JPH0284701A - 正特性磁器半導体の電極の形成方法 - Google Patents
正特性磁器半導体の電極の形成方法Info
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- JPH0284701A JPH0284701A JP21839889A JP21839889A JPH0284701A JP H0284701 A JPH0284701 A JP H0284701A JP 21839889 A JP21839889 A JP 21839889A JP 21839889 A JP21839889 A JP 21839889A JP H0284701 A JPH0284701 A JP H0284701A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/1406—Terminals or electrodes formed on resistive elements having positive temperature coefficient
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
関するものである。
従来この種の電極形成方法としては、無電解メッキ法に
より行なわれているが、メッキの付着をよくするために
正特性磁器半導体の表面を研摩後、更に微細な凹凸状に
するなどの感応化、活性化処理が必要であり、従ってこ
のいわゆる前処理が非常に面倒である。
より行なわれているが、メッキの付着をよくするために
正特性磁器半導体の表面を研摩後、更に微細な凹凸状に
するなどの感応化、活性化処理が必要であり、従ってこ
のいわゆる前処理が非常に面倒である。
また、従来においては、メッキ不要な部分の処理方法と
しては、不要な部分をマスキングしたり、あるいはメッ
キ後に不要な部分をエツチングして取除くようにしてお
り、これまた甚だ面倒な処理である。
しては、不要な部分をマスキングしたり、あるいはメッ
キ後に不要な部分をエツチングして取除くようにしてお
り、これまた甚だ面倒な処理である。
そこで、本発明は上述の点に鑑み、本発明者の鋭意研究
の結果、金属を含有したペースト状の活性化剤を、正特
性磁器半導体のメッキ必要部分の表面に塗布して焼付け
、その後メッキ液に浸漬してＫＷを活性化剤の塗布焼付
面上に形成することにより、上述の諸問題を解決しよう
とするものである。
の結果、金属を含有したペースト状の活性化剤を、正特
性磁器半導体のメッキ必要部分の表面に塗布して焼付け
、その後メッキ液に浸漬してＫＷを活性化剤の塗布焼付
面上に形成することにより、上述の諸問題を解決しよう
とするものである。
本発明によれば、上記の金属を含有したペースト状の活
性化剤を塗布焼付けることによって予め金°属の薄膜を
正特性磁器半導体上に形成し、その後メッキすることで
上記金属膜を核としてその表面上に集中的に金属粒子が
付着して得んとする電極が形成される。
性化剤を塗布焼付けることによって予め金°属の薄膜を
正特性磁器半導体上に形成し、その後メッキすることで
上記金属膜を核としてその表面上に集中的に金属粒子が
付着して得んとする電極が形成される。
従って、本発明は金属を含有したペースト状の活性化剤
の塗布、焼付けにより電極が形成される下地を予め設け
ているのであり、このため前述したごとき正特性磁器半
導体の表面の前処理を必要としなくても電極を形成でき
るのである。
の塗布、焼付けにより電極が形成される下地を予め設け
ているのであり、このため前述したごとき正特性磁器半
導体の表面の前処理を必要としなくても電極を形成でき
るのである。
また、本発明では、上記活性化剤の塗布、焼付面上に集
中して電極となる金属粒子が付着するので、この塗布、
焼付面以外の部分はほとんどあるいは全く金属粒子が付
着しない。このため、電極の形成パターンを所望の形状
にするには、上記活性化剤の塗布パターンをそれと同じ
くするだけでよく、特別のマスキング処理、エツチング
による電極削除処理が不要となるのである。更に、メッ
キ時間も短縮される。
中して電極となる金属粒子が付着するので、この塗布、
焼付面以外の部分はほとんどあるいは全く金属粒子が付
着しない。このため、電極の形成パターンを所望の形状
にするには、上記活性化剤の塗布パターンをそれと同じ
くするだけでよく、特別のマスキング処理、エツチング
による電極削除処理が不要となるのである。更に、メッ
キ時間も短縮される。
以上のように、本発明においては、正特性磁器半導体に
対する電極の形成を従来に比べて簡単に行なうことがで
き、従って工数低減、電極材料の削減において実用上多
大なる有効な効果を奏する。
対する電極の形成を従来に比べて簡単に行なうことがで
き、従って工数低減、電極材料の削減において実用上多
大なる有効な効果を奏する。
以下本発明を具体的な実施例により詳細に説明する。
まず、第１図および第２図において、円板状の正特性磁
器半導体ｌはチタン酸バリウム（ＢａＴｉ０３）系の公
知材料より成る。この半導体ｌの両面にはニッケ）ｖ
（ Ｎ ｉ ）電［２が形成され、更にこの電極２の上
には銀（Ａｇ）のカバー電極３が形成されている。
器半導体ｌはチタン酸バリウム（ＢａＴｉ０３）系の公
知材料より成る。この半導体ｌの両面にはニッケ）ｖ
（ Ｎ ｉ ）電［２が形成され、更にこの電極２の上
には銀（Ａｇ）のカバー電極３が形成されている。
次に、上記各電極の形成方法について説明する。
まず、半導体の両面を研摩するとともに、その両面を洗
浄して乾燥させ、パラジウム（Ｐｄ）（Ｄｉカニゼン株
式会社製造のＫｌｌ６）を所望パターンにして１５０メ
ツシユ乃至３００メツシユにてスクリーン印刷をする。
浄して乾燥させ、パラジウム（Ｐｄ）（Ｄｉカニゼン株
式会社製造のＫｌｌ６）を所望パターンにして１５０メ
ツシユ乃至３００メツシユにてスクリーン印刷をする。
その後、乾燥して半導体を３００で乃至？５０′ｃの高
温度下に配置し、上記活性化剤を焼付ける。
温度下に配置し、上記活性化剤を焼付ける。
至４５０ｔの温度下で１０分乃至５時間焼付けてＮｉＴ
ｌ！Ｌ唖を得る０その後、このＮ１電極上にＡｇペース
トを塗布して４５０℃乃至８００℃にて１５分間焼付け
、カバー電極とする。このカバー電極はＮｉ電極の保護
を目的としている。
ｌ！Ｌ唖を得る０その後、このＮ１電極上にＡｇペース
トを塗布して４５０℃乃至８００℃にて１５分間焼付け
、カバー電極とする。このカバー電極はＮｉ電極の保護
を目的としている。
上述の本発明方法によって得たＮｌ電極付半導体と従来
方法によるＮｉ電極をもった半導体との比抵抗を確認し
たところ、ほぼ同等の特性が得られ、品質的問題がない
ことがわかった。その結果を表１に示す。
方法によるＮｉ電極をもった半導体との比抵抗を確認し
たところ、ほぼ同等の特性が得られ、品質的問題がない
ことがわかった。その結果を表１に示す。
なお、表１において、「メ′ンシュ」とは活性ｆヒ剤の
スクリーン印刷メ・ンシ五、「そのイ也」は電源電圧１
２Ｖを印加し、電圧ＯＮを１分間、電圧ＯＦＦを９分間
とし、これを１サイクルで１０００時間行なった耐久後
の抵抗変化率であり、試料の半導体は直径２０闘、厚さ
３．Ｏｆｆで約２．４Ωの抵抗をもつ。また、「抵抗変
化率」とはキュリー点を境にした最小抵抗と最大抵抗と
の比率である。
スクリーン印刷メ・ンシ五、「そのイ也」は電源電圧１
２Ｖを印加し、電圧ＯＮを１分間、電圧ＯＦＦを９分間
とし、これを１サイクルで１０００時間行なった耐久後
の抵抗変化率であり、試料の半導体は直径２０闘、厚さ
３．Ｏｆｆで約２．４Ωの抵抗をもつ。また、「抵抗変
化率」とはキュリー点を境にした最小抵抗と最大抵抗と
の比率である。
表１
この表１において、活性化剤のスクリーン印刷メツシュ
は２００メツシユが、その焼付温度は４００℃が、比抵
抗、耐久後の変化率の点で特に望ましい。
は２００メツシユが、その焼付温度は４００℃が、比抵
抗、耐久後の変化率の点で特に望ましい。
なお、本発明は前述の実施例に限定されず、以下のごと
く種々の変形が可能である。
く種々の変形が可能である。
（１）正特性磁器半導体の形状は円板状に限らず、角°
板状、ハニカム状など種々の形状でもよいことは勿論で
ある。
板状、ハニカム状など種々の形状でもよいことは勿論で
ある。
（２）電極の材料は特にＮｔに限定されず、他の金属で
も勿論よいが、半導体との接触抵抗の非常にのでもよく
、あるいは焼付けによって金属となる化合物を含むペー
スト状のもの、または金属粉末を含むペースト状のもの
でもよい。
も勿論よいが、半導体との接触抵抗の非常にのでもよく
、あるいは焼付けによって金属となる化合物を含むペー
スト状のもの、または金属粉末を含むペースト状のもの
でもよい。
（４）カバー電極の材料もＡｇの他に種々考えられ用抵
抗器、あるいは加熱機器用発熱体など広範囲な用途が考
えられる。
抗器、あるいは加熱機器用発熱体など広範囲な用途が考
えられる。
第１図は本発明の説明に供する正特性磁器半導体を示す
斜視図、第２図は第１図のＡ−Ａ断面図である。 １・・・正特性磁器半導体、２・・・Ｎｉｔ極、３・・
・Ａｇカバー電極。
斜視図、第２図は第１図のＡ−Ａ断面図である。 １・・・正特性磁器半導体、２・・・Ｎｉｔ極、３・・
・Ａｇカバー電極。
Claims (8)
- （１）正特性磁器半導体の表面に、金属を含有したペー
スト状の活性化剤を塗布して焼付け、その後この正特性
磁器半導体を無電解メッキ浴に浸漬して前記活性化剤の
焼付面上に電極を形成し、その後前記正特性磁器半導体
を前記メッキ浴より取出して乾燥後、前記電極を焼付け
ることを特徴とする正特性磁器半導体の電極の形成方法
。 - （２）前記正特性磁器半導体はチタン酸バリウ系を主成
分とする材料であることを特徴とする特許請求の範囲（
１）記載の方法。 - （３）前記活性化剤はパラジウムの塩化物であり、かつ
前記電極はニッケルであることを特徴とする特許請求の
範囲（１）または（２）記載の方法。 - （４）前記活性化剤の焼付温度、焼付時間は３００℃乃
至６００℃で１５分、前記メッキ後の電極の焼付温度、
焼付時間は２００℃乃至４５０℃で１０分乃至５時間で
あることを特徴とする特許請求の範囲（３）記載の方法
。 - （５）正特性磁器半導体の表面に、金属を含有したペー
スト状の活性化剤を塗布して焼付け、その後この正特性
磁器半導体を無電解メッキ浴に浸漬して前記活性化剤の
焼付面上に電極を形成し、その後前記正特性磁器半導体
を前記メッキ浴より取出して乾燥後、前記電極を焼付け
、かつこの電極表面上にカバー電極を形成することを特
徴とする正特性磁器半導体の電極の形成方法。 - （６）前記正特性磁器半導体はチタン酸バリウ系を主成
分とする材料であることを特徴とする特許請求の範囲（
５）記載の方法。 - （７）前記活性化剤はパラジウムの塩化物であり、かつ
前記電極はニッケルであり、かつ前記カバー電極は銀ペ
ーストの塗布、焼付けであることを特徴とする特許請求
の範囲（５）または（６）記載の方法。 - （８）前記活性化剤の焼付温度、焼付時間は３００℃乃
至６００℃で１５分、前記メッキ後の電極の焼付温度、
焼付時間は２００℃乃至４５０℃で１０分乃至５時間で
あり、前記カバー電極の焼付時間、温度は１５分、４５
０℃乃至８００℃であることを特徴とする特許請求の範
囲（７）記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21839889A JPH0284701A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 正特性磁器半導体の電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21839889A JPH0284701A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 正特性磁器半導体の電極の形成方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8121195A Division JPH07288203A (ja) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | 正特性磁器半導体の電極の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0284701A true JPH0284701A (ja) | 1990-03-26 |
| JPH043084B2 JPH043084B2 (ja) | 1992-01-22 |
Family
ID=16719287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21839889A Granted JPH0284701A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 正特性磁器半導体の電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0284701A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004342658A (ja) * | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Nichicon Corp | 正特性サーミスタ素子の製造方法 |
| KR100673684B1 (ko) * | 2005-12-07 | 2007-01-24 | 엘에스전선 주식회사 | 전극 구조가 개선된 ｐｔｃ 소자 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4899689A (ja) * | 1972-03-30 | 1973-12-17 | ||
| JPS5221712A (en) * | 1975-08-05 | 1977-02-18 | Quest Automation | Phototelegraphic system |
| JPS53118759A (en) * | 1977-03-25 | 1978-10-17 | Murata Manufacturing Co | Positive temperature characteristic semiconductive resistance |
| JPS5533165A (en) * | 1978-08-31 | 1980-03-08 | Canon Inc | Method and apparatus for liquid processing |
| JPS5610917A (en) * | 1979-07-09 | 1981-02-03 | Nippon Electric Co | Electronic part and method of manufacturing same |
| JPS56124223A (en) * | 1980-03-05 | 1981-09-29 | Tdk Electronics Co Ltd | Method of forming electrode for electronic part |
| JPS56146221A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing ceramic electronic part |
| JPS56146219A (en) * | 1980-04-15 | 1981-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing ceramic electronic part |
| JPS5710216A (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-19 | Murata Manufacturing Co | Method of forming electrode for ceramic capacitor |
| JPS57121212A (en) * | 1981-01-20 | 1982-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of forming electrode for porcelain capacitor |
| JPS57148301A (en) * | 1981-03-10 | 1982-09-13 | Tdk Electronics Co Ltd | Method of producing positive temperature coefficient thermistor element |
-
1989
- 1989-08-24 JP JP21839889A patent/JPH0284701A/ja active Granted
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4899689A (ja) * | 1972-03-30 | 1973-12-17 | ||
| JPS5221712A (en) * | 1975-08-05 | 1977-02-18 | Quest Automation | Phototelegraphic system |
| JPS53118759A (en) * | 1977-03-25 | 1978-10-17 | Murata Manufacturing Co | Positive temperature characteristic semiconductive resistance |
| JPS5533165A (en) * | 1978-08-31 | 1980-03-08 | Canon Inc | Method and apparatus for liquid processing |
| JPS5610917A (en) * | 1979-07-09 | 1981-02-03 | Nippon Electric Co | Electronic part and method of manufacturing same |
| JPS56124223A (en) * | 1980-03-05 | 1981-09-29 | Tdk Electronics Co Ltd | Method of forming electrode for electronic part |
| JPS56146219A (en) * | 1980-04-15 | 1981-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing ceramic electronic part |
| JPS56146221A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing ceramic electronic part |
| JPS5710216A (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-19 | Murata Manufacturing Co | Method of forming electrode for ceramic capacitor |
| JPS57121212A (en) * | 1981-01-20 | 1982-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of forming electrode for porcelain capacitor |
| JPS57148301A (en) * | 1981-03-10 | 1982-09-13 | Tdk Electronics Co Ltd | Method of producing positive temperature coefficient thermistor element |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004342658A (ja) * | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Nichicon Corp | 正特性サーミスタ素子の製造方法 |
| JP4554893B2 (ja) * | 2003-05-13 | 2010-09-29 | ニチコン株式会社 | 正特性サーミスタ素子の製造方法 |
| KR100673684B1 (ko) * | 2005-12-07 | 2007-01-24 | 엘에스전선 주식회사 | 전극 구조가 개선된 ｐｔｃ 소자 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH043084B2 (ja) | 1992-01-22 |
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