JPS58116701A - 正特性磁気半導体の電極の形成方法 - Google Patents
正特性磁気半導体の電極の形成方法Info
- Publication number
- JPS58116701A JPS58116701A JP21276581A JP21276581A JPS58116701A JP S58116701 A JPS58116701 A JP S58116701A JP 21276581 A JP21276581 A JP 21276581A JP 21276581 A JP21276581 A JP 21276581A JP S58116701 A JPS58116701 A JP S58116701A
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- activator
- semiconductor
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- baked
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- Chemically Coating (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は正特性磁器半導体の電極の形成方法に関するも
のである。− 従来この種の電極形成方法としては、無電解メッキ法に
より行なわれているが、メッキの付着をよくするために
正特性磁器半導体の表面を研摩後、更に黴細な凹凸状に
するなどの感応化、活性化処理が必要であり、従ってこ
のいわゆる前処理が非常に面倒である。
のである。− 従来この種の電極形成方法としては、無電解メッキ法に
より行なわれているが、メッキの付着をよくするために
正特性磁器半導体の表面を研摩後、更に黴細な凹凸状に
するなどの感応化、活性化処理が必要であり、従ってこ
のいわゆる前処理が非常に面倒である。
また、従来においては、メツキネ要な部分の処理方法と
しては、不要な部分をマスキングしたり、あるい轄メッ
キ後に不要な部分をエツチングして取除くようにしてお
り、これまた甚だ面倒な処理である。
しては、不要な部分をマスキングしたり、あるい轄メッ
キ後に不要な部分をエツチングして取除くようにしてお
り、これまた甚だ面倒な処理である。
そこで、本発明は上述の点に鑑み、本発明者の鋭意研究
の結果、金属を含有したペースト状の活性化剤を、正特
性磁器半導体のメッキ必要部分の表面に塗布して焼付け
、その後メッキ液に浸漬して電極を活性化剤の塗布焼付
面上に形成することにより、上述の諸問題を解決しよう
とするものである。
の結果、金属を含有したペースト状の活性化剤を、正特
性磁器半導体のメッキ必要部分の表面に塗布して焼付け
、その後メッキ液に浸漬して電極を活性化剤の塗布焼付
面上に形成することにより、上述の諸問題を解決しよう
とするものである。
本発明によれば、上記の金属を含有したペースト状の活
性化剤を塗布焼付けることによって予め金属の薄膜を正
特性磁器半導体上に形成し、その後メッキすることで上
記金属膜を核としてその表面上に集中的に金属粒子が付
着して得んとする電極が形成される。
性化剤を塗布焼付けることによって予め金属の薄膜を正
特性磁器半導体上に形成し、その後メッキすることで上
記金属膜を核としてその表面上に集中的に金属粒子が付
着して得んとする電極が形成される。
従って、本発明社金属を含有したペースト状の活性化剤
の塗布、焼付けにより電極が形成される下地を予め毅け
ているのであり、このため前述したごとき正特性磁器半
導体の表面の前処理を必要としなくても電極を形成でき
るのである。
の塗布、焼付けにより電極が形成される下地を予め毅け
ているのであり、このため前述したごとき正特性磁器半
導体の表面の前処理を必要としなくても電極を形成でき
るのである。
また、本発明では、上記活性化剤の塗布、焼付面上に集
中して電極となる金属粒子が付着するので、この塗布、
焼付面以外の部分はほとんどあるいは全く金属粒子が付
着しない。このため、電極の形成パターンを所望の形状
にするに祉、上記活性化剤の塗布パターンをそれと同じ
くするだけでよく、４Ｉ別のマスキング処理、エツチン
グによる電極削除処理が不要となるのである０更に、メ
ッキ時間も短縮される０ 以上のように、本発明においては、正特性磁器半導体に
対する電極の形成を従来に比べて簡単に行なうことがで
き、従って工数低減、電極材料の削減において実用上齋
大なる有効な効果を奏する。
中して電極となる金属粒子が付着するので、この塗布、
焼付面以外の部分はほとんどあるいは全く金属粒子が付
着しない。このため、電極の形成パターンを所望の形状
にするに祉、上記活性化剤の塗布パターンをそれと同じ
くするだけでよく、４Ｉ別のマスキング処理、エツチン
グによる電極削除処理が不要となるのである０更に、メ
ッキ時間も短縮される０ 以上のように、本発明においては、正特性磁器半導体に
対する電極の形成を従来に比べて簡単に行なうことがで
き、従って工数低減、電極材料の削減において実用上齋
大なる有効な効果を奏する。
以下本発明を具体的な実施例により詳細に説明する。
まず、第１図および第２図において、円板状の正特性磁
器半導体１社チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯｓ）系の公
知材料より成る。この半導体ｌの両面にはニッケル（Ｎ
ｉ）電極２が形成され、更にこの電極８の上には銀（ム
ｇ）の力ｌ（−電極８が形成されている〇 次に、上記各電極の形成方法について説明する。
器半導体１社チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯｓ）系の公
知材料より成る。この半導体ｌの両面にはニッケル（Ｎ
ｉ）電極２が形成され、更にこの電極８の上には銀（ム
ｇ）の力ｌ（−電極８が形成されている〇 次に、上記各電極の形成方法について説明する。
まず、半導体の両面を研摩するとともに、その両面を洗
浄して乾燥させ、パラジウム（Ｐｄ）の有機金属化合物
を含むペースト状の活性化剤（日本カニゼン株式会社製
造のＫ１４６）を所望パターンにして１５０メツシユ乃
至３００メツＶユにてスクリーン印刷をする。その後、
乾燥して半導体を８００℃乃至７５０℃の高温度下に配
置し、上記活性化剤を焼付ける。
浄して乾燥させ、パラジウム（Ｐｄ）の有機金属化合物
を含むペースト状の活性化剤（日本カニゼン株式会社製
造のＫ１４６）を所望パターンにして１５０メツシユ乃
至３００メツＶユにてスクリーン印刷をする。その後、
乾燥して半導体を８００℃乃至７５０℃の高温度下に配
置し、上記活性化剤を焼付ける。
次に、Ｎ１−Ｐ系の無電解メッキ浴（浴温９０ｔ〜ｉ１
し、Ｎ：ｌ−／”ｔとｆｆｒｔ）、ひ侠、メ、ハイ紅よ
２−ｔ−４シトＬ９５℃）に半導体を取出して乾燥後、
２００℃乃至４６０℃の温度下で１０分乃至６時間焼付
けてＮｉ電極を得る。その後、このＮｉ電極上にムｇペ
ーストを塗布して４６０℃乃至８００℃にて１５分間焼
付け、カバー電極とする。このカバー電極ｌｌ１Ｎｉ＠
極の保護を目的としている。
し、Ｎ：ｌ−／”ｔとｆｆｒｔ）、ひ侠、メ、ハイ紅よ
２−ｔ−４シトＬ９５℃）に半導体を取出して乾燥後、
２００℃乃至４６０℃の温度下で１０分乃至６時間焼付
けてＮｉ電極を得る。その後、このＮｉ電極上にムｇペ
ーストを塗布して４６０℃乃至８００℃にて１５分間焼
付け、カバー電極とする。このカバー電極ｌｌ１Ｎｉ＠
極の保護を目的としている。
上述の本発明方法によって得たＮｉ電極付半導体と従来
方法によるＮ１電極をもつ九半導体との比抵抗を確認し
たところ、はぼ同等の特性が得られ、品質的問題がない
ことがわかった。その結果を表１に示す。
方法によるＮ１電極をもつ九半導体との比抵抗を確認し
たところ、はぼ同等の特性が得られ、品質的問題がない
ことがわかった。その結果を表１に示す。
なお、表１において、「メツシュ」とは活性化剤のスク
リーン印刷メツＶユ、「その他」は電源電圧１２Ｖを印
加し、電圧ＯＮを１分間、電圧ＯＦＦを９分間とし、こ
れを１サイクルで１０００時間行なった耐久後の抵抗変
化率であり、試料の半導体は直径２０■、厚さ８．０鱈
で約２．４Ωの抵抗をもつ・また、「抵抗変化率」と社
キュリ一点を境にした最小抵抗と最大抵抗との比率であ
る。
リーン印刷メツＶユ、「その他」は電源電圧１２Ｖを印
加し、電圧ＯＮを１分間、電圧ＯＦＦを９分間とし、こ
れを１サイクルで１０００時間行なった耐久後の抵抗変
化率であり、試料の半導体は直径２０■、厚さ８．０鱈
で約２．４Ωの抵抗をもつ・また、「抵抗変化率」と社
キュリ一点を境にした最小抵抗と最大抵抗との比率であ
る。
表１
この表１において、活性化剤のスクリーン印刷メツＶユ
は２００メツＶユが、その焼付温度社４００ｔが、比抵
抗、耐久後の変化率の点で特に望ましい。
は２００メツＶユが、その焼付温度社４００ｔが、比抵
抗、耐久後の変化率の点で特に望ましい。
なお、本発明は前述の実施例に限定されず、以下のごと
く種々の変形が可能である。
く種々の変形が可能である。
Ｕ）正特性磁器半導体の形状社円板状に限らず、角板状
、ハニカム状など種々の形状でもよいことは勿論である
。
、ハニカム状など種々の形状でもよいことは勿論である
。
（２）電極の材料は特にＮｉに限定されず、他の金属で
も勿論よいが、半導体との接触抵抗の非常に良好なＮｉ
が最適である。
も勿論よいが、半導体との接触抵抗の非常に良好なＮｉ
が最適である。
（８）活性化剤ＩｆｉＰｄの有機金属化合物を含むペー
スト状のものであるが、Ｎｉの有機金属を含むものでも
よく、あるいは焼付けによって金属となる化合物を含む
ペースト状のもの、または金属粉末ヲ含むペースト状の
ものでもよい。
スト状のものであるが、Ｎｉの有機金属を含むものでも
よく、あるいは焼付けによって金属となる化合物を含む
ペースト状のもの、または金属粉末ヲ含むペースト状の
ものでもよい。
（旬カバー電極の材料４ムｇの他に種々考えられる。
なお、本発明の用途としては、一般の電流遮断用抵抗器
、あるいは加熱機器用発熱体など広範囲な用途が考えら
れる。
、あるいは加熱機器用発熱体など広範囲な用途が考えら
れる。
第１Ｉｉｉ！Ｉは本発明の説明に供する正特性磁器半導
体を示す斜視図、第２図は第１図のムーム断面図である
。 １−・・正特性磁器半導体、２・・・Ｎｉ１ｌ＠、８−
・ムｇカバー電極。 代理人弁理士 間部 隆 手続補正書 昭和５８年 ２月１８日 特許庁長官 殿 ｌ事件の表示 昭和５６年特許願第２１２７．．６５号２発明の名称 正特性磁器半導体の電極の形成方法 ３補正をする者 事件との関係 特許出願人 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 （４２６）日本電装株式会社 代表者 戸田憲吾 ４代 理 人 〒４４８ 愛知県向谷市昭和町１丁目１番地５補正の
対象 明細書の特許請求の範囲の欄、および発明の詳細な説明
の欄。 ６補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり訂正する
。 （２）同書第５頁第２０行乃至第６頁第１行の［パラジ
ウム（Ｐｄ）の有機金属化合物」を「パラジウム（Ｐｄ
）の塩化物」に訂正する。 （３）同書第８頁第１３行のｒＰｄの有機金属化合物」
をｒＰｄの塩化物」に訂正する。 （４）同書第８頁第１４行の「Ｎｉの有機金属」をｒＮ
ｉの塩化物」に訂正する。 ２、特許請求の範囲 ＋１）正特性磁器半導体の表面に、金属を含有したペー
スト状の活性化剤を塗布して焼付け、その後この正特性
磁器半導体を無電解メッキ浴に浸漬して前記活性化剤の
焼付面上に電極を形成し、その後前記正特性磁器半導体
を前記メッキ浴より取出して乾燥後、前記電極を焼付け
ることを特徴とする特性磁器半導体の電極の形成方法。 （２）前記正特性磁器半導体はチタン酸バリウム系を主
成分とする材料であることを特徴とする特許請求の範囲
（１）記載の方法。 （３）前記活性化剤はパラジウムの塩化物であり、かつ
前記電極はニッケルであることを特徴とする特許請求の
範囲（１）または（２）記載の方法。 （４）前記活性化剤の焼付温度、焼付時間は３００℃乃
至６００℃で１５分、前記メッキ後の電極の焼付温度、
焼付時間は２００℃乃至４５０℃で１０分乃至５時間で
あることを特徴とする特許請求の範囲（３）記載の方法
。 （５）正特性磁器半導体の表面に、金属を含有したペー
スト状の活性化剤を塗布して焼付け、その後この正特性
磁器半導体を無電解メッキ浴に浸漬して前記活性化剤の
焼付面上に電極を形成し、その後前記正特性磁器半導体
を前記メッキ浴より取出して乾燥後、前記電極を焼付け
、かつこの電極表面上にカバー電極を形成することを特
徴とする特性磁器半導体の電極の形成方法。 （６）前記正特性磁器半導体はチタン酸バリウム系を主
成分とする材料であることを特徴とする特許請求の範囲
（５）記載の方法。 （７）前記活性化剤はパラジウムの塩化物であり、かつ
前記電極はニッケルであり、かつ前記カバー電極は銀ペ
ーストの塗布、焼付けであることを特徴とする特許請求
の範囲（５）または（６）記載の方法。 （８）前記活性化剤の焼付温度、焼付時間は３００℃乃
至６００℃で１５分、前記メッキ後の電極の焼付温度、
焼付時間は２００℃乃至４５０℃で１０分乃至５時間で
あり、前記カバー電極の′焼付時間、温度は１５分、４
５０℃乃至８００℃であることを特徴とする特許請求の
範囲（７）記載の方法。
体を示す斜視図、第２図は第１図のムーム断面図である
。 １−・・正特性磁器半導体、２・・・Ｎｉ１ｌ＠、８−
・ムｇカバー電極。 代理人弁理士 間部 隆 手続補正書 昭和５８年 ２月１８日 特許庁長官 殿 ｌ事件の表示 昭和５６年特許願第２１２７．．６５号２発明の名称 正特性磁器半導体の電極の形成方法 ３補正をする者 事件との関係 特許出願人 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 （４２６）日本電装株式会社 代表者 戸田憲吾 ４代 理 人 〒４４８ 愛知県向谷市昭和町１丁目１番地５補正の
対象 明細書の特許請求の範囲の欄、および発明の詳細な説明
の欄。 ６補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり訂正する
。 （２）同書第５頁第２０行乃至第６頁第１行の［パラジ
ウム（Ｐｄ）の有機金属化合物」を「パラジウム（Ｐｄ
）の塩化物」に訂正する。 （３）同書第８頁第１３行のｒＰｄの有機金属化合物」
をｒＰｄの塩化物」に訂正する。 （４）同書第８頁第１４行の「Ｎｉの有機金属」をｒＮ
ｉの塩化物」に訂正する。 ２、特許請求の範囲 ＋１）正特性磁器半導体の表面に、金属を含有したペー
スト状の活性化剤を塗布して焼付け、その後この正特性
磁器半導体を無電解メッキ浴に浸漬して前記活性化剤の
焼付面上に電極を形成し、その後前記正特性磁器半導体
を前記メッキ浴より取出して乾燥後、前記電極を焼付け
ることを特徴とする特性磁器半導体の電極の形成方法。 （２）前記正特性磁器半導体はチタン酸バリウム系を主
成分とする材料であることを特徴とする特許請求の範囲
（１）記載の方法。 （３）前記活性化剤はパラジウムの塩化物であり、かつ
前記電極はニッケルであることを特徴とする特許請求の
範囲（１）または（２）記載の方法。 （４）前記活性化剤の焼付温度、焼付時間は３００℃乃
至６００℃で１５分、前記メッキ後の電極の焼付温度、
焼付時間は２００℃乃至４５０℃で１０分乃至５時間で
あることを特徴とする特許請求の範囲（３）記載の方法
。 （５）正特性磁器半導体の表面に、金属を含有したペー
スト状の活性化剤を塗布して焼付け、その後この正特性
磁器半導体を無電解メッキ浴に浸漬して前記活性化剤の
焼付面上に電極を形成し、その後前記正特性磁器半導体
を前記メッキ浴より取出して乾燥後、前記電極を焼付け
、かつこの電極表面上にカバー電極を形成することを特
徴とする特性磁器半導体の電極の形成方法。 （６）前記正特性磁器半導体はチタン酸バリウム系を主
成分とする材料であることを特徴とする特許請求の範囲
（５）記載の方法。 （７）前記活性化剤はパラジウムの塩化物であり、かつ
前記電極はニッケルであり、かつ前記カバー電極は銀ペ
ーストの塗布、焼付けであることを特徴とする特許請求
の範囲（５）または（６）記載の方法。 （８）前記活性化剤の焼付温度、焼付時間は３００℃乃
至６００℃で１５分、前記メッキ後の電極の焼付温度、
焼付時間は２００℃乃至４５０℃で１０分乃至５時間で
あり、前記カバー電極の′焼付時間、温度は１５分、４
５０℃乃至８００℃であることを特徴とする特許請求の
範囲（７）記載の方法。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）正特性磁器半導体の表面に、金属を含有したペー
スＦ状の活性化剤を塗布して焼付け、その後この正特性
磁器半導体を無電解メッキ浴に浸漬して前記活性化剤の
焼付面上に電極を形成し、その後前記正特性磁器半導体
を前記メッキ浴より取出して乾燥後、前記電極を焼付け
ることを特徴とする特性磁器半導体の電極の形成方法。 （Ｓ）前記正特性磁器半導体社チタン酸パリウ系を主成
分とする材料であることを特徴とする特許請求の範１ｍ
（１）記載の方法。 （３）前記活性化剤はパラジウの有機金属化合物であり
、かつ前記電ｍ＃ｉニッケμであることを特徴とする特
許請求の＠ ＩＩ （１）またｒｉ（ｉｅ）記載の方′
法。 （ω前記活性化剤の焼付温度、焼付時間は８β０℃乃Ｉ
ａｏｏ℃で１５分、−記メツキ後の電極の焼付温度、焼
付時間は２００℃乃至４５０℃で１０分乃至６時間であ
ることを特徴とする特許請求の範５（３）記載の方法。 （６）正特性磁器半導体の表面に、金属を含有し九ペー
スト状の活性化剤を塗布して焼付け、その後この正特性
磁器半導体を無電解メッキ浴に浸漬して前記活性化剤の
焼付面上に電極を形成し、その後前記正特性磁器半導体
を前記メッキ浴より取出して乾燥後、前記電極を焼付け
、かつこの電極表面上にカバー電極を形成することを特
徴とする特性磁器半導体の電極の形成方法。 （６）前記正特性磁器半導体社チタン酸バリウ系を主成
分とする材料であることを特徴とする特許請求の範Ｍ（
５）記載の方法。 （７）前記活性化剤社バラジウの有機金属化合物で＾ あり、かつ前記電極はニッケル″′Ｃあり、かつ前記カ
バー電極は銀ペーストの塗布、焼付けであることを特徴
とする特許請求の範Ｈ（６）または（６）記載の方法。 伯）前記活性化剤の焼付温度、焼付時間は３００℃乃至
６００℃で１５分、前記メッキ後の電極の焼付温度、焼
付時間社２００℃乃至４５０ｔで１０分乃至す時間であ
り、前記カバー電極の焼付時間、温度は１５分、４５０
℃乃至８００℃であることを特徴とする特許請求の範Ｈ
（７）記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21276581A JPS58116701A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 正特性磁気半導体の電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21276581A JPS58116701A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 正特性磁気半導体の電極の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58116701A true JPS58116701A (ja) | 1983-07-12 |
Family
ID=16628023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21276581A Pending JPS58116701A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 正特性磁気半導体の電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58116701A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62230005A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | 株式会社デンソー | 正特性磁器半導体 |
-
1981
- 1981-12-26 JP JP21276581A patent/JPS58116701A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62230005A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | 株式会社デンソー | 正特性磁器半導体 |
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