JPS61146796A - タンタル酸リチウム単結晶の単一分域化方法 - Google Patents
タンタル酸リチウム単結晶の単一分域化方法Info
- Publication number
- JPS61146796A JPS61146796A JP26478484A JP26478484A JPS61146796A JP S61146796 A JPS61146796 A JP S61146796A JP 26478484 A JP26478484 A JP 26478484A JP 26478484 A JP26478484 A JP 26478484A JP S61146796 A JPS61146796 A JP S61146796A
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- Japan
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- single crystal
- lithium tantalate
- electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、タンタル酸リチウム単結晶の単一分域化方法
に関するものであり、特には金材質からなる電極を用い
ることにより電極面に着色物の付着をともなうことなく
、能率よく単一分域化を行う方法に関する。
に関するものであり、特には金材質からなる電極を用い
ることにより電極面に着色物の付着をともなうことなく
、能率よく単一分域化を行う方法に関する。
（従来の技術）
従来、チョクラルスキー法によるＸ軸引上げタンタル酸
リチウム単結晶を単一分域化する方法としては、引上げ
単結晶の側面すなわちＺ軸方向の面にたとえば帯状の形
状をした正負電極を単結晶を挟むようにして対向配置し
、キューリ一温度以上一般には６００℃以上の温度に加
熱しながら両電極間に電圧を印加することにより単一分
域化する方法が知られている。この方法において電極と
してはもっばら白金（ｐｔ）が使用されているのである
が白金電極を使用すると白金電極の結晶側表面に異物（
着色物）が付着形成し、接触抵抗損となるのでこれを除
去することが必要であり、単一分域化の作業が非能率的
であった。
リチウム単結晶を単一分域化する方法としては、引上げ
単結晶の側面すなわちＺ軸方向の面にたとえば帯状の形
状をした正負電極を単結晶を挟むようにして対向配置し
、キューリ一温度以上一般には６００℃以上の温度に加
熱しながら両電極間に電圧を印加することにより単一分
域化する方法が知られている。この方法において電極と
してはもっばら白金（ｐｔ）が使用されているのである
が白金電極を使用すると白金電極の結晶側表面に異物（
着色物）が付着形成し、接触抵抗損となるのでこれを除
去することが必要であり、単一分域化の作業が非能率的
であった。
（発明の構成）
本発明者らはかかる従来の問題点にかんがみ鋭意研究し
た結果、電極として金材質からなるものを使用すれば異
物（着色物）の付着形成がなく、しかも白金電極の場合
にみられる結晶体中への電極材料の拡散という問題点も
、金電極の場合には起らないことを確認し本発明を完成
した。
た結果、電極として金材質からなるものを使用すれば異
物（着色物）の付着形成がなく、しかも白金電極の場合
にみられる結晶体中への電極材料の拡散という問題点も
、金電極の場合には起らないことを確認し本発明を完成
した。
すなわち本発明は、チョクラルスキー法引上げタンタル
酸リチウム単結晶の側面に金材質からなる正負電極を対
向して形成し、両電極間に電圧を印加して単一分域化す
ることを特徴とするタンタル酸リチウム単結晶の単一分
域化方法に関するものである。
酸リチウム単結晶の側面に金材質からなる正負電極を対
向して形成し、両電極間に電圧を印加して単一分域化す
ることを特徴とするタンタル酸リチウム単結晶の単一分
域化方法に関するものである。
本発明に使用される金材質からなる電極は、金板、金線
、綱等の基板面に金メッキ膜または金蒸着膜を形成した
ものであればよく、その電極の形態について二三例示を
あげれば第１図（イ）〜（ニ）に示すとおりである。す
なわち第１図（イ）〜（ロ）は板状電極を示したもので
あり、（イ）図は厚さは０．０５〜１ｍ付近の金電極１
．（ロ）図は、銅等の基板２の表面に金メッキ膜または
金蒸着膜３を形成した電極である。
、綱等の基板面に金メッキ膜または金蒸着膜を形成した
ものであればよく、その電極の形態について二三例示を
あげれば第１図（イ）〜（ニ）に示すとおりである。す
なわち第１図（イ）〜（ロ）は板状電極を示したもので
あり、（イ）図は厚さは０．０５〜１ｍ付近の金電極１
．（ロ）図は、銅等の基板２の表面に金メッキ膜または
金蒸着膜３を形成した電極である。
さらに（ハ）図は金メツシュ電極４、（ニ）図は金フェ
ルト電極５を示したものであり、（ハ）図の金メツシュ
を構成する金線として０．１＋ｎｍ径付近のものが使用
される。なお、この場合口、幅については特に制限はな
いが通常は１ｎＩ１１以下であることが望ましい。（ニ
）図の金フェルト５を構成する金線としては０．０１〜
０．１ｍｙ＋径付近のものが使用され、フェルトの厚さ
は通常１ｍ以下で充分である。
ルト電極５を示したものであり、（ハ）図の金メツシュ
を構成する金線として０．１＋ｎｍ径付近のものが使用
される。なお、この場合口、幅については特に制限はな
いが通常は１ｎＩ１１以下であることが望ましい。（ニ
）図の金フェルト５を構成する金線としては０．０１〜
０．１ｍｙ＋径付近のものが使用され、フェルトの厚さ
は通常１ｍ以下で充分である。
以上例示した各回の電極を構成する金材質については金
のみに限定されるものでなく、これには金と銅もしくは
銀等との合金からなる材質のものも使用することができ
る。
のみに限定されるものでなく、これには金と銅もしくは
銀等との合金からなる材質のものも使用することができ
る。
第２図はチョクラルスキー法で引上げたタンタル酸リチ
ウム単結晶を単一分域化するために、その単結晶の側面
に帯状電極（板状電極）を設置した状態を示す概略斜視
図である。同図においてｌＯは単結晶であり、１１はそ
れを支えるためのアルミナ台、１２は帯状電極である。
ウム単結晶を単一分域化するために、その単結晶の側面
に帯状電極（板状電極）を設置した状態を示す概略斜視
図である。同図においてｌＯは単結晶であり、１１はそ
れを支えるためのアルミナ台、１２は帯状電極である。
単一分域化を良好に行わせるために、単結晶１０と帯状
電極１２との間には通常タンタル酸リチウム単結晶等の
粉体をペースト状とした充填物１３を介在させる。なお
、同図中１４は電極板をおさえるためのバンドである。
電極１２との間には通常タンタル酸リチウム単結晶等の
粉体をペースト状とした充填物１３を介在させる。なお
、同図中１４は電極板をおさえるためのバンドである。
上記のようにして正負電極を設置し、加熱炉中で所定温
度に加熱しながら両電極間に電圧を印加することにより
単一分域化（ポーリング）を行う。
度に加熱しながら両電極間に電圧を印加することにより
単一分域化（ポーリング）を行う。
本発明の金電極を用いる方法によれば、該金電極の表面
（結晶側表面）に異物（着色物）の付着形成がないので
、白金電極の場合のような単一分域化の操作毎に電極表
面の着色物を除去する煩雑な作業が回避され、したがっ
て嚇−分域化の作業能率がきわめてよいという利点が与
えられる。また白金電極の場合には単一分域化の抛作時
に電極材料が単結晶中に拡散する傾向が認められ１問題
となっていたのであるが１本発明の金電極を用いる方法
の場合にはかかる拡散の問題は認められない。
（結晶側表面）に異物（着色物）の付着形成がないので
、白金電極の場合のような単一分域化の操作毎に電極表
面の着色物を除去する煩雑な作業が回避され、したがっ
て嚇−分域化の作業能率がきわめてよいという利点が与
えられる。また白金電極の場合には単一分域化の抛作時
に電極材料が単結晶中に拡散する傾向が認められ１問題
となっていたのであるが１本発明の金電極を用いる方法
の場合にはかかる拡散の問題は認められない。
なお、本発明の方法を実施するに当っての、結晶体側面
における電極の設置条件、加熱温度条件。
における電極の設置条件、加熱温度条件。
電圧印加条件等については従来と同様でよく、特別の条
件を採用する必要はない。
件を採用する必要はない。
つぎに具体的実施例をあげる。
実施例
チョクラルスキー法で製造したＸ軸引上げタンタル酸リ
チウム単結晶（直径８０ｔｍ長さ１１０ｍｍ）のＺ軸方
向の側面に、第１図（イ）に示す形状の余材質からなる
板状電極を第２図に示すように設置し、加熱炉中で６３
０℃の温度に加熱しなから９０Ｖの電圧を印加してポー
リングを行った。
チウム単結晶（直径８０ｔｍ長さ１１０ｍｍ）のＺ軸方
向の側面に、第１図（イ）に示す形状の余材質からなる
板状電極を第２図に示すように設置し、加熱炉中で６３
０℃の温度に加熱しなから９０Ｖの電圧を印加してポー
リングを行った。
この結果、結晶内への金の拡散現象は認められず、また
電極の結晶体側の面は第３図（イ）に示すように、着色
物・異物の形成がなく、きれいな状態であり、次の作業
に支障なく再使用できた。なお、結晶体は完全にポーリ
ングされていた。
電極の結晶体側の面は第３図（イ）に示すように、着色
物・異物の形成がなく、きれいな状態であり、次の作業
に支障なく再使用できた。なお、結晶体は完全にポーリ
ングされていた。
他方比較のために、上記金材質からなる板状電極の代り
に白金材質からなる同形の電極を用いたほかは同様にし
てポーリングを行ったところ、結晶内への白金の拡散現
象が起こり、また電極の結晶体側の面は第３図（ロ）に
示すように着色物・異物の形成が認められた。この電極
面の着色物・異物を取除くのにてまひまがかかり作業能
率が阻害された。またポーリングされた結晶体は内部に
白金が拡散しており品質に劣るものであった６
に白金材質からなる同形の電極を用いたほかは同様にし
てポーリングを行ったところ、結晶内への白金の拡散現
象が起こり、また電極の結晶体側の面は第３図（ロ）に
示すように着色物・異物の形成が認められた。この電極
面の着色物・異物を取除くのにてまひまがかかり作業能
率が阻害された。またポーリングされた結晶体は内部に
白金が拡散しており品質に劣るものであった６
第１図（イ）、（ロ）、（ハ）および（ニ）は金材質か
らなる電極をそれぞれ例示したものであり、第２図はタ
ンタル酸リチウム嚇結品の側面に板状の正負電極を設置
した概略斜視図を示したものである。 さらに第３図（イ）、（ロ）は単結晶をポーリングする
ために使用した後の電極の結晶体側の面をそれぞれ示し
たものである。 １・・・板状電極、２・・・基板、 ３・・・金メッキ膜または金蒸着膜、 ４・・・金メツシュ電極、 ５・・・金フェルト電極、 １０・・・単結晶、１１・・・アルミナ台、１２・・・
電極、１３・・・充填物、１４・・・バンド。
らなる電極をそれぞれ例示したものであり、第２図はタ
ンタル酸リチウム嚇結品の側面に板状の正負電極を設置
した概略斜視図を示したものである。 さらに第３図（イ）、（ロ）は単結晶をポーリングする
ために使用した後の電極の結晶体側の面をそれぞれ示し
たものである。 １・・・板状電極、２・・・基板、 ３・・・金メッキ膜または金蒸着膜、 ４・・・金メツシュ電極、 ５・・・金フェルト電極、 １０・・・単結晶、１１・・・アルミナ台、１２・・・
電極、１３・・・充填物、１４・・・バンド。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、チョクラルスキー法引上げタンタル酸リチウム単結
晶の側面に金材質からなる正負電極を対向して形成し、
両電極間に電圧を印加して単一分域化することを特徴と
するタンタル酸リチウム単結晶の単一分域化方法。 ２、前記金材質からなる電極が、金板、金線、金メッキ
膜または金蒸着膜を用いたものである特許請求の範囲第
