JPH0830280B2 - 電子部品のバレルメツキ方法 - Google Patents
電子部品のバレルメツキ方法Info
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- JPH0830280B2 JPH0830280B2 JP61078708A JP7870886A JPH0830280B2 JP H0830280 B2 JPH0830280 B2 JP H0830280B2 JP 61078708 A JP61078708 A JP 61078708A JP 7870886 A JP7870886 A JP 7870886A JP H0830280 B2 JPH0830280 B2 JP H0830280B2
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- plating
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Description
【産業上の利用分野】 この発明は、電子部品のバレルメッキ方法に関し、バ
レルに投入された多数個の電子部品の素体表面に、均一
かつ適当な厚さのメッキ層を形成するように改良した方
法に関する。
レルに投入された多数個の電子部品の素体表面に、均一
かつ適当な厚さのメッキ層を形成するように改良した方
法に関する。
チップ抵抗器などの電子部品の電極メッキは、バレル
メッキ装置を利用したバレルメッキ法によって行なわれ
る。 すなわち、メッキ層を施すべき多数の素体を、ダミー
と俗称される導電金属製小ボールからなる多数個の吸電
体とともにバレル内に投入し、これをメッキ液内で回転
させるとともにバレル内に導入された陰極リードとバレ
ル外に配置された金属陽極間を所定時間通電することに
より行なわれる。金属陽極から溶解してイオン化した金
属は、上記の陰極リードないしダミーを介してマイナス
電位を与えられた各素体の表面上に析出し、メッキ層が
形成される。 ここで、上記ダミーは、点的な陰極リードから、バレ
ル内に分散する多数個の素体のずべてにむらなくマイナ
ス電位を与えるための電気通路としての役割を担ってい
る。
メッキ装置を利用したバレルメッキ法によって行なわれ
る。 すなわち、メッキ層を施すべき多数の素体を、ダミー
と俗称される導電金属製小ボールからなる多数個の吸電
体とともにバレル内に投入し、これをメッキ液内で回転
させるとともにバレル内に導入された陰極リードとバレ
ル外に配置された金属陽極間を所定時間通電することに
より行なわれる。金属陽極から溶解してイオン化した金
属は、上記の陰極リードないしダミーを介してマイナス
電位を与えられた各素体の表面上に析出し、メッキ層が
形成される。 ここで、上記ダミーは、点的な陰極リードから、バレ
ル内に分散する多数個の素体のずべてにむらなくマイナ
ス電位を与えるための電気通路としての役割を担ってい
る。
一般にメッキの成長はバレル内の表面層（上層部）に
て起こるといわれているが、上記のようなバレルメッキ
方法においては、通常セラミックを素材とする素体と、
金属でできたダミーの比重が異なるため、たとえバレル
が回転してもダミー群と素体群が分離して層を形成する
傾向は失なわれない。そのため、バレル内の上層部と下
部の攪拌状態が悪くなり、素体に形成されるメッキ層厚
みに大きなバラツキが生じるという問題がある。 また、チップ抵抗器の電極をメッキにより形成する場
合、メッキ液濃度および通電時間が同じでも、抵抗値の
違いによってこれに形成されるメッキ層厚さが異なる。
したがって、抵抗値が異なるチップ抵抗器の素体に一定
の厚さの電極をメッキ形成するには、メッキ液濃度を変
えるか、または通電時間ないしは通電電流値を変更する
必要がある。しかしながら、このような調整を既存のバ
レルメッキ装置において行なうことは非常に面倒であ
り、かつ熟練を要し、自動化になじまない面がある。 この発明は、上記のような事情のもとで考え出された
もので、バレルに投入される多数個の素体表面に、厚さ
にバラツキの少ないメッキ層を形成することができ、か
つ、たとえば投入する素体の抵抗値が異なっても、簡単
な手順によって均一な厚さのメッキ層を形成することが
できるように改良した電子部品のバレルメッキ方法を提
供することをその課題とする。
て起こるといわれているが、上記のようなバレルメッキ
方法においては、通常セラミックを素材とする素体と、
金属でできたダミーの比重が異なるため、たとえバレル
が回転してもダミー群と素体群が分離して層を形成する
傾向は失なわれない。そのため、バレル内の上層部と下
部の攪拌状態が悪くなり、素体に形成されるメッキ層厚
みに大きなバラツキが生じるという問題がある。 また、チップ抵抗器の電極をメッキにより形成する場
合、メッキ液濃度および通電時間が同じでも、抵抗値の
違いによってこれに形成されるメッキ層厚さが異なる。
したがって、抵抗値が異なるチップ抵抗器の素体に一定
の厚さの電極をメッキ形成するには、メッキ液濃度を変
えるか、または通電時間ないしは通電電流値を変更する
必要がある。しかしながら、このような調整を既存のバ
レルメッキ装置において行なうことは非常に面倒であ
り、かつ熟練を要し、自動化になじまない面がある。 この発明は、上記のような事情のもとで考え出された
もので、バレルに投入される多数個の素体表面に、厚さ
にバラツキの少ないメッキ層を形成することができ、か
つ、たとえば投入する素体の抵抗値が異なっても、簡単
な手順によって均一な厚さのメッキ層を形成することが
できるように改良した電子部品のバレルメッキ方法を提
供することをその課題とする。
上記課題を解決するため、この発明では、次の技術的
手段を講じている。 すなわち、この発明は、バレルメッキ装置によって多
数個の電子部品の素体にメッキ層を形成する方法であっ
て、 上記素体よりも比重が大きく、かつ上記バレル内の陰
イオンを伝導する多数個の吸電体と、 上記素体の比重と同等もしくはそれ以下の比重をも
ち、かつ大きさが上記素体と同等もしくはそれ以上に形
成された多数個の調整体とを、上記バレルメッキ装置の
バレル内へ素体とともに投入して攪拌することを特徴と
している。また、上記調整体の表面には、導電性コーテ
ィングを施すようにしてもよい。
手段を講じている。 すなわち、この発明は、バレルメッキ装置によって多
数個の電子部品の素体にメッキ層を形成する方法であっ
て、 上記素体よりも比重が大きく、かつ上記バレル内の陰
イオンを伝導する多数個の吸電体と、 上記素体の比重と同等もしくはそれ以下の比重をも
ち、かつ大きさが上記素体と同等もしくはそれ以上に形
成された多数個の調整体とを、上記バレルメッキ装置の
バレル内へ素体とともに投入して攪拌することを特徴と
している。また、上記調整体の表面には、導電性コーテ
ィングを施すようにしてもよい。
調整体は、その比重が素体と同等かもしくは小さく、
かつその大きさは素体と同等かもしくは大きいために、
素体および吸電体とともにバレル内に投入してバレルを
回転させて攪拌させると、調整体の層が素体の層よりも
上位に位置する傾向が生まれる。 一方、吸電体は、素体よりも比重が大きいために、素
体よりも下位に位置する傾向が生まれる。 したがって、このような傾向を維持しながら、素体、
調整体、および吸電体の三者がバレル内で循環攪拌され
るときには、調整体は素体をそれよりも下方に層を形成
する吸電体の層にもぐり込ませる作用を発揮し、陰イオ
ンを伝導する多数個の吸電体に対して素体が接触する機
会が増大する。 また、上記調整体に導電性コーティングを施した場合
には、調整体自体がイオンを吸収するために、被電着面
積の増加が図れ、素体のメッキ厚さを抑制する作用をな
す。
かつその大きさは素体と同等かもしくは大きいために、
素体および吸電体とともにバレル内に投入してバレルを
回転させて攪拌させると、調整体の層が素体の層よりも
上位に位置する傾向が生まれる。 一方、吸電体は、素体よりも比重が大きいために、素
体よりも下位に位置する傾向が生まれる。 したがって、このような傾向を維持しながら、素体、
調整体、および吸電体の三者がバレル内で循環攪拌され
るときには、調整体は素体をそれよりも下方に層を形成
する吸電体の層にもぐり込ませる作用を発揮し、陰イオ
ンを伝導する多数個の吸電体に対して素体が接触する機
会が増大する。 また、上記調整体に導電性コーティングを施した場合
には、調整体自体がイオンを吸収するために、被電着面
積の増加が図れ、素体のメッキ厚さを抑制する作用をな
す。
このように、素体よりも上位に位置する調整体によっ
て、素体をそれよりも下位に位置する吸電体の層にもぐ
り込ませて、バレル内部の攪拌を良くすることで、素体
に形成されるメッキ層の厚さのバラツキを少なくするこ
とができる。 また、調整体の投入量によって、イオン吸収効果を変
化させることができるので、素体の量に対する調整体の
投入量を変えることによって、実質的にメッキ層厚さを
調整することができる。たとえば、素体の抵抗値が異な
る場合にメッキ層厚さを均一にするには、従来、通電電
流値あるいは通電時間を調整する必要があったが、本発
明によれば、素体の抵抗値によって、この素体の量に対
する調整体の投入量を調節することによって、通電電流
値あるいは通電時間を管理してこれらを変更しなくと
も、均一な厚さのメッキ層を形成することができる。
て、素体をそれよりも下位に位置する吸電体の層にもぐ
り込ませて、バレル内部の攪拌を良くすることで、素体
に形成されるメッキ層の厚さのバラツキを少なくするこ
とができる。 また、調整体の投入量によって、イオン吸収効果を変
化させることができるので、素体の量に対する調整体の
投入量を変えることによって、実質的にメッキ層厚さを
調整することができる。たとえば、素体の抵抗値が異な
る場合にメッキ層厚さを均一にするには、従来、通電電
流値あるいは通電時間を調整する必要があったが、本発
明によれば、素体の抵抗値によって、この素体の量に対
する調整体の投入量を調節することによって、通電電流
値あるいは通電時間を管理してこれらを変更しなくと
も、均一な厚さのメッキ層を形成することができる。
以下、この発明の実施例を図面を参照して具体的に説
明する。 バレルメッキ装置６は、メッキ液１を貯留するメッキ
槽２と、このメッキ槽２内に浸漬されて回転する有孔バ
レル４とを備えて構成される。通常のバレル４は、メッ
キ槽２の縁に設けられる電極サドルに対して着脱可能に
装着されるようになっており、電極サドルに電気的に接
続される陰極リード３がバレル４内部に導入される。ま
た、金属陽極５がバレル４外のメッキ液１に浸漬され
る。上記電極サドルおよび金属陽極５は、図示しない整
流器の陰陽各端子に接続される。 本発明のメッキ方法では、上記のバレル４内にメッキ
層を形成すべき多数個の素体７と、この素体７より小さ
い導電性小ホールでできた多数個の吸電体９と、上記素
体７より比重が小さく、かつ外形が大きい多数個の調整
体10とを同時に投入し、かつこれをメッキ槽２内に浸漬
して回転させ、かつ陰極リード３と金属陽極５間を通電
することにより行なう。チップ抵抗器の電極にメッキを
施す場合には、第２図に示すように、基板に厚膜形成に
より形成されたAg/Pd（銀・パラジウム）系の内部電極
被膜11に、Ni（ニッケル）またはCu（銅）の保護メッキ
層13を施す工程を行なった後、Sn/Pb（はんだ）またはS
n（錫）系のメッキ層14を施す。したがって、Ag/Pdの内
部電極被膜が形成されたチップ、またはさらにNiまたは
Snメッキが施こされたものが、本発明における素体とな
る。また、調整体10としては、上記チップ抵抗器がセラ
ミック基板を素材としていることから、セラミック製の
ボールを用いると好適である。 第１図に示すように、これら素体７、調整体10および
吸電体９を同時投入したバレルを回転させると、上か
ら、調整体10の層、素体７の層および吸電体９の層が形
成されるという傾向が生じる。調整体10は、その外形が
素体７より大きくかつ比重が小さく、吸電体９は金属ボ
ールでできていて比重が素体７より大きいと同時に外形
が素体より小さいからである。バレル４を回転させる
と、調整体10、素体７および吸電体９は、上記の傾向を
維持したまま、それぞれが循環攪はんされるのである
が、このとき、調整体10が素体７を吸電体９の層内に押
し下げる作用をし、素体７が吸電体９に接触する機会が
増えて一様にマイナス電位を与えられ、その結果、素体
層の各所における素体７のメッキ層厚さにバラツキやム
ラが生じることが回避される。 また、上記調整体10に導電コーティングを施すことに
より生じるイオン吸収作用は調整体10の投入量によって
その度合が変化するので、通電時間および通電量が一定
であっても、調整体10の投入量によってメッキ層厚さを
調節することができ、メッキ層が均一化し本発明の効果
が増大する。たとえば、チップ抵抗器の場合、抵抗値が
小さいものにメッキを施す場合には調整体投入量を多く
し、逆に抵抗値が大きいものにメッキを施す場合には調
整体投入量を少なくすることにより、メッキ層厚さを均
