JPH07288203A - 正特性磁器半導体の電極の形成方法 - Google Patents
正特性磁器半導体の電極の形成方法Info
- Publication number
- JPH07288203A JPH07288203A JP8121195A JP8121195A JPH07288203A JP H07288203 A JPH07288203 A JP H07288203A JP 8121195 A JP8121195 A JP 8121195A JP 8121195 A JP8121195 A JP 8121195A JP H07288203 A JPH07288203 A JP H07288203A
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- JP
- Japan
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- electrode
- positive
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- semiconductor
- ceramic semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 正特性磁器半導体素子と強固に接合された電
極表面の酸化が抑制された正特性磁器半導体を提供す
る。 【構成】 チタン酸バリウム系を主成分とする材料より
なる正特性磁器半導体素子１の表面に形成され、バラジ
ウムの化合物よりなる活性化剤を塗布、焼付け後、電極
２を形成するとともに、この電極２の表面上に、銀を主
成分とするカバー電極３を形成することによって、電極
２の表面の酸化を抑制することがてきるだけでなく、正
特性磁器半導体素子１と電極２との接着力および正特性
磁器半導体素子１とカバー電極３との接着力を向上させ
ることができる。
極表面の酸化が抑制された正特性磁器半導体を提供す
る。 【構成】 チタン酸バリウム系を主成分とする材料より
なる正特性磁器半導体素子１の表面に形成され、バラジ
ウムの化合物よりなる活性化剤を塗布、焼付け後、電極
２を形成するとともに、この電極２の表面上に、銀を主
成分とするカバー電極３を形成することによって、電極
２の表面の酸化を抑制することがてきるだけでなく、正
特性磁器半導体素子１と電極２との接着力および正特性
磁器半導体素子１とカバー電極３との接着力を向上させ
ることができる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は正特性磁器半導体に関す
るものであり、特に正特性磁器半導体の電極に関するも
のである。 【０００２】 【従来の技術】従来、正特性磁器半導体の電極の形成方
法としては、例えば、特公昭５５−３３１６５号公報の
開示されている方法が一般に知られています。この方法
では、チタン酸バリウムよりなる正特性磁器半導体素子
の表面に、塩化パラジウムを含有するペースト状の活性
化剤を塗布して焼き付け、その後ニッケル浴に浸漬さ
せ、焼き付けされた活性化剤の焼き付け面上にニッケル
電極を析出させることが開示されております。 【０００３】このような構成とすることによって、正特
性磁器半導体素子表面に電極を強固に接合することがで
きます。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を我々発明者らが検討したところ、確かにニッ
ケル電極を正特性磁器半導体素子表面に強固に接合する
ことはできるがニッケル電極表面を露出するような構成
においては、ニッケル電極表面に酸化膜が生じるという
問題が生じます。このように、ニッケル電極表面に酸化
膜が形成されると、このニッケル電極表面の抵抗が著し
く増大します。そのため、ニッケル電極と電極取り出し
端子との電気的接触が不安定になり、正特性磁器半導体
自体の比抵抗や抵抗変化率等の初期特性や耐久性が悪化
します。さらには、電気的接触が不安定なため、接触が
点接触となりやすく、接触している部分のみに電流が集
中し、電極が溶損するという問題が生じてしまうことを
本願発明者らがはじめて見いだしたのです。 【０００５】本願発明は、上記問題点を鑑みて得られて
ものであり、初期特性や耐久性が良好な正特性磁器半導
体を提供するものであります。 【０００６】 【課題を解決するための手段】そこで、本発明では、チ
タン酸バリウム系を主成分とする材料よりなる正特性磁
器半導体素子の表面にパラジウムの化合物よりなる活性
化剤を設けた後、無電解メッキ浴に浸漬させることによ
って形成された電極と、該電極表面上に形成されたカバ
ー電極と、からなる正特性磁器半導体を提供します。 【０００７】特に、この電極は、活性化剤を塗布，焼付
けた後に無電解メッキ浴に浸漬させることによって形成
されることが好ましい。特に、カバー電極は、Ａｇを主
成分とすることが好ましい。 【０００８】 【作用および発明の効果】上記本発明の如く構成とする
ことによって、電極形成時に用いられる活性化剤中に含
有するパラジウム成分によって、電極と正特性磁器半導
体素子との接着強度を向上させることができる。またそ
れだけでなく、活性化剤中に含有するパラジウムの触媒
