KR102023258B1

KR102023258B1 - 권취식 성막 장치, 증발원 유닛, 및 권취식 성막 방법

Info

Publication number: KR102023258B1
Application number: KR1020177019741A
Authority: KR
Inventors: 다카요시 히로노
Original assignee: 가부시키가이샤 아루박
Priority date: 2015-06-09
Filing date: 2016-06-06
Publication date: 2019-09-19
Also published as: CN107406969A; KR20170095361A; JPWO2016199728A1; TWI619824B; JP6121639B1; TW201710530A; WO2016199728A1; CN107406969B

Abstract

필름의 폭 방향에서의 막후(膜厚) 및 투과율의 편차를 억제한다.
본 발명의 일 형태에 따른 권취식 성막 장치(1)는, 권출 롤러(2)와, 권취 롤러(3)와, 냉각 롤러(4)와, 증발원 어레이(6)와, 가스 공급부(7)를 구비한다. 증발원 어레이(6)는, 냉각 롤러(4)의 축 방향과 평행한 제1 라인(L1) 상에 소정의 간격을 두고 배치된 복수의 제1 증발원(61(61A~61E))과, 제1 라인(L1)과 평행한 제2 라인(L2) 상에 복수의 제1 증발원(61)과 반 피치 엇갈려 상기 소정의 간격을 두고 배치된 복수의 제2 증발원(62(62A~62F))을 가진다. 가스 공급부(7)는, 복수의 제1 증발원(61)으로부터의 증기류를 향해 가스를 분출하는 복수의 제1 노즐부(71(71A~71E))와, 복수의 제2 증발원(62)으로부터의 증기류를 향해 가스를 분출하는 복수의 제2 노즐부(72(72A~72F))를 가지고, 증발원 어레이(6)와 냉각 롤러(4)와의 사이에 배치된다.

Description

권취식 성막 장치, 증발원 유닛, 및 권취식 성막 방법{WINDING-TYPE FILM DEPOSITION DEVICE, EVAPORATION SOURCE UNIT, AND WINDING-TYPE FILM DEPOSITION METHOD}

본 발명은, 증발 재료를 증발시켜 필름 상에 상기 증발 재료의 막을 형성하는 권취식 성막 장치, 증발원 유닛, 및 권취식 성막 방법에 관한 것이다.

종래, 권출 롤러로부터 권출(卷出)된 필름을 냉각 롤러에 휘감으면서, 필름 상에 증발 재료의 막을 형성해, 상기 필름을 권취 롤러에 의해 권취(卷取)하는 방식의 성막 장치가 알려져 있다. 그리고, 이런 종류의 성막 장치를 이용해, 산화 알류미늄 막을 가지는 투명 가스 베리어 성 필름을 제조하는 기술이, 예를 들면 특허문헌 1에 기재되어 있다.

특허문헌 1에 기재의 성막 장치는, 알루미늄을 증발시키는 1개 또는 복수의 증발원(감과(crucible))과, 산소를 분출하는 가스 노즐을 구비하고, 증발원으로 생성된 알루미늄의 증발 입자와, 가스 노즐로부터 공급된 산소를 상호 반응시켜, 필름 상에 산화 알류미늄 막을 형성하도록 하고 있다.

[특허문헌 1] 일본 특개 2013-234364호 공보

특허문헌 1에 기재된 권취식 성막 장치에서는, 복수의 감과가 필름의 폭 방향으로 일렬로 배치된 구성이 기재되어 있다. 그렇지만, 이 구성에서는, 필름 상에서, 감과의 직상(直上)에 있는 부분에서는 두꺼운 막이 형성되고, 감과와 감과 사이의 직상 부분에서는 얇은 막이 형성된다. 그 때문에, 필름의 폭 방향에서의 두께가 균일한 막을 형성하는 것이 곤란했다. 또한, 필름의 폭 방향에서의 두께가 균일하지 않기 때문에, 상기 방향에서의 투과율에도 편차(dispersion)가 생기는 문제가 있다. 이러한 문제는, 특히 감과를 배치하는 간격이 넓은 경우에 현저하다.

이상과 같은 사정을 감안하여, 본 발명의 목적은, 필름의 폭 방향에서의 막후(膜厚) 및 투과율의 편차를 억제할 수 있는 권취식 성막 장치, 증발원 유닛 및 권취식 성막 방법을 제공하는 것에 있다.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 형태에 따른 권취식 성막 장치는, 권출 롤러와, 권취 롤러와, 냉각 롤러와, 증발원 어레이와, 가스 공급부를 구비한다.

상기 권출 롤러는, 필름을 권출(卷出)한다.

상기 권취 롤러는, 상기 권출 롤러로부터 권출된 상기 필름을 권취(卷取)한다.

상기 냉각 롤러는, 상기 권출 롤러와 상기 권취 롤러와의 사이에 배치되어 상기 필름을 냉각한다.

상기 증발원 어레이는, 상기 냉각 롤러의 축 방향과 평행한 제1 라인 상에 소정의 간격을 두고 배치된 복수의 제1 증발원과, 상기 제1 라인과 평행한 제2 라인 상에 상기 복수의 제1 증발원과 반 피치 엇갈려 상기 소정의 간격을 두고 배치된 복수의 제2 증발원을 가진다.

상기 가스 공급부는, 상기 복수의 제1 증발원으로부터의 증기류를 향해 가스를 분출하는 복수의 제1 노즐부와, 상기 복수의 제2 증발원으로부터의 증기류를 향해 가스를 분출하는 복수의 제2 노즐부를 가지고, 상기 증발원 어레이와 상기 냉각 롤러와의 사이에 배치된다.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 형태에 따른 증발원 유닛은, 증발원 어레이와, 가스 공급부를 구비한다.

상기 어레이는, 성막 대상의 반송 방향에 수직인 제1 라인 상에 소정의 간격을 두고 배치된 복수의 제1 증발원과, 상기 제1 라인과 평행한 제2 라인 상에 상기 복수의 제1 증발원과 반 피치 엇갈려 상기 소정의 간격을 두고 배치된 복수의 제2 증발원을 가진다.

상기 가스 공급부는, 상기 복수의 제1 증발원으로부터의 증기류를 향해 가스를 분출하는 복수의 제1 노즐부와, 상기 복수의 제2 증발원으로부터의 증기류를 향해 가스를 분출하는 복수의 제2 노즐부와, 상기 복수의 제1 노즐부 및 상기 복수의 제2 노즐부를 지지하고, 상기 증기류가 통과하는 개구를 가지는 지지체를 가진다.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 형태에 따른 권취식 성막 방법은, 권출 롤러로부터 권출되어, 권취 롤러에 의해 권취되는 필름을, 상기 권출 롤러와 상기 권취 롤러와의 사이에 배치된 냉각 롤러에 권회(卷回)하는 것을 포함한다.

상기 냉각 롤러의 축 방향과 평행한 제1 라인 상에 소정의 간격을 두고 배치된 복수의 제1 증발원과, 상기 제1 라인 보다 상기 필름의 반송 방향의 하류측에 있고 상기 제1 라인과 평행한 제2 라인 상에 상기 복수의 제1 증발원과 반 피치 엇갈려 상기 소정의 간격을 두고 배치된 복수의 제2 증발원을 가지는 증발원 어레이의 증발 재료가 증발된다.

상기 증발원 어레이와 상기 냉각 롤러와의 사이에 배치되고 상기 복수의 제1 증발원에 대응하는 수의 제1 노즐부로부터, 상기 증발한 증발 재료를 향해 가스가 분출하여, 상기 가스와 반응한 상기 증발 재료의 막이 상기 필름의 제1 영역에 형성된다.

상기 증발원 어레이와 상기 냉각 롤러와의 사이에 배치되고 상기 복수의 제2 증발원에 대응하는 수의 제2 노즐부로부터, 상기 증발한 증발 재료를 향해 가스가 분출하여, 상기 가스와 반응한 상기 증발 재료의 막이 상기 제1 영역에 인접하는 제2 영역에 형성된다.

상기 구성에서는, 복수의 제2 증발원이 제2 라인 상에 복수의 제1 증발원과 반 피치 엇갈려 배치되고 있기 때문에, 복수의 제1 증발원으로부터의 증발 재료의 막이 필름의 제1 영역에 형성되고, 복수의 제2 증발원으로부터의 증발 재료의 막이 제1 영역에 인접하는 제2 영역에 형성된다. 이에 따라, 필름의 폭 방향에서의 두께의 편차가 억제된다.

또한, 가스 공급부가, 복수의 제1 증발원으로부터의 증기류를 향해 가스를 분출하는 복수의 제1 노즐부와, 복수의 제2 증발원으로부터의 증기류를 향해 가스를 분출하는 복수의 제2 노즐부를 가지기 때문에, 증발원으로부터의 증기류에 대해 소망하는 양의 가스가 공급된다. 이에 따라, 필름의 폭 방향에서의 투과율의 편차가 억제된다.

상기와 같이, 본 발명에 의하면, 필름의 폭 방향에서의 막후 및 투과율의 편차를 억제할 수 있다.

[도 1] 본 발명의 일 실시 형태에 따른 권취식 성막 장치의 개략 종단면도이다.
[도 2] 상기 권취식 성막 장치에서의 증발원 어레이를 개략적으로 도시한 평면도이다.
[도 3] 상기 권취식 성막 장치에서의 증발원 유닛을 개략적으로 도시한 평면도이다.
[도 4] 상기 증발원 어레이의 배치와, 필름 폭 방향에서의 막후 분포와의 관계를 개략적으로 도시한 평면도이다.
[도 5] 비교 예에 따른 가스 공급부의 구성을 개략적으로 도시한 평면도이다.
[도 6] 비교 예 및 실시 형태에서의 필름 폭 방향에서의 투과율 분포를 개략적으로 도시한 도면이다.
[도 7] 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 권취식 성막 장치에서의 증발원 유닛을 개략적으로 도시한 평면도이다.
[도 8] 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 권취식 성막 장치에서의 증발원 유닛을 개략적으로 도시한 평면도이다.
[도 9] 본 발명의 일 실시 형태의 변형 예를 나타내는 주요부 개략 평면도이다.
[도 10] 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 권취식 성막 장치에서의 증발원 유닛을 개략적으로 도시한 평면도이다.

