JPH06325972A - 電子部品の電極構造及び電極形成方法 - Google Patents
電子部品の電極構造及び電極形成方法Info
- Publication number
- JPH06325972A JPH06325972A JP10936493A JP10936493A JPH06325972A JP H06325972 A JPH06325972 A JP H06325972A JP 10936493 A JP10936493 A JP 10936493A JP 10936493 A JP10936493 A JP 10936493A JP H06325972 A JPH06325972 A JP H06325972A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode layer
- electrode
- electronic component
- electrode layers
- electroless plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 無電解メッキ後の熱処理を不要にして電気的
特性の悪化を回避できるとともに、電極の耐摩耗性を向
上して接続に対する信頼性を向上できる電子部品の電極
構造，及び電極形成方法を提供する。 【構成】 電子部品１を構成する場合に、電子部品素子
２にＡｇからなる第１電極層３を形成し、該第１電極層
３の表面に無電解メッキによりＣｏからなる第２電極層
４を形成する。また、上記電子部品を製造する場合に、
電子部品素子にＡｇを所定温度で焼き付けて第１電極層
を形成した後、これの表面に無電解メッキ法によりＣｏ
を被覆して第２電極層を形成する。さらに、電子部品素
子にＡｇ粉末とガラスフリットとを混合してなる電極ペ
ーストを塗布した後、所定温度で焼き付けて第１電極層
を形成する。次に該第１電極層を0.1 ％〜0.5 ％の塩酸
溶液で洗浄し、続いて0.01％〜0.05％の塩化パラジウム
溶液で活性化処理を行う。この後上記第１電極層の表面
に無電解メッキによりＣｏを析出被覆させて第２電極層
を形成する。
特性の悪化を回避できるとともに、電極の耐摩耗性を向
上して接続に対する信頼性を向上できる電子部品の電極
構造，及び電極形成方法を提供する。 【構成】 電子部品１を構成する場合に、電子部品素子
２にＡｇからなる第１電極層３を形成し、該第１電極層
３の表面に無電解メッキによりＣｏからなる第２電極層
４を形成する。また、上記電子部品を製造する場合に、
電子部品素子にＡｇを所定温度で焼き付けて第１電極層
を形成した後、これの表面に無電解メッキ法によりＣｏ
を被覆して第２電極層を形成する。さらに、電子部品素
子にＡｇ粉末とガラスフリットとを混合してなる電極ペ
ーストを塗布した後、所定温度で焼き付けて第１電極層
を形成する。次に該第１電極層を0.1 ％〜0.5 ％の塩酸
溶液で洗浄し、続いて0.01％〜0.05％の塩化パラジウム
溶液で活性化処理を行う。この後上記第１電極層の表面
に無電解メッキによりＣｏを析出被覆させて第２電極層
を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば誘電体，半導
体，あるいは圧電体等のセラミック素子に電極を形成し
てなる電子部品に関し、特にセラミック素子の還元を回
避して電気的特性が悪化するのを回避でき、かつ電極の
耐摩耗性を向上して接続に対する信頼性を向上できるよ
うにした電極構造，及び電極形成方法に関する。
体，あるいは圧電体等のセラミック素子に電極を形成し
てなる電子部品に関し、特にセラミック素子の還元を回
避して電気的特性が悪化するのを回避でき、かつ電極の
耐摩耗性を向上して接続に対する信頼性を向上できるよ
うにした電極構造，及び電極形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、コンデンサ，圧電フィルタ，あ
るいはバリスタ等の電子部品は、誘電体，圧電体，ある
いは半導体等のセラミック素子の表面に電極を形成し、
該電極に入出力用金属端子を接続した構造となってい
る。このような電子部品の電極を形成する場合、従来、
