KR100660136B1 - 박막증착장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 기판상에 박막을 증착시키는 박막증착장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 증발장치를 기판의 표면에 대하여 수평방향으로 이동시키면서 증착할 수 있도록 한 박막증착장치에 관한 것이다.
이에, 본 발명은 반응챔버의 내부에서 기판의 표면에 금속물질을 증착하는 박막증착장치에 있어서, 상기 반응챔버의 내부에 구비되며 증착하고자 하는 금속물질을 증발시키는 증발장치와, 상기 증발장치를 상기 기판의 표면에 대하여 수평방향으로 이동시키는 이동수단을 포함하는 것을 특징으로 한다
이에 따라, 종래와는 달리 대면적 증착시 증발장치와 기판사이의 간격을 좁힐 수 있음은 물론, 기판의 표면 전체에 균일한 박막을 형성할 수 있는 효과를 가진다.
반응챔버, 증발장치, 하우징, 시료투입구, 가스주입구, 가열수단, 분사구, 분리판

Description

박막증착장치{THIN FILM DEPOSITION APPARATUS}
도 1은 본 발명의 제1 실시예를 보인 개략도.
도 2는 도 1의 측단면도.
도 3은 본 발명에 따른 증발장치의 일 예를 보인 것으로,
도 3a는 정면도.
도 3b는 평면도.
도 4는 본 발명의 제2 실시예를 보인 측단면도.
도 5는 본 발명의 제3 실시예를 보인 측단면도.
도 6은 본 발명에 따른 증발장치의 다른 예를 보인 사시도.
도 7은 도 6의 단면도.
도 8은 도 6의 측면도.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 반응챔버 11 : 배기구
20 : 히터 30a,b : 반응가스 주입구
40 : 증발장치 41A,B : 하우징
42A,B : 시료투입구 43A,B : 가스주입구
44A,B : 분사구 45 : 가스공급관
46 : 분리판 47A,B : 제1,2구역
48a : 가열수단 48b : 재가열수단
480 : 열선 481 : 보호부재
51 : 이송블럭 510 : 제2자성체
52 : 나선축 53 : 서보모터
54 : 가이드부재 55 : 구동블럭
550 : 제1자성체 56 : 타이밍밸트
57a,b : 기어 70 : 기판
본 발명은 금속물질을 증발시켜 반도체 기판상에 박막을 증착시키는 박막증착장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 증발장치를 기판의 표면에 대하여 수평방향으로 이동시키면서 증착할 수 있도록 한 박막증착장치에 관한 것이다.
스퍼터링(sputtreing)과 진공증발(evaporation)은 물리적 기상증착법(PVD : Physical Vapor Deposition) 즉, 화학반응이 관여되지 않는 방법으로 기판 상에 박막을 증착시키는 기술로써, 전 세계적으로 반도체 산업에서 가장 널리 이용되고 있다.
스퍼터링 증착법은 고에너지의 입자를 타겟에 조사하여 타겟을 구성하는 원자를 떨어내어 기판 위로 수송하여 박막을 형성하는 방법으로, 증착된 박막의 밀도 가 높고 금속타겟을 사용할 경우 높은 증착률을 얻을 수 있는 장점이 있다.
또한, 진공증발 증착법은 진공 중에서 증착원을 열적으로 증발·승화시켜 증착 입자를 만든 다음 기판 위로 입자를 수송하여 박막을 형성하는 방법으로, 고진공에서 사용할 수 있고 비교적 넓은 면적에 증착이 가능하며 시스템 제작 및 유지비용이 저렴한 장점이 있다.
상기 진공증발 증착법에 사용되는 박막증착장치에는, 챔버의 내부에 증착원 즉 금속물질을 고온에서 증발시켜 기판의 표면으로 분사하는 증발장치가 구비되는데, 종래에는 상기 증발장치의 위치가 고정되어 있으므로, 금속물질의 분사면적이 한정되어 기판의 면적이 넓은 경우 상기 기판의 표면 전체에 박막을 형성하기가 매우 곤란한 문제점이 있었다.
즉, 대면적 기판의 표면 전체에 박막을 형성하기 위해서는, 그 면적에 비례하여 상기 기판과 증발장치 사이의 간격을 증가시켜야 함으로써, 증착장치의 규모가 커지는 문제점이 발생된다.
또한, 증발장치의 분사구를 중심으로 박막이 형성됨으로써, 박막의 밀도 및 두께 등이 전체적으로 균일하게 형성되지 않으며, 그에 따라 박막의 밀도 및 두께를 일정한 기준 이상으로 유지하기 위해서는 증착공정에 요구되는 시간이 증가됨은 물론 금속재료 등이 필요 이상으로 소모되는 등 많은 문제점이 있었다.
이에, 본 발명은 상술한 바와 같은 종래의 제반 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로, 그 목적은 증발장치를 기판의 표면에 대하여 수평방향으로 이동시키 면서 증착할 수 있도록 한 박막증착장치를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 증발장치의 내부로 불활성 가스를 주입하여, 증발된 금속물질이 가스와 함께 분사되도록 한 박막증착장치를 제공함에 있다.
상기와 같은 목적을 이루기 위해 본 발명의 일 양상은 반응챔버의 내부에서 기판의 표면에 금속물질을 증착하는 박막증착장치에 있어서, 상기 반응챔버의 내부에 구비되며 증착하고자 하는 금속물질을 증발시키는 증발장치와, 상기 증발장치를 상기 기판의 표면에 대하여 수평방향으로 이동시키는 이동수단을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 증발장치를 기판의 표면에 대하여 수평방향으로 이동시키면서 증착할 수 있게 된다.
이때, 상기 이동수단은 증발장치에 일체로 구비되는 이송블럭과, 상기 이송블럭에 체결되는 나선축과, 상기 나선축을 정/역방향으로 회전시키는 서보모터와, 상기 증발장치에 장착되어 그 직선운동을 가이드하는 가이드부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 이동수단의 다른 양상은 반응챔버의 외측에 구비되며 제1자성체가 형성된 구동블럭과, 상기 구동블럭에 장착되어 직선왕복운동을 구현하는 작동부재와, 상기 증발장치에 일체로 구비되며 상기 제1자성체와 대응되는 제2자성체가 형성된 이송블럭과, 상기 증발장치에 장착되어 그 직선운동을 가이드하는 가이드부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 이동수단의 또 다른 양상은 반응챔버의 내부에 수평으로 설치되 며 상부에 상기 증발장치가 고정되는 타이밍밸트와, 상기 타이밍밸트의 내부 양측에 구비되어 동력을 전달하는 한 쌍의 기어와, 상기 기어 중 어느 일측을 정/역방향으로 구동하는 서보모터를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 증발장치는 반응챔버의 내부에 설치되는 밀폐형 하우징과, 상기 하우징의 내부에 금속물질을 투입하는 시료투입구와, 상기 하우징의 내부에 구비되어 투입된 금속물질을 증발시키는 가열수단과, 상기 하우징 내부의 증발된 금속물질을 상기 기판측으로 분사하는 분사구를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 증발장치의 다른 양상은 반응챔버의 내부에 설치되고, 그 내부가 분리판에 의해 제1구역 및 제2구역으로 분할되며, 상기 분리판에는 상기 제1구역 및 제2구역을 연결하는 통기공이 형성된 밀폐형 하우징과; 상기 제1구역에 금속물질을 투입하는 시료투입구와; 상기 제1구역의 내부에 구비되어 상기 금속물질을 가열시켜 증발시키는 가열수단과; 상기 통기공을 통해 상기 제2구역으로 전달되는 증발된 금속물질을 상기 기판측으로 분사하는 분사구를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 제2구역의 내부에 재가열수단을 구비하여, 통기공을 통해 상기 제2구역으로 유입된 금속물질을 2차로 가열하면, 금속물질의 증발효율을 높임과 동시에 금속원소의 분사압력을 안정적으로 유지할 수 있게 된다.
또한, 상기 가열수단 및 재가열수단의 온도를 각각 제어하는 온도제어수단을 구비하여, 필요에 따라 하우징 내부의 온도를 조절할 수 있도록 한 것을 특징으로 한다.
한편, 상기 증발장치의 내부로 불활성 가스를 주입하는 가스주입구를 설치하 면, 증발된 금속물질이 가스와 함께 기판상으로 분사됨으로써, 반응챔버의 내부압력이 통상의 진공증발시 요구되는 압력에 비해 현저하게 높은 경우에도, 증발장치에서 분사된 금속원소가 기판까지 안정적으로 도달할 수 있게 된다.
그 이유는 금속원소와 함께 분사되는 불활성 가스의 운동량이 조력(助力)하기 때문이다. 이를 보다 자세하게 설명하면 다음과 같다. 일반적으로 증발장치의 챔버 내 압력이 높으면, 발열체에서 증발되어 나온 금속원소는 챔버 내의 타원소와 충돌하여 기판으로 향하던 금속원소의 운동량이 바뀌고 발열체와 멀어질수록 일정하지 않은(random) 방향으로 움직이게 된다. 따라서 기판이 발열체에서 멀어질수록 또한 가스압에 높을수록 증착률은 감소하게 된다. 그러나, 만약 기판과 발열체 사이의 공간에 기판을 향하는 운동량을 가진 입자들이 분포하고 있다면 입자간의 충돌에 의한 운동량 감쇄는 줄어들고 대신에 이 운동량의 도움으로 기판에 도달하기 쉬워질 것이고, 전술한 운동량을 갖는 불활성 가스가 그것이다.
또한, 상기 분사구를 기판의 폭와 대응되는 길이의 장공으로 형성하면, 증착면적의 전 범위에 걸쳐 균일한 증착율을 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 대면적의 기판에 보다 신속하게 박막을 형성할 수 있게 된다.
상술한 본 발명의 양상은 첨부된 도면을 참조하여 설명되는 바람직한 실시예들을 통하여 더욱 명백해질 것이다. 이하에서는 바람직한 실시예를 통해 당업자가 본 발명을 용이하게 이해하고 재현할 수 있도록 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예를 보인 개략도이고, 도 2는 도 1의 측단면도이다. 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 박막증착장치는 내부에 공정 분위기를 형 성하기 위한 반응챔버(10)와, 상기 반응챔버의 내부에 구비되며 증착하고자 하는 금속물질을 증발시키는 증발장치(40)와, 상기 증발장치를 상기 기판의 표면에 대하여 수평방향으로 이동시키는 이동수단으로 구성된다.
상기 반응챔버(10)의 내부에는 기판(70)의 양 측으로 반응성가스 주입구(30a,30b)가 구비되며, 상기 반응성가스 주입구에서 공급되는 반응성가스는 증발장치(40)에서 분사되는 금속원소와 반응하여 상기 기판의 표면에 금속 산화막을 형성하게 된다.
상기와 같은 박막증착장치를 이용하여 박막을 기판상에 증착하는 과정을 설명하면 다음과 같다. 먼저, 반응챔버(10)에 형성된 배기구(11)를 통해 내부의 진공도가 1×10-5Torr 이하가 될 때까지 충분히 펌핑하여 내부의 불순물을 제거한 후, 히터(20)로 기판(70)을 가열하여 필요한 온도까지 상승시킨다.
그 다음, 증발장치(40)의 내부에 투입된 금속물질을 가열하여 기판(70)을 향해 분사함과 동시에, 상기 증발장치를 일정한 속도로 이동시키면서 박막을 형성하게 된다.
상기 이동수단은 반응챔버(10)의 내부에 설치되며, 증발장치(40)의 하부에 일체로 구비되는 이송블럭(51)과, 상기 이송블럭에 체결되는 나선축(52)과, 상기 나선축을 정/역방향으로 회전시키는 서보모터(53)와, 상기 증발장치에 장착되어 그 직선운동을 가이드하는 가이드부재(미도시)로 구성된다. 상기 가이드부재로는 정밀이송에 통상적으로 이용되고 있는 가이드봉이나 LM가이드 등이 사용된다.
이에 따라, 서보모터(53)의 작동시 증발장치(40)가 나선축(52)을 따라 이동하면서 기판(70)의 표면에 금속물질을 증착함으로써, 대면적 증착시 상기 증발장치와 기판사이의 간격을 좁힐 수 있음은 물론 기판 전체에 균일한 박막을 형성할 수 있다.
