JP2004083955A

JP2004083955A - セラミック電子部品のめっき方法、及びセラミック電子部品

Info

Publication number: JP2004083955A
Application number: JP2002243694A
Authority: JP
Inventors: Shoichi Higuchi; 樋口　庄一
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-08-23
Filing date: 2002-08-23
Publication date: 2004-03-18

Abstract

【課題】電極上のＮｉ皮膜に不連続箇所が生じるのを回避して回路基板実装時のはんだ付け不良を防止する。
【解決手段】電解バレルめっき法のように不可避不純物としてＦｅイオンが混入したＮｉめっき液を使用して外部電極６ａ表面にＮｉめっきを施す場合、Ｎｉめっき液中のＦｅイオン含有量が、３．００×１０^−２ｗｔ％未満、好ましくは２．８０×１０^−２ｗｔ％未満に制御されたＮｉめっき液を使用して電解めっき処理を施す。
【選択図】　図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はセラミック電子部品のめっき方法及びセラミック電子部品に関し、より詳しくは各種電子回路に使用されるチップ型の積層セラミックコンデンサや積層インダクタ、抵抗器等のセラミック電子部品のめっき方法、及び該めっき方法を使用して製造されたセラミック電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、積層セラミックコンデンサ、積層インダクタ、或いは抵抗器等のセラミック電子部品では、通常、セラミック素体の両端部に電極を形成し、該電極の表面に、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｓｎ合金等からなるめっき皮膜を形成したものが知られている（例えば、特開平９−２６６１２９号公報）。
【０００３】
すなわち、従来のこの種セラミック電子部品では、セラミック素体の両端部にＡｇやＣｕ等の導電性材料を主成分とする導電性ペーストを塗布した後、焼付処理を行なって外部電極を形成し、さらに、はんだ付け時の溶蝕を防止して外部電極を保護する観点から該外部電極の表面にＮｉ皮膜を形成し、また該Ｎｉ皮膜の酸化によるはんだ濡れ性の低下を防止する観点から前記Ｎｉ皮膜の表面にＳｎやＳｎ合金（以下、これらを単に「Ｓｎ」と記す）からなるＳｎ皮膜を形成している。
【０００４】
また、上記Ｎｉ皮膜及びＳｎ皮膜の形成方法としては、大量の被めっき物を一括して、効率良くめっき処理することのできる電解バレルめっき法で行われるのが一般的であり、また、セラミック自体は導電性に欠けることから、導電性媒体として鉄（Ｆｅ）からなる多数の鋼球をセラミック素体と共にバレルに投入し、電解バレルめっきを行なっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来技術では、外部電極が導電性ペーストを焼付処理して形成されているため、図３に示すように、外部電極１０１の表面が数μｍ程度の凸凹形状を有して形成される。このため、被めっき物に電解Ｎｉめっきを施した場合、外部電極１０１に通電される電流量が均一とはならずにバラツキが生じ、特に凹部は、通電される電流量が少なくなるため、めっき金属が析出せず、このためｘ部やｙ部に示すように、Ｎｉ皮膜１０２は部分的に途切れた不連続箇所を有して形成される。
【０００６】
そして、上述した不連続箇所は、その後のＳｎめっき処理により、仮想線に示すように、Ｓｎ皮膜１０３により被覆され、したがって外観上は不良とは判別されない。
【０００７】