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시 형태를 설명한다. 또한, 이하의 각 실시 형태에서는, 예를 들면, 산화 알류미늄 막으로 구성된 가스 베리어 성 필름을 제조하는 예에 대해 설명한다.

<제1 실시 형태>

도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 권취식 성막 장치(1)의 구성을 나타내는 개략측 단면도이다.

[권취식 성막 장치의 구성]

권취식 성막 장치(1)는, 권출 롤러(2)와, 권취 롤러(3)와, 냉각 롤러(4)와, 가이드 롤러(5A 및 5B)와, 증발원 유닛(EU1)과, 이들을 수용하는 진공 챔버(9)와, 컨트롤러(18)를 구비한다.

각 도에서, X축, Y축 및 Z축은 상호 직교하는 3축 방향을 나타내고 있다. X축 및 Y축은 수평 방향, Z축은 높이 방향을 나타낸다.

(진공 챔버)

진공 챔버(9)는, 밀폐 구조를 가지고, 배기 라인(L)을 통해 진공 펌프(P)에 접속된다. 이에 따라, 진공 챔버(9)는, 그 내부가 소정의 감압 분위기로 배기 또는 유지 가능하게 구성된다.

진공 챔버(9)는 내부에 칸막이 판(10)을 가진다. 상기 칸막이 판(10)은, 진공 챔버(9)의 Z축 방향에서의 대략 중앙부에 배치되어 있고, 소정의 크기의 개구부(開口部)를 가진다. 상기 개구부의 주연부는, 소정의 간극(間隙)을 남기고 냉각 롤러(4)의 외주면에 대향하고 있다. 진공 챔버(9)의 내부는, 칸막이 판(10)에 의해, 칸막이 판(10) 보다 Z축 방향의 상측에 있는 반송실(11)과, 칸막이 판(10) 보다 Z축 방향의 하측에 있는 성막실(12)로 구획된다.

진공 챔버(9)에 접속되는 배기 라인(L)은, 성막실(12)에 접속되어 있다. 따라서, 진공 챔버(9)를 배기할 때에는, 우선, 성막실(12)의 내부가 배기된다. 한편, 상술한 바와 같이 칸막이 판(10)과 냉각 롤러(4)와의 사이에는 소정의 간극이 있기 때문에, 이 간극을 통해 반송실(11)의 내부도 배기된다. 이에 따라, 성막실(12)과 반송실(11)과의 사이에 압력 차가 생긴다. 이 압력 차에 의해, 후술하는 증발 재료의 증기류가 반송실(11)에 침입하는 것을 방지할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에서는, 배기 라인(L)을 성막실(12)에만 접속했지만, 반송실(11)에도 다른 배기 라인을 접속 함으로써, 반송실(11)과 성막실(12)을 독립적으로 배기해도 무방하다.

이하, 진공 챔버(9) 내에 수용되는 각 부재의 구성에 대해 설명한다.

(필름의 반송 기구)

권출 롤러(2), 권취 롤러(3), 냉각 롤러(4), 가이드 롤러(5A) 및 가이드 롤러(5B)는, 필름(13)의 반송 기구를 구성한다. 권출 롤러(2), 권취 롤러(3) 및 냉각 롤러(4)는, 각각 도시하지 않은 회전 구동부를 갖추고, X축에 평행한 축 주위에 회전 가능하게 구성된다.

권출 롤러(2) 및 권취 롤러(3)는, 반송실(11) 내에 배치되고, 각각의 회전 구동부에 의해 도 1의 화살표로 가리키는 방향(시계 방향)으로 소정 속도로 회전 가능하게 구성된다. 또한, 권출 롤러(2)의 회전 방향은 이에 한정되지 않으며, 냉각 롤러(4)를 향해 필름을 계속 내보낼 수 있는 한, 어느 방향으로 회전시켜도 무방하다. 마찬가지로, 권취 롤러(3)의 회전 방향도 시계 방향으로 한정되지 않고, 냉각 롤러(4)로부터 필름을 권취할 수 있는 한, 어느 방향으로 회전시켜도 무방하다.

냉각 롤러(4)는, 필름(13)의 반송 경로에서 권출 롤러(2)와 권취 롤러(3)와의 사이에 배치된다. 구체적으로는, 냉각 롤러(4)의 Z축 방향에서의 하부의 적어도 일부가, 칸막이 판(10)에 설치된 개구부를 통해 성막실(12)에 면하는 위치에 배치된다.

또한, 냉각 롤러(4)는, 권출 롤러(2) 및 권취 롤러(3)와 같이, 회전 구동부에 의해 시계 방향으로 소정 속도로 회전 가능하게 구성된다. 또한, 냉각 롤러(4)는, 철 등의 금속 재료로 통상(筒狀)으로 구성되고, 그 내부에 도시하지 않은 냉각 매체 순환계 등의 냉각 기구를 구비한다. 냉각 롤러(4)의 크기는 특별히 한정되지 않지만, 전형적으로는, 축 방향의 길이(축 길이)는 필름(13)의 폭과 같거나 그보다 길다.

가이드 롤러(5A)는 권출 롤러(2)와 냉각 롤러(4)와의 사이에 배치되고, 가이드 롤러(5B)는 권취 롤러(3)와 냉각 롤러(4)와의 사이에 배치된다. 각 가이드 롤러(5A, 5B)는, 독자적인 회전 구동부를 구비하고 있지 않은 프리 롤러로 구성된다.

본 실시 형태에서는, 가이드 롤러의 수를 2개로 했지만, 이에 한정되지 않는다. 반송하는 필름의 처짐을 방지하고, 소망하는 반송 자세를 얻을 수 있는 한, 가이드 롤러나 구동 롤러의 수나 장소는 적절히 설정 가능하다.

이상과 같이 구성된 반송 기구에 의해, 진공 챔버(9) 내에서 필름(13)이 소정의 속도로 반송된다.

필름(13)은, 재료로서 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate)를 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. 그 외의 재료로서, 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene) 등의 폴리오레핀(polyolefin), 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate) 등의 폴리에스테르(polyester), 나일론 6(Nylon-6), 나일론 66(Nylon-66), 나일론 12(Nylon-12) 등의 폴리아미드(polyamide), 폴리비닐 알코올(polyvinyl alcohol), 폴리이미드(polyimide), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 폴리술폰(polysulfone), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리에텔에텔 케톤(polyetherether ketone), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리아릴레이트(polyarylate), 또는 아크릴 수지 등의 투명한 수지를 이용할 수 있다.

필름(13)의 두께는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 약 5㎛~100㎛이다. 또한, 필름(13)의 폭이나 길이에 대해서는 특별히 제한은 없고, 용도에 따라 적절히 선택할 수 있다.

필름(13)은, 권출 롤러(2)에 의해, 시계 방향으로 연속적으로 권출된다. 권출 롤러(2)로부터 권출된 필름(13)은, 가이드 롤러(5A)에 의해 주행을 가이드 받으면서, 냉각 롤러(4)와 칸막이 판(10)과의 사이에 형성된 소정의 간극을 지나, 소정의 끼인 각(抱角)에서 냉각 롤러(4)의 주면(周面)에 권회된다. 이에 따라, 냉각 롤러(4)의 외주면에 접촉하는 필름(13)의 내측의 면이 냉각 롤러(4)에 의해 소정 온도 이하로 냉각된다. 냉각 롤러(4)에 권회된 필름(13)은, 냉각 롤러(4)의 회전에 의해 시계 방향으로 반송되고, 그 반송 과정에서, 증발원 유닛(EU1)에 의해 증발 재료의 막이 필름(13)의 외측의 면(성막면)에 형성된다.

이하, 증발원 유닛(EU1)에 대해 상세히 설명한다.

(증발원 유닛)

증발원 유닛(EU1)은, 성막실(12)에 배치되고, 증발원 어레이(6)와, 가스 공급부(7)와, 지지체(8)를 가진다.

(증발원 어레이)

증발원 어레이(6)는, 냉각 롤러(4)의 Z축 방향에서의 직하(直下)에 배치된다. 도 2는, 증발원 어레이(6)의 배치를 개략적으로 도시한 평면도이다.

증발원 어레이(6)는, 복수의 제1 증발원과, 복수의 제2 증발원을 가진다.

본 실시 형태에서는, 복수의 제1 증발원은, 각각 동일한 구성을 가지는 5개의 증발원(61A, 61B, 61C, 61D, 61E)(이하, 개별적으로 설명하는 경우를 제외하고, 복수의 제1 증발원(61)으로 총칭한다)을 가진다. 한편, 복수의 제2 증발원은, 각각 동일한 구성을 가지는 6개의 증발원(62A, 62B, 62C, 62D, 62E, 62F)(이하, 개별적으로 설명하는 경우를 제외하고, 복수의 제2 증발원(62)으로 총칭한다)을 가진다.

제1 및 제2 증발원(61, 62)은, 필름(13)의 성막면에 퇴적시키는 증발 재료의 증기를 생성한다. 제1 및 제2 증발원(61, 62)에는, 동일한 증발 재료가 수용되어 있고, 본 실시 형태에서는, 증발 재료로서 알루미늄이 이용된다.

제1 증발원(61)은 각각, 대략 같은 양의 증기류를 생성하도록, 컨트롤러(18)에 의해 제어된다. 또한, 제2 증발원(62)도 각각, 복수의 제1 증발원(61)과 대략 같은 양의 증기류를 생성하도록, 컨트롤러(18)에 의해 제어된다.