１項記載の単一分域化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26478484A JPS61146796A (ja) | 1984-12-14 | 1984-12-14 | タンタル酸リチウム単結晶の単一分域化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26478484A JPS61146796A (ja) | 1984-12-14 | 1984-12-14 | タンタル酸リチウム単結晶の単一分域化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61146796A true JPS61146796A (ja) | 1986-07-04 |
| JPH0357080B2 JPH0357080B2 (ja) | 1991-08-30 |
Family
ID=17408144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26478484A Granted JPS61146796A (ja) | 1984-12-14 | 1984-12-14 | タンタル酸リチウム単結晶の単一分域化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61146796A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6424096A (en) * | 1987-07-20 | 1989-01-26 | Shinetsu Chemical Co | Production of single domained lithium tantalate single crystal |
| EP0683535A1 (en) * | 1989-02-01 | 1995-11-22 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Nonlinear optical radiation generator and method of controlling regions of ferroelectric polarization domains in solid state bodies |
| WO2006033534A1 (en) * | 2004-09-21 | 2006-03-30 | Pusan National University Industry-University Cooperation Foundation | Single crystal wire and manufacturing method of the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5365299A (en) * | 1976-11-25 | 1978-06-10 | Toshiba Corp | Production of single crystal of lithium tantalate extended singleorientation zone |
-
1984
- 1984-12-14 JP JP26478484A patent/JPS61146796A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5365299A (en) * | 1976-11-25 | 1978-06-10 | Toshiba Corp | Production of single crystal of lithium tantalate extended singleorientation zone |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6424096A (en) * | 1987-07-20 | 1989-01-26 | Shinetsu Chemical Co | Production of single domained lithium tantalate single crystal |
| EP0683535A1 (en) * | 1989-02-01 | 1995-11-22 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Nonlinear optical radiation generator and method of controlling regions of ferroelectric polarization domains in solid state bodies |
| WO2006033534A1 (en) * | 2004-09-21 | 2006-03-30 | Pusan National University Industry-University Cooperation Foundation | Single crystal wire and manufacturing method of the same |
| KR100749833B1 (ko) | 2004-09-21 | 2007-08-16 | 부산대학교 산학협력단 | 단결정 와이어 및 그 제조방법 |
| US8663388B2 (en) | 2004-09-21 | 2014-03-04 | Korea Electrotechnology Research Institute | Method of manufacturing single crystal wire and other single crystal metallic articles |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0357080B2 (ja) | 1991-08-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |