JPH0361361A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH0361361A JPH0361361A JP19400789A JP19400789A JPH0361361A JP H0361361 A JPH0361361 A JP H0361361A JP 19400789 A JP19400789 A JP 19400789A JP 19400789 A JP19400789 A JP 19400789A JP H0361361 A JPH0361361 A JP H0361361A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、薄膜形成装置、例えばクラスタイオンビー
ム蒸着装置などの′R膜形成装置に間するものである。
ム蒸着装置などの′R膜形成装置に間するものである。
[従来の技術]
第2図は例えば特公昭54−9592号公報に示された
ものと同様の従来のクラスタイオンビーム蒸着装置を示
す構成国である。
ものと同様の従来のクラスタイオンビーム蒸着装置を示
す構成国である。
図において、符号(1)は真空槽、(2)は真空槽(,
1)内に設けられ蒸着物質を収容する坩堝であり、この
坩堝(2〉の上部にはノズル孔(2a)が設けられてい
る。〈3〉社坩堝(2)の外周に設けられている加熱用
フィラメントであり、この加熱用フィラメンI−(3)
は所定の電位を得て電子を放出し、この電子の衝突によ
り坩堝(2)を加熱する。また、この加熱により、蒸着
物質は蒸発してクラスタビーム(4〉となりノズル孔(
2a)から噴出される。
1)内に設けられ蒸着物質を収容する坩堝であり、この
坩堝(2〉の上部にはノズル孔(2a)が設けられてい
る。〈3〉社坩堝(2)の外周に設けられている加熱用
フィラメントであり、この加熱用フィラメンI−(3)
は所定の電位を得て電子を放出し、この電子の衝突によ
り坩堝(2)を加熱する。また、この加熱により、蒸着
物質は蒸発してクラスタビーム(4〉となりノズル孔(
2a)から噴出される。
〈5)は坩堝(2)の上方に設けられイオン化用フィラ
メント(6〉から電子を引き出してクラスタビー1X(
4)に衝突させるグリッドであり、クラスタビーム(4
〉に電子を衝突させることによりクラスタビームは部分
的にイオン化される。
メント(6〉から電子を引き出してクラスタビー1X(
4)に衝突させるグリッドであり、クラスタビーム(4
〉に電子を衝突させることによりクラスタビームは部分
的にイオン化される。
(7)はグリッド(5〉の上方に設けられクラスタビー
ム(4)を電界で加速する加速電極である。
ム(4)を電界で加速する加速電極である。
(8)は坩堝(2)、加熱用フィラメン1−(3)、グ
リッド(5〉、イオン化用フィラメント(6〉及び加速
電極(7)からなる蒸発源としてのクラスタビーム発生
源である。
リッド(5〉、イオン化用フィラメント(6〉及び加速
電極(7)からなる蒸発源としてのクラスタビーム発生
源である。
(9〉はクラスタビーム発生源(8)の上方に設けられ
クラスタビーム(4)の射突により蒸着物質が蒸着され
る基板であり、この基板(9)は基板ホルダ(10)に
より真空槽(1)内の所定位置に保持されている。(1
1)は基板(9)を回転させるための回転機構、(12
)はクラスタビーム発生源(8)と基板(9)との間に
位置するシャッターであり、このシャッター(12)は
回転駆動ユニット(13)により駆動されクラスタビー
ム(4)の遮断1通過を制御する。
クラスタビーム(4)の射突により蒸着物質が蒸着され
る基板であり、この基板(9)は基板ホルダ(10)に
より真空槽(1)内の所定位置に保持されている。(1
1)は基板(9)を回転させるための回転機構、(12
)はクラスタビーム発生源(8)と基板(9)との間に
位置するシャッターであり、このシャッター(12)は
回転駆動ユニット(13)により駆動されクラスタビー
ム(4)の遮断1通過を制御する。
次に、動作について説明する。真空槽(1)内を所定の
真空度まで排気した後、クラスタビーム発生源(8)の
各フィラメント(3)、(6)、グリッド(5)及び加
速電極(7)にそれぞれ所定の電位を付与する。また、
クラスタビーム(4)を遮断するように、シャツターフ
12)を閉位置にしておく。
真空度まで排気した後、クラスタビーム発生源(8)の
各フィラメント(3)、(6)、グリッド(5)及び加
速電極(7)にそれぞれ所定の電位を付与する。また、
クラスタビーム(4)を遮断するように、シャツターフ
12)を閉位置にしておく。
これによって、坩堝(2〉が加熱され、蒸着物質が蒸発
してノズル孔(2a)からクラスタビーl\(4)とし
て噴出される。噴出されたクラスタビーム(4)は、グ
リッド(5)内を通過して部分的にイオン化され、加速
電極(7)により基板(9〉の方向へ向けて加速される
。
してノズル孔(2a)からクラスタビーl\(4)とし
て噴出される。噴出されたクラスタビーム(4)は、グ
リッド(5)内を通過して部分的にイオン化され、加速
電極(7)により基板(9〉の方向へ向けて加速される
。
この後、回転fiflI (11)により基板(9〉を
回転させ、例えば加速電圧、イオン化電圧及び加熱電力
など、所定の条件の設定を確認したらシャッター(12
)を開状態にして、クラスタビーム(4)を通過させる
。
回転させ、例えば加速電圧、イオン化電圧及び加熱電力