Ａｇ粉末とガラス粉末とを混合してなるＡｇペーストを
厚膜印刷し、これを空気中にて焼き付ける方法が一般的
である。このＡｇは比抵抗が小さく，しかも耐酸化性に
優れていることから、例えば圧電セラミック等の還元さ
れ易い電子部品用電極として適している。しかし、例え
ば拡がり振動を利用した圧電フィルタや発振子では、セ
ラミック素子のＡｇ電極を金属端子で押圧して接続保持
する構造であるから、該金属端子の押圧力やセラミック
素子の振動，揺動等によって端子とＡｇ電極との接触部
が凝着し易く、その結果、上記電極が摩耗して接続不良
を起こす場合がある。
るいはバリスタ等の電子部品は、誘電体，圧電体，ある
いは半導体等のセラミック素子の表面に電極を形成し、
該電極に入出力用金属端子を接続した構造となってい
る。このような電子部品の電極を形成する場合、従来、
Ａｇ粉末とガラス粉末とを混合してなるＡｇペーストを
厚膜印刷し、これを空気中にて焼き付ける方法が一般的
である。このＡｇは比抵抗が小さく，しかも耐酸化性に
優れていることから、例えば圧電セラミック等の還元さ
れ易い電子部品用電極として適している。しかし、例え
ば拡がり振動を利用した圧電フィルタや発振子では、セ
ラミック素子のＡｇ電極を金属端子で押圧して接続保持
する構造であるから、該金属端子の押圧力やセラミック
素子の振動，揺動等によって端子とＡｇ電極との接触部
が凝着し易く、その結果、上記電極が摩耗して接続不良
を起こす場合がある。
【０００３】このような接続性に対する信頼性を向上す
るために、従来、上記Ａｇ電極の表面に比較的硬度の高
いＮｉ電極を形成し、これにより耐摩耗性を向上したも
のが提案されている（例えば特公昭６３−１７２６号公
報参照）。これは、上記Ａｇペーストを塗布した後、35
0 〜880 ℃の温度で焼き付け、この後上記Ａｇ電極の表
面に無電解メッキによりＮｉ電極を形成する方法であ
る。
るために、従来、上記Ａｇ電極の表面に比較的硬度の高
いＮｉ電極を形成し、これにより耐摩耗性を向上したも
のが提案されている（例えば特公昭６３−１７２６号公
報参照）。これは、上記Ａｇペーストを塗布した後、35
0 〜880 ℃の温度で焼き付け、この後上記Ａｇ電極の表
面に無電解メッキによりＮｉ電極を形成する方法であ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記無電解
メッキによりＮｉ電極を形成する場合、このままでは充
分な耐摩耗性を得ることはできない。従って、上記無電
解メッキ後に不活性ガス雰囲気中にて350 ℃以上の温度
で熱処理を加える必要がある。しかしながら上記従来の
Ｎｉ電極に熱処理を施す場合、例えば圧電体セラミック
等の素子では、該素子が還元され易いことから、電気的
特性が大幅に低下するという問題点がある。また、上記
従来のＮｉ電極では、例えば上述の圧電フィルタ等に採
用した場合、凝着による摩耗を回避するうえで硬度，耐
摩耗性が不充分であり、この点での改善が要請されてい
る。
メッキによりＮｉ電極を形成する場合、このままでは充
分な耐摩耗性を得ることはできない。従って、上記無電
解メッキ後に不活性ガス雰囲気中にて350 ℃以上の温度
で熱処理を加える必要がある。しかしながら上記従来の
Ｎｉ電極に熱処理を施す場合、例えば圧電体セラミック
等の素子では、該素子が還元され易いことから、電気的
特性が大幅に低下するという問題点がある。また、上記
従来のＮｉ電極では、例えば上述の圧電フィルタ等に採
用した場合、凝着による摩耗を回避するうえで硬度，耐
摩耗性が不充分であり、この点での改善が要請されてい
る。
【０００５】本発明は、上記従来の状況に鑑みてなされ
たもので、セラミック素子の還元を防止して電気的特性
の悪化を回避できるととも、硬度，耐摩耗性をさらに向
上して凝着による摩耗を回避できる電子部品の電極構造
及び電極形成方法を提供することを目的としている。
たもので、セラミック素子の還元を防止して電気的特性
の悪化を回避できるととも、硬度，耐摩耗性をさらに向
上して凝着による摩耗を回避できる電子部品の電極構造
及び電極形成方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本件発明者らは、上記目
的を達成するためにＮｉに代わる金属について検討した
