオンビームによる表面改
質装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23734889A JPH03100174A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | イオンビームによる表面改質装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23734889A JPH03100174A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | イオンビームによる表面改質装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03100174A true JPH03100174A (ja) | 1991-04-25 |
Family
ID=17014060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23734889A Pending JPH03100174A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | イオンビームによる表面改質装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03100174A (ja) |
-
1989
- 1989-09-14 JP JP23734889A patent/JPH03100174A/ja active Pending
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