しかしながら、このようなセラミック電子部品を回路基板に実装した場合、はんだ付け時に外部電極１０１の保護が十分になされず、はんだ付け不良の生じる虞がある。すなわち、部分的に途切れている不連続箇所がＮｉ皮膜１０２に存在すると、該不連続箇所である凹部に水分が留まり、はんだ付け時の加熱によって水分が突沸し、その結果水蒸気爆発が生じてはんだが外部電極１０１から剥離してしまい、はんだ付け不良の生じる虞がある。
【０００８】
特に、近年では環境面への配慮からＳｎ−ＡｇはんだやＳｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ、Ｓｎ−Ｚｎはんだ等の高融点のＰｂフリーはんだが使用されてきているが、このような高融点のはんだ材を使用した場合に、はんだ付け不良の発生が顕著になる。
【０００９】
すなわち、Ｐｂを含有したＳｎ−Ｐｂはんだの場合は融点が約１８３℃と比較的低いため、はんだ付け時の加熱温度を低く抑制することができ、したがって水蒸気爆発の発生を回避してはんだ付け不良を抑制することが可能であるが、高融点のＰｂフリーはんだの場合、例えば、Ｓｎ−３．５Ａｇ合金では、融点が２２１℃であり、このためはんだ付け時の加熱温度を高く設定する必要があり、その結果水蒸気爆発によりはんだが外部電極１０１から剥離し、はんだ付け不良が生じ易くなって製品歩留まりの低下を招来するという問題点があった。しかも、このようなＮｉ皮膜１０２の不連続箇所は、Ｎｉめっき液を建浴した後、製造ロット数を増やすに連れて顕著に発生する。
【００１０】
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、電極上のＮｉ皮膜に不連続箇所が生じるのを回避して回路基板実装時のはんだ付け不良を防止することのできるセラミック電子部品のめっき方法、及び該めっき方法を使用して製造されたセラミック電子部品を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
電解バレルめっき法でＮｉめっきを施す場合、通常、安価な鉄球が導電性媒体として被めっき物と共にバレルに投入されるため、製造ロット数が増加してゆくとバレル内の鉄球が溶出し、その結果めっき液中にはＦｅイオンが不可避的に混入する。また、工業用水や使用薬品中に混入しているＦｅイオンがめっき液中に混入したり、或いはめっき槽の内壁から鉄分が溶け出した場合もＦｅイオンがめっき液中に不可避的に混入する。
【００１２】
そこで、本発明者は、Ｎｉめっき液中のＦｅイオン含有量とめっき析出との関係について鋭意研究したところ、めっき液中のＦｅイオンの含有量を３．００×１０^−２重量％（以下、「ｗｔ％」と記す）未満、好ましくは２．８０×１０^−２ｗｔ％未満に管理することにより、電極上のＮｉ皮膜に不連続箇所が生じるのを回避することができ、これにより回路基板実装時のはんだ付け不良を防止することができるという知見を得た。
【００１３】
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係るセラミック電子部品のめっき方法は、Ｆｅイオンが混入しためっき液を使用し、セラミック素体の表面に形成された電極にニッケルめっきを施すセラミック電子部品のめっき方法において、前記めっき液中における前記Ｆｅイオンの含有量が、３．００×１０^−２ｗｔ％未満、好ましくは、２．８０×１０^−２ｗｔ％未満であることを特徴としている。
【００１４】
また、本発明のめっき方法は、鉄製の第１の導電性媒体と前記セラミック素体とをバレルに投入して前記ニッケルめっきを施すことを特徴としている。
【００１５】
上記めっき方法によれば、鉄製の導電性媒体を使用した場合であっても、Ｎｉめっき液中のＦｅイオン含有量を監視し、適宜Ｎｉめっき液を交換することにより、Ｆｅイオン含有量を３．００×１０^−２ｗｔ％未満に抑制することができ、不連続箇所が生じることなく層状に連続的なＮｉ皮膜を形成することが可能となる。
【００１６】
また、本発明のめっき方法は、鉄製以外の第２の導電性媒体（Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、又はこれらの合金）と前記セラミック素体とをバレルに投入して前記ニッケルめっきを施すことを特徴としている。
【００１７】
上記めっき方法によれば、鉄製以外の第２の導電性媒体を使用して電解バレルめっきを施しているので、Ｆｅイオンの含有量が増加するのを抑制することができ、同一のＮｉめっき液を長時間使用しても不連続箇所の生じることなくＮｉ皮膜を形成することが可能となる。
【００１８】
また、本発明のめっき方法は、前記第２の導電性媒体に加え、鉄製の第１の導電性媒体を前記バレルに投入して前記ニッケルめっきを施すのも好ましい。
【００１９】
上記めっき方法によれば、鉄製の導電性媒体（第１の導電性媒体）と鉄製以外の導電性媒体（第２の導電性媒体）とを併用して電解バレルめっきを施しているので、鉄製の導電性媒体のみを使用して電解バレルめっきを施した場合に比べ、Ｎｉめっき液中のＦｅイオン含有量の増加率が抑制される。
【００２０】
また、本発明のめっき方法は、錯化剤を含有しないめっき液、特に硫酸ニッケル、塩化ニッケル、及びホウ酸の混合液を主成分とした所謂ワット浴に対して効果的である。
【００２１】
すなわち、本発明のめっき方法は、前記めっき液は、錯化剤を含まないことを特徴とし、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、及びホウ酸からなる混合液を主成分とすることを特徴としている。
【００２２】
また、本発明のめっき方法は、前記電極が、前記セラミック素体に導電性ペーストを塗布した後、焼付処理を施して形成することを特徴としている。
【００２３】
上記めっき方法によれば、前記焼付処理により電極表面が凹凸形状を有して形成されている場合であっても、Ｆｅイオンの含有量を３．００×１０^−２ｗｔ％未満とすることにより、不連続箇所が生じることのないＮｉ皮膜を形成することができる。
【００２４】
また、本発明に係るセラミック電子部品は、上記めっき方法を使用して製造されていることを特徴としている。
【００２５】
上記セラミック電子部品によれば、Ｎｉ皮膜は連続した層状に形成され、高融点のＰｂフリーはんだ材を使用して回路基板に実装してもはんだ付け不良が生じない積層セラミックコンデンサや積層インダクタ、抵抗器その他のセラミック電子部品を得ることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を詳説する。
【００２７】
図１は本発明に係るめっき方法を使用して製造されたセラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサの一実施の形態を示す断面図である。
【００２８】
該積層セラミックコンデンサは、チタン酸バリウムやチタン酸ジルコン酸鉛等の誘電体材料で形成されたセラミック素体１に内部電極２〜５が埋設されると共に、前記セラミック素体１の両端部には外部電極６ａ、６ｂが形成され、さらに外部電極６ａ、６ｂの表面にはＮｉ皮膜７ａ、７ｂ及びＳｎ皮膜８ａ、８ｂが順次形成されている。
【００２９】
そして、内部電極２、４の引出部２ａ、４ａは一方の外部電極６ａと電気的に接続されると共に、内部電極３、５の引出部３ａ、５ａは他方の外部電極６ｂと電気的に接続され、内部電極２、４と内部電極３、５との間に静電容量が形成されている。
【００３０】
上記積層セラミックコンデンサは、図２（図１のＡ部拡大図）に示すように、外部電極６ａの表面が凹凸形状を有していても、Ｎｉ皮膜７ａには不連続箇所が生じず、連続的に層状に形成されており、この層状のＮｉ皮膜７ａの表面にＳｎ皮膜８ａが形成されている。
【００３１】
次に、上記積層セラミックコンデンサの製造方法を説明する。
【００３２】
まず、ＢａＣＯ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２等の所定の誘電体セラミック材料を混合し、粉砕、乾燥、仮焼等の工程を経、ドクターブレード法によりセラミックグリーンシート（以下、「セラミックシート」という）を作製する。
【００３３】
次いで、ＡｇやＣｕ等の導電性材料にガラス粒子やワニス等の有機成分が含有された内部電極用導電性ペーストを作製する。そして、該導電性ペーストを使用してセラミックシートの表面にスクリーン印刷を施し、導電パターンを形成し、この後、前記導電パターンの形成されたセラミックシートを積層した後、導電パターンの形成されていないセラミックシートで挟持・圧着して積層体を形成する。その後、所定温度（例えば、９００〜１３００℃）で前記積層体に焼成処理を施し、バレル研磨を行って表面を平滑化し、これによりセラミック素体１が作製される。
【００３４】
次に、ＡｇやＣｕ等の導電性材料にガラス粒子、ワニス等の有機成分が含有された外部電極用導電性ペーストを作製する。次いで、該導電性ぺーストをディップ方式によりセラミック素体の両端部に塗布した後、温度６００〜８００℃で焼付処理を行なう。これによりワニス等の有機成分が燃焼して焼失し、導電性材料とガラス粒子との混合体からなる外部電極６ａ、６ｂが前記両端部に形成される。そしてこの後、外部電極６ａ、６ｂの形成されたセラミック素体１を被めっき物とし、電解バレルめっき法によりＮｉめっきを行なってＮｉ皮膜７ａ、７ｂを形成する。
【００３５】
本実施の形態では、取り扱いの容易性から、めっき液として硫酸ニッケルと塩化ニッケルとホウ酸を主成分とするワット浴を使用し、これら各成分の濃度や水素イオン指数ｐＨを定期的に測定、補正しながら、これら各成分が所定濃度範囲となるように管理されている。
【００３６】
すなわち、まず、硫酸ニッケル、塩化ニッケル及びホウ酸を所定量ずつ混合し、所定水素イオン指数ｐＨ（例えば、４．０〜５．０）を有するＮｉめっき液を調製し、該Ｎｉめっき液でめっき槽を満たす。
【００３７】
そして、Ｎｉ製のアノード板と、カソード板、被めっき物、及び導電性媒体が内有されたバレルとをめっき槽に浸漬し、バレルを回転、揺動等させながらアノード、カソード間に電位を印加して電流を流し、Ｎｉめっき液中のＦｅイオンの含有量が３．０×１０^−２ｗｔ％未満となるように管理しながら電解めっきを施し、外部電極６ａ、６ｂの表面にＮｉ皮膜７ａ、７ｂを形成する。
【００３８】
ここで、Ｎｉめっき液中のＦｅイオンの含有量を３．０×１０^−２ｗｔ％未満となるようにしたのは以下の理由による。
【００３９】
Ｎｉめっき液中のＦｅイオンの含有量が増加して３．０×１０^−２ｗｔ％を超えると低電圧を印加した場合であっても外部電極６ａ、６ｂの表面にはＮｉ皮膜７ａ、７ｂが析出する。
【００４０】
しかしながら、前記低電圧が印加された場合、外部電極６ａ、６ｂが凹凸形状を有していたり、或いは外部電極７ａ、７ｂに異物が固着していると、めっき析出箇所に通電される電流が均一とはならず、凹部や異物固着部の通電量が少なくなる。すなわち、外部電極６ａ、６ｂ上で電流分布のバラツキが生じ、このため、Ｎｉ皮膜７ａ、７ｂには不連続箇所が生じ、〔発明が解決しようとする課題〕の項でも述べたように回路基板への実装時にはんだ付け不良が生じる虞がある。
【００４１】
そこで、本実施の形態では、Ｎｉめっき液中におけるＦｅイオンの含有量を３．０×１０^−２ｗｔ％未満、好ましくは２．８０×１０^−２ｗｔ％未満となるようにＮｉめっき液を管理しながらＮｉめっきを行っている。
【００４２】
そして、Ｎｉめっき液中へのＦｅイオンの混入は、導電性媒体としての鉄製鋼球がめっき液中に溶出した場合、又は、めっき液に添加される薬品中に鉄分が不純物として混入している場合、或いはめっき槽の内壁から鉄分が溶出してしまった場合等に生じる。
【００４３】
したがって、導電性媒体として安価な鉄製鋼球のみを使用する場合は、Ｎｉめっき液中のＦｅイオン含有量を常時監視し、Ｆｅイオン含有量が３．０×１０^−２ｗｔ％、好ましくは２．８０×１０^−２ｗｔ％近傍まで増加した場合にＮｉめっき液を交換することにより、Ｎｉめっき液中のＦｅイオン含有量を管理することができる。
【００４４】
また、Ｎｉめっき液中のＦｅイオンは、主として鉄製の導電製媒体がＮｉめっき液中に溶出することにより増大すると考えられることから、鉄製以外の導電性媒体、例えばＮｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、又はこれらの合金の中から選択された少なくとも１種以上を使用することにより、Ｎｉめっき液中でのＦｅイオンの含有量が増加するのを抑制することができ、同一のＮｉめっき液で長時間、所望のＮｉ皮膜が形成されたセラミック電子部品を得ることが可能となる。
【００４５】
さらに、コスト面を考慮し鉄製の導電性媒体（第１の導電性媒体）と鉄製以外の導電性媒体（第２の導電性媒体）とを併用することによっても、鉄製の導電性媒体のみを使用した場合に比べてＮｉめっき液中のＦｅイオン含有量の増加率を抑制することができる。
【００４６】
そして、このようにして連続的に層状のＮｉ皮膜７ａ、７ｂを形成した後、スズめっき液を使用し、上述と同様の電解バレルめっきを行ってＮｉ皮膜７ａ、７ｂ上にＳｎ皮膜８ａ、８ｂを形成し、これにより積層セラミックコンデンサが製造される。
【００４７】
このように本実施の形態では、Ｎｉめっき液中のＦｅイオンの含有量を３．０×１０^−２ｗｔ％未満としているので、外部電極６ａ、６ｂの表面に凹凸があってもＮｉ皮膜７ａ、７ｂに不連続箇所が形成されることはなく、外部電極６ａ、６ｂの表面全域に亙って均一な層状のＮｉ皮膜７ａ、７ｂが形成され、回路基板への実装時にはんだ付け不良が生じるのを回避することができ、信頼性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００４８】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態ではめっき液としてワット浴を使用しているが、ワット浴以外であっても錯化剤を含有していないめっき液、例えば全塩化物浴や全硫酸塩浴に対しても同様に適用することができる。
【００４９】
【実施例】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【００５０】
（実施例１）
縦１０ｍｍ、横５ｍｍ、厚み５ｍｍのセラミック素体の両端面にＡｇを主成分とする導電性ペーストを塗布し、焼付処理を行って外部電極を形成し、被めっき物を作製した。
【００５１】
また、ＮｉＳＯ_４・６Ｈ_２Ｏ（硫酸ニッケル６水和物）：４００ｋｇ／ｍ^３、ＮｉＣｌ_２・６Ｈ_２Ｏ（硫酸ニッケル６水和物）：７０ｋｇ／ｍ^３、Ｈ_３ＢＯ_３（ホウ酸）：４０ｋｇ／ｍ^３を混合して水素イオン指数ｐＨが４．２となるようにＮｉめっき液（ワット浴）を調製し、さらに該Ｎｉめっき液に対しＦｅＳＯ_４を添加し、Ｎｉめっき液のＦｅイオン含有量を１．００×１０^−２ｗｔ％に設定した。
【００５２】
次いで、１００００個の被めっき物と直径０．７ｍｍの鉄球８０ｇをカソード板が内有されたバレルに投入し、アノード板とカソード板との間に電圧を印加し、浴温６０℃下、電流密度２０Ａ／ｍ^２でもって６０分間、電解バレルめっきを施し、外部電極の表面にＮｉ皮膜を形成した。
【００５３】
そしてこの後、硫酸第１スズをスズ源とするスズめっき液を使用して上述と同様、アノード板とカソード板との間に電圧を印加し、浴温２５℃下、電流密度２０Ａ／ｍ^２でもって６０分間電解バレルめっきを施し、Ｎｉ皮膜の表面にＳｎ皮膜を形成した。
【００５４】
（実施例２）
縦１６ｍｍ、横８ｍｍ、厚み８ｍｍのセラミック素体の両端面にＣｕを主成分とする導電性ペーストを塗布し、焼付処理を行って外部電極を形成し、被めっき物を作製した。
【００５５】
また、ＮｉＳＯ_４・６Ｈ_２Ｏ：３３０ｋｇ／ｍ^３、ＮｉＣｌ_２・６Ｈ_２Ｏ：４５ｋｇ／ｍ^３、Ｈ_３ＢＯ_３：３０ｋｇ／ｍ^３を混合して水素イオン指数ｐＨが４．０となるようにＮｉめっき液を調製し、さらに該Ｎｉめっき液に対しＦｅＳＯ_４を添加し、Ｎｉめっき液のＦｅイオン含有量を２．００×１０^−２ｗｔ％に設定した。
【００５６】
次いで、実施例１と同様、１００００個の被めっき物に対し電解バレルめっきを施して外部電極の表面にＮｉ皮膜を形成し、さらにＮｉ皮膜の表面にＳｎ皮膜を形成した。
【００５７】
（実施例３）
縦６ｍｍ、横３ｍｍ、厚み３ｍｍのセラミック素体の両端面にＡｇを主成分とする導電性ペーストを塗布し、焼付処理を行って外部電極を形成し、被めっき物を作製した。
【００５８】
また、ＮｉＳＯ_４・６Ｈ_２Ｏ：４２０ｋｇ／ｍ^３、ＮｉＣｌ_２・６Ｈ_２Ｏ：６０ｋｇ／ｍ^３、Ｈ_３ＢＯ_３：３０ｋｇ／ｍ^３を混合して水素イオン指数ｐＨが４．５となるようにＮｉめっき液を調製し、さらに該Ｎｉめっき液に対しＦｅＳＯ_４を添加し、Ｎｉめっき液のＦｅイオン含有量を５．０×１０^−３ｗｔ％に設定した。
【００５９】
次いで、実施例１と同様、１００００個の被めっき物に対し電解バレルめっきを施して外部電極の表面にＮｉ皮膜を形成し、さらにＮｉ皮膜の表面にＳｎ皮膜を形成した。
【００６０】
（実施例４）
縦１．０ｍｍ、横０．５ｍｍ、厚み０．５ｍｍのセラミック素体の両端面にＡｇを主成分とする導電性ペーストを塗布し、焼付処理を行って外部電極を形成し、被めっき物を作製した。
【００６１】
また、ＮｉＳＯ_４・６Ｈ_２Ｏ：３３０ｋｇ／ｍ^３、ＮｉＣｌ_２・６Ｈ_２Ｏ：６０ｋｇ／ｍ^３、Ｈ_３ＢＯ_３：４５ｋｇ／ｍ^３を混合して水素イオン指数ｐＨが４．２となるようにＮｉめっき液を調製し、さらに該Ｎｉめっき液に対しＦｅＳＯ_４を添加し、Ｎｉめっき液のＦｅイオン含有量を２．６０×１０^−２ｗｔ％に設定した。
【００６２】
次いで、実施例１と同様、１００００個の被めっき物に対し電解バレルめっきを施して外部電極の表面にＮｉ皮膜を形成し、さらにＮｉ皮膜の表面にＳｎ皮膜を形成した。
【００６３】
（実施例５）
ワット浴組成が実施例４と同一のＮｉめっき液を使用すると共に、該Ｎｉめっき液に対しＦｅＳＯ_４を添加し、Ｎｉめっき液のＦｅイオン含有量を２．８０×１０^−２ｗｔ％に設定した。
【００６４】
次いで、実施例４と同一の被めっき物１００００個に対し、電解バレルめっきを施して外部電極の表面にＮｉ皮膜を形成し、さらにＮｉ皮膜の表面にＳｎ皮膜を形成した。
【００６５】
（比較例１）
実施例１と同様、水素イオン指数ｐＨが４．２となるように調製したＮｉめっき液に対し、ＦｅＳＯ_４を添加し、Ｎｉめっき液のＦｅイオン含有量を３．１０×１０^−２ｗｔ％とした。
【００６６】
次いで、実施例１と同一の被めっき物１００００個に対し、電解バレルめっきを施して外部電極の表面にＮｉ皮膜を形成し、さらにＮｉ皮膜の表面にＳｎ皮膜を形成した。
【００６７】
（比較例２）
実施例２と同様、水素イオン指数ｐＨが４．０となるように調製したＮｉめっき液に対し、ＦｅＳＯ_４を添加し、Ｎｉめっき液のＦｅイオン含有量を３．５０×１０^−２ｗｔ％とした。
【００６８】
次いで、実施例２と同一の被めっき物１００００個に対し、電解バレルめっきを施して外部電極の表面にＮｉ皮膜を形成し、さらにＮｉ皮膜の表面にＳｎ皮膜を形成した。
【００６９】
（比較例３）
実施例３と同様、水素イオン指数ｐＨが４．５となるように調製したＮｉめっき液に対し、ＦｅＳＯ_４を添加し、Ｎｉめっき液のＦｅイオン含有量を４．００×１０^−２ｗｔ％とした。
【００７０】
次いで、実施例３と同一の被めっき物１００００個に対し、電解バレルめっきを施して外部電極の表面にＮｉ皮膜を形成し、さらにＮｉ皮膜の表面にＳｎ皮膜を形成した。
【００７１】
（比較例４）
ワット浴組成が実施例４と同一のＮｉめっき液を使用すると共に、該Ｎｉめっき液に対しＦｅＳＯ_４を添加し、Ｎｉめっき液のＦｅイオン含有量を３．９０×１０^−２ｗｔ％に設定した。
【００７２】
次いで、実施例４と同一の被めっき物１００００個に対し、電解バレルめっきを施して外部電極の表面にＮｉ皮膜を形成し、さらにＮｉ皮膜の表面にＳｎ皮膜を形成した。
【００７３】
（比較例５）
ワット浴組成が実施例４と同一のＮｉめっき液を使用すると共に、該Ｎｉめっき液に対しＦｅＳＯ_４を添加し、Ｎｉめっき液のＦｅイオン含有量を５．９０×１０^−２ｗｔ％に設定した。
【００７４】
次いで、実施例４と同一の被めっき物１００００個に対し、電解バレルめっきを施して外部電極の表面にＮｉ皮膜を形成し、さらにＮｉ皮膜の表面にＳｎ皮膜を形成した。
【００７５】
次に、本発明者は、各実施例及び比較例の試験片を使用し、回路基板にリフロー処理を行なって実装し、はんだ付け不良発生率を測定した。
【００７６】
すなわち、はんだ付け不良の場合、はんだ付け箇所で突沸等が起こり、はんだに所謂「つの」が形成されたり、はんだの一部が吹き飛ぶ。したがって、はんだ付け状態の良否を目視で判断し、不良発生個数を各実施例及び比較例の試験片個数１００００個で除算してはんだ付け不良発生率を算出した。
【００７７】
表１は各実施例及び比較例のＮｉめっき液組成とはんだ付け不良発生率を示している。
【００７８】
【表１】

この表１から明らかなように比較例１〜５は、Ｎｉめっき液中のＦｅイオン含有量が３．００×１０^−２ｗｔ％を超えているため、はんだ付け不良発生率が１０％を超えており、製品歩留まりが低下することが分かった。特に、Ｆｅイオン含有量が増加するに伴い、はんだ付け不良発生率が増大することが確認された。
【００７９】
これに対して実施例１〜５は、Ｎｉめっき液中のＦｅイオン含有量が３．００×１０^−２ｗｔ％未満であるため、はんだ付け不良が発生しないことが確認され、特に、Ｎｉめっき液中のＦｅイオン含有量を２．８０×１０^−２ｗｔ％未満とすることによりはんだ付け不良の発生を確実に防止することのできることが分かった。
【００８０】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明に係るセラミック電子部品のめっき方法は、鉄イオンが混入しためっき液を使用し、セラミック素体の表面に形成された電極にニッケルめっきを施すセラミック電子部品のめっき方法において、前記めっき液中における前記鉄イオンの含有量が、３．００×１０^−２ｗｔ％未満、好ましくは２．８０×１０^−２ｗｔ％未満であるので、電極表面が凹凸形状を有していても、不連続箇所を有することなく所望の層状のＮｉめっき皮膜を形成することができる。
【００８１】
また、本発明は、鉄製の第１の導電性媒体と前記セラミック素体とをバレルに投入して前記ニッケルめっきを施した場合は、Ｎｉめっき液中のＦｅイオン含有量を常時監視し、Ｆｅイオン含有量が３．００×１０^−２ｗｔ％近傍に到達した時点でＮｉめっき液を交換することにより、Ｆｅイオン含有量を容易に３．００×１０^−２ｗｔ％未満に抑制することができ、電極表面が凹凸形状を有していても、不連続箇所を有することなく所望の層状のＮｉめっき皮膜を形成することができる。
【００８２】
また、本発明は、鉄製以外の第２の導電性媒体（Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、又はこれらの合金）のみ、又は前記第１の導電性媒体及び前記第２の導電性媒体を併用した場合は、鉄製の導電性媒体のみを前記セラミック素体と共にバレルに投入して前記ニッケルめっきを施した場合に比べ、Ｆｅイオン含有量の増加率を抑制することができ、したがってＮｉめっき液の耐久性が向上し、Ｎｉめっき液の交換回数を低減させつつ、所望のＮｉ皮膜を電極上に形成することができる。
【００８３】
また、本発明は、前記めっき液が、錯化剤を含まないめっき液、特に硫酸ニッケル、塩化ニッケル、及びホウ酸からなる混合液を主成分とするめっき液に効果的である。
【００８４】
また、本発明は、前記電極が、前記セラミック素体に導電性ペーストを塗布した後、焼付処理を施して形成することにより、電極表面は一般に凹凸形状を有することとなるが、その場合であっても、Ｆｅイオン含有量を３．００×１０^−２ｗｔ％未満に抑制することにより、層状で不連続箇所の生じることのないＮｉめっき皮膜を形成することができる。
【００８５】
本発明に係るセラミック電子部品は、上記めっき方法を使用して製造されているので、Ｎｉ皮膜は連続した層状に形成され、高融点のＰｂフリーはんだ材を使用して回路基板に実装しても、はんだ付け不良が生じない積層セラミックコンデンサや積層インダクタ、抵抗器その他のセラミック電子部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るめっき方法を使用して製造されたセラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサの一実施の形態を示す断面図である。
【図２】図１のＡ部拡大図である。
【図３】従来における外部電極の表面に形成されたＮｉ皮膜を示す図である。
【符号の説明】
１　セラミック素体
６ａ、６ｂ　外部電極（電極）
７ａ、７ｂ　Ｎｉ皮膜

Claims

鉄イオンが混入しためっき液を使用し、セラミック素体の表面に形成された電極にニッケルめっきを施すセラミック電子部品のめっき方法において、
前記めっき液中における前記鉄イオンの含有量が、重量％で３．００×１０^−２％未満であることを特徴とするセラミック電子部品のめっき方法。
前記鉄イオンの含有量が、重量％で２．８０×１０^−２％未満であることを特徴とする請求項１記載のセラミック電子部品のめっき方法。
鉄製の第１の導電性媒体と前記セラミック素体とをバレルに投入して前記ニッケルめっきを施すことを特徴とする請求項１又は請求項２記載のセラミック電子部品のめっき方法。
鉄製以外の第２の導電性媒体と前記セラミック素体とをバレルに投入して前記ニッケルめっきを施すことを特徴とする請求項１又は請求項２記載のセラミック電子部品のめっき方法。
前記第２の導電性媒体は、ニッケル、スズ、鉛、又はこれらの合金の中から選択された少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項４記載のセラミック電子部品のめっき方法。
前記第２の導電性媒体に加え、鉄製の第１の導電性媒体を前記バレルに投入して前記ニッケルめっきを施すことを特徴とする請求項４又は請求項５記載のセラミック電子部品のめっき方法。
前記めっき液は、錯化剤を含まないことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のセラミック電子部品のめっき方法。
前記めっき液は、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、及びホウ酸からなる混合溶液を主成分とすることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載のセラミック電子部品のめっき方法。
前記電極は、前記セラミック素体に導電性ペーストを塗布した後、焼付処理を施して形成することを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載のセラミック電子部品のめっき方法。
請求項１乃至請求項９のいずれかに記載のめっき方法を使用して製造されていることを特徴とするセラミック電子部品。