など、所定の条件の設定を確認したらシャッター(12
)を開状態にして、クラスタビーム(4)を通過させる
。
これにより、クラスタビーム(4)が基板(9)の表面
に衝突し、蒸着膜が形成される。このとき、クラスタビ
ーム(4〉は、一定の角度で放射状に広がりながら基板
(9)へ向かって行く。
に衝突し、蒸着膜が形成される。このとき、クラスタビ
ーム(4〉は、一定の角度で放射状に広がりながら基板
(9)へ向かって行く。
所定の条件で蒸着が完了したら、シャッター(12)を
閉位置にしてクラスタビーム(4)を遮断する。
閉位置にしてクラスタビーム(4)を遮断する。
[発明が解決しようとする課題]
上記のように構成された従来のクラスタイオンビー11
蒸着装置においては、クラスタビーム(4)が一定の角
度で広がるのに対して、クラスタビーム発生源(8)と
基板(9)との距離が一定であるため、クラスタビーム
(4〉が基板(9)に衝突する範囲、即ち蒸着範囲が固
定されてしまい、その蒸着範囲よりも面積の小さい基板
に蒸着する場合には、不必要な範囲にまでクラスタビー
ム(4)が広がり、蒸着物質に無駄が生じるとともに蒸
着効率が悪くなってしまうなどの問題点があり、このよ
うな問題点を解決しなければならないという課題を有し
ていた。
蒸着装置においては、クラスタビーム(4)が一定の角
度で広がるのに対して、クラスタビーム発生源(8)と
基板(9)との距離が一定であるため、クラスタビーム
(4〉が基板(9)に衝突する範囲、即ち蒸着範囲が固
定されてしまい、その蒸着範囲よりも面積の小さい基板
に蒸着する場合には、不必要な範囲にまでクラスタビー
ム(4)が広がり、蒸着物質に無駄が生じるとともに蒸
着効率が悪くなってしまうなどの問題点があり、このよ
うな問題点を解決しなければならないという課題を有し
ていた。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされ
たもので、必要に応じて蒸着範囲を変えることができ、
これにより蒸着物質を無駄なく利用でき、蒸着効率を向
上させることができる薄膜形成装置を得ることを目的と
する。
たもので、必要に応じて蒸着範囲を変えることができ、
これにより蒸着物質を無駄なく利用でき、蒸着効率を向
上させることができる薄膜形成装置を得ることを目的と
する。
[課題を解決するための手段]
この発明に係る薄膜形成装置は、蒸発源を移動させる移
動装置を、蒸発源に設けたものである。
動装置を、蒸発源に設けたものである。
[作用コ
この発明においては、移動装置によって蒸発源を移動さ
せることにより、蒸発源と被蒸着材との間の距離を調節
し、これにより蒸着範囲を調節する。
せることにより、蒸発源と被蒸着材との間の距離を調節
し、これにより蒸着範囲を調節する。
[実施例]
以下、この発明をその一実施例を示す図に基づいて説明
する。
する。
第1図はこの発明の一実施例によるクラスタイオンビー
ム蒸着装置を示す構成図であり、第2図と同−又は相当
部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
ム蒸着装置を示す構成図であり、第2図と同−又は相当
部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
図において、符号(21)はアダプタ(22〉を介して
基板ホルダ(10)に保持された被蒸着材である基板で
あり、この基板(21〉は従来開力基板〈9〉、上りも
サイズが小さくなっている。
基板ホルダ(10)に保持された被蒸着材である基板で
あり、この基板(21〉は従来開力基板〈9〉、上りも
サイズが小さくなっている。
(23)は真空槽(1)内の下部に上下動可能に設けら
れクラスタビーlX発生源(8)を搭載している搭載台
、り24)は搭載台(23〉を貫通して設けられたねじ
棒であり、このねじ棒(24)がねじ棒回転機m(図示
せず)により回転されることによって搭載台〈23)は
上下動される。(25)はこれらの搭載台(23)、ね
じ棒(24)及びねじ棒回転R構からなる移動装置であ
る。
れクラスタビーlX発生源(8)を搭載している搭載台
、り24)は搭載台(23〉を貫通して設けられたねじ
棒であり、このねじ棒(24)がねじ棒回転機m(図示
せず)により回転されることによって搭載台〈23)は
上下動される。(25)はこれらの搭載台(23)、ね
じ棒(24)及びねじ棒回転R構からなる移動装置であ
る。
上記のように構成されたクラスタイオンビーム蒸着装置
においては、基板(2■)に蒸着する場合、アダプタ(
22〉を用いて基板(21)を基板ホルダ(10)に装
着した後、クラスタビームく4)の噴出角度から決まる
蒸着範囲が基板(21)のサイズと合致するような位置
まで、移動装置(25)によりクラスタビーム発生源(
8)を上昇させる。以下は、従来例と同様にして基板(
21)に蒸着物質を蒸着させる。
においては、基板(2■)に蒸着する場合、アダプタ(
22〉を用いて基板(21)を基板ホルダ(10)に装
着した後、クラスタビームく4)の噴出角度から決まる
蒸着範囲が基板(21)のサイズと合致するような位置
まで、移動装置(25)によりクラスタビーム発生源(
8)を上昇させる。以下は、従来例と同様にして基板(
21)に蒸着物質を蒸着させる。
このようなりラスタイオンビーム蒸着装置では、移動装
置(25)によりクラスタビーム発生源く8)が上昇し
ており、最適な範囲でクラスタビーム(4)が基板(2
1)に衝突するようにしであるので、蒸着物質を無駄な