作用による酸素の吸脱着とカバー電極の電極表面保護作
用の酸素流入防止とによる相互作用によって、電極表面
の酸化を十分に抑制することができるのです。 【０００９】さらには、カバー電極中に含有するＡｇと
活性化剤に含有されるＰｄは全率固溶体を形成すること
ができるため、互いによくなじむことができます。その
ため、活性化剤中のＰｄとカバー電極の主成分であるＡ
ｇとが反応し、カバー電極と電極とのさらなる密着性の
向上を計ることができるのです。ところで、本発明に対
して、確かに従来においては、ニッケル電極表面に銀層
や銀ペイントを塗布することによって、ニッケル電極の
表面を覆うことは、特開昭４８−９９６８９号公報や特
開昭５２−２１７１２号公報に開示されております。 【００１０】しかしながら、これらのものは、正特性磁
器半導体素子表面に活性化剤を塗布、焼付けることなし
で、銀ペイントや銀層をニッケル電極上に形成する構成
とすることにより、正特性磁器半導体とニッケル電極と
の接着強度を向上させることが開示されているにすぎま
せん。このような従来技術には、我々発明者らが新たに
見いだしたニッケル電極の露出に対する問題点の開示さ
えもありません。 【００１１】そのため、これら従来技術より、活性化剤
によって形成された接着力強固な電極の表面にわざわざ
カバー電極を形成するという技術思想がこれら従来技術
からは伺えしれないのです。それに対して、本発明にお
いては、活性化剤によって形成された電極の表面にカバ
ー電極を形成することを特徴とするものであるのです。 【００１２】 【実施例】以下本発明を具体的な実施例により詳細に説
明する。まず、図１および図２において、円板状の正特
性磁器半導体素子１はチタン酸バリウム（ＢａＴｉ
Ｏ3 ）系の公知材料より成る。この半導体素子１の両面
にはニッケル（Ｎｉ）電極２が形成され、更にこの電極
２の上には銀（Ａｇ）のカバー電極３が形成されてい
る。 【００１３】次に、上記各電極の形成方法について説明
する。まず、半導体の両面を研磨するとともに、その両
面を洗浄して乾燥させ、パラジウム（Ｐｄ）の塩化物を
含むペースト状の活性化剤（日本カニゼン株式会社製造
のＫ１４６）を所望パターンにして１５０メッシュ乃至
３００メッシュにてスクリーン印刷し、図示しない活性
化層を形成する。その後、乾燥して半導体を３００℃乃
至７５０℃の高温度下に配置し、上記活性化剤を焼付け
る。 【００１４】次に、Ｎｉ−Ｐ系の霧電解メッキ浴（浴温
９０℃〜９５℃）に半導体を浸漬し、活性化層上にＮｉ
メッキを行なう。その後、メッキ浴より半導体を取出し
て乾燥後、２００℃乃至４５０℃の温度下で１０分乃至
５時間焼付けてＮｉ電極を得る。その後、このＮｉ電極
上にＡｇぺーすとを塗布して４５０℃乃至８００℃にて
１５分間焼付け、カバー電極とする。このカバー電極は
Ｎｉ電極の保護を目的としている。 【００１５】上述の本発明方法によって得たＮｉ電極付
半導体と従来方法によるＮｉ電極をもった半導体との比
抵抗を確認したところ、ほぼ同等の特性が得られ、品質
的問題がないことがわかった。その結果を表１に示す。
なお、表１において、「メッシュ」とは活性化剤のスク
リーン印刷メッシュ、「その他」は電源電圧１２Ｖを印
加し、電圧ＯＮを１分間、電圧ＯＦＦを９分間とし、こ
れを１サイクルで１０００時間行なった耐久後の抵抗変
化率であり、試料の半導体は直径２０ｍｍ、厚さ８．０
ｍｍで約２．４Ωの抵抗をもつ。また、「抵抗変化率」
とはキュリー点を境にした最小抵抗と最大抵抗との比率
である。 【００１６】 【表１】 【００１７】この表１において、活性化剤のスクリーン
印刷メッシュは２００メッシュが、その焼付温度は４０
０℃が、比抵抗、耐久後の変化率の点で特に望ましい。
なお、本発明は前述の実施例に限定されず、以下のごと
く種々の変形が可能である。 (1) 正特性磁器半導体の形状は円板状に限らず、角板
状、ハニカム状など種々の形状でもよいことは勿論であ
る。 【００１８】(2) 電極の材料は特にＮｉに限定されず、
他の金属でも勿論よいが、半導体との接触抵抗の非常に
良好なＮｉが最適である。 (3) 活性化剤は塩化物の他に有機金属化合物でもよい。 (4) カバー電極の材料もＡｇの他に種々考えられる。 なお、本発明の用途としては、一般の電流遮断用抵抗
器、あるいは過熱機器用発熱体など広範囲な用途が考え
られる。
るものであり、特に正特性磁器半導体の電極に関するも
のである。 【０００２】 【従来の技術】従来、正特性磁器半導体の電極の形成方
法としては、例えば、特公昭５５−３３１６５号公報の
開示されている方法が一般に知られています。この方法
では、チタン酸バリウムよりなる正特性磁器半導体素子
の表面に、塩化パラジウムを含有するペースト状の活性
化剤を塗布して焼き付け、その後ニッケル浴に浸漬さ
せ、焼き付けされた活性化剤の焼き付け面上にニッケル
電極を析出させることが開示されております。 【０００３】このような構成とすることによって、正特
性磁器半導体素子表面に電極を強固に接合することがで
きます。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を我々発明者らが検討したところ、確かにニッ
ケル電極を正特性磁器半導体素子表面に強固に接合する
ことはできるがニッケル電極表面を露出するような構成
においては、ニッケル電極表面に酸化膜が生じるという
問題が生じます。このように、ニッケル電極表面に酸化
膜が形成されると、このニッケル電極表面の抵抗が著し
く増大します。そのため、ニッケル電極と電極取り出し
端子との電気的接触が不安定になり、正特性磁器半導体
自体の比抵抗や抵抗変化率等の初期特性や耐久性が悪化
します。さらには、電気的接触が不安定なため、接触が
点接触となりやすく、接触している部分のみに電流が集
中し、電極が溶損するという問題が生じてしまうことを
本願発明者らがはじめて見いだしたのです。 【０００５】本願発明は、上記問題点を鑑みて得られて
ものであり、初期特性や耐久性が良好な正特性磁器半導
体を提供するものであります。 【０００６】 【課題を解決するための手段】そこで、本発明では、チ
タン酸バリウム系を主成分とする材料よりなる正特性磁
器半導体素子の表面にパラジウムの化合物よりなる活性
化剤を設けた後、無電解メッキ浴に浸漬させることによ
って形成された電極と、該電極表面上に形成されたカバ
ー電極と、からなる正特性磁器半導体を提供します。 【０００７】特に、この電極は、活性化剤を塗布，焼付
けた後に無電解メッキ浴に浸漬させることによって形成
されることが好ましい。特に、カバー電極は、Ａｇを主
成分とすることが好ましい。 【０００８】 【作用および発明の効果】上記本発明の如く構成とする
ことによって、電極形成時に用いられる活性化剤中に含
有するパラジウム成分によって、電極と正特性磁器半導
体素子との接着強度を向上させることができる。またそ
れだけでなく、活性化剤中に含有するパラジウムの触媒
作用による酸素の吸脱着とカバー電極の電極表面保護作
用の酸素流入防止とによる相互作用によって、電極表面
の酸化を十分に抑制することができるのです。 【０００９】さらには、カバー電極中に含有するＡｇと
活性化剤に含有されるＰｄは全率固溶体を形成すること
ができるため、互いによくなじむことができます。その
ため、活性化剤中のＰｄとカバー電極の主成分であるＡ
ｇとが反応し、カバー電極と電極とのさらなる密着性の
向上を計ることができるのです。ところで、本発明に対
して、確かに従来においては、ニッケル電極表面に銀層
や銀ペイントを塗布することによって、ニッケル電極の
表面を覆うことは、特開昭４８−９９６８９号公報や特
開昭５２−２１７１２号公報に開示されております。 【００１０】しかしながら、これらのものは、正特性磁
器半導体素子表面に活性化剤を塗布、焼付けることなし
で、銀ペイントや銀層をニッケル電極上に形成する構成
とすることにより、正特性磁器半導体とニッケル電極と
の接着強度を向上させることが開示されているにすぎま
せん。このような従来技術には、我々発明者らが新たに
見いだしたニッケル電極の露出に対する問題点の開示さ
えもありません。 【００１１】そのため、これら従来技術より、活性化剤
によって形成された接着力強固な電極の表面にわざわざ
カバー電極を形成するという技術思想がこれら従来技術
からは伺えしれないのです。それに対して、本発明にお
いては、活性化剤によって形成された電極の表面にカバ
ー電極を形成することを特徴とするものであるのです。 【００１２】 【実施例】以下本発明を具体的な実施例により詳細に説
明する。まず、図１および図２において、円板状の正特
性磁器半導体素子１はチタン酸バリウム（ＢａＴｉ
Ｏ3 ）系の公知材料より成る。この半導体素子１の両面
にはニッケル（Ｎｉ）電極２が形成され、更にこの電極
２の上には銀（Ａｇ）のカバー電極３が形成されてい
る。 【００１３】次に、上記各電極の形成方法について説明
する。まず、半導体の両面を研磨するとともに、その両
面を洗浄して乾燥させ、パラジウム（Ｐｄ）の塩化物を
含むペースト状の活性化剤（日本カニゼン株式会社製造
のＫ１４６）を所望パターンにして１５０メッシュ乃至
３００メッシュにてスクリーン印刷し、図示しない活性
化層を形成する。その後、乾燥して半導体を３００℃乃
至７５０℃の高温度下に配置し、上記活性化剤を焼付け
る。 【００１４】次に、Ｎｉ−Ｐ系の霧電解メッキ浴（浴温
９０℃〜９５℃）に半導体を浸漬し、活性化層上にＮｉ
メッキを行なう。その後、メッキ浴より半導体を取出し
て乾燥後、２００℃乃至４５０℃の温度下で１０分乃至
５時間焼付けてＮｉ電極を得る。その後、このＮｉ電極
上にＡｇぺーすとを塗布して４５０℃乃至８００℃にて
１５分間焼付け、カバー電極とする。このカバー電極は
Ｎｉ電極の保護を目的としている。 【００１５】上述の本発明方法によって得たＮｉ電極付
半導体と従来方法によるＮｉ電極をもった半導体との比
抵抗を確認したところ、ほぼ同等の特性が得られ、品質
的問題がないことがわかった。その結果を表１に示す。
なお、表１において、「メッシュ」とは活性化剤のスク
リーン印刷メッシュ、「その他」は電源電圧１２Ｖを印
加し、電圧ＯＮを１分間、電圧ＯＦＦを９分間とし、こ
れを１サイクルで１０００時間行なった耐久後の抵抗変
化率であり、試料の半導体は直径２０ｍｍ、厚さ８．０
ｍｍで約２．４Ωの抵抗をもつ。また、「抵抗変化率」
とはキュリー点を境にした最小抵抗と最大抵抗との比率
である。 【００１６】 【表１】 【００１７】この表１において、活性化剤のスクリーン
印刷メッシュは２００メッシュが、その焼付温度は４０
０℃が、比抵抗、耐久後の変化率の点で特に望ましい。
なお、本発明は前述の実施例に限定されず、以下のごと
く種々の変形が可能である。 (1) 正特性磁器半導体の形状は円板状に限らず、角板
状、ハニカム状など種々の形状でもよいことは勿論であ
る。 【００１８】(2) 電極の材料は特にＮｉに限定されず、
他の金属でも勿論よいが、半導体との接触抵抗の非常に
良好なＮｉが最適である。 (3) 活性化剤は塩化物の他に有機金属化合物でもよい。 (4) カバー電極の材料もＡｇの他に種々考えられる。 なお、本発明の用途としては、一般の電流遮断用抵抗
器、あるいは過熱機器用発熱体など広範囲な用途が考え
られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の説明に供する正特性磁器半導体を示す
斜視図である。 【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。 【符号の説明】 １ 正特性磁器半導体 ２ Ｎｉ電極 ３ Ａｇカバー電極
斜視図である。 【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。 【符号の説明】 １ 正特性磁器半導体 ２ Ｎｉ電極 ３ Ａｇカバー電極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）チタン酸バリウム系を主成分とする材料よりなる
正特性磁器半導体素子の表面にパラジウムの化合物より
なる活性化剤を設けた後、無電解メッキ浴に浸漬させる
ことによって形成された電極と、 該電極表面上に形成されたカバー電極と、 からなることを特徴とする正特性磁器半導体。 （２）前記電極は、前記正特性磁器半導体素子の表面に
前記活性化剤を塗布、焼付後、無電解メッキ浴に浸漬さ
せることによって形成された電極であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の正特性磁器半導体。 （３）前記カバー電極は、Ａｇを主成分とすることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の正特性磁器半導
体。 （４）前記電極は、ニッケルよりなることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の正特性磁器半導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8121195A JPH07288203A (ja) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | 正特性磁器半導体の電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8121195A JPH07288203A (ja) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | 正特性磁器半導体の電極の形成方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21839889A Division JPH0284701A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 正特性磁器半導体の電極の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07288203A true JPH07288203A (ja) | 1995-10-31 |
Family
ID=13740159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8121195A Pending JPH07288203A (ja) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | 正特性磁器半導体の電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07288203A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5533165A (en) * | 1978-08-31 | 1980-03-08 | Canon Inc | Method and apparatus for liquid processing |
-
1995
- 1995-04-06 JP JP8121195A patent/JPH07288203A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5533165A (en) * | 1978-08-31 | 1980-03-08 | Canon Inc | Method and apparatus for liquid processing |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980630 |