이때, 도 2에 도시된 바와 같이 일측으로 길게 형성된 테이프형 기판을 대상으로 하는 경우에는, 상기와 같은 1축형 이동수단을 이용하여 증발장치를 상기 기판의 길이방향으로 이동시키면서 박막을 형성할 수 있도록 구성하고, 그렇지 않은 경우에는 증발장치를 다축으로 이동시킬 수 있도록 다축형 이동수단을 응용하는 것이 바람직하다.
도 3a,b는 본 발명에 따른 증발장치의 일 예를 보인 정면도 및 평면도이다. 도시된 바와 같이 증발장치(40)는, 반응챔버(10)의 내부에 설치되는 밀폐형 하우징(41A)과, 상기 하우징의 내부에 금속물질을 투입하는 시료투입구(42A)와, 상기 하우징의 내부에 구비되어 투입된 금속물질을 증발시키는 가열수단(미도시)과, 상기 하우징 내부의 증발된 금속물질을 기판(70)측으로 분사하는 분사구(44A)로 구성된다. 이때, 상기 하우징의 양측에는 리드선(미도시)이 연결되어 상기 가열수단에 전류를 공급한다.
따라서, 가열수단에 전류가 공급되면 하우징(41A)의 내부온도가 상승되어 투입된 금속물질이 증발되며, 증발된 금속원소는 분사구(44A)를 통해 분출되어 기판(70)의 표면에 증착된다.
이때, 하우징(41A)에 가스주입구(43A)를 형성하고 가스공급관(45)을 연결하 여 상기 하우징의 내부로 불활성 가스를 주입하면, 불활성 가스와 금속원소가 함께 분사됨으로써, 반응챔버의 내부압력이 통상의 진공증발시 요구되는 압력에 비해 현저하게 높은 경우에도, 금속원소가 기판까지 안정적으로 도달할 수 있게 된다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예를 보인 측단면도로서, 상기 이동수단의 다른 양상을 설명한다. 도시된 바와 같이, 이동수단은 반응챔버(10)의 외측에 구비되며 제1자성체(550)가 형성된 구동블럭(55)과, 상기 구동블럭에 장착되어 직선왕복운동을 구현하는 작동부재와, 상기 증발장치(40)에 일체로 구비되며 상기 제1자성체와 대응되는 제2자성체(510)가 형성된 이송블럭(51)과, 상기 증발장치에 장착되어 그 직선운동을 가이드하는 가이드부재(54)로 구성된다.
상기 작동부재는 구동블럭(55)에 체결되는 나선축(52)과, 상기 나선축을 정/역방향으로 회전시키는 서보모터(53)와, 상기 구동블럭의 직선운동을 가이드하는 가이드부재(미도시)로 구성된다.
이에 따라, 서보모터(53)의 작동으로 나선축(52)이 회전되면, 구동블럭(55)이 상기 나선축을 따라 이동함으로써, 상기 구동블럭의 제1자성체(550)와 이송블럭(51)의 제2자성체(510) 사이에 형성된 인력(引力)에 의해 상기 이송블럭이 구동블럭과 동일한 방향으로 이동하게 된다.
상기와 같이 증발장치(40)를 이동시키기 위해 구비되는 나선축 등의 부품을 반응챔버(10)의 외부에 설치하면, 증착과정에서 상기 반응챔버의 내부에 존재하는 금속물질이 상기 나선축에 증착되는 것을 방지할 수 있음은 물론 손쉽게 유지 및 보수할 수 있게 된다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예를 보인 측단면도로서, 상기 이동수단의 또 다른 양상을 설명한다. 도시된 바와 같이, 이동수단은 반응챔버(10)의 내부에 수평으로 설치되며 상부에 증발장치(40)가 고정되는 타이밍밸트(56)와, 상기 타이밍밸트의 내부 양측에 구비되어 동력을 전달하는 한 쌍의 기어(57a,57b)와, 상기 기어 중 어느 일측을 정/역방향으로 구동하는 서보모터(미도시)로 구성된다.
이에 따라, 기어(57a,57b) 중 구동측에 구비되는 서보모터가 작동되면 상기 기어의 회전방향에 따라 타이밍밸트(56)가 증발장치(40)를 이동시키면서 기판(70)의 표면에 균일한 박막을 형성하게 된다.
상기 타이밍밸트 및 기어는 체인과 스프라켓 등 산업에서 널리 이용되고 있는 다양한 운반수단으로 대체할 수 있으며, 당업자라면 이를 용이하게 설계 및 제작할 수 있다.
도 6은 본 발명에 따른 증발장치의 다른 예를 보인 사시도이고, 도 7 및 도 8은 도 6의 단면도와 측면도이다.
도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 증발장치는, 반응챔버(10)의 내부에 설치되고, 그 내부가 분리판(46)에 의해 제1구역(47a) 및 제2구역(47b)으로 분할되며, 상기 분리판에는 상기 제1구역 및 제2구역을 연결하는 통기공이 형성된 밀폐형 하우징(41B)과; 상기 제1구역에 금속물질을 투입하는 시료투입구(42B)와; 상기 제1구역의 내부에 구비되어 상기 금속물질을 가열시켜 증발시키는 가열수단(48a)과; 상기 통기공을 통해 상기 제2구역으로 전달되는 증발된 금속물질을 상기 기판측으로 분사하는 분사구(44B)로 구성된다. 이때, 시료투입구(42B)는 제1구역(47a)의 상측에 형성되고, 분사구(44B)는 제2구역(47b)의 상측에 형성된다.
또한, 제2구역(47b)의 내부에 재가열수단(48b)을 구비하여, 상기 제2구역으로 유입되는 금속물질을 2차로 가열하도록 구성한다. 상기 가열수단 및 재가열수단은 각각 독립적으로 구성되며, 각각 제1구역 및 제2구역의 내부를 관통하는 열선(480)과, 열선의 외측 둘레를 감싸는 보호부재(481)로 구성하는 것이 바람직하다.
이에 따라, 하우징(41B)의 제1구역(47a)에 투입된 금속물질은 가열수단(48a)에 의해 1차로 가열되어 기체 및 액체상태로 존재하게 되며, 기체상태로 증발된 금속원소는 확산에 의하여 분리판(46) 상부의 통기공을 통해 제2구역(47b)으로 넘어가게 된다.
상기와 같이, 제2구역(47b)으로 넘어간 기체상태의 금속원소는 가열수단(48b)에 의해 2차로 가열됨으로써, 더욱 가열되어 높은 에너지를 가진 입자로 변한다. 이에 따라 입자들의 빠른 운동에 의하여 분사구(44B)를 통해 기판(70)을 향하여 분사된다.
이에 따라, 금속물질을 1차로 가열하여 증발시킨 후 2차로 재가열함으로써 증발효율을 향상시킬 수 있으며, 기체상태의 금속원소만을 재가열하여 분사함으로써 금속원소의 증기압을 비교적 균일하게 유지 또는 조절할 수 있게 된다.
이때, 제1구역(47a)에 가스주입구(43B)를 형성하여 상기 하우징의 내부로 불활성 가스를 주입하면, 불활성 가스와 금속원소가 함께 분사됨으로써, 반응챔버의 내부압력이 통상의 진공증발시 요구되는 압력에 비해 현저하게 높은 경우에도, 금속원소가 기판까지 안정적으로 도달할 수 있게 된다.
상기 증발장치(40)에 서미스터를 이용한 온도제어수단(미도시)을 장착하여, 가열수단(58a) 및 재가열수단(58b)의 온도를 각각 조절하도록 구성하면, 필요에 따라 금속원소의 증기압을 조절할 수 있게 된다.
한편, 상술한 도 3a,b와 도 6,7,8에서 각각 설명한 증발장치에 있어서, 분사구(44A,44B)를 기판(70)을 향하게 설치하면, 금속원소가 최단거리로 상기 기판상에 도달하게 되어 고속증착이 가능하게 된다.
또한, 분사구(44A,44B)는 기판의 형상에 따라 적절하게 설계된다. 예를 들어, 도 3b의 분사구(44A)와 같이 홀(hall)의 형상으로 형성할 수 도 있으나, 도 6의 분사구(44B)와 같이 기판(70)의 폭과 대응되는 길이의 장공으로 형성하면, 증착면적의 전 범위에 걸쳐 균일한 증착이 가능할 뿐만 아니라, 대면적의 기판에 신속하게 박막을 형성할 수 있게 된다.
상술한 바와 같이 본 발명은 증발장치를 기판의 표면에 대하여 수평방향으로 이동시키면서 증착을 할 수 있도록 구성하여, 대면적 증착시 상기 증발장치와 기판사이의 간격을 좁힐 수 있음은 물론 기판 전체에 균일한 박막을 형성할 수 있는 효과를 가진다.
또한, 가스주입구를 통해 증발장치의 내부로 불활성 가스를 주입하여, 증발된 금속물질이 가스와 함께 분사되도록 함으로써, 반응챔버의 내부압력이 통상의 진공증발시 요구되는 압력에 비해 현저하게 높은 경우에도, 고속증착이 가능함은 물론 안정적인 증착율을 유지할 수 있는 효과를 가진다.
또한, 분사구를 기판의 폭과 대응되는 길이의 장공으로 형성하여, 증착면적의 전 범위에 걸쳐 균일한 증착이 가능할 뿐만 아니라, 대면적의 기판에 신속하게 박막을 형성할 수 있게 된다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예들을 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.

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  2. 삭제
  3. 상기 반응챔버(10)의 내부에 구비되며 증착하고자 하는 금속물질을 증발시키는 증발장치(40)와, 상기 증발장치를 상기 기판(70)의 표면에 대하여 수평방향으로 이동시키는 이동수단을 포함하고, 상기 이동수단은 상기 증발장치(40)에 일체로 구비되는 이송블럭(51)과, 상기 이송블럭에 체결되는 나선축(52)과, 상기 나선축을 정/역방향으로 회전시키는 서보모터(53)와, 상기 증발장치에 장착되어 그 직선운동을 가이드하는 가이드부재를 포함하는 박막증착장치에 있어서,
    상기 이동수단은, 상기 반응챔버(10)의 외측에 구비되며 제1자성체(550)가 형성된 구동블럭(55)과, 상기 구동블럭에 장착되어 직선왕복운동을 구현하는 작동부재와, 상기 증발장치(40)에 일체로 구비되며 상기 제1자성체와 대응되는 제2자성체(510)가 형성된 이송블럭(51)과, 상기 증발장치에 장착되어 그 직선운동을 가이드하는 가이드부재(54)를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  4. 삭제
  5. 제3항에 있어서, 상기 작동부재는,
    상기 반응챔버(10)의 외부에 구비되며 상기 구동블럭(55)에 체결되는 나선축(52)과, 상기 나선축을 정/역방향으로 회전시키는 서보모터(53)와, 상기 구동블럭의 직선운동을 가이드하는 가이드부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 증발장치(40)는,
    상기 반응챔버(10)의 내부에 설치되는 밀폐형 하우징(41A)과, 상기 하우징의 내부에 금속물질을 투입하는 시료투입구(42A)와, 상기 하우징의 내부에 구비되어 투입된 금속물질을 증발시키는 가열수단과, 상기 하우징 내부의 증발된 금속물질을 상기 기판측으로 분사하는 분사구(44A)를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 하우징(41A)의 내부로 불활성 가스를 주입하는 가스주입구(43A)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 분사구(44A)는 기판(70)의 폭와 대응되는 길이의 장공으로 형성된 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  9. 제3항에 있어서, 상기 증발장치(40)는,
    상기 반응챔버(10)의 내부에 설치되고, 그 내부가 분리판(46)에 의해 제1구역(47a) 및 제2구역(47b)으로 분할되며, 상기 분리판에는 상기 제1구역 및 제2구역을 연결하는 통기공이 형성된 밀폐형 하우징(41B)과; 상기 제1구역에 금속물질을 투입하는 시료투입구(42B)와; 상기 제1구역의 내부에 구비되어 상기 금속물질을 가열시켜 증발시키는 가열수단(48a)과; 상기 통기공을 통해 상기 제2구역으로 전달되는 증발된 금속물질을 상기 기판측으로 분사하는 분사구(44B)를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1구역(47a)의 내부로 불활성 가스를 주입하는 가스주입구(43B)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 분사구(44B)는 기판(70)의 폭과 대응되는 길이의 장공으로 형성된 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 제2구역(47b)의 내부에 구비되어 상기 통기공을 통해 유입된 불활성 가스 및 증발된 금속물질을 2차로 가열하는 재가열수단(48b)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 가열수단(48a) 및 재가열수단(48b)의 온도를 각각 제어하는 온도제어수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
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