JPH1167503A - 正特性サーミスタの製造方法 - Google Patents
正特性サーミスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH1167503A JPH1167503A JP22462797A JP22462797A JPH1167503A JP H1167503 A JPH1167503 A JP H1167503A JP 22462797 A JP22462797 A JP 22462797A JP 22462797 A JP22462797 A JP 22462797A JP H1167503 A JPH1167503 A JP H1167503A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature coefficient
- positive temperature
- electrode
- coefficient thermistor
- resin layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、生産性の高い正特性サーミスタの
製造方法を提供することを目的とするものである。 【解決手段】 ＰＴＣ素子１の主面に所望の櫛状電極２
ａのパターンとは逆パターンの樹脂層３ａを形成する
（１０１）。次に、ＰＴＣ素子１の裏面に所望の裏面電
極２ｃのパターンとは逆パターンの樹脂層３ｂを形成す
る（１０２）。次いで、ＰＴＣ素子１に無電解Ｎｉメッ
キを行いＮｉメッキ層を形成する（１０３）。次に、樹
脂層３ａ，３ｂを除去する（１０４）。
製造方法を提供することを目的とするものである。 【解決手段】 ＰＴＣ素子１の主面に所望の櫛状電極２
ａのパターンとは逆パターンの樹脂層３ａを形成する
（１０１）。次に、ＰＴＣ素子１の裏面に所望の裏面電
極２ｃのパターンとは逆パターンの樹脂層３ｂを形成す
る（１０２）。次いで、ＰＴＣ素子１に無電解Ｎｉメッ
キを行いＮｉメッキ層を形成する（１０３）。次に、樹
脂層３ａ，３ｂを除去する（１０４）。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、正特性サーミスタ
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の正特性サーミスタの製造方法につ
いて、図面を参照しながら説明する。
いて、図面を参照しながら説明する。
【０００３】図２は、従来の櫛形電極の製造方法を示す
工程図であり、１は板状正特性サーミスタ素子（以下Ｐ
ＴＣ素子とする）、２ａは櫛状電極、２ｂは側面電極、
２ｃは裏面電極である。
工程図であり、１は板状正特性サーミスタ素子（以下Ｐ
ＴＣ素子とする）、２ａは櫛状電極、２ｂは側面電極、
２ｃは裏面電極である。
【０００４】まずチタン酸バリウムを主成分とするＰＴ
Ｃ素子１を作製し（２００）、次に銀、アルミ等を主成
分とした電極ペーストを用いて、ＰＴＣ素子１の主面に
櫛状電極２ａを印刷形成し（２０１）、次いで櫛状電極
２ａに連結してＰＴＣ素子１の両側面に側面電極２ｂを
印刷形成し（２０２）、その後側面電極２ｂに連結して
ＰＴＣ素子１の裏面に裏面電極２ｃを印刷形成し（２０
３）、電気炉等を用いて焼付を行い正特性サーミスタを
製造していた。
Ｃ素子１を作製し（２００）、次に銀、アルミ等を主成
分とした電極ペーストを用いて、ＰＴＣ素子１の主面に
櫛状電極２ａを印刷形成し（２０１）、次いで櫛状電極
２ａに連結してＰＴＣ素子１の両側面に側面電極２ｂを
印刷形成し（２０２）、その後側面電極２ｂに連結して
ＰＴＣ素子１の裏面に裏面電極２ｃを印刷形成し（２０
３）、電気炉等を用いて焼付を行い正特性サーミスタを
製造していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記製
造方法では、主面および裏面と側面との電気的接続のた
めＰＴＣ素子表面に沿って電極を直角に二度屈曲させる
ため精度管理が厳しく生産性が悪いという問題点を有し
ていた。
造方法では、主面および裏面と側面との電気的接続のた
めＰＴＣ素子表面に沿って電極を直角に二度屈曲させる
ため精度管理が厳しく生産性が悪いという問題点を有し
ていた。
【０００６】そこで本発明は、生産性の高い正特性サー
ミスタの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
ミスタの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の正特性サーミスタの製造方法は、板状の正特
性サーミスタ素子表面に所望の電極パターンとは逆のパ
ターンの樹脂層を形成する第１の工程と、次に前記正特
性サーミスタ素子表面にこの正特性サーミスタ素子に対
してオーミック性を有する金属メッキを行い電極を形成
する第２の工程と、次いで前記樹脂層を除去する第３の
工程とを備えたものであり、上記目的を達成することが
できる。
に本発明の正特性サーミスタの製造方法は、板状の正特
性サーミスタ素子表面に所望の電極パターンとは逆のパ
ターンの樹脂層を形成する第１の工程と、次に前記正特
性サーミスタ素子表面にこの正特性サーミスタ素子に対
してオーミック性を有する金属メッキを行い電極を形成
する第２の工程と、次いで前記樹脂層を除去する第３の
工程とを備えたものであり、上記目的を達成することが
できる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、板状の正特性サーミスタ素子表面に所望の電極パタ
ーンとは逆のパターンの樹脂層を形成する第１の工程
と、次に前記正特性サーミスタ素子表面にこの正特性サ
ーミスタ素子に対してオーミック性を有する金属メッキ
を行い電極を形成する第２の工程と、次いで前記樹脂層
を除去する第３の工程とを備えた正特性サーミスタの製
造方法であり、主面と側面、側面と裏面との電気的接続
を確実にとれる正特性サーミスタを生産性よく得ること
ができる。
は、板状の正特性サーミスタ素子表面に所望の電極パタ
ーンとは逆のパターンの樹脂層を形成する第１の工程
と、次に前記正特性サーミスタ素子表面にこの正特性サ
ーミスタ素子に対してオーミック性を有する金属メッキ
を行い電極を形成する第２の工程と、次いで前記樹脂層
を除去する第３の工程とを備えた正特性サーミスタの製
造方法であり、主面と側面、側面と裏面との電気的接続
を確実にとれる正特性サーミスタを生産性よく得ること
ができる。
【０００９】請求項２に記載の発明は、第１の工程にお
いて樹脂層は、第２の工程における電極厚みよりも厚く
形成する請求項１に記載の正特性サーミスタの製造方法
であり、所望の形状の電極を精度よく形成することがで
きる。
いて樹脂層は、第２の工程における電極厚みよりも厚く
形成する請求項１に記載の正特性サーミスタの製造方法
であり、所望の形状の電極を精度よく形成することがで
きる。
【００１０】以下に、本発明の一実施の形態による正特
性サーミスタの製造方法について、図面を参照しながら
説明する。
性サーミスタの製造方法について、図面を参照しながら
説明する。
【００１１】（実施の形態１）図１は、本実施の形態の
正特性サーミスタの製造工程図であり、１は板状正特性
サーミスタ素子（以下ＰＴＣ素子とする）、２ａは櫛状
電極、２ｂは側面電極、２ｃは裏面電極、３ａ，３ｂは
樹脂層、４ａは無電解Ｎｉメッキ槽、４ｂは無電解Ｎｉ
メッキ液である。
正特性サーミスタの製造工程図であり、１は板状正特性
サーミスタ素子（以下ＰＴＣ素子とする）、２ａは櫛状
電極、２ｂは側面電極、２ｃは裏面電極、３ａ，３ｂは
樹脂層、４ａは無電解Ｎｉメッキ槽、４ｂは無電解Ｎｉ
メッキ液である。
【００１２】ＰＴＣ素子１は、チタン酸バリウムを主成
分とし、副成分として微量のＹ，Ｎｂを添加した酸化物
半導体である。上記各電極２ａ〜２ｃは、無電解工法に
より形成されたＮｉメッキである。樹脂層３ａ，３ｂ
は、エチルセルロース等の樹脂系のマスク剤である。無
電解Ｎｉメッキ槽４ａはステンレス等の金属またはＰＥ
等の樹脂製であり、無電解Ｎｉメッキ液４ｂは、ホウ素
等を含有した市販の無電解用メッキ液である。
分とし、副成分として微量のＹ，Ｎｂを添加した酸化物
半導体である。上記各電極２ａ〜２ｃは、無電解工法に
より形成されたＮｉメッキである。樹脂層３ａ，３ｂ
は、エチルセルロース等の樹脂系のマスク剤である。無
電解Ｎｉメッキ槽４ａはステンレス等の金属またはＰＥ
等の樹脂製であり、無電解Ｎｉメッキ液４ｂは、ホウ素
等を含有した市販の無電解用メッキ液である。
【００１３】まず、ＰＴＣ素子１を形成し（１００）、
このＰＴＣ素子１の主面に所望の櫛状電極２ａのパター
ンとは逆パターンのマスク板を使用して樹脂層３ａを形
成し、１００〜１５０℃で乾燥する（１０１）。次に、
ＰＴＣ素子１の裏面に所望の裏面電極２ｃのパターンと
は逆パターンのマスク板を使用して、樹脂層３ｂを形成
し、１００〜１５０℃で乾燥する（１０２）。次いで、
ＰＴＣ素子１をＳｎＣｌ2溶液中に浸漬して、ＰＴＣ素
子１表面にＰｄを付着しやすくした後、Ｐｄ溶液に浸漬
して、Ｐｄを付着させる。その後約７０〜９０℃に加熱
した無電解Ｎｉメッキ液へ約５〜１０分間浸漬して、Ｐ
ＴＣ素子１表面のＰｄとＮｉとを置換してＮｉメッキ層
を形成する（１０３）。次に、有機溶剤等でＰＴＣ素子
１を洗浄することにより、樹脂層３ａ，３ｂを溶解し、
除去する（１０４）。次いでもう一度有機溶剤などでＰ
ＴＣ素子１を洗浄することにより、表面に付着あるいは
残留している樹脂層３ａ，３ｂを完全に除去することが
できる。その後、乾燥してＰＴＣ素子１に付着した有機
溶剤を除去して、櫛状電極の櫛と平行方向に、所望の大
きさに切断することにより、ＰＴＣ素子１の主面に櫛状
電極２ａ、側面電極２ｂ、裏面電極２ｃを有する正特性
サーミスタを複数得ることができる（１０５）。
このＰＴＣ素子１の主面に所望の櫛状電極２ａのパター
ンとは逆パターンのマスク板を使用して樹脂層３ａを形
成し、１００〜１５０℃で乾燥する（１０１）。次に、
ＰＴＣ素子１の裏面に所望の裏面電極２ｃのパターンと
は逆パターンのマスク板を使用して、樹脂層３ｂを形成
し、１００〜１５０℃で乾燥する（１０２）。次いで、
ＰＴＣ素子１をＳｎＣｌ2溶液中に浸漬して、ＰＴＣ素
子１表面にＰｄを付着しやすくした後、Ｐｄ溶液に浸漬
して、Ｐｄを付着させる。その後約７０〜９０℃に加熱
した無電解Ｎｉメッキ液へ約５〜１０分間浸漬して、Ｐ
ＴＣ素子１表面のＰｄとＮｉとを置換してＮｉメッキ層
を形成する（１０３）。次に、有機溶剤等でＰＴＣ素子
１を洗浄することにより、樹脂層３ａ，３ｂを溶解し、
除去する（１０４）。次いでもう一度有機溶剤などでＰ
ＴＣ素子１を洗浄することにより、表面に付着あるいは
残留している樹脂層３ａ，３ｂを完全に除去することが
できる。その後、乾燥してＰＴＣ素子１に付着した有機
溶剤を除去して、櫛状電極の櫛と平行方向に、所望の大
きさに切断することにより、ＰＴＣ素子１の主面に櫛状
電極２ａ、側面電極２ｂ、裏面電極２ｃを有する正特性
サーミスタを複数得ることができる（１０５）。
【００１４】なお、櫛状電極２ａはＰＴＣ素子１の裏面
に形成してもかまわない。また、Ｎｉメッキは電解メッ
キでも無電解メッキでもかまわない。
に形成してもかまわない。また、Ｎｉメッキは電解メッ
キでも無電解メッキでもかまわない。
【００１５】さらに、樹脂層３ａ，３ｂの厚みは、形成
しようとする櫛状電極２ａ、側面電極２ｂ、裏面電極２
ｃの厚みよりも厚く形成しておくことにより、所望の形
状に形成しやすい。
しようとする櫛状電極２ａ、側面電極２ｂ、裏面電極２
ｃの厚みよりも厚く形成しておくことにより、所望の形
状に形成しやすい。
【００１６】
【発明の効果】以上本発明によると、生産性よく正特性
サーミスタを得ることができる。
サーミスタを得ることができる。
【図１】本発明の一実施の形態における正特性サーミス
タの製造工程図
タの製造工程図
【図２】従来の正特性サーミスタの製造工程図
１ 正特性サーミスタ素子 ２ａ 櫛状電極 ２ｂ 側面電極 ２ｃ 裏面電極 ３ａ 樹脂層 ３ｂ 樹脂層 ４ａ 無電解Ｎｉメッキ槽 ４ｂ 無電解Ｎｉメッキ液
Claims (2)
- 【請求項１】 板状の正特性サーミスタ素子表面に所望
の電極パターンとは逆のパターンの樹脂層を形成する第
１の工程と、次に前記正特性サーミスタ素子表面にこの
正特性サーミスタ素子に対してオーミック性を有する金
属メッキを行い電極を形成する第２の工程と、次いで前
記樹脂層を除去する第３の工程とを備えた正特性サーミ
スタの製造方法。 - 【請求項２】 第１の工程において樹脂層は、第２の工
程における電極厚みよりも厚く形成する請求項１に記載
の正特性サーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22462797A JPH1167503A (ja) | 1997-08-21 | 1997-08-21 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22462797A JPH1167503A (ja) | 1997-08-21 | 1997-08-21 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1167503A true JPH1167503A (ja) | 1999-03-09 |
Family
ID=16816681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22462797A Pending JPH1167503A (ja) | 1997-08-21 | 1997-08-21 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1167503A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010050469A (ja) * | 2009-10-16 | 2010-03-04 | Koa Corp | 電流検出用抵抗器の製造方法 |
-
1997
- 1997-08-21 JP JP22462797A patent/JPH1167503A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010050469A (ja) * | 2009-10-16 | 2010-03-04 | Koa Corp | 電流検出用抵抗器の製造方法 |
| JP4542608B2 (ja) * | 2009-10-16 | 2010-09-15 | コーア株式会社 | 電流検出用抵抗器の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102376449B (zh) | 层叠型陶瓷电子部件及其制造方法 | |
| KR20070005306A (ko) | 면상 발열체 제조방법 및 그에 의하여 제조된 면상 발열체 | |
| JPH1167503A (ja) | 正特性サーミスタの製造方法 | |
| JP2000182883A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
| JP3623864B2 (ja) | 金属皮膜抵抗器およびその製造方法 | |
| JP4779240B2 (ja) | 金属膜およびその製造方法ならびに積層セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JP2000021607A (ja) | チップサーミスタの製造方法 | |
| JPH0950901A (ja) | チップ電子部品とその製造方法 | |
| JPS6032340B2 (ja) | 磁器コンデンサの製造方法 | |
| JPS60245781A (ja) | 透明導電膜パタ−ン上へのめつき方法 | |
| JP2002246729A (ja) | 電極基板の製造方法 | |
| JP2914019B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JPS644326B2 (ja) | ||
| JPS60245782A (ja) | 透明導電膜パタ−ン上へのめつき方法 | |
| JPH06188101A (ja) | 電子部品 | |
| JPH0473903A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH06290918A (ja) | チップ抵抗器の製造方法 | |
| JPH0851002A (ja) | 電子部品素子及びその製造方法 | |
| JPH1167502A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JPH04192476A (ja) | 圧電素子の電極形成方法 | |
| JPH07161567A (ja) | 電子部品の電極及びその製造方法 | |
| JPH06204080A (ja) | チップ電子部品の製造方法 | |
| JPS61102703A (ja) | チツプ状電子部品 | |
| JP2518191B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JP2003147573A (ja) | 電子部品の製造方法、及び電子部品 |