JPH05251218A - 円筒型バリスタの電極形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 円筒型バリスタの電極を構成する無電解めっ
き層間の剥離強度を容易に任意の値に調節する。 【構成】 無電解めっき処理により形成されるめっき層
２に吸着される触媒の吸着量を制御することにより、該
めっき層間２，２の剥離強度を調節する。 【効果】 触媒吸着量が多いほど、無電解めっき層間の
剥離強度が大きい。無電解めっき処理時のアクチベータ
処理時間を変えるのみで、従来のように、剥離促進のた
めの層を形成する別異の工程を必要とすることなく、ま
た、不導体層のように円筒型バリスタの電気的特性に悪
影響を及ぼす層を形成することなく、容易に無電解めっ
き層間の剥離強度を任意の値に調節することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はノイズ対策等のために用
いられる円筒型バリスタの電極形成方法に係り、特に、
電極を構成する無電解めっき層間の剥離強度を容易に任
意の値に調節することができる円筒型バリスタの電極形
成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般の円筒型バリスタの電極は、図１に
示す如く、セラミック素体１の表面に、無電解めっきに
より下地電極層としての無電解めっき層２を設け、その
上に電気めっき等にによりはんだめっき層３又はずずめ
っき層を設けることにより形成されている。

【０００３】このような円筒型バリスタの電極におい
て、無電解めっき層２は、多くの場合、二層、或いは三
層以上の多層構造とされている。これは、円筒型バリス
タの電極をはんだ付け処理する際、はんだ付け時の熱に
よる収縮応力で素体が破壊されるのを防止するためであ
る。

【０００４】すなわち、無電解めっき層間を剥離し易く
することにより、はんだ付け時の収縮応力が素体に及ぶ
のを防いでいる。従来、この無電解めっき層間の剥離を
促進するため、即ち、剥離し易くするために、無電解め
っき層間にシリカ層を形成する方法などが提案されてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、シリカ
層等の剥離促進のための層を形成する工程は、通常のめ
っき工程とは異質な工程であるため、所望の剥離強度の
ものを安定に形成することは困難であった。また、この
ような剥離促進のための層は、一種の不導体層であるた
め、このような層を形成することはバリスタとしての特
性（導電性等）に悪影響を及ぼす可能性もある。

【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決し、無電
解めっき層間の剥離強度を、剥離促進のための層を形成
することなく、任意の値に、容易かつ確実に調節するこ
とができる円筒型バリスタの電極形成方法を提供するこ
とを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の円筒型バリスタ
の電極形成方法は、セラミック素体表面に、無電解めっ
きにより複数のめっき層を形成して、円筒型バリスタの
電極を形成する方法において、無電解めっき処理により
形成されるめっき層に吸着される触媒の吸着量を制御す
ることにより、該めっき層間の剥離強度を調節すること
を特徴とする。

【０００８】以下に本発明を詳細に説明する。本発明に
おいて、無電解めっき層に吸着される触媒吸着量を調節
するには、例えば、無電解めっき処理におけるアクチベ
ータ処理時間を増減すれば良い。

【０００９】即ち、無電解めっき処理は、一般に、被処
理面を金属塩溶液に浸漬してセンシタイザ処理した後、
触媒溶液に浸漬してアクチベータ処理し、次いで無電解
めっき液に浸漬することにより行なわれるが、これら処
理のうち、アクチベータ処理時間を調整することによ
り、無電解めっき層への触媒吸着量を調節することがで
きる。

【００１０】しかして、アクチベータ処理時間が長いほ
ど、触媒吸着量が多く、触媒吸着量が多いほど、無電解
めっき層間の剥離強度が大きい。従って、必要とされる
剥離強度に応じて、触媒吸着量、アクチベータ処理時間
を調節することにより、所望の層間剥離強度を有した電
極を形成することが可能とされる。

【００１１】このような本発明において、無電解めっき
処理に使用される触媒としては、特に制限はないが、通
常の場合、パラジウムが用いられる。

【００１２】本発明の方法は、必要とする無電解めっき
層の剥離強度に応じて、無電解めっき層の触媒吸着量を
制御すること以外は、従来と同様に実施することがで
き、無電解めっきの種類や無電解めっき層の数、その上
に形成するめっき層の種類、厚さ等には特に制限はな
い。

【００１３】なお、無電解めっき層表面の、触媒として
のパラジウム吸着量は、０．５〜０．７μｇ／ｍｍ² と
するのが、最適な剥離強度を得る上で好適である。

【００１４】

【作用】無電解めっき層表面の触媒吸着量の増減に対応
して、無電解めっき層間のアンカー効果が増減する。即
ち、触媒吸着量が少ないとアンカー効果が十分に得られ
ず、剥離強度は小さくなり、容易に剥離するようにな
る。一方、触媒吸着量が多いとアンカー効果が大きくな
り、剥離強度が増大し、剥離し難くなる。

【００１５】本発明の方法は、無電解めっき処理時の処
理条件、例えばアクチベータ処理時間を変えるのみで、
従来のように、剥離促進のための層を形成する別異の工
程を必要とすることなく、また、不導体層のように円筒
型バリスタの電気的特性に悪影響を及ぼす層を形成する
ことなく、容易に無電解めっき層間の剥離強度を任意の
値に調節することができる。

【００１６】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明する。

【００１７】実施例１ 酸化チタン、半導体化元素酸化物、稀土類元素酸化物を
所定量秤量し、均一に混合した。これを微粉砕した後、
添加剤、バインダ等を加えてスプレードライ装置で造粒
粉を作製した。この造粒粉をプレスした後焼成し、酸化
チタンを主成分とする焼結体（素体）を得た。

【００１８】この素体の表面をふっ化水素アンモニウム
で粗化した後、塩化すず溶液（センシタイザ）、塩化パ
ラジウム溶液（アクチベータ）、無電解ニッケルめっき
液の順で浸漬し、一層目の無電解ニッケルめっき層を形
成した。更に、ニッケルめっきと素体との密着力を上げ
るため、電気炉中で３００℃で熱処理した。

【００１９】次に、再度、塩化すず溶液（センシタイ
ザ）、塩化パラジウム溶液（アクチベータ）に浸漬し
た。ここで、塩化パラジウム溶液（アクチベータ）浸漬
時間は、４５秒、１分３０秒、３分、５分の４通りとし
た。これらを各々無電解ニッケルめっき液に浸漬し、二
層目のニッケルめっき層を形成した。更に、この上に電
気めっきではんだめっき層を形成して、円筒型バリスタ
を得た。

【００２０】アクチベータ浸漬時間とパラジウム吸着量
との関係を図２に示す。また、アクチベータ浸漬時間と
剥離強度との関係を図３に示す。これらより、アクチベ
ータの浸漬時間を変化させることで、パラジウム吸着量
及び剥離強度をコントロールできることがわかった。

【００２１】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の円筒型バリ
スタの電極形成方法によれば、電極を構成する無電解め
っき層間の剥離強度を、別途他の工程を必要とすること
なく、また、バリスタ特性に悪影響を及ぼす層を形成す
ることなく制御することができ、容易かつ確実に、所望
の剥離強度となるように安定に電極を形成することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】円筒型バリスタの電極構成を示す断面図であ
る。

【図２】実施例１で得られたアクチベータ浸漬時間とパ
ラジウム吸着量との関係を示すグラフである。

【図３】実施例１で得られたアクチベータ浸漬時間と剥
離強度との関係を示すグラフである。

【符号の説明】

１ セラミック素体 ２ 無電解めっき層 ３ はんだめっき層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 和田 秀晃 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三 菱マテリアル株式会社セラミックス研究所 内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 セラミック素体表面に、無電解めっきに
   より複数層のめっき層を形成して、円筒型バリスタの電
   極を形成する方法において、 無電解めっき処理により形成されるめっき層に吸着され
   る触媒の吸着量を制御することにより、該めっき層間の
   剥離強度を調節することを特徴とする円筒型バリスタの
   電極形成方法。