ところ、Ｃｏが適していることを見出した。このＣｏは
Ｎｉに比べて硬度，耐摩耗性に優れており、これを採用
することにより上述の無電解メッキ後の熱処理を不要に
でき、ひいては電気的特性の低下を回避できるととも
に、凝着による摩耗を低減できることに想到し、本発明
を成したものである。
的を達成するためにＮｉに代わる金属について検討した
ところ、Ｃｏが適していることを見出した。このＣｏは
Ｎｉに比べて硬度，耐摩耗性に優れており、これを採用
することにより上述の無電解メッキ後の熱処理を不要に
でき、ひいては電気的特性の低下を回避できるととも
に、凝着による摩耗を低減できることに想到し、本発明
を成したものである。
【０００７】そこで請求項１の発明は、電子部品素子に
Ａｇからなる第１電極層を形成し、該第１電極層の表面
に無電解メッキによりＣｏからなる第２電極層を形成し
たことを特徴とする電子部品の電極構造である。
Ａｇからなる第１電極層を形成し、該第１電極層の表面
に無電解メッキによりＣｏからなる第２電極層を形成し
たことを特徴とする電子部品の電極構造である。
【０００８】また、請求項２の発明は、上記電極の形成
方法であって、電子部品素子にＡｇを所定温度で焼き付
けて第１電極層を形成した後、これの表面に無電解メッ
キ法によりＣｏを被覆して第２電極層を形成したことを
特徴としている。さらに、請求項３の発明は、電子部品
素子にＡｇ粉末とガラスフリットとを混合してなる電極
ペーストを塗布した後、所定温度で焼き付けて第１電極
層を形成し、該第１電極層を0.1 ％〜0.5 ％の塩酸溶液
で洗浄し、次いで0.01％〜0.05％の塩化パラジウム溶液
で活性化処理を行い、この後上記第１電極層の表面に無
電解メッキによりＣｏを析出被覆させて第２電極層を形
成したことを特徴としている。
方法であって、電子部品素子にＡｇを所定温度で焼き付
けて第１電極層を形成した後、これの表面に無電解メッ
キ法によりＣｏを被覆して第２電極層を形成したことを
特徴としている。さらに、請求項３の発明は、電子部品
素子にＡｇ粉末とガラスフリットとを混合してなる電極
ペーストを塗布した後、所定温度で焼き付けて第１電極
層を形成し、該第１電極層を0.1 ％〜0.5 ％の塩酸溶液
で洗浄し、次いで0.01％〜0.05％の塩化パラジウム溶液
で活性化処理を行い、この後上記第１電極層の表面に無
電解メッキによりＣｏを析出被覆させて第２電極層を形
成したことを特徴としている。
【０００９】ここで、上記塩酸溶液で洗浄した後、塩化
パラジウム溶液で活性化処理を行うのは、第１電極層と
第２電極層との密着性を向上して電極の剥離を防止する
ためである。
パラジウム溶液で活性化処理を行うのは、第１電極層と
第２電極層との密着性を向上して電極の剥離を防止する
ためである。
【００１０】また、上記塩酸溶液の濃度を0.1 ％〜0.5
％の範囲としたのは、0.1 ％未満にするとＡｇ電極層の
ガラス質成分が除去できずＣｏメッキ膜が析出しないか
らであり、また0.5 ％を越えると上記ガラス質成分の溶
解が進み過ぎて電極の剥離が生じ易くなるからである。
％の範囲としたのは、0.1 ％未満にするとＡｇ電極層の
ガラス質成分が除去できずＣｏメッキ膜が析出しないか
らであり、また0.5 ％を越えると上記ガラス質成分の溶
解が進み過ぎて電極の剥離が生じ易くなるからである。
【００１１】さらに、上記塩化パラジウム溶液の濃度を
0.01％〜0.05％の範囲としたのは、0.01％未満ではパラ
ジウムイオンの付着量が少なくなり、その結果Ｃｏメッ
キ膜が析出しなくなるからであり、また上記0.05％を越
えるとＡｇ電極層のガラス質成分が溶解し、電極が剥離
し易くなるからである。
0.01％〜0.05％の範囲としたのは、0.01％未満ではパラ
ジウムイオンの付着量が少なくなり、その結果Ｃｏメッ
キ膜が析出しなくなるからであり、また上記0.05％を越
えるとＡｇ電極層のガラス質成分が溶解し、電極が剥離
し易くなるからである。
【００１２】
【作用】本発明に係る電子部品の電極構造及びその形成
方法によれば、Ａｇからなる第１電極層の表面に、無電
解メッキによりＣｏからなる第２電極層を形成したの
で、Ｎｉに比べて硬度，耐酸化性を向上できることか
ら、従来のＮｉを採用する場合の無電解メッキ後の熱処
理を不要にすることができ、ひいてはセラミック素子の
還元による電気的特性の悪化を防止できる。また上記第
２電極層にＣｏを採用したので、金属端子を接触させる
際の凝着による摩耗を回避でき、ひいては接続性に対す
る信頼性を向上できる。さらまた上記第１電極層に比抵
抗の小さいＡｇを採用したので、電子部品の電気的特性
を向上できる。
方法によれば、Ａｇからなる第１電極層の表面に、無電
解メッキによりＣｏからなる第２電極層を形成したの
で、Ｎｉに比べて硬度，耐酸化性を向上できることか
ら、従来のＮｉを採用する場合の無電解メッキ後の熱処
理を不要にすることができ、ひいてはセラミック素子の
還元による電気的特性の悪化を防止できる。また上記第
２電極層にＣｏを採用したので、金属端子を接触させる
際の凝着による摩耗を回避でき、ひいては接続性に対す
る信頼性を向上できる。さらまた上記第１電極層に比抵
抗の小さいＡｇを採用したので、電子部品の電気的特性
を向上できる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明す
る。図１は、本発明の一実施例による電子部品の電極構
造及び電極形成方法を説明するための図である。本実施
例では、圧電部品に適用した場合を例にとって説明す
る。図において、１は本実施例の圧電部品であり、これ
はＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3系圧電セラミック２の両主面
にＡｇからなる第１電極層３を形成し、該第１電極層３
の表面に無電解メッキによりＣｏからなる第２電極層４
を形成して構成されている。上記圧電部品１は、圧電セ
ラミック２の両主面の第２電極層４に金属端子（図示せ
ず）を配設し、該金属端子で上記圧電セラミック２を押
圧挟持することにより拡がり振動を行うものである。
る。図１は、本発明の一実施例による電子部品の電極構
造及び電極形成方法を説明するための図である。本実施
例では、圧電部品に適用した場合を例にとって説明す
る。図において、１は本実施例の圧電部品であり、これ
はＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3系圧電セラミック２の両主面
にＡｇからなる第１電極層３を形成し、該第１電極層３
の表面に無電解メッキによりＣｏからなる第２電極層４
を形成して構成されている。上記圧電部品１は、圧電セ
ラミック２の両主面の第２電極層４に金属端子（図示せ
ず）を配設し、該金属端子で上記圧電セラミック２を押
圧挟持することにより拡がり振動を行うものである。
【００１４】次に、上記圧電部品１の一製造方法につい
て説明する。まず、Ａｇ粉末５５〜６５重量部，ＢａＯ
−ＣａＯ−ＳｉＯ2 系ガラスフリット５〜１５重量部，
残部有機ワニスからなるＡｇペーストを作成する。この
有機ワニスにはエチルセルロースをブチルカルビトール
アセテートに溶解したものが使用できる。
て説明する。まず、Ａｇ粉末５５〜６５重量部，ＢａＯ
−ＣａＯ−ＳｉＯ2 系ガラスフリット５〜１５重量部，
残部有機ワニスからなるＡｇペーストを作成する。この
有機ワニスにはエチルセルロースをブチルカルビトール
アセテートに溶解したものが使用できる。
【００１５】上記Ａｇペーストを、上記圧電セラミック
２の両主面にスクリーン印刷した後、乾燥させる。次い
でこの圧電セラミック２を大気中にて750 〜850 ℃の温
度で焼き付けて第１電極層３を形成する。
２の両主面にスクリーン印刷した後、乾燥させる。次い
でこの圧電セラミック２を大気中にて750 〜850 ℃の温
度で焼き付けて第１電極層３を形成する。
【００１６】次に、濃度０．１〜０．５％の塩酸溶液を
作成し、この塩酸溶液で上記圧電セラミック２を１〜５
分間洗浄する。次いで、濃度０．０１〜０．０５％の塩
化パラジウム溶液を作成し、この溶液中に上記洗浄後の
圧電セラミック２を５〜１０分間浸漬し、これにより活
性化処理を施す。この後、流水で洗浄する。
作成し、この塩酸溶液で上記圧電セラミック２を１〜５
分間洗浄する。次いで、濃度０．０１〜０．０５％の塩
化パラジウム溶液を作成し、この溶液中に上記洗浄後の
圧電セラミック２を５〜１０分間浸漬し、これにより活
性化処理を施す。この後、流水で洗浄する。
【００１７】次に、ｐＨ１０からなる硫酸コバルト−ク
エン酸ナトリウム溶液を作成し、この溶液を７０℃に調
整する。そして、この溶液中に還元剤として次亞燐酸ナ
トリウムを添加するとともに、上記圧電セラミック２を
所定時間浸漬して無電解Ｃｏメッキを施し、上記第１電
極層３の表面に第２電極層４を形成する。この場合、上
記メッキ時間を設定することにより第２電極層４の膜厚
を調整する。具体的には５〜２０分で０．１〜１．０μ
m の膜厚が得られる。これにより本実施例の圧電部品１
が製造される。
エン酸ナトリウム溶液を作成し、この溶液を７０℃に調
整する。そして、この溶液中に還元剤として次亞燐酸ナ
トリウムを添加するとともに、上記圧電セラミック２を
所定時間浸漬して無電解Ｃｏメッキを施し、上記第１電
極層３の表面に第２電極層４を形成する。この場合、上
記メッキ時間を設定することにより第２電極層４の膜厚
を調整する。具体的には５〜２０分で０．１〜１．０μ
m の膜厚が得られる。これにより本実施例の圧電部品１
が製造される。
【００１８】このように本実施例の圧電部品１によれ
ば、圧電セラミック２の両主面にＡｇからなる第１電極
層３を形成し、該第１電極層３の表面にＣｏメッキ膜か
らなる第２電極層４を形成したので、該電極表面の硬
度，耐酸化性を大幅に向上することができ、従来のＮｉ
を採用する場合の無電解メッキ後の不活性ガスによる熱
処理を不要できる。その結果、上記圧電セラミック２の
還元を防止でき、電気的特性の悪化を防止できる。
ば、圧電セラミック２の両主面にＡｇからなる第１電極
層３を形成し、該第１電極層３の表面にＣｏメッキ膜か
らなる第２電極層４を形成したので、該電極表面の硬
度，耐酸化性を大幅に向上することができ、従来のＮｉ
を採用する場合の無電解メッキ後の不活性ガスによる熱
処理を不要できる。その結果、上記圧電セラミック２の
還元を防止でき、電気的特性の悪化を防止できる。
【００１９】また、圧電セラミック２の両第２電極層４
に金属端子を押圧して接続する際の凝着を回避できるこ
とから、摩耗による接続不良を回避でき、品質に対する
信頼性を向上できる。さらに、上記第１電極層３は比抵
抗の小さいＡｇで構成したので、良好な電気的特性が得
られる。さらにまた、第２電極層４を無電解メッキ法に
より形成したので、製造コストを低減できるとともに生
産性を向上できる。
に金属端子を押圧して接続する際の凝着を回避できるこ
とから、摩耗による接続不良を回避でき、品質に対する
信頼性を向上できる。さらに、上記第１電極層３は比抵
抗の小さいＡｇで構成したので、良好な電気的特性が得
られる。さらにまた、第２電極層４を無電解メッキ法に
より形成したので、製造コストを低減できるとともに生
産性を向上できる。
【００２０】なお、上記実施例では、圧電部品に適用し
た場合を例にとって説明したが、本発明の電子部品はこ
れに限られるものではない。例えば、誘電体セラミック
を用いたコンデンサ素子，あるいは半導体セラミックを
用いたバリスタ素子やサーミスタ素子等にも勿論適用で
きる。
た場合を例にとって説明したが、本発明の電子部品はこ
れに限られるものではない。例えば、誘電体セラミック
を用いたコンデンサ素子，あるいは半導体セラミックを
用いたバリスタ素子やサーミスタ素子等にも勿論適用で
きる。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【表２】
【００２３】表１及び表２は、本実施例の圧電部品１の
効果を確認するために行った試験結果を示す。表１に示
す試験は、塩酸溶液，及び塩化パラジウムの濃度を変化
させるとともに、無電解メッキ時間を変化させて各試料
No. １〜８を作成した。そしてこの各試料No. １〜８の
Ｃｏメッキ膜の膜厚を蛍光Ｘ線膜厚計で測定した。また
各試料No. １〜８のＣｏメッキ膜に粘着テープを貼り着
け、このテープを引き剥がしてメッキ後の密着強度を調
べた。表中、＊印を付したNo. ５〜８は本発明の範囲外
の比較試料である。
効果を確認するために行った試験結果を示す。表１に示
す試験は、塩酸溶液，及び塩化パラジウムの濃度を変化
させるとともに、無電解メッキ時間を変化させて各試料