제1 및 제2 증발원(61, 62)은, 상호 동일한 증발원으로 구성되고, 본 실시 형태에서는 유도 가열식의 증발원으로 구성된다. 제1 및 제2 증발원(61, 62)은, 증발 재료를 보지(保持)하는 용기로서의 환형(丸型)(유저(有底) 원통상(圓筒狀))의 감과와, 상기 감과의 외주부를 둘러싸는 유도 코일을 포함한다. 상기 유도 코일은, 진공 챔버(9)의 외부에 설치된 도시하지 않은 교류 전원에 전기적으로 접속되고 있다.

도 2에 도시한 바와 같이, 복수의 제1 증발원(61)은, X축 방향에 평행한 제1 라인(L1) 상에 배열되어 있다. 제1 라인(L1)은, 증발원 어레이(6)에서 가상적으로 설정된 것이다. 복수의 제1 증발원(61)은, 제1 라인(L1) 상에 소정의 간격(P1)을 두고 배치된다. 상기 소정의 간격(P1)은, 각 증발원(61)의 중심 간 거리이며, 각 증발원(61)의 크기 등에 따라 적절히 설정 가능하다.

한편, 복수의 제2 증발원(62)은, 제1 라인(L1)과 평행한 제2 라인(L2) 상에 배열되어 있다. 제2 라인(L2)은, 증발원 어레이(6)에서 가상적으로 설정된 것이다. 복수의 제2 증발원(62)은, 제2 라인(L2) 상에 소정의 간격(P1)을 두고 배치된다.

제1 라인(L1)과 제2 라인(L2)은, 상호 동일한 높이 위치(Z축 방향에 따른 높이 위치)로 설정된다. 제1 라인(L1)은, 제2 라인(L2) 보다 필름(13)의 반송 방향에 관해 상류측에 위치하고, 제1 라인(L1)과 제2 라인(L2)은, 소정의 간격(P2)을 두고 Y축 방향에 평행한 방향으로 상호 대향하고 있다. 소정의 간격(P2)은 특별히 한정되지 않고, 제1 및 제2 증발원(61, 62)의 크기, 형상, 간격(P1)의 크기 등에 따라 적절히 설정 가능하다.

복수의 제1 증발원(61)과 복수의 제2 증발원(62)은, 어느 쪽이나 소정의 간격(P1)을 두고 배치되고 있지만, 복수의 제2 증발원(62)은, 복수의 제1 증발원(61)과 X축 방향으로 반 피치 엇갈려 배치되어 있다. 즉, Y축 방향에서 볼 때, 제1 및 제2 증발원(61, 62)이 X축 방향에 따라 등간격으로 배치된다.

또한, 도 2에 도시한 거리(Dx)는, 증발원 어레이(6)의 X축 방향에서의 양단의 거리이다. 거리(Dx)는, 냉각 롤러(4)의 축 길이 보다 짧다. 즉, 제1 및 제2 증발원(61, 62)은, 도 2에서 2점 쇄선으로 가리키는 냉각 롤러(4)의 폭의 범위에 들어가도록 배치된다.

또한, 본 실시 형태에서는, 복수의 제1 증발원(61)의 수가 복수의 제2 증발원(62)의 수보다 1개 적지만, 필름 폭에 맞추어, 증발원(61, 62)의 수를 적절히 설정할 수 있다. 또한, 필름 폭에 맞추어, 미리 설치된 복수의 증발원(61, 62) 중에서, 사용하는 증발원의 위치 혹은 수를 선택해도 무방하다.

복수의 제1 증발원(61) 및 복수의 제2 증발원(62)은 개개로 독립적으로 구성되지만, 도시하지 않은 베이스부에 공통으로 지지되어도 무방하다. 이 경우, 각 증발원이 상기 베이스부에서 위치나 수를 변경 가능하게 설치되어도 무방하다. 이에 따라, 필름의 종류나 성막 조건에 따라, 증발원 어레이의 레이아웃을 적절히 변경하는 것이 가능해진다.

(가스 공급부)

가스 공급부(7)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 증발원 어레이(6)와 냉각 롤러(4)와의 사이에 배치된다. 도 3은, 가스 공급부(7)와 증발원 어레이(6)의 배치를 개략적으로 도시한 평면도이다.

가스 공급부(7)는, 복수의 제1 노즐부와, 복수의 제2 노즐부를 가진다.

본 실시 형태에서는, 복수의 제1 노즐부는, 각각 동일한 구성을 가지는 5개의 노즐부(71A, 71B, 71C, 71D, 71E)(이하, 개별적으로 설명하는 경우를 제외하고, 복수의 제1 노즐부(71)으로 총칭한다)를 가진다. 한편, 복수의 제2 노즐부는, 각각 동일한 구성을 가지는 6개의 노즐부(72A, 72B, 72C, 72D, 72E, 72F)(이하, 개별적으로 설명하는 경우를 제외하고, 복수의 제2 노즐부(72)로 총칭한다)를 가진다.

본 실시 형태에서, 복수의 제1 노즐부(71) 및 복수의 제2 노즐부(72)는, X축 방향에 평행한 제3 라인(L3) 상에 각각 소정의 간격(P3)을 두고 배치된다. 구체적으로는, 제1 및 제2 노즐부(71, 72)가 X축 방향으로 교대로 배치되도록, 복수의 제2 노즐부(72)가 복수의 제1 노즐부(71)에 인접해 배치된다.

제3 라인(L3)은, 가상적으로 설정된 것이며, 제1 및 제2 라인(L1, L2) 보다 필름(13)의 반송 방향의 상류측(도 3에서 상방측)에 위치한다. 또한, 제3 라인(L3)은, 제1 및 제2 라인(L1, L2) 보다 냉각 롤러(4)측(도 1에 대해 상방측)에 위치한다.

상기 소정의 간격(P3)은, 복수의 제1 노즐부(71)의 노즐의 중심 간 거리이다. 본 실시 형태에서는, 소정의 간격(P3)은, 소정의 간격(P1)과 대략 같다. 다만, 소정의 간격(P3)은, 복수의 제1 노즐부(71)를 구성하는 노즐 2개분의 길이 이상의 간격으로 한다.

복수의 제1 노즐부(71)는, 복수의 제1 증발원(61)에 대해, 도 3에서(Z축 방향에서의 높이 위치는 다르지만) Y축 방향에 대향하도록 배치된다. 구체적으로는, 제1 노즐부(71A, 71B, 71C, 71D, 71E)는, 각 제1 노즐부(71)로부터 분출된 산소가 제1 증발원(61A, 61B, 61C, 61D, 61E)의 직상(直上)의 위치를 통과하는 위치에 각각 배치된다. 이에 따라, 복수의 제1 노즐부(71)는, 각각 대응하는 제1 증발원(61)으로부터의 증기류를 향해 산소를 분출할 수 있다.

한편, 복수의 제2 노즐부(72)는, 복수의 제2 증발원(62)에 대해, 도 3에서(Z축 방향에서의 높이 위치는 다르지만) Y축 방향에 대향하도록 배치된다. 구체적으로는, 제2 노즐부(72A, 72B, 72C, 72D, 72E, 72F)는, 각 제2 노즐부(72)로부터 분출된 산소가 제1 증발원(62A, 62B, 62C, 62D, 62E, 62F)의 직상의 위치를 통과하는 위치에 각각 배치된다. 이에 따라, 복수의 제1 노즐부(72)는, 각각 대응하는 제2 증발원(62)로부터의 증기류를 향해 산소를 분출할 수 있다.

본 실시 형태에서, 복수의 제1 노즐부(71)의 수와 복수의 제1 증발원(61)의 수는 같고, 복수의 제2 노즐부(72)의 수와 복수의 제2 증발원(62)의 수는 같다. 즉, 복수의 제1 노즐부(71)의 수가 복수의 제1 증발원(61)의 수에 대응해, 복수의 제2 노즐부(72)의 수가 복수의 제2 증발원(62)의 수에 대응하고 있다.

제1 및 제2 노즐부(71, 72)는, 상호 동일한 노즐부로 구성된다. 본 실시 형태에서는, 복수의 제1 및 제2 노즐부(71, 72)는, 제3 라인(L3)의 축 방향에 긴 통상으로 각각 형성된다. 복수의 제1 및 제2 노즐부(71, 72)는, Y축 방향을 향해 산소 가스를 분출하는 단수 또는 복수의 분출구를 각각 가진다. 상기 단수 또는 복수의 분출구는, 각 노즐부(71, 72)의 주면의 일부에 설치된다. 복수의 분출구를 이용하는 경우, 각 노즐부(71, 72)의 주면의 일부에 X축 방향을 따라 상기 복수의 분출구를 배열하면 좋다.

복수의 제1 노즐부(71)로부터는, 각각 같은 유량의 산소 가스가 분출된다. 도 3에서, 제1 노즐부(71)로부터 분출되는 산소를 파선으로 가리킨다(덧붙여, 도 3에서는, 제1 노즐부(71A)로부터 분출되는 가스의 분출 형태 만을 나타내지만, 도시하지 않아도, 그 외의 제1 노즐부(71B~71E)로부터 분출되는 가스에 대해서도 마찬가지이다).

마찬가지로, 복수의 제2 노즐부(72)로부터는, 각각 같은 유량의 산소 가스가 분출된다. 도 3에서, 제2 노즐부(72)로부터 분출되는 산소를 파선으로 가리킨다(덧붙여, 도 3에서는, 제2 노즐부(72A)로부터 분출되는 가스의 분출 형태 만을 나타내지만, 도시하지 않아도, 그 외의 제2 노즐부(72B~72F)로부터 분출되는 가스에 대해서도 마찬가지이다).

제1 및 제2 노즐부(71, 72)로부터 분출된 가스는, 각각 대응하는 증발원의 직상(直上)의 위치에서 증기류와 접촉한다. 증기류와 접촉하는 산소의 양에 차가 있으면, 증발 재료의 산화도에 차이가 생기기 때문에, 얻어지는 막의 투과율에도 차이가 생긴다.

그래서, 본 실시 형태에서는, 제1 및 제2 증발원(61, 62)으로부터의 증기류와 반응하는 산소 가스의 양을 균일하게 하기 위해, 이하에 설명한 것처럼, 제1 및 제2 노즐부(71, 72)로부터 분출되는 가스의 양을 증발원 마다 최적화하고 있다.

복수의 제1 노즐부(71)는, 가스 공급 라인(G1)을 통해, 가스 봄베 등의 가스 공급원(S)에 접속된다. 마찬가지로, 복수의 제2 노즐부(72)는, 가스 공급 라인(G2)을 통해, 가스 봄베 등의 가스 공급원(S)에 접속된다. 가스 공급원(S)은, 각 가스 공급 라인(G1, G2)에 공통으로 했지만, 각각 별개로 설치되어도 무방하다.

가스 공급 라인(G1)은, 가스 공급원(S)에 접속되는 1개의 주배관(主配管)과, 주배관으로부터 각각 분기해 각 노즐부(71A~71E)에 접속되는 5개의 지관(支管)을 가진다.

마찬가지로, 가스 공급 라인(G2)은, 가스 공급원(S)에 접속되는 1개의 주배관과, 주배관으로부터 각각 분기해 각 노즐부(72A~72F)에 접속되는 6개의 지관을 가진다.

가스 공급 라인(G1)의 주배관에는, 유량 조정부(V1)가 더 접속된다. 유량 조정부(V1)는, 예를 들면, 유량 제어 밸브와 유량 센서를 가지는 매스 플로우 컨트롤러(MFC)를 포함하고, 복수의 제1 노즐부(71)로부터 분출되는 산소의 유량을 제어 가능하게 구성된다. 유량 조정부(V1, V2)의 제어는, 전형적으로는, 컨트롤러(18)로부터의 제어 지령에 근거해, 가스 공급부(7)에 의해 수행된다.

또한, 가스 공급 라인(G2)의 주배관에도, 유량 조정부(V1)와 유사한 구성을 가지는 유량 조정부(V2)가 접속된다. 유량 조정부(V2)는, 복수의 제2 노즐부(72)로부터 분출되는 산소의 유량을 제어 가능하게 구성된다.

가스 공급 라인(G1)을 통해 복수의 제1 노즐부(71)로부터 분출되는 산소의 유량은, 도 3에 도시한 거리(D1)에 따라 결정된다. 또한, 가스 공급 라인(G2)을 통해 복수의 제2 노즐부(72)로부터 분출되는 산소의 유량은, 도 3에 도시한 거리(D2)에 따라 결정된다.

도 3에 도시한 거리(D1)는, 복수의 제1 노즐부(71)의 분출구와, 각각 대응하는 복수의 제1 증발원(61)의 직상(直上)까지의 최단 거리를 나타낸다. 본 실시 형태에서는, 복수의 제1 노즐부(71)와, 대응하는 복수의 제1 증발원(61)의 직상과의 거리(D1)가, 각각 동일하다. 따라서, 복수의 제1 노즐부(71)로부터 동일한 양의 산소를 분출하게 한 경우, 대응하는 복수의 제1 증발원(61)으로부터의 증기류에 대해 각각 동일한 양의 산소를 반응시킬 수 있다.

또한, 도 3에 도시한 거리(D2)는, 복수의 제2 노즐부(72)의 분출구와, 각각 대응하는 복수의 제2 증발원(62)의 직상까지의 최단 거리를 나타낸다. 복수의 제2 노즐부(72)와, 대응하는 복수의 제2 증발원(62)과의 거리(D2)는, 각각 동일하다. 따라서, 복수의 제2 노즐부(72)로부터 동일한 양의 산소를 분출하게 한 경우, 대응하는 복수의 제2 증발원(62)으로부터의 증기류에 대해 각각 동일한 양의 산소를 반응시킬 수 있다.

한편, 거리(D2)가 거리(D1) 보다 크기 때문에, 복수의 제1 노즐부(71)로부터 분출되는 산소의 유량과, 복수의 제2 노즐부(72)로부터 분출되는 산소의 유량이 같은 경우, 제1 및 제2 증발원(61, 62)으로부터의 증기류와 반응하는 산소의 양에 차이가 난다. 본 실시 형태에서는, 복수의 제2 노즐부(72)가 복수의 제1 노즐부(71)로부터 분출되는 가스의 양 보다 많은 가스를 분출하도록 구성된다. 이에 따라, 제1 및 제2 증발원(61, 62)으로부터의 증기류와 반응하는 산소의 양을 필름(13)의 폭 방향(X축 방향)에서 대략 균일하게 할 수 있다.

또한, 각 노즐부(71, 72)로부터 분출되는 산소의 유량은, 거리(D1, D2)의 크기, 성막시의 진공 챔버(9) 내의 압력, 증발원(61, 62)과 노즐부(71, 72)와의 높이의 차 등에 따라 설정되고, 각 증발원(61, 62)으로부터의 증기류에 대해 각 노즐부(71, 72)로부터의 산소의 공급량이 균일해지도록, 각각의 분출량이 최적화 된다. 따라서, 복수의 제1 노즐부(71)를 구성하는 각 노즐부(71A~71E)로부터의 산소 분출량은, 상호 동일한 경우에 한정되지 않으며, 복수의 제2 노즐부(72)를 구성하는 각 노즐부(72A~72F)로부터의 산소 분출량도 또한 상호 동일한 경우에 한정되지 않는다.

(지지체)

지지체(8)는, 도 1에 도시한 것처럼, 개구부(14)와, 방착판(防着板)(15)과, 천판(天板)(16)을 가지고, 냉각 롤러(4)와 증발원 어레이(6)와의 사이에 배치된다. 또한, 지지체(8)는, 도시하지 않은 지지부를 통해 진공 챔버(9)의 내벽에 접속되고, 복수의 제1 노즐부(71) 및 복수의 제2 노즐부(72)를 지지 가능하게 구성된다. 지지체(8)를 구성하는 재료는 특별히 한정되지 않으며, 전형적으로는 스테인리스강(stainless鋼)이나 구리(銅) 등의 금속 재료로 구성된다.

개구부(14)는, 천판(16)의 대략 중앙부에 설치된 관통 구멍이며, 냉각 롤러(4)의 외주면에 대향해 배치된다. 개구부(14)의 크기나 형상은 특별히 한정되지 않으며, 증발원 어레이와의 거리나 필름(13)과의 거리 등에 따라 적절히 설정 가능하다. 도 2에 도시한 바와 같이, 개구부(14)의 X축 방향에서의 길이는, 냉각 롤러(4)의 축 길이보다 짧고, 또한, 필름(13)의 폭과 동등하거나 그보다 짧다. 본 실시 형태에서는, 개구부(14)는, 필름(13)의 성막 영역을 규정하는 마스크로서 기능한다.

방착판(15)은, 도 1에 도시한 것처럼, 증발원 어레이(6)와 가스 공급부(7)와의 사이에 배치되고, 증발원 어레이(6)로부터 증발한 증발 재료가 가스 공급부(7)에 부착되는 것을 방지하도록 구성된다. 방착판(15)은, Z축 방향에서 볼 때 개구부(14)의 주위를 둘러싸도록 설치된다.

천판(16)은, 냉각 롤러(4)에 근접해 배치된다. 천판(16)의 크기 및 형상은, 개구부(14)를 설치할 수 있고 소망한 강도를 얻을 수 있으면 특별히 한정되지 않는다. 천판(16)은 방착판(15)과 연결된다. 이에 따라, 지지체(8)를 일체적으로 형성할 수 있다.

(컨트롤러)

컨트롤러(18)는, 도 1에 도시한 것처럼, 진공 챔버(9)의 외부에 설치된다. 컨트롤러(18)는, 예를 들면, CPU(Central Processing Unit) 및 메모리를 포함하는 컴퓨터 등에 의해 구성되고, 권취식 성막 장치(1)의 각 부를 통괄적으로 제어한다. 컨트롤러(18)는, 예를 들면, 진공 펌프(P)의 동작의 제어, 각 롤러의 회전 구동 제어, 각 증발원에서의 증발 재료의 증발량의 제어, 가스 공급부(7)의 동작이나 유량의 제어 등을 실시한다.

[권취식 성막 장치의 동작]

다음으로, 이상과 같이 구성되는 권취식 성막 장치(1)의 동작에 대해 설명한다.

진공 펌프(P)에 의해, 성막실(12) 내가 배기되어, 성막실(12) 내의 압력이 소정의 압력까지 감압된다. 권출 롤러(2), 권취 롤러(3) 및 냉각 롤러(4)는, 각각의 회전축의 주위에 도 1 중 화살표로 가리키는 방향(시계 방향)으로 각각 소정의 속도로 회전한다. 필름(13)은, 권출 롤러(2)에 의해, 시계 방향으로 연속적으로 권출된다. 권출 롤러(2)로부터 권출된 필름(13)은, 가이드 롤러(5A)에 의해 주행을 가이드 받으면서, 소정의 끼인 각에서 냉각 롤러(4)의 외주면에 권회된다. 그리고, 필름(13)은, 냉각 롤러(4)에 의한 냉각 작용을 받으면서, 증발원 유닛(EU1)의 직상(直上)을 통과한 후, 가이드 롤러(5B)를 통해 권취 롤러(3)에 권취된다.

증발원 유닛(EU1)에서는, 도시하지 않은 교류 전원으로부터 제1 및 제2 증발원(61, 62)이 가지는 유도 코일에 교류 전류가 공급되고, 제1 및 제2 증발원(61, 62) 내에 수용된 증발 재료로서의 알루미늄이 가열되어 증발한다. 가스 공급원(S)으로부터 각 가스 공급 라인(G1, G2)를 통해 공급된 산소가, 제1 및 제2 노즐부(71, 72)로부터 각각 소정의 유량으로 분출된다. 또한, 컨트롤러(18) 및 가스 공급 라인(G1, G2)의 유량 조정부(V1, V2)에 의해, 제1 및 제2 노즐부(71, 72)로부터 분출되는 산소의 양이 제어된다.

다음으로, 증발원 유닛(EU1)에 의한 성막 공정의 상세에 대해 설명한다.

본 실시 형태에서는, 복수의 제2 증발원(62)이 제2 라인(L2) 상에 복수의 제1 증발원(61)과 반 피치 엇갈려 배치되고 있다. 그 때문에, 후술한 것처럼, 복수의 제1 증발원(61)으로부터의 증발 재료의 막이 필름(13)의 제1 영역에 형성되고, 복수의 제2 증발원(62)로부터의 증발 재료의 막이 제1 영역에 인접하는 제2 영역에 형성된다.

도 4는, 증발원 어레이(6)의 배치와, 필름(13) 상에 형성되는 산화 알류미늄 막의 두께와의 관계를 나타내는 도면이며, A는 증발원 어레이(6)의 개략 평면도, B는 그 증발원 어레이(6)에 의해 형성되는 산화 알류미늄 막의 필름 폭 방향에서의 막후 분포를 나타내는 도면이다. 도 4B 중, 가는 실선은 복수의 제1 증발원(61(61A~61E))으로부터 증발한 증발 재료에 의해 형성되는 막의 두께 분포를 나타내고, 2점 쇄선은 복수의 제2 증발원(62(62A~62F))로부터 증발한 증발 재료에 의해 형성되는 막의 두께 분포를 나타내고, 굵은 실선은 전체적으로 형성되는 막의 두께 분포를 나타낸다.

도 4B에 도시한 바와 같이, 제1 및 제2 증발원(61, 62)의 직상(直上)의 위치에서는, 이러한 직상이 아닌 위치와 비교해, 두꺼운 막이 형성된다. 따라서, 만일 증발원을 일렬로 배치한 경우, X축 방향에서의 두께에 차가 있는 막이 형성된다.

본 실시 형태에서는, 복수의 제1 증발원(61)과 복수의 제2 증발원(62)이 Y축 방향으로 소정의 간격(P2) 만큼 엇갈려 배치되고 있다. 또한, 이들 제1 및 제2 증발원(61, 62)은, 상호 반 피치 엇갈려 배치되고 있다. 이와 같이, 복수의 제1 증발원(61)으로부터의 증발 재료의 막이, 이들 제1 증발원(61) 각각의 직상 위치에 대응하는 필름(13)의 제1 영역에 형성되고, 복수의 제2 증발원(62)으로부터의 증발 재료의 막이, 이들 제2 증발원(62) 각각의 직상 위치에 대응하는 제2 영역에 형성된다. 필름(13)은 Y축 방향으로 소정의 속도로 반송되기 때문에, 제1 영역과 제2 영역은 필름 폭 방향(X축 방향)에서 상호 인접한다. 이에 따라, 필름 폭 방향에서 막후의 편차가 억제된다.

또한, 본 실시 형태에서는, 가스 공급부(7)가, 복수의 제1 증발원(61)으로부터의 증기류를 향해 가스를 분출하는 복수의 제1 노즐부(71)와, 복수의 제2 증발원(62)으로부터의 증기류를 향해 가스를 분출하는 복수의 제2 노즐부(72)를 가진다. 그 때문에, 각 증발원으로부터의 증기류에 대해 소망하는 양의 가스를 공급하는 것이 가능해진다.

도 5A, B는, 비교 예에 따른 가스 공급부(17(27))와 증발원 어레이(6)와의 배치를 나타내는 개략 평면도이다. 도 5A에 도시한 예에서는, 가스 공급부(17)는, 각 증발원(61(61A~61E), 62(62A~62F))에 공통인 단일의 노즐로 구성되고, 도시하지 않은 복수의 분출구로부터 각각 동일한 유량으로 산소가 분출된다. 이 경우, 분출구에 가까운 증발원일 수록 산소 농도가 높고, 분출구로부터 떨어질 수록 산소 농도가 낮아진다. 따라서, 가스 공급부(17)에서 먼 증발원(제2 증발원(62))으로부터의 증기류에 공급되는 가스의 양을, 가스 공급부(17)에 가까운 증발원(제1 증발원(61))으로부터의 증기류에 공급되는 가스의 양 보다 많게 하는 등의 조정을 할 수 없다.

또한, 도 5B에 도시한 예에서는, 가스 공급부(27)가, 복수의 노즐부(271)를 가진다. 복수의 노즐부(271)는, 동일 직선 상에 배치되고, 1개의 노즐부(271)로부터 소정의 복수의 증발원으로부터의 증기류에 대해 Y축 방향으로 산소를 공급하도록 각각 구성된다. 이 경우, 노즐부(271) 마다 가스의 분출량을 변경할 수 있었다고 해도, 개개의 노즐부(271)에 대해서는, 제1 및 제2 증발원(61, 62)으로부터의 증기류에 공급되는 가스의 양을 개별적으로 조정할 수 없다. 따라서, 도 5A에 도시한 예와 마찬가지로, 가스 공급부(27)로부터 먼 증발원(제2 증발원(62))으로부터의 증기류에 공급되는 가스의 양을, 가스 공급부(27)에 가까운 증발원(제1 증발원(61))으로부터의 증기류에 공급되는 가스의 양 보다 많게 하는 것은 불가능하다.

도 6A는 증발원의 개략 평면도이며, 도 6B는 비교 예에 따른 가스 공급부(17, 27)를 이용해 형성된 산화 알류미늄의 투과율 분포를, 도 6C는 본 실시 형태에 따른 가스 공급부(7)를 이용해 형성된 산화 알류미늄의 투과율 분포를 각각 나타내는 모식도이다.

도 6B에 도시한 것처럼, 비교 예의 가스 공급부의 구성에서는, 필름 폭 방향(X축 방향)에서의 투과율의 편차를 억제할 수 없다. 상기와 같이, 가스 공급부(17 및 27)는, 제1 및 제2 증발원(61, 62)으로부터의 증기류에 대해 각각 소망하는 양의 가스를 분출하게 할 수 없다. 이에 따라, 특히, 필름 폭 방향(X축 방향)에서, 제1 및 제2 증발원(61, 62)으로부터의 증기류(증발한 알루미늄)와 반응하는 산소의 양에 차가 생긴다. 이 때문에, 형성되는 산화 알류미늄 막의 산화도에도 필름 폭 방향에서 차가 생긴다. 즉, 이들 가스 공급부를 이용해 증발 재료를 필름(13) 상에 성막하면, 필름 폭 방향에서 투과율의 편차가 큰 막이 형성된다.

이에 대해, 본 실시 형태에서는, 복수의 제1 노즐부(71)는, 복수의 제1 증발원(61)에 대응하는 수의 노즐부를 가지고, 복수의 제2 노즐부(72)는, 복수의 제2 증발원(62)에 대응하는 수의 노즐부를 가진다. 따라서, 제1 및 제2 노즐부(71, 72)로부터 분출되는 산소의 유량을, 증발원 마다 개별적으로 조정하는 것이 가능하다.

또한, 본 실시 형태에서는, 복수의 제2 노즐부(72)가 복수의 제1 노즐부(71)로부터 분출되는 산소의 양 보다 많은 산소를 분출하도록 구성되기 때문에, 제1 및 제2 증발원(61, 62)으로부터의 증기류와 반응하는 산소의 양은, 필름 폭 방향에서 대략 균일하게 할 수 있다. 이에 따라, 도 6C에 도시한 것처럼, 필름 폭 방향에서의 막의 투과율의 편차를 크게 개선할 수 있다.

이상과 같이, 본 실시 형태에 따른 권취식 성막 장치(1)에 의하면, 필름의 폭 방향에서의 두께 및 투과율의 편차를 억제할 수 있다. 따라서, 막후나 투과율의 편차가 억제된 산화 알류미늄 막으로 이루어지는 가스 베리어 성 필름을 안정적으로 제조하는 것이 가능해진다.

또한, 본 발명자들의 실험에 의하면, 필름 폭 방향에서의 투과율의 편차가 3% 이하로 억제되는 것이 확인되고 있다.

또한, 본 실시 형태에 의하면, 제1 및 제2 노즐부(71, 72)가 제3 라인(L3)을 따라 교대로 일렬로 배치되고 있기 때문에, 용이하게 가스 공급부(7)를 구성할 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2 노즐부(71, 72)는 동일한 노즐부로 구성되기 때문에, 1개의 유닛으로서 일체적으로 가스 공급부(7)를 형성할 수 있어 조립성이 향상된다. 또한, 제1 및 제2 노즐부(71, 72)가 떨어져 배치되는 경우에 비해, 제1 및 제2 노즐부(71, 72)를 용이하게 가스 공급 라인(G1, G2)에 접속할 수 있다. 또한, 가스 공급부(7)를 배치하는 장소가 1개소에 그치기 때문에, 장치의 공간 절약화를 도모할 수 있다.

<제2 실시 형태>

도 7은, 본 발명의 제2 실시 형태에서의 증발원 유닛의 개략 평면도이며, 가스 공급부와 증발원 어레이와의 배치 관계를 나타내고 있다. 이하, 제1 실시 형태와 다른 구성에 대해 주로 설명하고, 상술의 제1 실시 형태와 유사한 구성에 대해서는 같은 부호를 교부해 그 설명을 생략 또는 간략화 한다.