く有効に利用でき、蒸着効率が向上している。また、こ
れによって従来よりも短時間で薄膜を形成することがで
きる。
置(25)によりクラスタビーム発生源く8)が上昇し
ており、最適な範囲でクラスタビーム(4)が基板(2
1)に衝突するようにしであるので、蒸着物質を無駄な
く有効に利用でき、蒸着効率が向上している。また、こ
れによって従来よりも短時間で薄膜を形成することがで
きる。
また、他のサイズの基板(21)に蒸着する場合や、特
定の範囲にのみ蒸着する場合にも、同様にしてクラスタ
ビーム発生源(8)を最適な位置まで昇降させればよい
。
定の範囲にのみ蒸着する場合にも、同様にしてクラスタ
ビーム発生源(8)を最適な位置まで昇降させればよい
。
なお、上記実施例では移動装置(25)としてねじ棒(
24)により搭載台(23)を上下動させるものを示し
たが、移動装置(25Hま蒸発源と被蒸着材との距離を
調節できれば他のものであってもよい また、上記実施例では蒸発源としてクラスタビーム発生
源(8〉を示したが、これに限定されるものではない。
24)により搭載台(23)を上下動させるものを示し
たが、移動装置(25Hま蒸発源と被蒸着材との距離を
調節できれば他のものであってもよい また、上記実施例では蒸発源としてクラスタビーム発生
源(8〉を示したが、これに限定されるものではない。
また、蒸発源を複数有する多元クラスタイオンビーム蒸
着装置にも、この発明は適用できる。この場合、移動装
置を複数用いてもよい さらに、上記実施例では被蒸着材として基板<21)を
示したが、被蒸着材質は基板(21〉に限定されるもの
ではない。
着装置にも、この発明は適用できる。この場合、移動装
置を複数用いてもよい さらに、上記実施例では被蒸着材として基板<21)を
示したが、被蒸着材質は基板(21〉に限定されるもの
ではない。
さらにまた、上記実施間では薄膜形成装置とl〜てクラ
スタイオンビーム蒸着装置を示したが、例えば他の真空
蒸着装置など、他の薄膜形成装置であってもよい。
スタイオンビーム蒸着装置を示したが、例えば他の真空
蒸着装置など、他の薄膜形成装置であってもよい。
[発明の効果]
以上説明したように、この発明の薄膜形成装置は、移動
装置を蒸発源に設け、蒸発源を移動させることにより蒸
発源と被蒸着材との距離を調節するようにしたので、必
要に応じて蒸着範囲を変えることができ、これにより蒸
着物質を無駄なく利用でき、蒸着効率を向上させること
ができるなどの効果がある。
装置を蒸発源に設け、蒸発源を移動させることにより蒸
発源と被蒸着材との距離を調節するようにしたので、必
要に応じて蒸着範囲を変えることができ、これにより蒸
着物質を無駄なく利用でき、蒸着効率を向上させること
ができるなどの効果がある。
第1図はこの発明の一実施例によるクラスタイオンビー
ム蒸着装置を示す構成図、第2図は従来の薄膜形成装置
の一例であるクラスタイオンビー1、蒸着装置を示す構
成図である。 図において、(8〉はクラスタビーム発生源(蒸発源〉
、(21)は基板(被蒸着材)、〈25〉は移動装置で
ある。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
ム蒸着装置を示す構成図、第2図は従来の薄膜形成装置
の一例であるクラスタイオンビー1、蒸着装置を示す構
成図である。 図において、(8〉はクラスタビーム発生源(蒸発源〉
、(21)は基板(被蒸着材)、〈25〉は移動装置で
ある。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 蒸着物質を被蒸着材へ向けて放射状に蒸発させる蒸発源
と、この蒸発源に設けられ、前記被蒸着材との距離を伸
縮するように前記蒸発源を移動させる移動装置とを備え
ていることを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19400789A JPH0361361A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19400789A JPH0361361A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0361361A true JPH0361361A (ja) | 1991-03-18 |
Family
ID=16317418
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19400789A Pending JPH0361361A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0361361A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100660136B1 (ko) * | 2004-11-05 | 2006-12-21 | 한국전기연구원 | 박막증착장치 |
-
1989
- 1989-07-28 JP JP19400789A patent/JPH0361361A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100660136B1 (ko) * | 2004-11-05 | 2006-12-21 | 한국전기연구원 | 박막증착장치 |
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