No. １〜８を作成した。そしてこの各試料No. １〜８の
Ｃｏメッキ膜の膜厚を蛍光Ｘ線膜厚計で測定した。また
各試料No. １〜８のＣｏメッキ膜に粘着テープを貼り着
け、このテープを引き剥がしてメッキ後の密着強度を調
べた。表中、＊印を付したNo. ５〜８は本発明の範囲外
の比較試料である。
【００２４】表１において、塩化パラジウム濃度を０．
００５％とした比較試料No. ５の場合、パラジウムイオ
ンの付着がほとんどなくメッキ膜が析出していない。ま
た塩酸濃度を０．０５％とした比較試料No. ６の場合
は、Ａｇ電極層上のガラス質成分が洗浄しても除去され
ておらず、この場合もパラジウムイオンの付着がほとん
どなくメッキ膜の析出が悪くなっている。一方、塩酸濃
度を０．０５％とし、塩化パラジウム濃度を０．０７５
％と高くした比較試料No. ７の場合は、塩酸洗浄が不足
してもＣｏメッキ膜は０．０５μm ほど析出するが、該
メッキ膜は剥がれ易くなっている。これは塩化パラジウ
ム溶液にＡｇ電極層のガラス質成分が溶解するためであ
る。さらに、塩酸濃度を０．６％と高くした比較試料N
o. ８では、Ｃｏメッキ膜の膜厚は満足できるものの、
Ａｇ電極層のガラス成分の溶解が進んでメッキ膜が剥が
れ易くなっている。
００５％とした比較試料No. ５の場合、パラジウムイオ
ンの付着がほとんどなくメッキ膜が析出していない。ま
た塩酸濃度を０．０５％とした比較試料No. ６の場合
は、Ａｇ電極層上のガラス質成分が洗浄しても除去され
ておらず、この場合もパラジウムイオンの付着がほとん
どなくメッキ膜の析出が悪くなっている。一方、塩酸濃
度を０．０５％とし、塩化パラジウム濃度を０．０７５
％と高くした比較試料No. ７の場合は、塩酸洗浄が不足
してもＣｏメッキ膜は０．０５μm ほど析出するが、該
メッキ膜は剥がれ易くなっている。これは塩化パラジウ
ム溶液にＡｇ電極層のガラス質成分が溶解するためであ
る。さらに、塩酸濃度を０．６％と高くした比較試料N
o. ８では、Ｃｏメッキ膜の膜厚は満足できるものの、
Ａｇ電極層のガラス成分の溶解が進んでメッキ膜が剥が
れ易くなっている。
【００２５】これに対して、塩酸濃度０．１〜０．５
％，塩化パラジウム濃度０．０１〜０．０５％の範囲と
した本実施例試料No. １〜４の場合は、何れの試料もＣ
ｏメッキ膜は０．１〜１μm と満足できる膜厚が得られ
ており、しかもメッキ膜の剥離は生じておらず、密着性
の良い電極層が得られている。
％，塩化パラジウム濃度０．０１〜０．０５％の範囲と
した本実施例試料No. １〜４の場合は、何れの試料もＣ
ｏメッキ膜は０．１〜１μm と満足できる膜厚が得られ
ており、しかもメッキ膜の剥離は生じておらず、密着性
の良い電極層が得られている。
【００２６】表２に示す試験は、上記Ｃｏメッキ膜を形
成した後、Ｎ2 ガス雰囲気中にて３５０℃で熱処理を加
えた比較試料，及びこの熱処理を加えていない本実施例
試料を準備した。また、従来のＡｇからなる第１電極層
に無電解メッキによりＮｉからなる第２電極層を形成し
て従来試料を作成した。この従来試料は、Ａｇ電極層を
厚膜形成した後、酸洗浄，活性化処理を行い、この後ｐ
Ｈ５，温度９０℃に調整したクエン酸ナトリウム−塩化
ニッケル浴中で次亞燐酸ナトリウムを還元剤として無電
解メッキ処理を行った。これにより膜厚１μm のＮｉ電
極層を形成した。この従来試料についてもメッキ後の熱
処理を加えたもの、加えなかったものを準備した。次に
上記実施例試料，比較試料，及び従来試料を６０℃のオ
イル中に浸漬し、これに３．０Ｋｖ／ｍｍの電圧を印加
して分極処理を行った。
成した後、Ｎ2 ガス雰囲気中にて３５０℃で熱処理を加
えた比較試料，及びこの熱処理を加えていない本実施例
試料を準備した。また、従来のＡｇからなる第１電極層
に無電解メッキによりＮｉからなる第２電極層を形成し
て従来試料を作成した。この従来試料は、Ａｇ電極層を
厚膜形成した後、酸洗浄，活性化処理を行い、この後ｐ
Ｈ５，温度９０℃に調整したクエン酸ナトリウム−塩化
ニッケル浴中で次亞燐酸ナトリウムを還元剤として無電
解メッキ処理を行った。これにより膜厚１μm のＮｉ電
極層を形成した。この従来試料についてもメッキ後の熱
処理を加えたもの、加えなかったものを準備した。次に
上記実施例試料，比較試料，及び従来試料を６０℃のオ
イル中に浸漬し、これに３．０Ｋｖ／ｍｍの電圧を印加
して分極処理を行った。
【００２７】そして、インピーダンスアナライザーを用
いて上記各試料の誘電率ε及び電気機械結合係数Ｋを測
定，算出した。また表面性試験機を用いて上記各試料の
両電極層に金属端子を押圧し、この接触部を１００回摺
動させた。そして電極層の摩耗によるセラミック表面の
露出の有無について観察し、これによる耐摩耗性を比較
した。
いて上記各試料の誘電率ε及び電気機械結合係数Ｋを測
定，算出した。また表面性試験機を用いて上記各試料の
両電極層に金属端子を押圧し、この接触部を１００回摺
動させた。そして電極層の摩耗によるセラミック表面の
露出の有無について観察し、これによる耐摩耗性を比較
した。
【００２８】表２に示すように、Ｎｉメッキ処理した後
熱処理を加えなかった従来試料（第３欄参照）では、誘
電率，電気機械結合係数とも満足できる値が得られてい
るものの、Ｎｉ電極層が摩耗してセラミック表面が露出
しており、耐摩耗性が低い。また上記熱処理を加えた従
来試料（第４欄参照）では、耐摩耗性は向上しているも
のの、誘電率，電気機械結合係数とも悪化している。
熱処理を加えなかった従来試料（第３欄参照）では、誘
電率，電気機械結合係数とも満足できる値が得られてい
るものの、Ｎｉ電極層が摩耗してセラミック表面が露出
しており、耐摩耗性が低い。また上記熱処理を加えた従
来試料（第４欄参照）では、耐摩耗性は向上しているも
のの、誘電率，電気機械結合係数とも悪化している。
【００２９】一方、Ｃｏメッキ処理した後熱処理を加え
た比較試料（第２欄参照）の場合は、誘電率，電気機械
結合係数とも低下しており、熱処理により圧電セラミッ
クが還元されている。これに対して、熱処理を加えてい
ない本実施例試料（第１欄参照）の場合は、誘電率，結
合係数とも満足できる値が得られており、しかも摺動試
験による電極層の摩耗は生じておらず、品質が向上して
いることがわかる。
た比較試料（第２欄参照）の場合は、誘電率，電気機械
結合係数とも低下しており、熱処理により圧電セラミッ
クが還元されている。これに対して、熱処理を加えてい
ない本実施例試料（第１欄参照）の場合は、誘電率，結
合係数とも満足できる値が得られており、しかも摺動試
験による電極層の摩耗は生じておらず、品質が向上して
いることがわかる。
【００３０】
【発明の効果】以上のように本発明に係る電子部品の電
極構造及び電極形成方法によれば、Ａｇからなる第１電
極層の表面に、無電解メッキによりＣｏからなる第２電
極層を形成したので、無電解メッキ後の熱処理を不要で
き、ひいてはセラミック素子の還元による電気的特性の
悪化を防止できる効果があり、また硬度，耐摩耗性を向
上できることから、金属端子の接続による凝着摩耗を回
避でき、品質に対する信頼性を向上できる効果がある。
極構造及び電極形成方法によれば、Ａｇからなる第１電
極層の表面に、無電解メッキによりＣｏからなる第２電
極層を形成したので、無電解メッキ後の熱処理を不要で
き、ひいてはセラミック素子の還元による電気的特性の
悪化を防止できる効果があり、また硬度，耐摩耗性を向
上できることから、金属端子の接続による凝着摩耗を回
避でき、品質に対する信頼性を向上できる効果がある。
【図１】本発明の一実施例による電子部品の電極構造及
び電極形成方法を説明するための断面図である。
び電極形成方法を説明するための断面図である。
１ 圧電部品（電子部品） ２ 圧電セラミック（電子部品素子） ３ 第１電極層 ４ 第２電極層
Claims (3)
- 【請求項１】 電子部品素子にＡｇからなる第１電極層
を形成し、該第１電極層の表面に無電解メッキによりＣ
ｏからなる第２電極層を形成したことを特徴とする電子
部品の電極構造。 - 【請求項２】 電子部品素子にＡｇを所定温度で焼き付
けて第１電極層を形成した後、これの表面に無電解メッ
キ法によりＣｏを被覆して第２電極層を形成したことを
特徴とする電子部品の電極形成方法。 - 【請求項３】 電子部品素子にＡｇ粉末とガラスフリッ
トとを混合してなる電極ペーストを塗布した後、所定温
度で焼き付けて第１電極層を形成し、該第１電極層を0.
1 ％〜0.5 ％の塩酸溶液で洗浄し、次いで0.01％〜0.05
％の塩化パラジウム溶液で活性化処理を行い、この後上
記第１電極層の表面に無電解メッキによりＣｏを析出被
覆させて第２電極層を形成したことを特徴とする電子部
品の電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10936493A JPH06325972A (ja) | 1993-05-11 | 1993-05-11 | 電子部品の電極構造及び電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10936493A JPH06325972A (ja) | 1993-05-11 | 1993-05-11 | 電子部品の電極構造及び電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06325972A true JPH06325972A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=14508363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10936493A Pending JPH06325972A (ja) | 1993-05-11 | 1993-05-11 | 電子部品の電極構造及び電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06325972A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140035440A1 (en) * | 2012-07-31 | 2014-02-06 | Tdk Corporation | Piezoelectric device |
-
1993
- 1993-05-11 JP JP10936493A patent/JPH06325972A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140035440A1 (en) * | 2012-07-31 | 2014-02-06 | Tdk Corporation | Piezoelectric device |
| US9136820B2 (en) * | 2012-07-31 | 2015-09-15 | Tdk Corporation | Piezoelectric device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100291806B1 (ko) | 피티시(ptc)서미스터 | |
| JPH06325972A (ja) | 電子部品の電極構造及び電極形成方法 | |
| EP0183399A2 (en) | Method and composition for producing terminations in multilayer ceramic capacitors | |
| JP4993545B2 (ja) | 電子部品および電子部品の製造方法 | |
| JPH0896623A (ja) | 導電ペースト | |
| JPH08138969A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JPH06325973A (ja) | 電子部品の電極構造及び電極形成方法 | |
| JPS634332B2 (ja) | ||
| JPH04293214A (ja) | チップ型電子部品用導電性ペースト | |
| JPH0878279A (ja) | チップ型電子部品の外部電極形成方法 | |
| JPS6127003A (ja) | 導電性ペ−スト組成物 | |
| JPH04273418A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP3031026B2 (ja) | チップ型セラミック電子部品の製造方法 | |
| JP2574383B2 (ja) | セラミック電子部品の電極形成方法 | |
| JPH0660716A (ja) | 導電ペースト及びそれを用いたセラミック電子部品の電極形成方法 | |
| JPH0727803B2 (ja) | 積層型チツプバリスタの電極処理方法 | |
| JP2626028B2 (ja) | 半導体セラミック電子部品の製造方法 | |
| JP3016560B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPH0845339A (ja) | 厚膜銅導体ペースト組成物及びそれを用いた回路基板の製造方法 | |
| JPH0239408A (ja) | セラミックコンデンサ端子電極用導電性組成物 | |
| JPH06325974A (ja) | 電子部品の電極形成方法 | |
| JPS60245782A (ja) | 透明導電膜パタ−ン上へのめつき方法 | |
| JPH08203772A (ja) | チップ型電子部品の端子電極用導電性ペースト | |
| JPH05101974A (ja) | セラミツクスへの電極形成方法 | |
| JPH04273417A (ja) | 積層セラミックコンデンサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011211 |