본 실시 형태에서는, 증발원 유닛의 구성이 제1 실시 형태와 다르고, 보다 상세하게는, 증발원 유닛에서의 가스 공급부의 구성이, 제1 실시 형태와 다르다.

본 실시 형태의 증발원 유닛(EU2)은, 증발원 어레이(6)와, 가스 공급부(7)를 가지고, 가스 공급부(7)는, 복수의 제1 노즐부(71)와, 복수의 제2 노즐부(72)를 가진다. 제1 및 제2 노즐부(71, 72)는, 지지체(8)에 지지되는 것과 동시에, 가스 공급 라인(G1, G2)를 통해 가스 공급원에 각각 접속된다.

또한, 증발원 어레이(6)의 구성은, 제1 실시 형태와 유사하므로 그 상세한 설명은 생략한다. 제1 및 제2 노즐부(71, 72)의 구성도, 제1 실시 형태와 공통이기 때문에 그 상세한 설명은 생략하지만, 이들 제1 및 제2 노즐부(71, 72)의 배치가 제1 실시 형태와 다르다.

즉, 본 실시 형태에서, 복수의 제1 노즐부(71(71A~71E))는, 제1 라인(L1)과 평행한 제3 라인(L3) 상에 배치된다. 제1 라인(L1)과 제3 라인(L3)과의 사이에는, 높이 방향(Z축 방향)에서 볼 때, 소정의 간격(P4)이 놓여 있다.

한편, 복수의 제2 노즐부(72(72A~72F))는, 제2 라인(L2)과 평행한 제4 라인(L4) 상에 배치된다. 제4 라인(L4)은 가상적인 것이며, 제2 라인(L2) 보다 필름(13)의 반송 방향의 하류측(도 7에서 하부측)에 위치하도록 설정된다. 제4 라인(L4)은, 제3 라인(L3)과 동일한 높이 위치로 설정되어 있고, 제3 라인(L3)과 Y축 방향으로 상호 대향하고 있다. 제2 라인(L2)과 제4 라인(L4)과의 사이에는, 높이 방향(Z축 방향)에서 볼 때, 상기 간격(P4)이 놓여 있다.

도 7에 도시한 것처럼, 복수의 제1 노즐부(71(71A~71E))는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 제3 라인(L3) 상에 소정의 간격(P3)을 두고 배치되고, 제1 증발원(61(61A~61E))의 직상(直上)의 위치에 소정량의 산소 가스를 공급하는 것이 가능하게 구성된다.

한편, 복수의 제2 노즐부(72(72A~72F))는, 제4 라인(L4) 상에 상기 간격(P3)을 두고 배치되고, 제2 증발원(62(62A~62F))의 직상의 위치에 소정량의 산소 가스를 공급하는 것이 가능하게 구성된다.

이상과 같이, 복수의 제1 노즐부(71(71A~71E))의 각 가스 분출구와 복수의 제1 증발원(61(61A~61E))의 직상 위치와의 사이의 Y축 방향에 따른 거리(D1)와, 복수의 제2 노즐부(72(72A~72F))의 각 가스 분출구와 복수의 제2 증발원(62(62A~62F))의 직상 위치와의 사이의 Y축 방향에 따른 거리(D3)와는, 상호 동일해지도록 설정된다.

그리고, 본 실시 형태에서는, 복수의 제1 노즐부(71)는, 복수의 제2 노즐부(72)로부터 분출되는 산소 가스의 양과 동일한 양의 산소 가스를 분출하도록 제어된다. 이에 따라, 각 증발원(61, 62)으로부터의 증기류에 대해 균일한 양의 산소가 공급되어, 필름(13)의 폭 방향에 관해, 산화도의 균일성이 높은 산화 알류미늄 막이 형성된다.

이상과 같이, 본 실시 형태에서도 제1 실시 형태와 유사한 작용 효과를 얻을 수 있다. 즉, 본 실시 형태에 의하면, 필름의 폭 방향에서의 두께 및 투과율의 편차를 억제할 수 있다. 따라서, 막후나 투과율의 편차가 억제된 산화 알류미늄 막으로 이루어지는 가스 베리어 성 필름을 안정적으로 제조하는 것이 가능해진다.

<제3 실시 형태>

도 8은, 본 발명의 제3 실시 형태에서의 증발원 유닛의 개략 평면도이며, 가스 공급부와 증발원 어레이와의 배치 관계를 나타내고 있다. 이하, 제1 실시 형태와 다른 구성에 대해 주로 설명하고, 상술의 제1 실시 형태와 유사한 구성에 대해서는 같은 부호를 교부해 그 설명을 생략 또는 간략화 한다.

본 실시 형태의 증발원 유닛(EU3)은, 증발원 어레이(6)와, 가스 공급부(7)를 가지고, 가스 공급부(7)는, 복수의 제1 노즐부(71)와, 복수의 제2 노즐부(72)를 가진다. 제1 및 제2 노즐부(71, 72)는, 지지체(8)에 지지되는 것과 동시에, 가스 공급 라인(G1, G2)을 통해 가스 공급원에 각각 접속된다.

또한, 증발원 어레이(6)의 구성은, 제1 실시 형태와 마찬가지이기 때문에 그 상세한 설명은 생략한다. 제1 및 제2 노즐부(71, 72)의 구성도, 제1 실시 형태와 공통이기 때문에 그 상세한 설명은 생략하지만, 이들 제1 및 제2 노즐부(71, 72)의 배치가 제1 실시 형태와 다르다.

즉, 본 실시 형태에서, 복수의 제1 노즐부(71(71A~71E))는, 제2 라인(L2)과 평행한 제3 라인(L13) 상에 배치된다. 제3 라인(L13)은, 제2 라인(L2)과 냉각 롤러(4)와의 사이에 가상적으로 설정된다. 그리고, 복수의 제1 노즐부(71)는, 냉각 롤러(4)에서 봤을 때, 제2 라인(L2) 상의 복수의 제2 증발원(62(62A~62F))과 대향하지 않는 위치에 각각 배치된다.

한편, 복수의 제2 노즐부(72(72A~72F))는, 제1 라인(L1)과 평행한 제4 라인(L14) 상에 배치된다. 제4 라인(L14)은, 제1 라인(L1)과 냉각 롤러(4)와의 사이에, 제3 라인(L3)과 동일한 높이 위치에 가상적으로 설정된다. 그리고, 복수의 제2 노즐부(72)는, 냉각 롤러(4)에서 봤을 때, 제1 라인(L1) 상의 복수의 제1 증발원(61(61A~61E))과 대향하지 않는 위치에 각각 배치된다.

도 8에 도시한 것처럼, 복수의 제1 노즐부(71(71A~71E))는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 제3 라인(L13) 상에 소정의 간격(P3)을 두고 배치되어, 제1 증발원(61(61A~61E))의 직상의 위치에 소정량의 산소 가스를 공급하는 것이 가능하게 구성된다.

한편, 복수의 제2 노즐부(72(72A~72F))는, 제4 라인(L14) 상에 상기 간격(P3)을 두고 배치되고, 제2 증발원(62(62A~62F))의 직상의 위치에 소정량의 산소 가스를 공급하는 것이 가능하게 구성된다.

<제4 실시 형태>

도 10은, 본 발명의 제4 실시 형태에서의 증발원 유닛의 개략 평면도이며, 가스 공급부와 증발원 어레이와의 배치 관계를 나타내고 있다. 이하, 제1 실시 형태와 다른 구성에 대해 주로 설명하고, 상술의 제1 실시 형태와 유사한 구성에 대해서는 같은 부호를 교부해 그 설명을 생략 또는 간략화 한다.

본 실시 형태에서는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 복수의 제1 노즐부(71(71A~71E)) 및 복수의 제2 노즐부(72(72A~72F))가 제3 라인(L3) 상에 각각 배치되어 있다는 점에서 제1 실시 형태와 공통된다. 한편, 본 실시 형태의 가스 공급부(70)는, 제1 라인(L1)을 한 단위로서 복수의 제1 노즐부(71)로부터 분출되는 가스(산소)의 양을 제어함과 동시에, 제2 라인(L2)을 한 단위로서 복수의 제2 노즐부(72)로부터 분출되는 가스(산소)의 양을 제어하도록 구성되어 있다는 점에서, 제1 실시 형태와 다르다.

각 증발원(61(61A~61E), 62(62A~62F))으로부터 생성되는 증기의 양은 균일한 경우로 한정되지 않고, 증발원(61, 62) 중 일부의 증발원이 타 증발원과 증기의 생성량이 다른 경우가 있다. 후자의 경우, 각 노즐부(71, 72)로부터 분출되는 가스의 양이 동일하면, 상기 일부의 증발원으로부터 생성되는 증기류의 산화도가, 타 증발원으로부터 생성되는 증기류의 산화도와 다르게 된다. 이렇게 되면, 필름의 폭 방향에서의 막후 및 투과율의 편차를 억제하는 것이 곤란해진다.

그래서, 본 실시 형태에서는, 도 10에 도시한 바와 같이, 제1 및 제2 노즐부(71A~71E, 72A~72F)에 접속되는 가스 공급 라인(G3)의 지관에 대해, MFC 및 개폐 밸브를 포함하는 유량 조정부(V)가 개개로 설치되고 있다. 이에 따라, 각 노즐부(71, 72)로부터 분출되는 가스의 양을 각각 개별적으로 제어하는 것이 가능해지고, 라인(L1, L2) 단위로 최적한 양의 가스를 각 증발원(61, 62)에 공급하는 것이 가능해진다. 각 유량 조정부(V)의 제어는, 전형적으로는, 컨트롤러(18)(도 1)로부터의 제어 지령에 근거해, 가스 공급부(70)에 의해 수행된다.

각 증발원에서의 증기량의 편차의 원인으로서, 감과로의 투입 전력의 편차, 감과 내의 증발 재료의 양의 편차 등을 들 수 있다. 본 실시 형태에서, 노즐부(71, 72)로부터 분출되는 가스의 양을 각 증발원(61, 62)의 라인 단위로 하는 이유는, 각 노즐부(71, 72)와 각 증발원(61, 62)과의 사이의 거리(원(遠)/근(近))와 같은 일차원 양의 상이(相違) 때문이다. 이에 더해, 증발원 마다의 증기량의 상이가 생기는 경우는, 상기 거리의 상이 뿐만이 아니라, 증발원 마다의 증기량의 비율을 중첩시킨다(단, 예를 들면, ±5% 정도의 다소의 편차가 있어도 무방하다). 이에 따라, 증발원 단위로, 나아가서는 라인(L1. L2) 단위로, 가스량의 최적화를 도모할 수 있고, 따라서 필름의 폭 방향에서의 막후 및 투과율의 편차가 효과적으로 억제된다.

각 증발원에서의 증기량의 편차는, 예를 들면, 사전의 예비 성막 공정에서 확인할 수 있다. 예비 성막 처리는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 노즐부(71, 72)로부터의 가스 공급을 정지시킨 상태에서 필름 등의 적절한 샘플에 성막 처리를 실시 함으로써, 상기 샘플 상에서의 막후 분포를 조정한다(예를 들면, ±5% 이내). 그 다음에 노즐부(71, 72)로부터 가스(산소)를 공급하여, 막의 투과율 분포를 가스의 분출량으로 조정한다. 상기 처리가 라인(L1, L2) 단위로 실시 됨으로써, 라인 단위에서의 공급 가스량의 최적화를 도모할 수 있다.

<변형 예>

이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 상술의 실시 형태로만 한정되는 것은 아니고 여러 가지 변경을 더할 수 있음은 물론이다.

예를 들면, 이상의 각 실시 형태에서는, 복수의 제1 및 제2 노즐부(71, 72)가, 각각 독립된 단일의 노즐부로 구성되었지만, 예를 들면, 도 9에 도시한 것처럼, 2개 이상의 노즐부가 상호 일체적으로 설치되어도 무방하다.

도 9는, 본 발명의 변형 예에서의 가스 공급부(57)와 증발원 어레이(6)의 배치의 일부를 확대해 나타내는 개략 평면도이다.

가스 공급부(57)는, 복수의 제1 노즐부(571)와, 복수의 제2 노즐부(572)를 가진다. 본 변형 예에서, 복수의 제1 및 제2 노즐부(571, 572)는, 가스 배관(570)에 형성된 관통 구멍(도면 중, 대략 원형의 검은 동그라미로 나타낸다)에 의해 구성된다. 가스 배관(570)은 장척(長尺)의 원통형이며, 내부에 산소를 통과시키기 위한 통로부를 가진다. 다만, 가스 배관(570)의 형상은 이에 한정되지 않고, 예를 들면, 사각기둥 형상 등, 임의의 형상의 가스 배관을 이용할 수 있다. 또한, 가스 배관(570)에는, 진공 챔버(9)의 외부에 설치된 도시하지 않은 가스 봄베 등의 가스 공급원이 접속된다. 상기 가스 공급원으로부터 공급된 산소 가스는, 가스 배관을 지나 복수의 제1 및 제2 노즐부(571, 572)로부터 분출된다.

복수의 제1 노즐부(571)는, 같은 크기 및 형상의 2개의 관통 구멍을 각각 가진다. 상기 2개의 관통 구멍은, 가스 배관(570)의 주면의 일부에 X축 방향을 따라 설치되어, 제1 증발원(61(61A, 61B))의 직상(直上)에 산소 가스를 공급한다. 한편, 복수의 제2 노즐부(572)는, 복수의 제1 노즐부(571)의 관통 구멍과 같은 크기 및 형상의 3개의 관통 구멍을 각각 가진다. 상기 3개의 관통 구멍은, 가스 배관(570)의 주면의 일부에 X축 방향을 따라 설치되어, 제2 증발원(62(62A, 62B))의 직상에 산소 가스를 공급한다.

본 변형 예에서, 복수의 제1 노즐부(571)의 관통 구멍의 수는, 복수의 제2 노즐부(572)의 관통 구멍의 수보다 많다. 따라서, 복수의 제1 노즐부(571)로부터 분출되는 가스의 양은, 복수의 제2 노즐부(572)로부터 분출되는 가스의 양 보다 많아진다. 이에 따라, 가스 배관(570)의 근처를 흐르는 제1 증발원(61A, 61B)으로부터의 증기류와, 가스 배관(570)으로부터 이간해 흐르는 제2 증발원(62A, 62B)으로부터의 증기류에 대해, 각각 대략 균일한 양의 산소 가스를 공급하는 것이 가능해진다.

또한, 본 변형 예에서는, 관통 구멍의 수를 변경 함으로써, 복수의 제1 및 제2 노즐부(571, 572)로부터 분출되는 가스의 양을 조정했지만, 이에 한정되지 않는다. 관통 구멍의 수 뿐만 아니라, 크기나 형상을 변경 함으로써, 복수의 제1 및 제2 노즐부(571, 572)로부터 분출되는 가스의 양을 조정하는 것도 가능하다.

<변형 예 2>

상기 각 실시 형태에서, 가스 공급부(7) 중 필름 폭 방향(X축 방향)의 양단에 있는 제2 노즐부(72A, 72F)에 다른 가스 공급 라인을 설치해도 무방하고, 혹은, 제2 노즐부(72A, 72F)가 가지는 관통 구멍의 수나 면적을 늘려도 무방하다. 이 경우, 제2 노즐부(72A, 72F)는, 그 이외의 제2 노즐부(72B~72E)로부터 분출되는 가스의 양 보다 많은 가스를 분출하도록 구성된다. 이하, 제1 실시 형태(도 3)의 경우에 대해 설명한다.

제2 노즐부(72B~72E)에는, 인접하는 노즐부가 각각 2개 있다(예를 들면, 제2 노즐부(72B)에는, 제2 노즐부(71A, 71B)가 인접하고 있다). 한편, 제2 노즐부(72A, 72F)에는, 인접하는 노즐부가 1개 밖에 없다(예를 들면, 제2 노즐부(72A)에는, 제2 노즐부(71A) 만이 인접하고 있다).

제2 노즐부(72)는, 각각 대응하는 증발원(62)의 직상을 향해 산소 가스를 방출하지만, 상기 방출된 산소의 일부가, 대응하는 증발원(62)에 인접하는 증발원으로부터의 증기류에 접촉하는 경우가 있다. 예를 들면, 제2 노즐부(72B)로부터는 증발원(62B)의 직상을 향해 산소 가스가 방출되지만, 상기 산소 가스가, 증발원(62B)에 인접하는 증발원(61A 또는 61B)으로부터의 증기류와 접촉하는 경우가 있다.

인접하는 노즐부가 1개 만인 경우, 상기 1개의 노즐부로부터 분출된 산소 가스의 일부가 대응하는 증발원으로부터의 증기류에 접촉한다. 한편, 인접하는 노즐부가 2개 있는 경우, 상기 2개의 노즐부로부터 분출된 산소 가스의 일부가 대응하는 증발원으로부터의 증기류에 접촉한다. 따라서, 제1 증발원(61A, 61F)으로부터의 증기류에 접촉하는 산소 가스의 양 보다, 제2 증발원(62B~62E)으로부터의 증기류에 접촉하는 산소 가스의 양이 많은 경우가 있다.

제2 노즐부(72A, 72F)로부터 분출되는 산소 가스의 양을, 제2 노즐부(72B~72E)로부터 분출되는 산소 가스의 양 보다 많게 함으로써, 제1 및 제2 증발원(61, 62)으로부터의 증기류와 반응하는 산소 가스의 양의 X축 방향에서의 편차를 보다 억제할 수 있다. 이에 따라, 형성되는 막의 X축 방향에서의 투과율의 편차를 보다 억제할 수 있다.

<그 외의 변형 예>

상기 각 실시 형태에서는, 증발 재료로서 알루미늄을 이용했지만, 이에 한정되지 않는다. 그 외의 증발 재료로서, 마그네슘, 크롬, 철, 니켈, 구리, 아연, 인듐(indium), 주석, 티탄 혹은 납 등의 금속, 혹은 이러한 금속과 규소 등의 반금속과의 합금, 혹은 이들의 산화물, 탄화물, 혹은 질화물 등의 금속 화합물, 또는 이들의 혼합물을 이용할 수 있다.

상기 각 실시 형태에서는, 복수의 제1 증발원(61)의 수를 5개, 복수의 제2 증발원(62)의 수를 6개로 했지만, 이에 한정되지 않는다. 복수의 제1 증발원(61)의 수가, 복수의 제2 증발원(62)의 수 보다 1개 적든지, 같거나, 1개 많은 한, 제1 및 제2 증발원(61, 62)의 천조(天鳥) 배열을 실현할 수 있다.

또한, 상기 각 실시 형태에서는, 유도 가열 방식에 의해 증발 재료를 증발시켰지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 저항 가열 방식, 전자빔 가열 방식 등, 각종의 가열 방식을 이용할 수 있다.

또한, 상기 각 실시 형태에서는, 증발원을 2열(제1 라인(L1) 및 제2 라인(L2))로 배치했지만, 이에 한정되지 않는다. 증발원의 크기나 증발원 간의 간격 및 개구부(14)의 크기 등을 조정 함으로써, 증발원을 3열 이상으로 배치할 수도 있다.

또한, 상기 각 실시 형태에서는, 각 노즐부로부터 분출되는 가스를 산소로 했지만, 이에 한정되지 않는다. 증발 재료와 반응하는 반응성 가스이면 무방하고, 예를 들면, 질소나, 산소와 질소의 혼합 가스를 이용할 수 있다. 또한, 아르곤 등의 희가스를 이들 가스에 혼합해도 무방하다.

또한, 상기 각 실시 형태에서는, 복수의 제1 노즐부(71)의 수와 복수의 제1 증발원(61)의 수가 같고, 복수의 제2 노즐부(72)의 수와 복수의 제2 증발원(62)의 수는 같았지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 1개의 증발원에 대해 2개의 노즐부를 할당해도 무방하고, 복수의 제1 증발원(61)과 복수의 제2 증발원(62)에, 다른 수의 노즐부를 각각 할당해도 무방하다.

또한, 상기 각 실시 형태에서는, 제1 및 제2 노즐부(71, 72)의 분출구는 Y축 방향을 향하게 되지만, 각 증발원으로부터의 증기류에 대해 적절히 산소를 공급할 수 있으면, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, Y축 방향에 대해, 냉각 롤러(4)측 혹은 증발원 어레이(6)측에 비스듬하게 경사지는 방향으로 가스가 분출되어도 무방하다. 또한, 분출 구멍의 크기 및 형상은 각 노즐로 동일하지만, 소망하는 산소의 공급량에 따라 적절히 설정 가능하다.

또한, 상기 각 실시 형태에서는, 제1 라인(L1)이 제2 라인(L2) 보다 필름(13)의 반송 방향에 관해 상류측에 위치하는 것으로 했지만, 제1 라인(L1)이 제2 라인(L2) 보다 하류측에 위치해도 무방하다. 다만, 이 경우, 제3 라인(L3)은 제1 라인(L1) 보다 하류측에 위치하고, 제4 라인(L4)은, 제2 라인(L2) 보다 상류측에 위치한다.

또한, 이상의 실시 형태에서는, 증발원 유닛(EU)으로서, 권취식 성막 장치에서의 증발원으로서 구성되었지만, 이에 한정되지 않고, 예를 들면, 유리 기판이나 반도체 기판 등의 피처리 기판을 진공 증착법에 따라 통과 성막 혹은 정지 성막하기 위한 증발원으로서 구성되어도 무방하다.

본 발명에 의하면, 필름의 폭 방향에서의 막후 및 투과율의 편차가 억제된 산화 알류미늄 막 증착 필름을 제공할 수 있다. 이러한 산화 알류미늄 막 증착 필름은, 수증기나 이산화탄소 등의 각종 가스의 차폐를 필요로 하는 물품을 포장하는 포장용 필름으로서 유용하다. 예를 들면, 음식품, 의약품, 화장품, 화학품, 또는 전자 부품 등의 물품을 포장하는 포장용 필름으로서 이러한 산화 알류미늄 막 증착 필름을 이용할 수 있다.

1 … 권취식 성막 장치
2 … 권출 롤러
3 … 권취 롤러
4 … 냉각 롤러
6 … 증발원 어레이
61 … 복수의 제1 증발원
62 … 복수의 제2 증발원
7, 57, 70 … 가스 공급부
71, 571 … 복수의 제1 노즐부
72, 572 … 복수의 제2 노즐부
8 … 지지체
EU1, EU2, EU3 … 증발원 유닛
9 … 진공 챔버
13 … 필름
14 … 개구부
18 … 컨트롤러
L1 … 제1 라인
L2 … 제2 라인
L3, L13 … 제3 라인
L4, L14 … 제4 라인

Claims

필름을 권출(卷出)하는 권출 롤러와,
상기 권출 롤러로부터 권출된 상기 필름을 권취(卷取)하는 권취 롤러와,
상기 필름의 반송 방향에서 상기 권출 롤러와 상기 권취 롤러와의 사이에 배치되어, 상기 필름을 냉각하는 냉각 롤러와,
상기 냉각 롤러의 축 방향과 평행한 제1 라인 상에 소정의 간격을 두고 배치되고, 증발 재료로서 금속 재료의 증기류를 생성하는 복수의 제1 증발원과, 상기 제1 라인 보다 상기 필름의 반송 방향의 하류측에 설정되어 상기 제1 라인과 평행한 제2 라인 상에 상기 복수의 제1 증발원과 반 피치 엇갈려 상기 소정의 간격을 두고 배치되고, 상기 금속 재료의 증기류를 생성하는 복수의 제2 증발원을 가지는 증발원 어레이와,
상기 복수의 제1 증발원에 대응하는 수를 가지고, 상기 복수의 제1 증발원으로부터의 증기류를 향해 상기 금속 재료와 반응하는 반응성 가스를 분출하는 복수의 제1 노즐부와, 상기 복수의 제2 증발원에 대응하는 수를 가지고, 상기 복수의 제2 증발원으로부터의 증기류를 향해 상기 반응성 가스를 분출하는 복수의 제2 노즐부와, 상기 복수의 제1 및 제2 노즐부 각각의 노즐부에 대응해서 설치된 복수의 유량 제어 밸브를 가지고, 상기 증발원 어레이와 상기 냉각 롤러와의 사이에 배치된 가스 공급부와,
상기 복수의 유량 제어 밸브를 개별적으로 제어하는 컨트롤러
를 구비하는 권취식 성막 장치.
제1항에 있어서,
상기 컨트롤러는, 상기 복수의 제1 및 제2 증발원 각각의 증발원에서 생성되는 증기류와 상기 반응성 가스와의 반응 정도가 균일해지도록, 상기 복수의 유량 제어 밸브를 개별적으로 제어하는
권취식 성막 장치.
제1항에 있어서,
상기 복수의 제1 노즐부 및 상기 복수의 제2 노즐부는, 상기 제1 라인 보다 상기 필름의 반송 방향의 상류측에 설정되어, 상기 제1 라인과 평행한 제3 라인 상에 교대로 배치되는
권취식 성막 장치.
제3항에 있어서,
상기 복수의 제2 노즐부는, 상기 복수의 제1 노즐부로부터 분출되는 상기 반응성 가스의 양 보다 많은 상기 반응성 가스를 분출하도록 구성되는
권취식 성막 장치.
제4항에 있어서,
상기 제2 노즐부는, 상기 제1 노즐부와는 상기 반응성 가스의 분출량이 다른 노즐 구조를 가지는
권취식 성막 장치.
제1항에 있어서,
상기 복수의 제1 노즐부는, 상기 제1 라인 보다 상기 필름의 반송 방향의 상류측에 설정되어 상기 제1 라인과 평행한 제3 라인 상에 배치되고,
상기 복수의 제2 노즐부는, 상기 제2 라인 보다 상기 필름의 반송 방향의 하류측에 설정되어 상기 제2 라인과 평행한 제4 라인 상에 배치되는
권취식 성막 장치.
제1항에 있어서,
상기 복수의 제1 노즐부는, 상기 제2 라인과 상기 냉각 롤러와의 사이에 설정되어 상기 제2 라인과 평행한 제3 라인 상에서, 상기 냉각 롤러로부터 보았을 때에 상기 복수의 제2 증발원과 대향하지 않는 위치에 각각 배치되고,
상기 복수의 제2 노즐부는, 상기 제1 라인과 상기 냉각 롤러와의 사이에 설정되어 상기 제1 라인과 평행한 제4 라인 상에 있어서, 상기 냉각 롤러로부터 보았을 때에 상기 복수의 제1 증발원과 대향하지 않는 위치에 각각 배치되는
권취식 성막 장치.
제6항에 있어서,
상기 복수의 제1 노즐부는, 상기 복수의 제2 노즐부로부터 분출되는 상기 반응성 가스의 양과 동일한 양의 상기 반응성 가스를 분출하도록 구성되는
권취식 성막 장치.
제4항에 있어서,
상기 증발원 어레이 중 상기 냉각 롤러의 축 방향의 양단의 증발원은 제2 증발원이고,
상기 복수의 제2 노즐부 중 상기 냉각 롤러의 축 방향의 양단에 있는 노즐부는, 그 이외의 상기 복수의 제2 노즐부로부터 분출되는 상기 반응성 가스의 양 보다 많은 상기 반응성 가스를 분출하도록 구성되는
권취식 성막 장치.
제1항에 있어서,
상기 컨트롤러는, 상기 제1 라인을 한 단위로서 상기 복수의 제1 노즐부로부터 분출되는 상기 반응성 가스의 양을 제어하고, 상기 제2 라인을 한 단위로서 상기 복수의 제2 노즐부로부터 분출되는 상기 반응성 가스의 양을 제어하도록 구성되는
권취식 성막 장치.
제1항에 있어서,
상기 가스 공급부는, 상기 복수의 제1 노즐부 및 상기 복수의 제2 노즐부를 지지하고, 상기 증기류가 통과하는 개구부를 가지는 지지체를 더 가지는
권취식 성막 장치.
제11항에 있어서,
상기 지지체는, 상기 냉각 롤러에 근접해 배치되고,
상기 개구부는, 상기 필름의 성막 영역을 규정하는
권취식 성막 장치.
제1항에 기재된 권취식 성막 장치를 이용한 권취식 성막 방법에 있어서,
복수의 제1 및 제2 증발원 각각에서 생성되는 증기류의 증기량의 편차를 측정하는 단계와,
상기 증기량의 편차에 근거해, 복수의 유량 제어 밸브를 개별적으로 제어하는 단계, 및
상기 복수의 제1 및 제2 증발원이 보지(保持)하는 금속 재료를 증발시켜, 각 증발원으로부터의 증기류에 가스 공급부로부터 반응성 가스를 분출하고, 상기 증기류와 상기 반응성 가스와의 반응 생성물을 냉각 롤러 상의 필름에 퇴적시키는 단계
를 포함하는 권취식 성막 방법.
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