WO2006038376A1 - はんだ組成物及びこれを用いたはんだ層形成方法 - Google Patents

はんだ組成物及びこれを用いたはんだ層形成方法 Download PDF

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Hiroshi Saito
Isao Sakamoto
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    • H05K2203/0425Solder powder or solder coated metal powder

Definitions

  • the present invention belongs to a mounting technology for semiconductor devices and electronic components, and more particularly relates to a solder composition for forming a solder layer on an electrode provided on a substrate, and a solder layer forming method using the same. .
  • solder layer formation on a substrate is a printing method in which a solder paste is passed through a metal mask pattern, printed on the substrate, and then heated and melted to form a solder layer.
  • dipping methods for pre-coating solder by immersing solder deposition methods for forming a solder layer by vacuum deposition after forming a pattern on a substrate by photolithography, and a plating method for forming a solder layer by electrical plating.
  • the substrate is a general term for substrates on which electronic components are mounted or mounted, such as semiconductor substrates, printed wiring boards, interposer substrates, and the like.
  • Patent Document 1 a mixture of a solder powder and an organic metal salt is heated, and a desired solder alloy is deposited by a substitution reaction between the solder and the organic metal salt. A technique for forming a solder layer is described.
  • Patent Document 2 discloses that a solder is melted in a heated oily liquid dispersion medium, and this is stirred to form droplet fine particles, which are then cooled. A method for atomizing in oil in which spherical solder particles are obtained by solidification is described.
  • Patent Document 1 Japanese Patent No. 2975114
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-166007
  • the conventional solder layer forming method described above has the following problems with respect to recent technological trends in the miniaturization and narrowing of electrodes and lead-free solder.
  • the printing method is the most common technique for mounting electronic components on a printed wiring board.
  • it is difficult to apply a metal mask and the mechanical strength is lowered.
  • the dip method has problems such as generation of bridges in narrow pitch electrodes, erosion of solder in fine electrodes, and a thick soldering force in relation to the surface tension of solder, which makes it impossible to form solder layers.
  • the vacuum deposition method is limited to special-purpose products because the production cost is very high due to the photolithography process.
  • the plating method is effective for conventional tin-lead solder.
  • a lead-free solder for example, tin-silver-copper solder
  • the types of metals that can be electroplated There are also restrictions on the types of metals that can be electroplated.
  • tin having a high ionization tendency in the tin-lead alloy powder becomes tin ions, which undergoes a substitution reaction with the lead of the organic lead salt and is absorbed into the tin-lead alloy powder.
  • a melting point drop occurs, and the tin-lead alloy powder is dissolved and deposited on the electrode.
  • the range of choice of alloy system is not so large here, as is the case with electrical plating, since the ionization tendency in the alloy system dominates the substitution reaction.
  • An object of the present invention is to provide a solder composition that can solve the above-mentioned problems associated with miniaturization of electrodes and lead-free soldering, and a solder layer forming method using the same.
  • the solder composition according to the present invention is soldered to an electrode on a substrate.
  • the solder composition used to form the layer consists of a mixture of solder powder and medium,
  • the solder powder has a coalescence suppression film that suppresses coalescence of solder powder particles
  • the medium is a solvent having a boiling point equal to or higher than a soldering temperature.
  • the coalescence suppressing film is made of an organic film.
  • the medium may be either liquid or paste.
  • solder particles! / The particles of the solder powder (hereinafter referred to as "solder particles! /") Have a substantially spherical shape and a substantially uniform diameter.
  • solder particles When the solder composition is heated to a temperature higher than the soldering temperature (including the melting point of the solder powder), n solder particles are united, and the volume of the combined solder particles and the amount of the organic film are n times. Its surface area is n 2/3 times. Therefore, new solder particles with n solder particles combined have an organic film amount of n 1/3 times per unit surface area. In other words, as the coalescence of solder particles progresses, the amount of organic film per unit surface area of the coalesced solder particles increases.
  • the volume of the combined solder particles and the amount of organic coating are 8 times, the surface area is 4 times, and the amount of organic coating per unit surface area is doubled. Further, as the amount of the organic film per unit surface area increases, it becomes more difficult for the solder particles covered with the organic film to come into contact with each other, so that coalescence of the solder particles is suppressed.
  • the solder layer on the electrode grows when the solder particles coalesce with the solder layer. Therefore, as the solder particles coalesce on the electrode, the growth of the solder layer stops when the amount of the organic film per unit surface area of the solder layer reaches a certain level.
  • the final solder amount of the solder layer is determined by the size of the initial solder particles and the amount of the organic film in addition to the size of the electrode. Solder particles with a certain amount of organic film per unit surface area will not merge with the solder layer! /.
  • the amount of the organic film of the first solder particles is set so as to allow the solder particles to coalesce into the solder layer until the solder layer reaches a certain amount of solder and to suppress when the amount exceeds a certain amount.
  • the solder composition according to the present invention comprises a coalescence promoter that promotes coalescence of the particles of the solder powder and a coalescence inhibitor that suppresses coalescence of the particles of the solder powder. Of these, at least one of them may be added to the mixture.
  • the coalescence promoter preferably contains an acid component, and the acid component preferably contains at least one of carboxylic acid and rosin.
  • the coalescence inhibitor includes an organic acid metal salt, and the organic acid metal salt preferably has a metal force constituting the acid component and particles of the solder powder.
  • the coalescence promoter includes an acid component, and the coalescence suppressor includes an organic acid metal salt. Therefore, the acid component or organic acid metal salt may be the main component.
  • the acid component promotes coalescence of the solder particles and the organic acid metal salt suppresses coalescence of the solder particles, the action of the organic film can be adjusted.
  • the carboxylic acid as the acid component include formic acid, oleic acid, stearic acid, and oxalic acid.
  • the rosin as the acid component include rosin derivatives such as L-abietic acid, rosin, and hydrogenated rosin.
  • the solder powder particles are preferably tin, indium, or an alloy thereof.
  • the solder powder particles may be an alloy containing at least one of copper, silver, gold, nickel, lead, bismuth, antimony, zinc, germanium, or aluminum in the single metal or the alloy. Also good.
  • the medium may contain at least one of hydrocarbons, esters, alcohols or glycols.
  • the solder layer forming method according to the present invention includes a step of applying a mixture of solder powder and a solvent onto a substrate, melting the solder powder, and controlling coalescence of the solder powder particles.
  • the method includes a step of forming a solder layer with the solder powder on the upper electrode.
  • the volume of solder particles is VI, and the amount of organic film is F1.
  • the shape of the solder particles is spherical.
  • V2 is the total volume of the solder particles combined to form the solder layer.
  • the quantity is F2 and the surface area is S2.
  • the electrode area be SO.
  • A be the correction factor indicating the relationship between the surface area of the solder layer and the area of the electrode.
  • Fmax be the maximum amount of organic film per unit surface area of the entire solder particles combined to form the solder layer.
  • F1 can be obtained from Equation (6).
  • the correction coefficient A has a different value depending on the volume of the solder layer, the shape of the electrode, the surface tension of the entire solder particles combined to form the solder layer, and the like. Take. For example, the larger the volume of the solder layer, the larger the surface area of the solder layer, so A also has a larger value.
  • the electrode shape is a square rather than a circle, the surface area increases due to the fact that it is less likely to be a spherical surface, so A is also a large value.
  • the surface tension of the entire solder particles united to form the solder layer is small. The surface area is large because it is difficult to be spherical, so A is also a large value.
  • the actual correction factor A is obtained experimentally.
  • solder particles in the solder paste are coalesced to form the solder connection portion. It was made by paying attention to the phenomenon, and by controlling the coalescence of solder particles, a solder layer with a desired amount of solder can be formed on the electrode.
  • solder paste since the surface of the solder powder is acidified, an activator is added. In order to cope with a fine pattern, the solder particles must also be made fine. As a result, the total surface area of the solder powder particles increases, and the activator in the solder paste necessary to oxidize the surface tends to increase. In addition, the oxide film on the surface of the solder particles has an effect of preventing the aggregation of the solder particles, and is therefore an important factor in producing the solder paste. However, from the viewpoint of miniaturization and solder wettability, it is not preferable to increase the amount of acid in the solder powder. Therefore, in the present invention, attention is paid to the organic film as a means for preventing aggregation, and the coalescence of the solder particles is controlled by forming the organic film on the surface of the solder particles.
  • the present invention is a solder composition
  • an organic film can be formed on the surface of the solder particles by granulating the solder by the atomizing method in oil described in Patent Document 2.
  • the boiling point of the solvent (medium) is not less than the soldering temperature including the melting point of the solder.
  • solder composition when the solder composition is applied to the electrode on the substrate and heated more than soldering, the solder powder is melted. At this time, solder powder particles that have been in contact with the electrode are wetted onto the electrode, thereby forming a solder layer.
  • the surface of the solder layer on the electrode becomes dense each time it repeats coalescence with solder powder particles.
  • the organic film exceeds a certain amount, it works to prevent coalescence with the solder powder particles. This action forms a solder layer with the required amount of solder while preventing short-circuit defects by preventing coalescence with excess solder particles.
  • the added acid component acts as a coalescence promoter, and the organic acid metal salt also acts as a coalescence suppressor, both of which regulate the action of the organic film.
  • a solvent having a boiling point equal to or higher than the soldering temperature and a solvent are present.
  • a solder composition comprising a solder powder having a mechanical coating is applied to the electrode portion on the substrate and heated to a temperature higher than the soldering temperature to form a solder layer on the electrode on the substrate.
  • the growth of the organic film can prevent the union of excess solder particles. As a result, it is possible to easily and inexpensively form a solder layer excellent in the uniformity of the composition with no short-circuit defect even in a fine electrode pattern.
  • solder layer in the technology for forming a solder layer on the electrode portion on the substrate, the mask position accuracy in the printing method or the like is not required and the short-circuit failure is required for the recent miniaturization of the electrode and the lead-free solder. And a solder layer having a uniform composition and a sufficient amount of solder can be formed. That is, it is possible to provide a solder composition excellent in cost performance and a solder layer forming method using the same.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a solder composition according to an embodiment of the present invention.
  • a solder composition 10 is applied to the electrode 21 provided on the substrate 20.
  • the solder composition 10 is for forming a solder layer 32 (FIG. 2 [2]) on the electrode 21, and a solder powder having the organic film 11 and a medium having a boiling point equal to or higher than the melting point of the solder powder.
  • the solder powder is produced, for example, by an atomizing method in oil.
  • the medium 13 has a boiling point equal to or higher than the melting point of the solder powder, for example, a boiling point equal to or higher than the soldering temperature, and may be liquid or pasty.
  • the solder powder particles (solder particles 12) are each coated with an organic film 11 as shown in FIG.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the operation of the solder composition of FIG.
  • description will be made based on this drawing.
  • FIG. 2 shows a state in which the solder yarn 10 (Fig. 1) is heated above the melting point of the solder powder, and Fig. 2 [1] shows solder powder particles (solder particles) 12a, FIG. 2 [2] shows a state where the solder particles 12d and the solder layer 32 are united. However, the illustration of the medium 13 (FIG. 1) is omitted.
  • the solder particles 12a, 12b are substantially spherical, have a uniform diameter, and have the same amount of the organic coatings 11a, ib.
  • the two solder particles 12a and 12b are united Suppose the new solder particles 12c.
  • Solder particles 12c have twice the volume and double the amount of organic coating 11c compared to solder particles 12a and 12b, but the surface area is only about 1.59 times.
  • the solder particle 12c in which the solder particles 12a and 12b are combined has an amount of the organic film 11c per unit surface area of about 1.26 times. That is, the amount of the organic film 11c per unit surface area increases as the coalescence of the solder particles 12c progresses. Also, as the amount of the organic film 11a, ib per unit surface area increases, the solder particles 12a, 12c under the organic film 11a, ib become more difficult to contact with each other. Is suppressed.
  • the solder layer 32 on the electrode 21 has a hemispherical shape, and grows when the solder particles 12d merge with the solder layer 32. For this reason, when the coalescence of the solder particles 12d proceeds and the amount of the organic film 31 per unit surface area of the solder layer 32 reaches a certain level, the growth of the solder layer 32 is stopped. That is, the final solder amount of the solder layer 31 is determined by the area of the electrode 21, the size of the first solder particles 12a and 12b, and the amount of the organic coating 1 la and ib.
  • solder particles 12d do not coalesce with the solder layer 23 as long as the amount of the organic film id per unit surface area has reached a certain level. That is, if one of the organic film 31 per unit surface area of the solder layer 32 or the amount of the organic film 1 Id per unit surface area of the solder particles 12d reaches a certain value, Unification is not established.
  • the amount of the organic coating 11a, l ib of the first solder particles 12a, 12b allows the coalescence of the solder particles 12d to the solder layer 32 and allows the solder layer 32 to reach a certain amount of solder. It is set to suppress when the amount of solder is exceeded.
  • Tin-silver-copper solder is a lead-free solder with a composition of Sn 3.0mass% Ag 0.5mass% Cu and a melting point of 220 ° C.
  • this refined castor oil is heated to 230 ° C and the stirrer is rotated at 10,000 rpm, so that the solder alloy is formed in the refined castor oil. It was crushed.
  • a solder powder having a maleic acid-modified rosin organic film on the surface of the solder particles was obtained.
  • the inside of the container was replaced with a nitrogen atmosphere.
  • the solder powder was washed with ethyl acetate after removing the supernatant of the container and dried in vacuum.
  • solder composition was prepared by dispersing 1.5 g of the obtained solder powder in 50 ml of a polyol ester (trimethylolpropane fatty acid condensed ester). Subsequently, this solder composition was applied onto a silicon chip patterned with an electrode diameter of 40 m and an electrode pitch of 80 ⁇ m, and heated and melted at a peak temperature of 260 ° C. This electrode also has NiZAu power. After the solder layer was formed in this manner, the silicon chip was ultrasonically cleaned in ethyl acetate, and after drying, appearance inspection and solder layer height measurement were performed using a laser microscope.
  • solder powder having an organic film on the surface obtained by the same method as in Example 1 was added to 50 ml of a polyol ester containing 0.165 g of stearic acid and 0.35 g of tin stearate.
  • the solder composition was adjusted by dispersing.
  • This solder composition was applied on a resin substrate formed with a protruding electrode (electrode diameter: 100 ⁇ m) with a height of 50 ⁇ m and a pitch of 00 ⁇ m, and the peak temperature was 260 ° C.
  • solder powder having an organic film on the surface obtained by the same method as in Example 1. 2. Disperse Og in 50 ml of polyalkylene glycol in which 1 ml of oleic acid is dispersed to obtain a solder composition. It was adjusted. This solder composition was applied onto a silicon chip patterned with an electrode diameter of 40 ⁇ m and an electrode pitch of 80 ⁇ m, and was heated and melted at a peak temperature of 260 ° C. After forming a solder layer in this manner, the silicon chip was ultrasonically cleaned in ethyl acetate, and after drying, an appearance inspection and a solder layer height measurement were performed using a laser microscope.
  • the present invention can provide a solder composition that can solve the problems associated with the miniaturization of electrodes and the lead-free solder, and a method for forming a solder layer using the same. .
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a solder composition according to the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the action of the solder composition of FIG.

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Abstract

【課題】  【解決手段】 はんだ組成物10は、基板20上に設けられた電極21にはんだ層を形成するためのものであり、有機皮膜11に被覆された多数のはんだ粒子12からなるはんだ粉末と、このはんだ粉末の融点以上の沸点を有する媒体13とを含んでいる。電極21上のはんだ層は、はんだ粒子12がはんだ層に合一することによって成長する。そのため、はんだ粒子12の合一が進むことにより、はんだ層の単位表面積当たりの有機皮膜の量が一定に達すると、はんだ層の成長が停止する。つまり、はんだ層の最終的なはんだ量は、最初のはんだ粒子12の大きさ及び有機皮膜11の量によって決まる。これにより、はんだ粒子12が電極21上で必要以上に合一することを抑制できるので、電極21のショート不良を防止できる。

Description

明 細 書
はんだ組成物及びこれを用いたはんだ層形成方法
技術分野
[0001] 本発明は、半導体装置や電子部品の実装技術に属し、詳しくは基板上に設けられ た電極にはんだ層を形成するためのはんだ組成物、及びこれを用いたはんだ層形 成方法に関する。
背景技術
[0002] 従来の基板上へのはんだ層形成には、はんだペーストをメタルマスクのパターンに 通して基板上に印刷した後に加熱溶融してはんだ層を形成する印刷法、溶融はん だ中に基板を浸漬させてはんだをプリコートするディップ法、フォトリソ法によって基板 上にパターンを形成した後に真空蒸着によってはんだ層を形成する蒸着法、電気メ ツキによってはんだ層を形成するメツキ法などが知られている。なお、前記基板は、半 導体基板,プリント配線板,インターポーザ基板などのように、電子部品が実装される 又は実装された基板を総称して 、る。
[0003] また、特許文献 1には、はんだ粉末と有機金属塩との混合物を加熱し、はんだと有 機金属塩との置換反応によって所望のはんだ合金を析出させることにより、基板上の 電極にはんだ層を形成する技術が記載されている。
[0004] 更に、はんだ層形成方法ではな 、が、特許文献 2には、加熱した油状液体の分散 媒中ではんだを溶融し、これを撹拌して液滴の微粒子を形成し、これを冷却固化させ て球状のはんだ粒子を得る、油中アトマイズ法が記載されて 、る。
[0005] 特許文献 1 :特許第 2975114号公報
特許文献 2 :特開 2003— 166007号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0006] し力しながら、前述した従来のはんだ層形成方法では、近年の電極の微細化及び 狭ピッチ化、並びにはんだの鉛フリー化の技術動向に対して、次のような問題があつ [0007] 印刷法は、プリント配線板上に電子部品を実装する技術として、最も一般的である 。しかし、微細で狭ピッチな電極上へのはんだ層形成に対しては、メタルマスクの加 ェの困難化及び機械的強度の低下、更には印刷後のはんだペーストのダレ、これに 伴うショート不良(ブリッジ)の発生など、多くの問題を抱えている。
[0008] ディップ法は、狭ピッチ電極のブリッジ発生や微細電極のはんだ食われ、更にはは んだの表面張力の関係力も厚くはんだ層を形成できない、などの問題がある。
[0009] 真空蒸着法は、フォトリソ工程が入ることから生産コストが非常に高くつくため、特殊 用途品に限られている。
[0010] メツキ法は、従来の錫鉛はんだに対しては有効である。しかし、鉛フリーはんだ例え ば錫銀銅系はんだのメツキ形成は、組成金属の析出電位が著しく高くなるために、極 めて困難である。また、電気メツキが可能な金属の種類にも制約がある。更には、電 界印加のために被処理物上に形成されたシード層(金属導通層)を、メツキ後にエツ チングによって除去する必要がある。そのため、エッチング不良による電極間のショ ート不良(絶縁不良)の発生が、ファインピッチ化の進展に伴 ヽ問題視されるようにな つている。
[0011] 更に特許文献 1に記載の技術では、錫鉛合金粉末のイオン化傾向の大きい錫が錫 イオンとなり、有機鉛塩の鉛と置換反応して鉛が錫鉛合金粉末に吸収され、鉛組成 の増加に伴い融点降下を生じ、錫鉛合金粉末が溶解して電極上に堆積される。しか し、ここでも電気メツキと同様〖こ、合金系でのイオン化傾向が置換反応を支配すること から、合金系の選択の幅は決して大きくない。また、錫銀銅系のはんだ合金の融点 は組成変動に対して敏感ではな 、ので、一定組成の合金を一様に微細な電極上に 形成することが非常に難しい。すなわち、組成変動を引き起こしやすいという問題を 抱えた材料であるため、均一組成のはんだ層形成が困難である。
[0012] 本発明の目的は、電極の微細化及びはんだの鉛フリー化に伴う上述した諸問題を 解決し得るはんだ組成物、及びこれを用いたはんだ層形成方法を提供することにあ る。
課題を解決するための手段
[0013] 前記目的を達成するため、本発明に係るはんだ組成物は、基板上の電極にはんだ 層を形成するために用いるはんだ組成物にぉ 、て、はんだ粉末と媒体との混合物か らなり、
前記はんだ粉末は、はんだ粉末の粒子が合一するのを抑制する合一抑制皮膜を 有し、前記媒体は、その沸点がはんだ付温度以上の溶媒であることを特徴とするもの である。また、前記合一抑制被膜は、有機皮膜からなることが望ましいものである。な お、前記媒体は、液状,或いはペースト状のいずれであってもよい。
[0014] 前記はんだ粉末の粒子(以下、はんだ粒子と!/、う)は、ほぼ球状であり、直径もほぼ 均一である。ここで、はんだ組成物をはんだ付温度(はんだ粉末の融点を含む)以上 に加熱すると、 n個のはんだ粒子が合一して、その合一したはんだ粒子の体積及び 有機皮膜量が n倍、その表面積が n2/3倍となる。そのため、 n個のはんだ粒子が合一 した新たなはんだ粒子は、その単位表面積当たりの有機皮膜量が n1/3倍となる。すな わち、はんだ粒子の合一が進むほど、合一したはんだ粒子の単位表面積当たりの有 機皮膜量が増加する。例えば、 8個のはんだ粒子が合一すると、その合一したはんだ 粒子の体積及び有機皮膜量が 8倍、その表面積が 4倍、その単位表面積当たりの有 機皮膜量が 2倍となる。また、前記単位表面積当たりの有機皮膜量が増えるほど、有 機皮膜で被覆されるはんだ粒子同士の接触が難しくなるので、はんだ粒子の合一が 抑制される。
[0015] 一方、電極上のはんだ層は、はんだ粒子がはんだ層に合一することによって成長 する。そのため、電極上ではんだ粒子の合一が進むにつれて、はんだ層の単位表面 積当たりの有機皮膜量が一定に達すると、はんだ層の成長が停止する。つまり、はん だ層の最終的なはんだ量は、電極の大きさに加えて、最初のはんだ粒子の大きさ及 び有機皮膜量によって決まる。なお、単位表面積当たりの有機皮膜量が一定に達し たはんだ粒子も、はんだ層に合一することはな!/、。
[0016] これにより、はんだ粒子が電極上で必要以上に合一することを抑制できるので、は んだ層のはんだ量を均一化できるとともに、電極のショート不良を防止できる。例えば 、最初のはんだ粒子の有機皮膜量は、はんだ層へのはんだ粒子の合一を、はんだ 層が一定のはんだ量になるまでは許容し一定のはんだ量を越えると抑制するように、 設定されている。 [0017] 本発明に係るはんだ組成物は、前記はんだ粉末の粒子が合一するのを促進する 合一促進剤と、前記はんだ粉末の粒子が合一するのを抑制する合一抑制剤とのうち 、少なくとも一方を前記混合物に添加してもよいものである。前記合一促進剤は、酸 成分を含むことが望ましぐ前記酸成分は、カルボン酸,ロジンのうちの少なくとも 1つ を含むことが望ましいものである。また、前記合一抑制剤は、有機酸金属塩を含むこ とが望ましぐ前記有機酸金属塩は、前記酸成分と、前記はんだ粉末の粒子を構成 する金属力 なることが望ましい。なお、前記合一促進剤は酸成分を含み、前記合一 抑制剤は有機酸金属塩を含むのであるから、酸成分,有機酸金属塩を主成分として もよぐさらには、酸成分,有機酸金属塩を新たな合一促進剤,合一抑制剤を含めて ちょい。
[0018] 酸成分ははんだ粒子の合一を促進し、有機酸金属塩ははんだ粒子の合一を抑制 するので、有機皮膜の作用を調整することができる。酸成分としてのカルボン酸は、 例えば、蟻酸,ォレイン酸,ステアリン酸,蓚酸などである。酸成分としてのロジンは、 例えば、 L—ァビエチン酸,ロジン,水添ロジン等のロジン誘導体などである。
[0019] また、前記はんだ粉末の粒子は、錫,インジウム又はこれらの合金のいずれかであ ることが望ましい。さらに、前記はんだ粉末の粒子は、前記単体金属又は前記合金に 、銅,銀,金,ニッケル,鉛,ビスマス,アンチモン,亜鉛,ゲルマニウム又はアルミ- ゥムのうち少なくとも 1つを含む合金であってもよい。また、前記媒体は、炭化水素類 ,エステル類,アルコール類若しくはグリコール類のうちの少なくとも 1つを含むもので あってもよい。
[0020] 本発明に係るはんだ層形成方法は、はんだ粉末と溶媒の混合物を基板上に塗布 する工程と、前記はんだ粉末を溶融させ、かつ前記はんだ粉末の粒子の合一を制御 して前記基板上の電極に前記はんだ粉末によるはんだ層を形成する工程を含むこと を特徴とするものである。
[0021] 次に、所望のはんだ層の高さを得るための、はんだ粒子及びその有機皮膜量の設 計方法について説明する。
[0022] はんだ粒子の体積を VI、有機皮膜量を F1とする。はんだ粒子の形状は球形であ る。はんだ層を形成するために合一した全体のはんだ粒子の体積を V2、有機皮膜 量を F2、表面積を S2とする。電極の面積を SOとする。はんだ層の表面積と電極の面 積との関係を示す補正係数を Aとする。はんだ層を形成するために合一した全体の はんだ粒子の単位表面積当たりの最大の有機皮膜量を Fmaxとする。
[0023] このとき、以下の関係が成り立つ。
F2=(V2/V1) XF1 ··· (1)
Fmax=F2/S2 ··· (2)
S2=AXS0 ··· (3)
式(3)を式(2)に代入することにより、次式を得る。
Fmax=F2/ (AX SO)
.'.F2=FmaxXAXS0 …(4)
続いて、式 (4)を式(1)に代入することにより、次式を得る。
FmaxXAXS0=(V2/Vl) XF1 ··· (5)
Fl = (V1/V2) X Fmax X A X SO ··· (6)
ここで、所望のはんだ層の高さに対応して V2が決まり、 VI、 Fmax, A、 SOも既に 決まっていれば、式(6)から F1が求められる。
また、はんだ粒子の大きさ(すなわち VI)が決まっていなければ、式(5)から得られ る次式の、
F1/V1=(1/V2) XFmaxXAXSO--- (7)
の関係を満たす Fl、 VIが求められる。
[0024] なお、式(3)にお 、て、補正係数 Aは、はんだ層の体積,電極の形状,はんだ層を 形成するために合一した全体のはんだ粒子の表面張力などによって異なる値をとる 。例えば、はんだ層の体積が大きいほど、はんだ層の表面積が大きくなるので、 Aも 大きい値となる。電極の形状が円形よりも四角形の方が、球面になりにくいことにより 表面積が大きくなるので、 Aも大きい値となる。はんだ層を形成するために合一した 全体のはんだ粒子の表面張力が小さい方力 球面になりにくいことにより表面積が大 きくなるので、 Aも大きい値となる。実際の補正係数 Aは、実験的に求められる。
[0025] 以上のように本発明は、従来のはんだペーストを用いた電子部品の実装方法にお V、て、はんだペースト中のはんだ粒子の合一が進行してはんだ接続部が形成される 現象に着目してなされたものであり、はんだ粒子の合一を制御することにより、所望の はんだ量のはんだ層を電極に形成できるものである。
[0026] はんだペースト中には、はんだ粉末の表面が酸ィ匕しているため、活性剤が添加され ている。微細パターンに対応するには、はんだ粒子も微細にしなければならない。こ れに伴い、はんだ粉末の粒子による総表面積が増加することにより、その表面を酸化 するために必要なはんだペースト中の活性剤も増える傾向にある。また、はんだ粒子 表面の酸化皮膜は、はんだ粒子同士の凝集防止の効果があるので、はんだペースト を作製する上で重要な要素になっている。しかし、微細化及びはんだ濡れ性の観点 から、はんだ粉末の酸ィ匕量の増大は好ましくない。そこで、本発明では、凝集防止の 手段として有機皮膜に着目し、はんだ粒子表面に有機皮膜を形成することにより、は んだ粒子の合一を制御することにした。
[0027] すなわち、本発明は、表面に有機皮膜を有するはんだ粉末と、はんだ粉末を分散 させる溶媒 (媒体)とからなるはんだ組成物である。例えば、特許文献 2に記載の油中 アトマイズ法によってはんだを造粒することにより、はんだ粒子表面に有機皮膜を形 成できる。また、溶媒 (媒体)の沸点は、はんだの融点を含むはんだ付温度以上であ る。更に、有機皮膜の作用を調整するための酸成分又は有機酸金属塩を付与しても よい。
[0028] そして、当該はんだ組成物を基板上の電極に塗布して、はんだ付以上に加熱する と、はんだ粉末が融解される。このとき、電極上に接触していたはんだ粉末の粒子が 電極上に濡れることにより、はんだ層が形成される。電極上のはんだ層は、はんだ粉 末の粒子と合一を繰り返す毎に、表面の有機皮膜が密となる。そして、有機皮膜は、 一定量を超えると、はんだ粉末の粒子との合一を阻止するように働く。この作用によ つて、必要なはんだ量のはんだ層を形成する一方で、余分なはんだ粒子との合一を 防止することによりショート不良を防ぐ。なお、添加した酸成分は合一の促進剤として 働き、同じく有機酸金属塩は合一の抑制剤として働き、ともに有機皮膜の作用を調整 する。
発明の効果
[0029] 以上説明したように本発明によれば、はんだ付温度以上の沸点を有する溶媒と有 機皮膜を有するはんだ粉末とからなるはんだ組成物を、基板上の電極部分に塗布し 、はんだ付温度以上に加熱することにより、基板上の電極にはんだ層を形成するとも に、はんだ層表面の有機皮膜の成長によって余分なはんだ粒子の合一を阻止できる 。これにより、微細な電極パターンにおいてもショート不良がなぐ組成の均一性に優 れたはんだ層を簡単に低コストで形成できる。
[0030] 換言すると、基板上の電極部分にはんだ層を形成する技術において、近年の電極 の微細化及びはんだの鉛フリー化に対し、印刷法等におけるマスク位置精度を必要 とせず、かつショート不良を抑え、均一組成で十分なはんだ量を有するはんだ層を形 成できる。すなわち、コストパフォーマンスに優れたはんだ組成物及びこれを用いた はんだ層形成方法を提供できる。
発明を実施するための最良の形態
[0031] 以下、本発明の実施形態を図に基づいて詳細に説明する。
図 1は、本発明の一実施形態に係るはんだ組成物を示す概略断面図である。
[0032] 図 1に示すように、基板 20上に設けられた電極 21には、はんだ組成物 10が塗布さ れる。はんだ組成物 10は、電極 21にはんだ層 32 (図 2 [2] )を形成するためのもので あり、有機皮膜 11を有するはんだ粉末と、このはんだ粉末の融点以上の沸点を有す る媒体 13とを含んでいる。はんだ粉末は、例えば油中アトマイズ法によって製造され る。媒体 13は、はんだ粉末の融点以上の沸点、例えばはんだ付温度以上の沸点を 有し、液状でもペースト状でもよい。はんだ粉末の粒子(はんだ粒子 12)は図 1に示 すように、それぞれ表面が有機皮膜 11で被覆されて ヽる。
[0033] 図 2は、図 1のはんだ組成物の作用を示す概略断面図である。以下、この図面に基 づき説明する。
[0034] 図 2は、はんだ糸且成物 10 (図 1)をはんだ粉末の融点以上に加熱している状態を示 し、図 2 [1]は、はんだ粉末の粒子(はんだ粒子) 12a、 12b同士の合一の状態であり 、図 2 [2]は、はんだ粒子 12dとはんだ層 32との合一の状態である。ただし、媒体 13 ( 図 1)については、図示を省略する。
[0035] 図 2 [1]に示すように、はんだ粒子 12a, 12bは、ほぼ球状であり、直径も均一であり 、有機皮膜 11a, l ibの量も等しい。ここで、 2個のはんだ粒子 12a, 12bが合一して 、新たなはんだ粒子 12cになったとする。はんだ粒子 12cは、はんだ粒子 12a, 12b に比べて、体積が 2倍になり、有機皮膜 11cの量も 2倍になるが、表面積は約 1. 59 倍にしかならない。そのため、はんだ粒子 12a, 12bが合一したはんだ粒子 12cは、 単位表面積当たりの有機皮膜 11cの量が約 1. 26倍となる。すなわち、はんだ粒子 1 2cの合一が進むほど、単位表面積当たりの有機皮膜 11cの量が増加する。また、単 位表面積当たりの有機皮膜 11a, l ibの量が増えるほど、有機皮膜 11a, l ib下のは んだ粒子 12a, 12c同士の接触が難しくなるので、はんだ粒子 12a, 12bの合一が抑 制される。
[0036] 一方、図 2 [2]に示すように、電極 21上のはんだ層 32は、半球状を呈し、はんだ粒 子 12dがはんだ層 32に合一することによって成長する。そのため、はんだ粒子 12d の合一が進むことにより、はんだ層 32の単位表面積当たりの有機皮膜 31の量が一 定に達すると、はんだ層 32の成長が停止する。つまり、はんだ層 31の最終的なはん だ量は、電極 21の面積並びに最初のはんだ粒子 12a, 12bの大きさ及び有機皮膜 1 la, l ibの量によって決まる。また、はんだ粒子 12dは、単位表面積当たりの有機皮 膜 l idの量が一定に達していれば、はんだ層 23に合一することはない。すなわち、 はんだ層 32の単位表面積当たりの有機皮膜 31の量、又は、はんだ粒子 12dの単位 表面積当たりの有機皮膜 1 Idの量にっ 、て、どちらか一方が一定値に達して 、れば 、合一は成立しない。
[0037] これにより、はんだ粒子 12dが電極 21上で必要以上に合一することを抑制できるの で、電極 21のショート不良を防止できる。例えば、最初のはんだ粒子 12a, 12bの有 機皮膜 11a, l ibの量は、はんだ層 32へのはんだ粒子 12dの合一を、はんだ層 32 が一定のはんだ量になるまでは許容し一定のはんだ量を越えると抑制するように、設 定されている。
実施例 1
[0038] まず、容器に入った精製ひまし油 900g中に、錫銀銅はんだを 90g、マレイン酸変 性ロジンを 18g加えた。錫銀銅はんだは、組成が Sn 3.0mass%Ag 0.5mass%Cuの 鉛フリーはんだであり、融点が 220°Cである。そして、この精製ひまし油を 230°Cにカロ 熱して撹拌機を 10,000rpmで回転させることにより、精製ひまし油中ではんだ合金を 破砕した。これにより、はんだ粒子表面にマレイン酸変性ロジンの有機皮膜が付いた はんだ粉末を得た。なお、撹拌中は容器内を窒素雰囲気に置換した。また、はんだ 粉末は、容器の上澄みを除いた後に酢酸ェチルによって洗浄し、これを真空乾燥し た。
[0039] 次 、で、得られたはんだ粉末 1. 5gをポリオールエステル(トリメチロールプロパン脂 肪酸縮合エステル) 50ml中に分散させることにより、はんだ組成物を調整した。続い て、このはんだ組成物を、電極径 φ 40 mかつ電極ピッチ 80 μ mでパターン形成さ れたシリコンチップ上に塗布し、ピーク温度 260°Cの条件で加熱溶融させた。この電 極は、 NiZAuメツキ力もなる。これによりはんだ層を形成した後、シリコンチップ対し て酢酸ェチル中で超音波洗浄を行い、乾燥後にレーザ顕微鏡を用いて外観検査及 びはんだ層の高さ測定を行った。
[0040] その結果、 10mm角シリコンチップ上の 14639個の電極間でショート不良は零であ り、平均高さ約 20 m (約 σ = 2)のはんだ層の形成を確認した。
実施例 2
[0041] 実施例 1と同様な方法で得られた表面に有機皮膜を有するはんだ粉末 1. 5gを、ス テアリン酸 0. 165g及びステアリン酸錫 0. 35gを添カ卩したポリオールエステル 50ml 中に分散させることにより、はんだ組成物を調整した。
[0042] このはんだ組成物を高さ 50 μ mの突起電極(電極径 100 μ m)力 00 μ mピッチで 形成されて ヽる榭脂基板上に塗布し、ピーク温度 260°Cの条件で加熱溶融させるこ と〖こより、はんだ層を形成した。はんだ層形成後、榭脂基板に対して酢酸ェチル中で 超音波洗浄を行 、、乾燥後にレーザ顕微鏡を用いて外観検査及びはんだ層の高さ 測定を行った。その結果、基板上の 1600個の電極間でショート不良は零であり、平 均高さ(突起電極高さを含む)約 70 m (約 σ = 3. 4)のはんだ層の形成を確認した 実施例 3
[0043] 実施例 1と同様な方法で得られた表面に有機皮膜を有するはんだ粉末 2. Ogを、ォ レイン酸 lmlを分散させたポリアルキレングリコール 50ml中に分散させることにより、 はんだ組成物を調整した。 [0044] このはんだ組成物を電極径 φ 40 μ mかつ電極ピッチ 80 μ mでパターン形成され たシリコンチップ上に塗布し、ピーク温度 260°Cの条件で加熱溶融させた。これにより はんだ層を形成した後、シリコンチップに対し酢酸ェチル中で超音波洗浄を行い、乾 燥後にレーザ顕微鏡を用いて外観検査及びはんだ層の高さ測定を行った。
[0045] その結果、 10mm角シリコンチップ上の 14639個の電極間でショート不良は零であ り、平均高さ約 25 m (約 σ = 2)のはんだ層の形成を確認した。
産業上の利用分野
[0046] 以上説明したように本発明は、電極の微細化及びはんだの鉛フリー化に伴う諸問 題を解決し得るはんだ組成物、及びこれを用いたはんだ層形成方法を提供すること ができる。
図面の簡単な説明
[0047] [図 1]本発明に係るはんだ組成物の一実施形態を示す概略断面図である。
[図 2]図 1のはんだ組成物の作用を示す概略断面図である。
符号の説明
[0048] 10 はんだ組成物
11 , 11a, l ib, 11c, l id はんだ粒子の有機皮膜
12, 12a, 12b, 12c, 12d はんだ粒子
13 媒体
20 基板
21 電極
31 はんだ層の有機皮膜
32 はんだ層

Claims

請求の範囲
[I] 基板上の電極にはんだ層を形成するために用いるはんだ組成物にぉ 、て、
はんだ粉末と媒体との混合物からなり、
前記はんだ粉末は、はんだ粉末の粒子が合一するのを抑制する合一抑制皮膜を 有し、
前記媒体は、その沸点がはんだ付温度以上の溶媒であることを特徴とするはんだ 組成物。
[2] 前記合一抑制被膜は、有機皮膜からなることを特徴とする請求項 1に記載のはんだ 組成物。
[3] 前記はんだ粉末の粒子が合一するのを促進する合一促進剤と、前記はんだ粉末 の粒子が合一するのを抑制する合一抑制剤とのうち、少なくとも一方が前記混合物 に添加されて 、ることを特徴とする請求項 1に記載のはんだ組成物。
[4] 前記合一促進剤は、酸成分を含むものであることを特徴とする請求項 3に記載のは んだ組成物。
[5] 前記酸成分は、カルボン酸,ロジンのうちの少なくとも 1つを含むものであることを特 徴とする請求項 4に記載のはんだ組成物。
[6] 前記合一抑制剤は、有機酸金属塩を含むものであることを特徴とする請求項 3に記 載のはんだ組成物。
[7] 前記有機酸金属塩は、前記酸成分と、前記はんだ粉末の粒子を構成する金属力 なることを特徴とする請求項 6に記載のはんだ組成物。
[8] 前記はんだ粉末の粒子は、錫,インジウム又はこれらの合金のいずれかであること を特徴とする請求項 1に記載のはんだ組成物。
[9] 前記はんだ粉末の粒子は、前記単体金属又は前記合金に、銅,銀,金,ニッケル, 鉛,ビスマス,アンチモン,亜鉛,ゲルマニウム又はアルミニウムのうち少なくとも 1つ を含む合金であることを特徴とする請求項 8に記載のはんだ組成物。
[10] 前記媒体は、炭化水素類,エステル類,アルコール類若しくはグリコール類のうち の少なくとも 1つを含むものであることを特徴とする請求項 1に記載のはんだ組成物。
[II] はんだ粉末と溶媒の混合物を基板上に塗布する工程と、 前記はんだ粉末を溶融させ、かつ前記はんだ粉末の粒子の合一を制御して前記 基板上の電極に前記はんだ粉末によるはんだ層を形成する工程を含むことを特徴と するはんだ層形成方法。
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