JPH08130170A - 電子部品の端子電極形成方法 - Google Patents
電子部品の端子電極形成方法Info
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- JPH08130170A JPH08130170A JP6269529A JP26952994A JPH08130170A JP H08130170 A JPH08130170 A JP H08130170A JP 6269529 A JP6269529 A JP 6269529A JP 26952994 A JP26952994 A JP 26952994A JP H08130170 A JPH08130170 A JP H08130170A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子部品の素子の端部に均一な膜厚の端子電
極を有する電子部品を提供することを目的とする。 【構成】 積層セラミックコンデンサ素子４の端部に所
定の塗布幅で金属化ペーストを塗布形成したのち、これ
を、表面に凹凸加工を施した支持体１１の上に、その凸
部からの厚みが上記凹凸加工の深さの１倍以下となるよ
う形成した第２の金属化ペースト膜１２に、積層セラミ
ックコンデンサ素子４の端部が支持体１１の凸部に当接
するまで浸漬し、引き上げて、第２の金属化ペースト膜
１２中に、必要以上に付着した金属化ペーストを転移さ
せて余分な金属化ペーストを取り除く。
極を有する電子部品を提供することを目的とする。 【構成】 積層セラミックコンデンサ素子４の端部に所
定の塗布幅で金属化ペーストを塗布形成したのち、これ
を、表面に凹凸加工を施した支持体１１の上に、その凸
部からの厚みが上記凹凸加工の深さの１倍以下となるよ
う形成した第２の金属化ペースト膜１２に、積層セラミ
ックコンデンサ素子４の端部が支持体１１の凸部に当接
するまで浸漬し、引き上げて、第２の金属化ペースト膜
１２中に、必要以上に付着した金属化ペーストを転移さ
せて余分な金属化ペーストを取り除く。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種電子機器に使用さ
れる積層セラミックコンデンサや抵抗器などのチップ型
の電子部品の端子電極形成方法に関するものである。
れる積層セラミックコンデンサや抵抗器などのチップ型
の電子部品の端子電極形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、チップ型電子部品の端子電極の形
成方法としては、素子の端部に金属化ペーストを塗布形
成し、これを固化する方法が一般的に行われている。
成方法としては、素子の端部に金属化ペーストを塗布形
成し、これを固化する方法が一般的に行われている。
【０００３】以下に、従来の金属化ペーストの塗布によ
る端子電極の形成方法について、説明する。図１３，図
１４および図１５は、従来のチップ型電子部品の端子電
極の形成方法を説明するための概略断面図である。まず
図１３に示すように、平面状の支持体１０１の上に一定
の厚みで金属化ペーストを塗布し、金属化ペースト膜１
０２を形成する。次に、図１４に示すように、チップ型
電子部品の素子１０４の端部を、平面状の支持体１０１
に接触するまで金属化ペースト膜１０２に浸漬する。そ
の後、引き上げて、図１５に示すように、チップ型電子
部品の素子１０４の端部に所定の塗布幅で塗布形成した
金属化ペースト１０２ａを得る。この金属化ペースト１
０２ａを乾燥または熱硬化などにより固化する。さら
に、必要に応じて、焼き付けまたは焼成を行って、チッ
プ型電子部品の素子の端部に所定幅の端子電極を形成す
る。
る端子電極の形成方法について、説明する。図１３，図
１４および図１５は、従来のチップ型電子部品の端子電
極の形成方法を説明するための概略断面図である。まず
図１３に示すように、平面状の支持体１０１の上に一定
の厚みで金属化ペーストを塗布し、金属化ペースト膜１
０２を形成する。次に、図１４に示すように、チップ型
電子部品の素子１０４の端部を、平面状の支持体１０１
に接触するまで金属化ペースト膜１０２に浸漬する。そ
の後、引き上げて、図１５に示すように、チップ型電子
部品の素子１０４の端部に所定の塗布幅で塗布形成した
金属化ペースト１０２ａを得る。この金属化ペースト１
０２ａを乾燥または熱硬化などにより固化する。さら
に、必要に応じて、焼き付けまたは焼成を行って、チッ
プ型電子部品の素子の端部に所定幅の端子電極を形成す
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような方法では、素子の端部に薄く均一な膜厚で金属化
ペーストを塗布形成することが極めて難しく、チップ型
電子部品の素子の端部に所定幅の端子電極を形成しよう
とした場合、必要以上の金属化ペーストが付着塗布さ
れ、これが固化するまでに流動し、その膜厚は、図１５
に示すように、周縁が薄く中央が厚い形状となる。
ような方法では、素子の端部に薄く均一な膜厚で金属化
ペーストを塗布形成することが極めて難しく、チップ型
電子部品の素子の端部に所定幅の端子電極を形成しよう
とした場合、必要以上の金属化ペーストが付着塗布さ
れ、これが固化するまでに流動し、その膜厚は、図１５
に示すように、周縁が薄く中央が厚い形状となる。
【０００５】このため、この解決策として、上記と同様
な方法で、チップ型電子部品の素子の端部に所定の塗布
幅で金属化ペーストを塗布形成したのち、これを平面状
の定盤に当接させることにより、必要以上に付着した金
属化ペーストを定盤に転移させて余分な金属化ペースト
を取り除く方法が提案されている。しかしながら、この
方法は、定盤に転移する金属化ペーストの量が安定化し
にくく、転移量が多すぎて中央部分に塗膜が形成され
ず、塗布ムラを生ずる問題や、金属化ペーストの塗膜内
に気泡を巻き込むという問題がある。
な方法で、チップ型電子部品の素子の端部に所定の塗布
幅で金属化ペーストを塗布形成したのち、これを平面状
の定盤に当接させることにより、必要以上に付着した金
属化ペーストを定盤に転移させて余分な金属化ペースト
を取り除く方法が提案されている。しかしながら、この
方法は、定盤に転移する金属化ペーストの量が安定化し
にくく、転移量が多すぎて中央部分に塗膜が形成され
ず、塗布ムラを生ずる問題や、金属化ペーストの塗膜内
に気泡を巻き込むという問題がある。
【０００６】また、所定幅を考慮せずに、端子電極の塗
膜厚を薄く形成しようとした場合には、素子端部の中央
部分に塗膜が形成されず、塗布ムラを生じ、均一な膜厚
が得られない。このため、寸法精度の高い製品が得にく
く、チップ型電子部品として、回路基板への実装時に問
題が生ずるという課題があった。
膜厚を薄く形成しようとした場合には、素子端部の中央
部分に塗膜が形成されず、塗布ムラを生じ、均一な膜厚
が得られない。このため、寸法精度の高い製品が得にく
く、チップ型電子部品として、回路基板への実装時に問
題が生ずるという課題があった。
【０００７】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
ので、薄く均一な厚さの端子電極を有する電子部品を提
供することを目的とするものである。
ので、薄く均一な厚さの端子電極を有する電子部品を提
供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の電子部品の電極形成方法は、素子の端部
を、所定厚みの第１の金属化ペースト膜に浸漬し、引き
上げて、素子の端部に金属化ペーストを塗布したのち、
表面に凹凸加工を施した支持体の上にその凸部からの厚
みが上記凹凸加工の深さの１倍以下となるよう形成した
第２の金属化ペースト膜中に、素子を端部が前記支持体
の凸部に当接するまで浸漬し、引き上げて、素子の端部
に金属化ペーストを形成する構成としたものである。
に、本発明の電子部品の電極形成方法は、素子の端部
を、所定厚みの第１の金属化ペースト膜に浸漬し、引き
上げて、素子の端部に金属化ペーストを塗布したのち、
表面に凹凸加工を施した支持体の上にその凸部からの厚
みが上記凹凸加工の深さの１倍以下となるよう形成した
第２の金属化ペースト膜中に、素子を端部が前記支持体
の凸部に当接するまで浸漬し、引き上げて、素子の端部
に金属化ペーストを形成する構成としたものである。
【０００９】
【作用】上記方法によると、素子の端部に所定の塗布幅
で第１の金属化ペーストを塗布形成したのち、これを、
表面に凹凸加工を施した支持体の上に形成した第２の金
属化ペースト膜に、素子の端部が支持体の凸部に当接す
るまで浸漬し、引き上げて、第２の金属化ペースト膜中
に必要以上に付着した金属化ペーストを転移させて余分
な金属化ペーストを取り除くことになる。その結果、素
子の端部と支持体との間には、凹部に一定量の金属化ペ
ーストを存在させることができるので、平面状の定盤に
当接させることにより必要以上に付着した金属化ペース
トを定盤に転移させて余分な金属化ペーストを取り除く
方法と異なり、転移する金属化ペーストの量が安定化
し、素子の端部の中央部分に塗膜が形成されず塗布ムラ
を生ずる問題や、金属化ペーストの塗膜内に気泡を巻き
込むという問題がない。
で第１の金属化ペーストを塗布形成したのち、これを、
表面に凹凸加工を施した支持体の上に形成した第２の金
属化ペースト膜に、素子の端部が支持体の凸部に当接す
るまで浸漬し、引き上げて、第２の金属化ペースト膜中
に必要以上に付着した金属化ペーストを転移させて余分
な金属化ペーストを取り除くことになる。その結果、素
子の端部と支持体との間には、凹部に一定量の金属化ペ
ーストを存在させることができるので、平面状の定盤に
当接させることにより必要以上に付着した金属化ペース
トを定盤に転移させて余分な金属化ペーストを取り除く
方法と異なり、転移する金属化ペーストの量が安定化
し、素子の端部の中央部分に塗膜が形成されず塗布ムラ
を生ずる問題や、金属化ペーストの塗膜内に気泡を巻き
込むという問題がない。
【００１０】また、第２の金属化ペースト膜を、その凸
部からの厚みが上記凹凸加工の深さの１倍以下とするこ
とにより、素子を第２の金属化ペースト膜から引き上げ
たときに、転移せずに素子に付着して残る金属ペースト
の量を一定でかつ少なくできるので、金属ペーストのタ
レによって生ずる中央部分の塗膜が厚くなり均一な膜厚
が得られないという問題が発生しない。したがって、電
子部品の素子の端部に薄く均一な膜厚で端子電極が形成
でき、このため、寸法精度の高い電子部品が容易に得ら
れる。
部からの厚みが上記凹凸加工の深さの１倍以下とするこ
とにより、素子を第２の金属化ペースト膜から引き上げ
たときに、転移せずに素子に付着して残る金属ペースト
の量を一定でかつ少なくできるので、金属ペーストのタ
レによって生ずる中央部分の塗膜が厚くなり均一な膜厚
が得られないという問題が発生しない。したがって、電
子部品の素子の端部に薄く均一な膜厚で端子電極が形成
でき、このため、寸法精度の高い電子部品が容易に得ら
れる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例の電子部品の電極形成
方法について、図面に基づき説明する。図１ないし図１
２は、本発明の実施例の電子部品の電極形成方法を示す
概略断面図である。図１ないし図１２において、１は支
持体、１１，２１は表面に凹凸加工を施した支持体、
２，１２，２２および３２は金属化ペースト膜、３，１
３および２３は支持体上に金属化ペースト膜を一定の厚
みで形成するためのかき取りブレード、４および２４は
積層セラミックコンデンサ素子、２ａ，２ｂ，２２ａお
よび２２ｂは素子の端部に塗布形成された金属化ペース
トである。
方法について、図面に基づき説明する。図１ないし図１
２は、本発明の実施例の電子部品の電極形成方法を示す
概略断面図である。図１ないし図１２において、１は支
持体、１１，２１は表面に凹凸加工を施した支持体、
２，１２，２２および３２は金属化ペースト膜、３，１
３および２３は支持体上に金属化ペースト膜を一定の厚
みで形成するためのかき取りブレード、４および２４は
積層セラミックコンデンサ素子、２ａ，２ｂ，２２ａお
よび２２ｂは素子の端部に塗布形成された金属化ペース
トである。
【００１２】（実施例１）まず、本発明の第１の実施例
について積層セラミックコンデンサを用いて具体的に説
明する。
について積層セラミックコンデンサを用いて具体的に説
明する。
【００１３】図２のように、第１の支持体１の上面に金
属化ペーストをのせ、かき取りブレード３でかき取り、
所定厚み０．４mmの第１の金属化ペースト膜２を形成し
た。なお、この所定厚みは、積層セラミックコンデンサ
素子４の端部に形成すべき外部電極の寸法によって決定
されるが、０．２mmから１mm程度が一般的である。金属
化ペーストとしては、銀粉、ガラスフリット等の無機成
分とバインダ、溶剤等の有機成分からなる銀ペーストを
用いた。
属化ペーストをのせ、かき取りブレード３でかき取り、
所定厚み０．４mmの第１の金属化ペースト膜２を形成し
た。なお、この所定厚みは、積層セラミックコンデンサ
素子４の端部に形成すべき外部電極の寸法によって決定
されるが、０．２mmから１mm程度が一般的である。金属
化ペーストとしては、銀粉、ガラスフリット等の無機成
分とバインダ、溶剤等の有機成分からなる銀ペーストを
用いた。
【００１４】次に、図３のように、積層セラミックコン
デンサ素子４の端部が第１の支持体１の上面に当接する
まで第１の金属化ペースト膜２に浸漬した。続いて、引
き上げて、積層セラミックコンデンサ素子４の端部に金
属化ペースト２ａを塗布した図４の状態を得た。
デンサ素子４の端部が第１の支持体１の上面に当接する
まで第１の金属化ペースト膜２に浸漬した。続いて、引
き上げて、積層セラミックコンデンサ素子４の端部に金
属化ペースト２ａを塗布した図４の状態を得た。
【００１５】次に、図１および図５のように、表面に凹
凸加工を施した支持体１１の上に、上記と同じ金属化ペ
ーストをのせ、かき取りブレード１３でかき取り、一定
厚みの第２の金属化ペースト膜１２を形成した。続い
て、第２の金属化ペースト膜１２中に、上記図４で得た
金属化ペースト２ａを塗布形成した積層セラミックコン
デンサ素子４をその端部が上記支持体１１の凸部に当接
するまで浸漬し、引き上げて、積層セラミックコンデン
サ素子４の端部に金属化ペースト２ｂを形成した図６の
状態を得た。
凸加工を施した支持体１１の上に、上記と同じ金属化ペ
ーストをのせ、かき取りブレード１３でかき取り、一定
厚みの第２の金属化ペースト膜１２を形成した。続い
て、第２の金属化ペースト膜１２中に、上記図４で得た
金属化ペースト２ａを塗布形成した積層セラミックコン
デンサ素子４をその端部が上記支持体１１の凸部に当接
するまで浸漬し、引き上げて、積層セラミックコンデン
サ素子４の端部に金属化ペースト２ｂを形成した図６の
状態を得た。
【００１６】さらに、積層セラミックコンデンサ素子４
を反転し、図１から図６に示すように上記と同様な方法
で積層セラミックコンデンサ素子４の反対側端部にも金
属化ペーストを塗布形成し、乾燥したのち、ピーク温度
８００℃の条件で焼き付けを行い、積層セラミックコン
デンサ素子４の両端部に端子電極を形成した。なお、使
用した積層セラミックコンデンサ素子４の端子電極を形
成すべき端部の寸法は、１．５５mm×１．１５mmであっ
た。
を反転し、図１から図６に示すように上記と同様な方法
で積層セラミックコンデンサ素子４の反対側端部にも金
属化ペーストを塗布形成し、乾燥したのち、ピーク温度
８００℃の条件で焼き付けを行い、積層セラミックコン
デンサ素子４の両端部に端子電極を形成した。なお、使
用した積層セラミックコンデンサ素子４の端子電極を形
成すべき端部の寸法は、１．５５mm×１．１５mmであっ
た。
【００１７】また、積層セラミックコンデンサ素子４を
第１の金属化ペースト膜２に浸漬してから引き上げて、
第２の金属化ペースト膜１２に浸漬するまでの時間は短
い程よい。
第１の金属化ペースト膜２に浸漬してから引き上げて、
第２の金属化ペースト膜１２に浸漬するまでの時間は短
い程よい。
【００１８】なお、表面に凹凸加工を施した支持体１１
は、金属平板をフォトエッチング加工により格子状の溝
を形成して作成した。格子状の溝の寸法は、素子寸法や
素子端部に形成すべき金属化ペーストの塗布厚みによっ
て選択決定されるが、一例として溝ピッチ０．３mm、溝
深さ０．２mmとした。
は、金属平板をフォトエッチング加工により格子状の溝
を形成して作成した。格子状の溝の寸法は、素子寸法や
素子端部に形成すべき金属化ペーストの塗布厚みによっ
て選択決定されるが、一例として溝ピッチ０．３mm、溝
深さ０．２mmとした。
【００１９】上記方法で形成した端子電極の形状および
厚みについて、凹凸加工を施した支持体１１の凸部から
の第２の金属化ペースト膜１２の厚みを種々変えて調べ
た結果を、比較例１として図１，図５，図６の工程を行
わない場合、および比較例２として図４の金属化ペース
ト２ａを塗布した積層セラミックコンデンサ素子４を平
面状の定盤に当接させることにより、必要以上に付着し
た金属化ペーストを定盤に転移させて余分な金属化ペー
ストを取り除いた場合とともに（表１）に示す。
厚みについて、凹凸加工を施した支持体１１の凸部から
の第２の金属化ペースト膜１２の厚みを種々変えて調べ
た結果を、比較例１として図１，図５，図６の工程を行
わない場合、および比較例２として図４の金属化ペース
ト２ａを塗布した積層セラミックコンデンサ素子４を平
面状の定盤に当接させることにより、必要以上に付着し
た金属化ペーストを定盤に転移させて余分な金属化ペー
ストを取り除いた場合とともに（表１）に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】なお、（表１）において、第２の金属化ペ
ースト膜１２の厚み０mm（Ａ）は、凹部に第２の金属化
ペースト膜１２が存しない場合であり、第２の金属化ペ
ースト膜１２の厚み０mm（Ｂ）は、凹部に第２の金属化
ペースト膜１２が存する場合である。上記の図１から図
６に示す工程（図２→図３→図４→図１→図５→図６）
を繰り返して行う場合、第２の金属化ペースト膜１２の
厚み０mm（Ａ）の状態は、初期には得られるが継続して
は得にくく、安定した形状および厚みの端子電極を形成
するには、第２の金属化ペースト膜１２の厚み０mm
（Ｂ）の状態のほうが好ましい。（表１）中※印は、本
発明の範囲外である。
ースト膜１２の厚み０mm（Ａ）は、凹部に第２の金属化
ペースト膜１２が存しない場合であり、第２の金属化ペ
ースト膜１２の厚み０mm（Ｂ）は、凹部に第２の金属化
ペースト膜１２が存する場合である。上記の図１から図
６に示す工程（図２→図３→図４→図１→図５→図６）
を繰り返して行う場合、第２の金属化ペースト膜１２の
厚み０mm（Ａ）の状態は、初期には得られるが継続して
は得にくく、安定した形状および厚みの端子電極を形成
するには、第２の金属化ペースト膜１２の厚み０mm
（Ｂ）の状態のほうが好ましい。（表１）中※印は、本
発明の範囲外である。
【００２２】上記（表１）に示したように、比較例１の
場合は、その膜厚は、周縁が薄く中央が厚い形状とな
り、比較例２の場合は、中央部分の塗膜が極めて薄くな
り、塗布ムラが生じたのに対して、上記本実施例の方法
は、溝ピッチ０．３mm、溝深さ０．２mmの凹凸加工を施
した支持体１１の場合には、第２の金属化ペースト膜１
２の厚みを０．２mm以下とした時に、厚みが薄く比較的
均一で平坦性にすぐれた端子電極が形成できた。
場合は、その膜厚は、周縁が薄く中央が厚い形状とな
り、比較例２の場合は、中央部分の塗膜が極めて薄くな
り、塗布ムラが生じたのに対して、上記本実施例の方法
は、溝ピッチ０．３mm、溝深さ０．２mmの凹凸加工を施
した支持体１１の場合には、第２の金属化ペースト膜１
２の厚みを０．２mm以下とした時に、厚みが薄く比較的
均一で平坦性にすぐれた端子電極が形成できた。
【００２３】（実施例２）次に、本発明の第２の実施例
について具体的に説明する。
について具体的に説明する。
【００２４】図７のように、表面に凹凸加工を施した支
持体２１の上に金属化ペーストをのせ、かき取りブレー
ド２３でかき取り、凸部からの所定厚み０．４mmの第１
の金属化ペースト膜２２を形成した。なお、金属化ペー
ストは、第１の実施例と同様なものを用いた。
持体２１の上に金属化ペーストをのせ、かき取りブレー
ド２３でかき取り、凸部からの所定厚み０．４mmの第１
の金属化ペースト膜２２を形成した。なお、金属化ペー
ストは、第１の実施例と同様なものを用いた。
【００２５】次に、図８のように、積層セラミックコン
デンサ素子２４の端部が支持体２１の凸部に当接するま
で第１の金属化ペースト膜２２に浸漬した。続いて、引
き上げて、積層セラミックコンデンサ素子２４の端部に
金属化ペースト２２ａを塗布した図９の状態を得た。
デンサ素子２４の端部が支持体２１の凸部に当接するま
で第１の金属化ペースト膜２２に浸漬した。続いて、引
き上げて、積層セラミックコンデンサ素子２４の端部に
金属化ペースト２２ａを塗布した図９の状態を得た。
【００２６】次に、図１０のように、支持体２１の上
に、必要に応じて上記と同じ金属化ペーストをのせ、か
き取りブレード２３でかき取り、一定厚みの第２の金属
化ペースト膜３２を形成した。続いて、図１１のよう
に、第２の金属化ペースト膜３２中に、上記図９で得た
金属化ペースト２２ａを塗布形成した積層セラミックコ
ンデンサ素子２４を端部が上記支持体２１の凸部に当接
するまで浸漬し、引き上げて、積層セラミックコンデン
サ素子２４の端部に金属化ペースト２２ｂを形成した図
１２の状態を得た。
に、必要に応じて上記と同じ金属化ペーストをのせ、か
き取りブレード２３でかき取り、一定厚みの第２の金属
化ペースト膜３２を形成した。続いて、図１１のよう
に、第２の金属化ペースト膜３２中に、上記図９で得た
金属化ペースト２２ａを塗布形成した積層セラミックコ
ンデンサ素子２４を端部が上記支持体２１の凸部に当接
するまで浸漬し、引き上げて、積層セラミックコンデン
サ素子２４の端部に金属化ペースト２２ｂを形成した図
１２の状態を得た。
【００２７】さらに、積層セラミックコンデンサ素子２
４を反転し、上記図７から図１２までと同様な方法で積
層セラミックコンデンサ素子２４の反対側端部にも金属
化ペーストを塗布形成し、乾燥したのち、ピーク温度８
００℃の条件で焼き付けを行い、積層セラミックコンデ
ンサ素子２４の両端部に端子電極を形成した。なお、積
層セラミックコンデンサ素子２４は、第１の実施例と同
様のものを使用した。
４を反転し、上記図７から図１２までと同様な方法で積
層セラミックコンデンサ素子２４の反対側端部にも金属
化ペーストを塗布形成し、乾燥したのち、ピーク温度８
００℃の条件で焼き付けを行い、積層セラミックコンデ
ンサ素子２４の両端部に端子電極を形成した。なお、積
層セラミックコンデンサ素子２４は、第１の実施例と同
様のものを使用した。
【００２８】また、表面に凹凸加工を施した支持体２１
は、第１の実施例で用いた支持体１１と同じものを用い
た。なお、本第２の実施例は、上記説明のように、第１
の実施例と異なり、金属化ペーストの支持体は、１種で
あり設備的に簡略化できるという利点がある。
は、第１の実施例で用いた支持体１１と同じものを用い
た。なお、本第２の実施例は、上記説明のように、第１
の実施例と異なり、金属化ペーストの支持体は、１種で
あり設備的に簡略化できるという利点がある。
【００２９】上記方法で形成した端子電極の形状および
厚みについて、凹凸加工を施した支持体２１の凸部から
の第２の金属化ペースト膜３２の厚みを種々変えて調べ
た結果、第１の実施例と同様に、第２の金属化ペースト
膜３２の厚みを０．２mm以下とした時に、厚みが薄く比
較的均一で平坦性にすぐれた端子電極が形成できた。
厚みについて、凹凸加工を施した支持体２１の凸部から
の第２の金属化ペースト膜３２の厚みを種々変えて調べ
た結果、第１の実施例と同様に、第２の金属化ペースト
膜３２の厚みを０．２mm以下とした時に、厚みが薄く比
較的均一で平坦性にすぐれた端子電極が形成できた。
【００３０】以上、実施例１，２で詳細に説明したよう
に、積層セラミックコンデンサ素子４，２４の端部に所
定の塗布幅で金属化ペーストを塗布形成したのち、これ
を、表面に凹凸加工を施した支持体１１，２１の上に形
成した第２の金属化ペースト膜１２，３２に、積層セラ
ミックコンデンサ素子４，２４の端部が支持体１１，２
１の凸部に接触するまで浸漬し、引き上げて、第２の金
属化ペースト膜１２，３２中に必要以上に付着した金属
化ペーストを転移させて余分な金属化ペーストを取り除
くことにより、厚みが薄く比較的均一で平坦性にすぐれ
た端子電極が形成できた。
に、積層セラミックコンデンサ素子４，２４の端部に所
定の塗布幅で金属化ペーストを塗布形成したのち、これ
を、表面に凹凸加工を施した支持体１１，２１の上に形
成した第２の金属化ペースト膜１２，３２に、積層セラ
ミックコンデンサ素子４，２４の端部が支持体１１，２
１の凸部に接触するまで浸漬し、引き上げて、第２の金
属化ペースト膜１２，３２中に必要以上に付着した金属
化ペーストを転移させて余分な金属化ペーストを取り除
くことにより、厚みが薄く比較的均一で平坦性にすぐれ
た端子電極が形成できた。
【００３１】また、第２の金属化ペースト膜１２，３２
を、その凸部からの厚みが上記凹凸加工の深さの１倍以
下とすることにより、積層セラミックコンデンサ素子
４，２４を金属化ペースト膜から引き上げたときに、素
子に付着する金属ペーストの量を少なくできるので、金
属ペーストのタレによって生ずる中央部分の塗膜が厚く
なり均一な膜厚が得られないという問題が発生しなかっ
た。
を、その凸部からの厚みが上記凹凸加工の深さの１倍以
下とすることにより、積層セラミックコンデンサ素子
４，２４を金属化ペースト膜から引き上げたときに、素
子に付着する金属ペーストの量を少なくできるので、金
属ペーストのタレによって生ずる中央部分の塗膜が厚く
なり均一な膜厚が得られないという問題が発生しなかっ
た。
【００３２】したがって、積層セラミックコンデンサ素
子４，２４の端部に薄く均一な膜厚で金属化ペーストを
塗布形成でき、このため、寸法精度の高い積層セラミッ
クコンデンサが得られた。
子４，２４の端部に薄く均一な膜厚で金属化ペーストを
塗布形成でき、このため、寸法精度の高い積層セラミッ
クコンデンサが得られた。
【００３３】なお、実施例１，２では、支持体の凹凸加
工が、溝ピッチ０．３mm、溝深さ０．２mmの場合につい
て記したが、形成すべき端子電極の厚みにより、凹凸加
工の寸法を決定することが好ましく、より薄くする場合
は、溝ピッチ、溝深さをより小さく、より厚くする場合
は、溝ピッチ、溝深さをより大きくすればよい。
工が、溝ピッチ０．３mm、溝深さ０．２mmの場合につい
て記したが、形成すべき端子電極の厚みにより、凹凸加
工の寸法を決定することが好ましく、より薄くする場合
は、溝ピッチ、溝深さをより小さく、より厚くする場合
は、溝ピッチ、溝深さをより大きくすればよい。
【００３４】また、実施例１，２では、支持体として金
属平板を、凹凸の形成としてフォトエッチング加工によ
り格子状の溝を形成した例を示したが、支持体は、必ず
しも平板である必要はなく円筒状等の曲面であってもよ
く、凹凸の形成としては、ローレト加工等の種々の機械
加工法、あるいは、金網等の網目状のものを平面に張り
つけて構成してもよい。
属平板を、凹凸の形成としてフォトエッチング加工によ
り格子状の溝を形成した例を示したが、支持体は、必ず
しも平板である必要はなく円筒状等の曲面であってもよ
く、凹凸の形成としては、ローレト加工等の種々の機械
加工法、あるいは、金網等の網目状のものを平面に張り
つけて構成してもよい。
【００３５】その材質も、金属のほか樹脂でも構わない
が、耐溶剤性を有するものが好ましい。
が、耐溶剤性を有するものが好ましい。
【００３６】また、金属化ペーストにおいても実施例に
おいては、銀ペーストを用いたが他の金属を用いた金属
化ペーストでも同様の効果が得られる。また、第１の金
属化ペースト膜２，２２と第２の金属化ペースト膜１
２，３２には同じ金属化ペーストを用いたが、これは積
層セラミックコンデンサ素子４，２４を第１の金属化ペ
ースト膜２，２２に浸漬したときについた余分な金属化
ペーストを取り除くのが目的であるために、同じものを
用いた。
おいては、銀ペーストを用いたが他の金属を用いた金属
化ペーストでも同様の効果が得られる。また、第１の金
属化ペースト膜２，２２と第２の金属化ペースト膜１
２，３２には同じ金属化ペーストを用いたが、これは積
層セラミックコンデンサ素子４，２４を第１の金属化ペ
ースト膜２，２２に浸漬したときについた余分な金属化
ペーストを取り除くのが目的であるために、同じものを
用いた。
【００３７】さらに、実施例１，２においては、積層セ
ラミックコンデンサを用い説明したが、チップサーミス
タ、チップ抵抗器など素子の端部に端子電極を有する電
子部品であれば同様の効果が得られる。
ラミックコンデンサを用い説明したが、チップサーミス
タ、チップ抵抗器など素子の端部に端子電極を有する電
子部品であれば同様の効果が得られる。
【００３８】
【発明の効果】以上のように、本発明の電子部品の電極
形成方法は、積層セラミックコンデンサや抵抗器などの
チップ型電子部品の端子電極の形成方法に適用できるも
ので、電子部品の素子の端部に所定の塗布幅で金属化ペ
ーストを塗布形成したのち、これを、表面に凹凸加工を
施した支持体の上に形成した第２の金属化ペースト膜
に、素子の端部が支持体の凸部に当接するまで浸漬し、
引き上げて、第２の金属化ペースト膜中に必要以上に付
着した金属化ペーストを転移させて余分な金属化ペース
トを取り除く方法であるので、素子の端部と支持体との
間には、凹部に一定量の金属化ペーストを存在させるこ
とができるので、平面状の定盤に当接させることにより
必要以上に付着した金属化ペーストを定盤に転移させて
余分な金属化ペーストを取り除く方法と異なり、転移す
る金属化ペーストの量が安定化し、素子端部の中央部分
に塗膜が形成されず塗布ムラを生ずる問題や、金属化ペ
ーストの塗膜内に気泡を巻き込むという問題がない。
形成方法は、積層セラミックコンデンサや抵抗器などの
チップ型電子部品の端子電極の形成方法に適用できるも
ので、電子部品の素子の端部に所定の塗布幅で金属化ペ
ーストを塗布形成したのち、これを、表面に凹凸加工を
施した支持体の上に形成した第２の金属化ペースト膜
に、素子の端部が支持体の凸部に当接するまで浸漬し、
引き上げて、第２の金属化ペースト膜中に必要以上に付
着した金属化ペーストを転移させて余分な金属化ペース
トを取り除く方法であるので、素子の端部と支持体との
間には、凹部に一定量の金属化ペーストを存在させるこ
とができるので、平面状の定盤に当接させることにより
必要以上に付着した金属化ペーストを定盤に転移させて
余分な金属化ペーストを取り除く方法と異なり、転移す
る金属化ペーストの量が安定化し、素子端部の中央部分
に塗膜が形成されず塗布ムラを生ずる問題や、金属化ペ
ーストの塗膜内に気泡を巻き込むという問題がない。
【００３９】また、第２の金属化ペースト膜を、その凸
部からの厚みが上記凹凸加工の深さの１倍以下とするこ
とにより、素子を第２の金属化ペースト膜から引き上げ
たときに、転移せずに素子に付着して残る金属ペースト
の量を一定でかつ少なくできるので、金属ペーストのタ
レによって生ずる中央部分の塗膜が厚くなり均一な膜厚
が得られないという問題が発生しない。
部からの厚みが上記凹凸加工の深さの１倍以下とするこ
とにより、素子を第２の金属化ペースト膜から引き上げ
たときに、転移せずに素子に付着して残る金属ペースト
の量を一定でかつ少なくできるので、金属ペーストのタ
レによって生ずる中央部分の塗膜が厚くなり均一な膜厚
が得られないという問題が発生しない。
【００４０】したがって、電子部品の素子の端部に薄く
均一な膜厚で端子電極が形成でき、このため、寸法精度
の高く、回路基板への実装時の問題のない高品質な電子
部品が容易に得られるとともに、金属化ペーストの使用
量を少なくできるので低コスト化が可能となり、工業的
価値は大である。
均一な膜厚で端子電極が形成でき、このため、寸法精度
の高く、回路基板への実装時の問題のない高品質な電子
部品が容易に得られるとともに、金属化ペーストの使用
量を少なくできるので低コスト化が可能となり、工業的
価値は大である。
【図１】本発明の第１の実施例における積層セラミック
コンデンサ素子の電極形成方法を示す概略断面図
コンデンサ素子の電極形成方法を示す概略断面図
【図２】本発明の第１の実施例における積層セラミック
コンデンサ素子の電極形成方法を示す概略断面図
コンデンサ素子の電極形成方法を示す概略断面図
【図３】本発明の第１の実施例における積層セラミック
コンデンサ素子の電極形成方法を示す概略断面図
コンデンサ素子の電極形成方法を示す概略断面図
【図４】本発明の第１の実施例における積層セラミック
コンデンサ素子の電極形成方法を示す概略断面図
コンデンサ素子の電極形成方法を示す概略断面図
【図５】本発明の第１の実施例における積層セラミック
コンデンサ素子の電極形成方法を示す概略断面図
コンデンサ素子の電極形成方法を示す概略断面図
【図６】本発明の第１の実施例における積層セラミック
コンデンサ素子の電極形成方法を示す概略断面図
コンデンサ素子の電極形成方法を示す概略断面図
【図７】本発明の第２の実施例における積層セラミック
コンデンサ素子の電極形成方法を示す概略断面図
コンデンサ素子の電極形成方法を示す概略断面図
【図８】本発明の第２の実施例における積層セラミック
コンデンサ素子の電極形成方法を示す概略断面図
コンデンサ素子の電極形成方法を示す概略断面図
【図９】本発明の第２の実施例における積層セラミック
コンデンサ素子の電極形成方法を示す概略断面図
コンデンサ素子の電極形成方法を示す概略断面図
【図１０】本発明の第２の実施例における積層セラミッ
クコンデンサ素子の電極形成方法を示す概略断面図
クコンデンサ素子の電極形成方法を示す概略断面図
【図１１】本発明の第２の実施例における積層セラミッ
クコンデンサ素子の電極形成方法を示す概略断面図
クコンデンサ素子の電極形成方法を示す概略断面図
【図１２】本発明の第２の実施例における積層セラミッ
クコンデンサ素子の電極形成方法を示す概略断面図
クコンデンサ素子の電極形成方法を示す概略断面図
【図１３】従来の電子部品の電極形成方法を説明するた
めの概略断面図
めの概略断面図
【図１４】従来の電子部品の電極形成方法を説明するた
めの概略断面図
めの概略断面図
【図１５】従来の電子部品の電極形成方法を説明するた
めの概略断面図
めの概略断面図
１ 支持体 ２ 第１の金属化ペースト膜 ２ａ 金属化ペースト ２ｂ 金属化ペースト ４ 積層セラミックコンデンサ素子 １１ 表面に凹凸加工を施した支持体 １２ 第２の金属化ペースト膜 １３ かき取りブレード ２１ 表面に凹凸加工を施した支持体 ２２ 第１の金属化ペースト膜 ２２ａ 金属化ペースト ２２ｂ 金属化ペースト ２３ かき取りブレード ２４ 積層セラミックコンデンサ素子 ３２ 第２の金属化ペースト膜
Claims (3)
- 【請求項１】 電子部品の素子の端部を所定厚みの第１
の金属化ペースト膜に浸漬し、引き上げて、前記素子の
端部に第１の金属化ペーストを塗布し、次に、表面に凹
凸加工を施した支持体の上にその凸部からの厚みが前記
凹凸加工の深さの１倍以下になるように形成した第２の
金属化ペースト膜中に前記素子の端部を前記支持体の凸
部に当接するまで浸漬し、引き上げて前記素子の端部の
金属化ペーストを固化させる電子部品の端子電極形成方
法。 - 【請求項２】 電子部品の素子の端部を所定厚みの金属
化ペースト膜に浸漬し、引き上げて、前記端子の端部に
金属化ペーストを塗布し、次に、表面に凹凸加工を施し
た支持体に、前記素子の端部を前記支持体の凸部に当接
するまで押し当てた後引き上げて、次に、前記素子の端
部の金属化ペーストを固化させる電子部品の端子電極形
成方法。 - 【請求項３】 表面に凹凸加工を施した支持体の上に所
定厚みの第１の金属化ペースト膜を設け、次に、電子部
品の素子の端部を前記第１の金属化ペースト膜に浸漬
し、引き上げて、前記素子の端部に金属化ペーストを塗
布し、その後、前記支持体の上にその凸部からの厚みが
前記凹凸加工の深さの１倍以下となるように第２の金属
化ペースト膜を形成し、次に、前記素子の端部を前記支
持体の凸部に当接するまで第２の金属化ペースト膜中に
浸漬し、引き上げて、前記素子の端部の金属化ペースト
を固化する電子部品の端子電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6269529A JPH08130170A (ja) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | 電子部品の端子電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6269529A JPH08130170A (ja) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | 電子部品の端子電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08130170A true JPH08130170A (ja) | 1996-05-21 |
Family
ID=17473664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6269529A Pending JPH08130170A (ja) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | 電子部品の端子電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08130170A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6500483B1 (en) * | 1999-03-08 | 2002-12-31 | Murata Manufacturing Co. | Method and device for applying sealant to component |
| JP2006351727A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造方法および電子部品の製造装置 |
| JP2007081163A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Murata Mfg Co Ltd | 外部電極形成用治具およびチップ型電子部品の製造方法。 |
| JP2010251584A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の外部電極形成方法 |
| US20120128865A1 (en) * | 2010-11-22 | 2012-05-24 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Apparatus for forming electrode and method for forming electrode using the same |
| JP2014093524A (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-19 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミックキャパシタ及びこれを含む印刷回路基板 |
| JP2014131009A (ja) * | 2012-12-31 | 2014-07-10 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
| WO2021180841A1 (en) * | 2020-03-13 | 2021-09-16 | Tdk Electronics Ag | Method for applying a metallization to a plurality of electronic components |
-
1994
- 1994-11-02 JP JP6269529A patent/JPH08130170A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6500483B1 (en) * | 1999-03-08 | 2002-12-31 | Murata Manufacturing Co. | Method and device for applying sealant to component |
| JP2006351727A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造方法および電子部品の製造装置 |
| JP4529809B2 (ja) * | 2005-06-14 | 2010-08-25 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法および電子部品の製造装置 |
| JP2007081163A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Murata Mfg Co Ltd | 外部電極形成用治具およびチップ型電子部品の製造方法。 |
| JP4569430B2 (ja) * | 2005-09-14 | 2010-10-27 | 株式会社村田製作所 | 外部電極形成用治具およびチップ型電子部品の製造方法。 |
| JP2010251584A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の外部電極形成方法 |
| US20120128865A1 (en) * | 2010-11-22 | 2012-05-24 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Apparatus for forming electrode and method for forming electrode using the same |
| JP2014093524A (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-19 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミックキャパシタ及びこれを含む印刷回路基板 |
| US9345141B2 (en) | 2012-10-31 | 2016-05-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and printed circuit board including the same |
| JP2014131009A (ja) * | 2012-12-31 | 2014-07-10 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
| WO2021180841A1 (en) * | 2020-03-13 | 2021-09-16 | Tdk Electronics Ag | Method for applying a metallization to a plurality of electronic components |
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