一とすることができる。 このように本発明の電子装置のバレルメッキ方法は、
多数個投入される素体に形成されるメッキ層の厚みのバ
ラツキが少なくなり、製品品質が一定するのみならず、
バレルメッキ装置の通電装置を調整したりするという面
倒な操作を必要とすことなく、メッキ層厚さを実質的に
調節することができる。
明する。 バレルメッキ装置６は、メッキ液１を貯留するメッキ
槽２と、このメッキ槽２内に浸漬されて回転する有孔バ
レル４とを備えて構成される。通常のバレル４は、メッ
キ槽２の縁に設けられる電極サドルに対して着脱可能に
装着されるようになっており、電極サドルに電気的に接
続される陰極リード３がバレル４内部に導入される。ま
た、金属陽極５がバレル４外のメッキ液１に浸漬され
る。上記電極サドルおよび金属陽極５は、図示しない整
流器の陰陽各端子に接続される。 本発明のメッキ方法では、上記のバレル４内にメッキ
層を形成すべき多数個の素体７と、この素体７より小さ
い導電性小ホールでできた多数個の吸電体９と、上記素
体７より比重が小さく、かつ外形が大きい多数個の調整
体10とを同時に投入し、かつこれをメッキ槽２内に浸漬
して回転させ、かつ陰極リード３と金属陽極５間を通電
することにより行なう。チップ抵抗器の電極にメッキを
施す場合には、第２図に示すように、基板に厚膜形成に
より形成されたAg/Pd（銀・パラジウム）系の内部電極
被膜11に、Ni（ニッケル）またはCu（銅）の保護メッキ
層13を施す工程を行なった後、Sn/Pb（はんだ）またはS
n（錫）系のメッキ層14を施す。したがって、Ag/Pdの内
部電極被膜が形成されたチップ、またはさらにNiまたは
Snメッキが施こされたものが、本発明における素体とな
る。また、調整体10としては、上記チップ抵抗器がセラ
ミック基板を素材としていることから、セラミック製の
ボールを用いると好適である。 第１図に示すように、これら素体７、調整体10および
吸電体９を同時投入したバレルを回転させると、上か
ら、調整体10の層、素体７の層および吸電体９の層が形
成されるという傾向が生じる。調整体10は、その外形が
素体７より大きくかつ比重が小さく、吸電体９は金属ボ
ールでできていて比重が素体７より大きいと同時に外形
が素体より小さいからである。バレル４を回転させる
と、調整体10、素体７および吸電体９は、上記の傾向を
維持したまま、それぞれが循環攪はんされるのである
が、このとき、調整体10が素体７を吸電体９の層内に押
し下げる作用をし、素体７が吸電体９に接触する機会が
増えて一様にマイナス電位を与えられ、その結果、素体
層の各所における素体７のメッキ層厚さにバラツキやム
ラが生じることが回避される。 また、上記調整体10に導電コーティングを施すことに
より生じるイオン吸収作用は調整体10の投入量によって
その度合が変化するので、通電時間および通電量が一定
であっても、調整体10の投入量によってメッキ層厚さを
調節することができ、メッキ層が均一化し本発明の効果
が増大する。たとえば、チップ抵抗器の場合、抵抗値が
小さいものにメッキを施す場合には調整体投入量を多く
し、逆に抵抗値が大きいものにメッキを施す場合には調
整体投入量を少なくすることにより、メッキ層厚さを均
一とすることができる。 このように本発明の電子装置のバレルメッキ方法は、
多数個投入される素体に形成されるメッキ層の厚みのバ
ラツキが少なくなり、製品品質が一定するのみならず、
バレルメッキ装置の通電装置を調整したりするという面
倒な操作を必要とすことなく、メッキ層厚さを実質的に
調節することができる。
第１図はこの発明の一実施例の断面図、第２図は素体と
してのチップ抵抗器の拡大断面図である。 ４…バレル、６…バレルメッキ層、７…素体、８…メッ
キ層、９…吸電体、10…調整体。
してのチップ抵抗器の拡大断面図である。 ４…バレル、６…バレルメッキ層、７…素体、８…メッ
キ層、９…吸電体、10…調整体。
Claims (2)
- 【請求項１】バレルメッキ装置によって多数個の電子部
品の素体にメッキ層を形成する方法であって、 上記素体よりも比重が大きく、かつ上記バレル内の陰イ
オンを伝導する多数個の吸電体と、 上記素体の比重と同等もしくはそれ以下の比重をもち、
かつ大きさが上記素体と同等もしくはそれ以上に形成さ
れた多数個の調整体とを、上記バレルメッキ装置のバレ
ル内へ素体とともに投入して攪拌することを特徴とす
る、電子部品のバレルメッキ方法。 - 【請求項２】上記調整体の表面に導電性コーティングを
施したことを特徴とする、特許請求の範囲第１項に記載
の電子部品のバレルメッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61078708A JPH0830280B2 (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 電子部品のバレルメツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61078708A JPH0830280B2 (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 電子部品のバレルメツキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62235498A JPS62235498A (ja) | 1987-10-15 |
| JPH0830280B2 true JPH0830280B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=13669363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61078708A Expired - Fee Related JPH0830280B2 (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 電子部品のバレルメツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0830280B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0247803A (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-16 | Taiyo Yuden Co Ltd | 皮膜抵抗器の製造方法 |
| JP2745892B2 (ja) * | 1991-09-13 | 1998-04-28 | 株式会社村田製作所 | 小型パーツのメッキ方法 |
| US6322685B1 (en) * | 1998-05-13 | 2001-11-27 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for plating coatings on to fine powder materials and use of the powder therefrom |
| JP2008248272A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tdk Corp | めっき装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5844758B2 (ja) * | 1976-12-01 | 1983-10-05 | 富士通株式会社 | バレルめつき処理方法 |
| JPS57161094A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-04 | Suzuki Motor Co Ltd | Barrel plating method |
| JPS5842799A (ja) * | 1981-09-04 | 1983-03-12 | Fujitsu Ltd | バレルメツキ方法 |
| JPS6115999A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-01-24 | Rohm Co Ltd | バレルメツキ用ダミ−および電子部品バレルメツキ方法 |
-
1986
- 1986-04-04 JP JP61078708A patent/JPH0830280B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62235498A (ja) | 1987-10-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |