KR900019219A - 빔 디포지션법 및 이를 실시하기 위한 장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

빔 디포지션법 및 이를 실시하기 위한 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일 실시예의 장치 구성도이고, 제2도는 본 발명의 다른 실시예의 장치 구성도이다. 제3도는 본 발명의 일실예에 의한 제조방법의 과정도이다.

Claims (16)

  1. 금속 또는 세라믹스로 되는 기판상에 빔 디포지션에 의해 박막을 성장시키는 방법으로서, 원료가스부터 상기 기판상에 형성시킬 원소 또는 이의 화합물의 이온을 만드는 공정(Ⅰ), 상기 공정(Ⅰ)에서 만들어진 이온에 전자파를 조사하여 해 이온의 적어도 일종을 전자적으로 여기하는 공정(Ⅱ), 및 상기 공정(Ⅱ)에서 여기된 이온을 포함한 이온 빔을 상기 기판에 조사하여 기판상에 석출시켜 막성장 시키는 공정(Ⅲ)을 구비한 것을 특징으로 하는 빔 디포지션법.
  2. 금속 또는 세라믹스로 되는 기판상에 빔 디포지션에 의해 박막을 성장시키는 방법으로서, 원료가스부터 상기 기판상에 형성시킬 원소 또는 이의 화합물의 이온을 만드는 공정(Ⅰ), 상기 공정(Ⅰ)로 만들어진 이온부터 특정의 이온을 전계 혹은/ 및 자계의 작용에 의해 질량분리하고, 해 특정의 이온에 전자파를 조사하여 전자적으로 여기하는 공정(Ⅱ), 및 상기 공정(Ⅱ)으로 여기된 이온의 빔을 상기 기판에 조사하여 해 기판상에 석출시켜서 막성장 시키는 공정(Ⅲ)을 구비한 것을 특징으로 하는 빔 디포지션법.
  3. 금속 되는 세라믹스로 되는 기판상에 빔 디포지션에 의해 박막을 성장시키는 방법으로서, 원료가스부터 상기 기판상에 형성시켜야할 원소 또는 이의 화합물의 이온을 만드는 공정(Ⅰ), 상기 공정(Ⅰ)으로 만들어진 이온을 전자와 재결합 또는 기체분자와 전하교환시키는 것에 의해 중성화하고, 해 중성화된 입자에 전자파를 조사하여 적어도 일종의 입자를 전자적으로 여기하는 공정(Ⅱ) 및 상기 공정(Ⅱ)로 여기된 입자를 포함하는 입자빔을 상기 기판에 조사하여 기판상에 석출시켜 막 성장시키는 공정(Ⅲ)을 구비한 것을 특징으로 하는 빔 디포지션법.
  4. 금속 혹은 세라믹스에 의해 되는 기판상에 빔 디포지션에 의해 박막을 성장시키는 방법으로서, 원료가스부터 상기 기판상에 형성시킬 원소 또는 이의 화합물의 이온을 만드는 공정(Ⅰ), 상기 공정(Ⅰ)로 만들어진 이온부터 특정의 이온을 전계 또는/ 및 자계의 작용에 의해 질량분리하고, 해 특정의 이온을 전자와 재결합 또는 기체분자와 하전교환시키는 것에 의해 중성화하고, 해중성환된 입자에 전자파를 조사하여 전자적으로 여기하는 공정(Ⅱ) 및 상기공정(Ⅱ)로 여기된 입자의 빔을 상기 기판에 조사하여 기판상에 석출시켜 막성장 시키는 공정(Ⅲ)을 구비한 것을 특징으로 하는 빔 디포지션법.
  5. 금속 혹은 세라믹스로 되는 기판상에 빔 디포지션에 의해 박막을 성장시키는 방법으로서, 원료가스로부터 상기 기판상에 형성시켜 원소 또는 이의 화합물의 이온을 만드는 공정(Ⅰ), 상기 공정(Ⅰ)로 만들어진 이온을 전자와 재결합 또는 기체분자와 전화 교환시키는 것에 의해 중성화하고, 중성화 하지 않은 입자를 전장 또는 자장에 의해 편향시켜서 분리하고, 중성화한 입자에 전자파를 조사하여 적어도 일종의 입자를 전자적으로 여기하는 공정(Ⅱ) 및 상기 공정(Ⅱ)로 여기된 입자를 함유하는 입자 빔을 상기 기판에 조사하여 기판상에 석출시켜 막성장 시키는 공정(Ⅲ)을 구비한 것을 특징으로 하는 빔 디포지션법.
  6. 금속 혹은 세라믹스로 되는 기판상에 빔 디포지션에 의해 박막을 성장시키는 방법으로서, 원료가스로부터 상기 기판상에 형설시킬 원소 또는 이의 화합물의 이온을 만드는 공정(Ⅰ), 상기 공정(Ⅰ)로 만들어진 이온부터 특정의 이온을 전계 또는/ 및 자계의 작용에 의해 질량분리하고, 해특정의 이온을 전자와 재결합 또는 기체 분자와 하전교환시키는 것에 의해 중성화하고, 중성화되지 않은 입자를 전장 또는 자장에 의해 편향시켜서, 분리하고, 중성화한 입자에 전자파를 조사하여 전자적으로 여기하는 공정(Ⅱ) 및 상기 공정(Ⅱ)로 여기된 입자의 빔을 상기 기판에 조사하여 기판상에 석출시켜 막 성장시키는 공정(Ⅲ)을 구비한 것을 특징으로 하는 빔 디포지션법.
  7. 실리콘 기판상에 빔 디포지션에 의해 실리콘 결정막을 성장시키는 방법으로서, SiH4로 되는 원료가스로부터 실리콘 또는 실리콘 화합물의 이온을 만드는 공정(Ⅰ), 상기공정(Ⅰ)로 만들어진 이온에 SiH2 +의 흡수선과 일치 하는 파장의 전자파를 조사하고 해 SiH2 +를 전자적으로 여기하는 공정(Ⅱ), 및 상기공정(Ⅱ)으로 여기된 SiH2 +을 함유하는 이온빔을 상기 기판에 조사하여 기판상에 실리콘 결정을 석출시키는 공정(Ⅲ)을 구비한 것을 특징으로 하는 빔 디포지션법.
  8. 실리콘 기판상에 빔 디포지션에 의해 실리콘 결정막을 성장시키는 방법에 있어서, SiH4로 되는 원료가스로부터 실리콘 또는 실리콘 화합물의 이온을 만드는 공정(Ⅰ), 상기 공정(Ⅰ)으로 만들어진 이온중에서 SiH2 +를 전계/ 및 자계의 작용에 의해 질량분리하고, 해 이온에 SiH2 +의 흡수선과 일치하는 파장의 전자파를 조사하여 해 SiH2 +를 전자적으로 여기하는 공정(Ⅱ), 및 상기 공정(Ⅱ) 으로 여기된 SiH2 +을 함유하는 이온빔을 상기 기판에 조사하여 기판상에 실리콘 결정을 석출시키는 공정(Ⅲ)을 구비한 것을 특징으로 하는 빔 디포지션법.
  9. 실리콘 기판상에 빔 디포지션에 의해 실리콘 결정막을 성장시키는 방법으로서, SiH4로 되는 원료가스로부터 실리콘 또는 실리콘 화합물의 이온을 만드는 공정(Ⅰ), 상기 공정(Ⅰ)로 만들어진 이온을 전자와 재결합 또는 기체분자와 전하교환시켜서 중성화하고, 해 중성입자 중에서 SiH2의 흡수선과 일치하는 파장의 전자파를 조사하여 해 SiH2입자를 전자적으로 여기는 공정(Ⅱ), 및 상기 공정(Ⅱ)에서 여기된 SiH2을 함유하는 입자빔을 상기 기판에 조사하여 기판상에 실리콘 결정을 석출시키는 공정(Ⅲ)을 구비한 것을 특징으로 하는 빔 디포지션법.
  10. 실리콘 기판상에 빔 디포지션에 의해 실리콘 결정막을 성장시키는 방법으로서, SiH4로 되는 원료가스로부터 실리콘 또는 화합물의 이온을 만드는 공정(Ⅰ), 상기 공정(Ⅰ)로 만들어진 이온중에서 SiH2 +를 전해 또는/및 자계의 작용에 의해 질량분리하고, 해 SIH2 +을 전자와 새결합 또는 기체분자와 전하교환시켜서 중성화하고, 중성화한 SiH2을 전자파 조사에 의해 전자적으로 여기하는 공정(Ⅱ) 및 상기 공정(Ⅱ)로 여기된 SiH2의 빔을 상기 기판에 조사하여 기판상에 실리콘 단결정을 석출시키는 공정(Ⅲ)을 구비한 것을 특징으로 하는 빔 디포지션법.
  11. 실리콘 기판상에 빔 디포지션에 의해 실리콘 결정막과 비정질막을 교호로 성장시키는 방법으로서, SiH4로 되는 원료가스부터 실리콘 또는 실리콘 화합물의 이온을 만드는 공정(Ⅰ), 상기 공정(Ⅰ)로 만들어진 이온중에서 SiH2 +와 SiH3 +을 전계 또는/ 및 자게의 작용에 의해 각각 질량분리하고, 전자와 재결합 또는 기체분자와 전하교환 시켜서 각각 중성화한 후 전자파를 조사하여 SiH2와 SiH3을 각각 전자적으로 여기하는 공정(Ⅱ) 및 상기 공정(Ⅱ)으로 여기된 SiH2빔과 SiH3빔을 실리콘 기판상에 교호로 조사하여 실리콘 결정막과 실리콘 비정결막을 교호로 성장시키는 공정(Ⅲ)을 구비한 것을 특징으로 하는 빔 디포지션법.
  12. 금속 또는 세라믹스에 의해 되는 기판상에 빔 디포지션에 의해 박막을 성정시키기 위한 빔디포지션 장치로서, 상기 기판상에 형성되어야할 원소를 함유하는 원료가스를 이온화하는 이온화부와, 해 이온화부에서 만들어진 이온을 전자여기 상태로 하기 위한 전자파 조사부와를, 상기 기판이 설치된 진공계내에 구비한 것을 특징으로 하는 빔 디포지션 장치.
  13. 금속 또는 세라믹스로 되는 기판상에 빔 디포지션에 의해 박막을 성장시키기 위한 빔 디포지션 장치로서, 상기 기판상에 형성시켜야할 원소를 함유한 원료가스를 이온화하는 이온화부와, 해 이온화부에서 만들어진 이온을 중성화하기 위해서 전자와 재결합 또는 기체분자와 전화교환시키는 중성화부와, 해 중성화부에서 중성화된 입자를 전자여기 상태로 하기한 전자파 조사부와를, 상기 기판이 설치된 진공계내에 구비한것을 특징으로 하는 빔 디포지션 장치.
  14. 금속 또는 세라믹스로 되는 기판상에 빔 디포지션에 의해 비막을 성장시키기 위한 빔 디포지션 장치에서, 상기 기판상에 형성되어야 할 원소를 함유하는 원료가스를 이온화하는 이온화부와, 해 이온화부에서 만든 이온중에서 특정의 이온을 분리하기 위해서 전계 또는/및 자계를 작용시키는 질량분리부와, 해 이온화부에서 질량분리된 특정의 이온을 전자 여기상태로 하기 위한 전자파 조사부와를 상기 기판이 설치된 진공계내에 구비한 것을 특징으로 하는 빔 디포지션 장치.
  15. 금속 또는 세라믹스로 되는 기판상에 빔 디포지션에 의해 막막을 성장키시기 위한 빔 디포지션 장치로서, 상기 기판상에 형성시킬 원소를 함유한 원료가스를 이온화 하는 이온화부와, 해 이온화부에서 만들어진 이온중에서 특정의 이온을 분리하기 위해 전계 또는/및 자계를 작용시키는 질량분리부와, 해 질량분리부에서 분리된 특정의 이온을 중성화하기 위해서 전자와 재결합 또는 기체분자와 전하교환시키는 중성화부와, 해 중성화부에서 중성화한 입자를 전자여기 상태로 하기 위한 전자파 조사부와를, 상기 기판이 설치된 진공계내에 구비한 것을 특징으로 하는 빔 디포지션장치.
  16. 금속 또는 세라믹스로 되는 기판상에 빔 디포지션에 의해 박막을 성장시키기 위한 빔 디포지션 장치로서, 상기 기판상에 형성시킬 원소를 함유한 원료가스를 이온화하는 이온화부, 해 이온화부에서 이온화된 이온을 질량분리실에 수송하는 경로, 수송된 상기 이온중에서 박막화 할려는 특정의 성분의 이온과 다른 이온과를 전계 혹은 자계에 의해 질량분리 하는 상기 질량분리실, 상기 질량분리된 특정의 이온을 중화실에 수송하는 경로, 해특정의 이온을 해 중화실에 수송하는 경로에 설치된 이온 에너지의 감속전극에 이어서 감속시에 이온속이 발산하는 것을 저지하는 수속전극, 감속된 이온속을 전자와 재결합 또는 기체분자와 전하교환시켜서 중화하는 전기 중화실, 해중화실에서 중성화된 입자속을 성장실에 수송하는 경로, 해 성장실에 수송하는 경로에 설치된 중성화 되지 않은 입자의 편향관, 상기 성장실에 들어간 상기 중성화된 입자속이 해 성장실내의 기판에 조사되기 전에 해 입자가 전자파를 조사하는 전자여기 수단, 및 상기 중성화된 입자를 퇴적하는 기판을 구비한 상기 성장실, 을 구비한 것을 특징으로 하는 빔 디포지션 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100830015B1 (ko) * 2000-10-31 2008-05-15 에스아이아이 나노 테크놀로지 가부시키가이샤 빔 형상의 막 패턴 형성방법

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5637188A (en) * 1995-02-17 1997-06-10 Colorado Seminary Processing substrates with a photon-enhanced neutral beam
CA2147198A1 (en) * 1995-04-18 1996-10-19 Chettypalayam R. Selvakumar Low temperature ion-beam assisted deposition method for realizing sige/si heterostructures
JP3664033B2 (ja) * 2000-03-29 2005-06-22 セイコーエプソン株式会社 セラミックスの製造方法およびその製造装置
JP4674777B2 (ja) * 2000-08-25 2011-04-20 株式会社アルバック 炭化ケイ素膜の形成方法
US6723476B2 (en) * 2001-08-01 2004-04-20 Micron Technology, Inc. Methods of patterning materials; and photomasks
GB2384008B (en) * 2001-12-12 2005-07-20 Electrovac Method of synthesising carbon nano tubes
KR100612868B1 (ko) * 2004-11-08 2006-08-14 삼성전자주식회사 실리콘 필름 제조방법
US8252112B2 (en) * 2008-09-12 2012-08-28 Ovshinsky Innovation, Llc High speed thin film deposition via pre-selected intermediate
FR2965697B1 (fr) * 2010-09-30 2014-01-03 Astrium Sas Procede et dispositif pour la formation d'un faisceau plasma.
JP6180924B2 (ja) * 2013-12-26 2017-08-16 東京エレクトロン株式会社 熱流束測定方法、基板処理システム及び熱流束測定用部材
JP6588345B2 (ja) 2016-01-18 2019-10-09 株式会社 資生堂 油中水型乳化化粧料

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3847115A (en) * 1973-05-02 1974-11-12 Nasa System for depositing thin films
JPS523583A (en) * 1975-06-27 1977-01-12 Toshinori Takagi Crystal film forming process
JPS5617083A (en) * 1979-07-20 1981-02-18 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacture
JPS5937585B2 (ja) * 1979-07-26 1984-09-11 日本電信電話株式会社 相補性ｍｉｓ論理回路
JPS5628500A (en) * 1979-08-15 1981-03-20 Hitachi Ltd Neutral particle beam source
JPS57171660A (en) * 1981-04-15 1982-10-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and device for vacuum deposition
US4443488A (en) * 1981-10-19 1984-04-17 Spire Corporation Plasma ion deposition process
US4483725A (en) * 1982-09-30 1984-11-20 At&T Bell Laboratories Reactive vapor deposition of multiconstituent material
DE3331707A1 (de) * 1983-09-02 1985-03-21 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren und vorrichtung zum reaktiven aufstaeuben von verbindungen von metallen und halbleitern
US4508609A (en) * 1983-09-26 1985-04-02 Exxon Research & Engineering Co. Method for sputtering a PIN microcrystalline/amorphous silicon semiconductor device with the P and N-layers sputtered from boron and phosphorous heavily doped targets
JPS6132415A (ja) * 1984-07-24 1986-02-15 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
JPH062953B2 (ja) * 1985-08-20 1994-01-12 松下電器産業株式会社 薄膜形成装置
JPH07110995B2 (ja) * 1985-04-16 1995-11-29 松下電器産業株式会社 薄膜形成方法および薄膜形成装置
JPS62108525A (ja) * 1985-11-06 1987-05-19 Hitachi Ltd 表面処理方法およびその装置
JPH07100866B2 (ja) * 1986-04-10 1995-11-01 三菱電機株式会社 薄膜形成装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100830015B1 (ko) * 2000-10-31 2008-05-15 에스아이아이 나노 테크놀로지 가부시키가이샤 빔 형상의 막 패턴 형성방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP0399470A3 (en) 1991-07-24
DE69022114T2 (de) 1996-02-15
KR0164843B1 (ko) 1999-01-15
EP0399470B1 (en) 1995-09-06
DE69022114D1 (de) 1995-10-12
EP0399470A2 (en) 1990-11-28
JPH0380531A (ja) 1991-04-05
US5192393A (en) 1993-03-09

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