JP3229258B2

JP3229258B2 - 小物部品メッキ装置及び方法

Info

Publication number: JP3229258B2
Application number: JP31655397A
Authority: JP
Inventors: 康司弓場; 淳中島; 秀治松島
Original assignee: Taiyo Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Taiyo Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1997-10-31
Filing date: 1997-10-31
Publication date: 2001-11-19
Anticipated expiration: 2017-10-31
Also published as: JPH11131296A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、チップ形回路部品等の
小物部品にメッキを施す小物部品メッキ装置とメッキ方
法に関し、特に、小物部品に均一な膜厚のメッキ膜を形
成することができる小物部品メッキ装置と方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】積層セラミックコンデンサ等のチップ状
回路部品の外部電極上にメッキ膜を形成するための装置
として、従来はバレルメッキ装置が多く用いられてい
る。バレルメッキ装置は筒形の回転自在なバレル内に陰
極を設け、メッキ部品とほぼ同形状若しくは僅かに小さ
な導電性メディアと共にメッキ部品をバレル内に収納
し、このバレルを、メッキ浴槽の中に満たしたメッキ液
に浸漬する。メッキ浴槽内には前記バレルとは別に陽極
が設けられ、バレル内の陰極と陽極とに電源から直流電
圧が印加されるようになっている。また、バレルの回転
軸は駆動源に接続され、バレルがメッキ浴槽内で回転駆
動されるようになっている。メッキ部品を収納したバレ
ルを回転させながら、前記陽極と陰極間の間に直流電流
を流し、通電すると、メッキ部品の表面にメッキ膜が析
出する。

【０００３】しかしながら、チップ形セラミック電子部
品の素体表面には複数の外部電極が形成されている部品
が多く、従来のバレル装置では各電極のメッキ膜の膜厚
がばらつくことがある。また、メッキ後におけるメッキ
部品とメディアとの分離が煩わしいという欠点がある。
こうした課題を解消するために、例えば、金属メッシュ
からなる陰極上にメッキ部品を載置し、この状態でメッ
キ部品をメッキ液に浸漬し、メッキを施す装置の提案が
されている（特開平８−３７９０号公報）。

【０００４】この提案されたメッキ装置は、平板状の陰
極がメッシュまたは導電性多孔板により構成され、この
陰極上にメッキ部品を載せて、この陰極の上方に陽極を
対向させている。陰極は水平方向に往復運動させながら
メッキ液に浸漬され、この往復運動によって、陰極上で
メッキ部品のメッキを施す部分と陰極との接触部分を変
化させ、所要の部分に確実にメッキ膜を形成させようと
するものである。また、陰極の往復運動に際しは、スト
ロークの途中で陰極にストッパで衝撃を与え、この衝撃
によって陰極上のメッキ部品が反転するように試みられ
ている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前記従来のメッキ装置
では、メッキ部品の陰極と接触する側の面とその反対側
の面とでメッキ膜の析出速度が大きく異なり、陰極と接
触する側の面でのメッキ膜が薄くなる。この結果、膜厚
のばらつきを生ずる。この不都合を解消する為に、前記
従来のメッキ装置では、金属メッシュ状の陰極を往復運
動させ、往復運動に際してストロ-クの途中で衝撃を与
えることによって、メッキ部品を反転させ、メッキ部品
の所要の部分にメッキを施すことを試みている。しか
し、このようなメッキ物の反転手段によるものでは、偶
然性に頼るところが多く、確実性に欠け、やはりメッキ
膜の厚みにばらつきが生じるという課題があった。

【０００６】そこで本発明は、前記従来のメッキ装置に
おける課題に鑑みてなされたもので、その第一の目的
は、各メッキ部品間でのメッキ膜の膜厚にばらつきがな
く、均一なメッキ膜を形成することを可能とするもので
ある。特に、メッキ部品が陰極に接触する部位によっ
て、メッキ膜の膜厚にばらつきが生じないようにするも
のである。本発明の第二の目的は、メッキ部品の陰極に
接する側とその反対側とで析出するメッキ膜の厚みのば
らつきが無いようにしたものであり、これによって、メ
ッキ部品の部位によってメッキ膜の膜厚のばらつきが生
じないようにするこにある。

【０００７】

【課題を解決する手段】本発明では、前記の目的を達成
するため、陰極７における電界強度分布の偏りを、無く
するため、陰極７の中央部の導体の電界強度とその周辺
部の導体の電界強度との差が小さくなるような手段を用
いた。これにより、メッキ部品ａが陰極７に接触する部
位の違いによって生じるメッキ膜の膜厚のばらつきを解
消し、メッキ部品ａが陰極７に接触する部位に係わら
ず、均一な膜厚のメッキ膜を施すことを可能とした。

【０００８】本発明による小物部品メッキ装置は、メッ
キ液１１を溜めるメッキ浴槽２と、このメッキ浴槽２の
メッキ液１１に浸漬され、メッキを施すメッキ部品ａが
接触する陰極７と、メッキ浴槽２のメッキ液１１に浸漬
された陽極６と、これら陽極６と陰極７とに電流を流す
電源１０とを有する。陰極７としては、メッキ液が通過
可能な薄板状のものを使用し、メッキ部品ａをこの陰極
７に接触させる。そして、少なくともメッキ部品ａが接
触する面側において、陰極７の中心部の導体の電界強度
とその周辺部の導体の電界強度との差を小さくするよう
な電界形成手段を備えることを特徴とする。なお、前記
のようなメッキ液１１が通過可能な薄板状の陰極７は、
例えば、メッシュ状、多孔質状、不織布状の何れかであ
って、導電性を有するものからなる。

【０００９】ここで、陰極７の中心部における電界強度
とその周辺部の電界強度との差を小さくするような電界
の差異を形成する第一の電界形成手段としては、陰極７
のメッキ部品ａが接触する面と反対側の面の少なくとも
一部の導体を絶縁被膜１４で覆い、且つ陰極７の周辺部
に比べて中央部における絶縁被膜１４の被覆比率を大き
くすることをあげることができる。

【００１０】その第二の手段としては、前記と同様に、
陰極７のメッキ部品ａが接触する面と反対側の面の中央
部の導体を縁被膜１４で覆い、陰極７の周辺部は絶縁被
膜１４で覆わないことである。陰極７に電流を流しなが
らメッキを行うと、陰極７の中央部に比べて周辺部の電
界強度が大きくなる。このため、主として陰極７の中央
部に接触するメッキ部品ａに比べて、主として陰極７の
周辺部に接触するメッキ部品ａのメッキ膜の膜厚が厚く
なる。

【００１１】これに対して、前記のようにメッキ部品ａ
と接触する側と反対側の導体の表面が絶縁被膜１４で覆
われている陰極７を用いてメッキすることにより、絶縁
被膜１４を設けた部分では、メッキ部品ａと接触する導
体の表面に電界が集中し、電界強度が大きくなる。そし
て、前記絶縁被膜１４の被覆比率を陰極７の周辺部に比
べて中央部を大きくしたり、或いは中央部のみに絶縁被
膜１４を設けることで、チップ状部品ａが接触する側に
おいて、陰極７の中央部の導体の電界強度とその周辺部
の導体の電界強度との差が小さくなる。これによって、
メッキ部品ａが接触する陰極７の部位に係わらず、均一
な膜厚のメッキ膜を施すことができる。

【００１２】陰極７の中心部の電界強度とその周辺部の
電界強度との差を小さくするような電界の差異を形成す
る第三の手段としては、陰極７の周辺部と中央部とを互
いに絶縁し、陰極７の周辺部に比べてその中央部に大き
な電界強度を生じさせるよう電源１０から前記周辺部と
中央部とに電流を流すものである。この電流の違いによ
って、陰極７の中央部の導体の電界強度とその周辺部の
導体の電界強度との差が小さくなるので、やはりメッキ
部品ａが接触する陰極７の部位に係わらず、均一な膜厚
のメッキ膜を施すことができる。

【００１３】このようなメッキ装置とメッキ方法では、
陽極６を、前記陰極７のメッキ部品ａが接触したのと反
対側の面側に対向するよう配置するのがより効果的であ
る。これによって、陽極６と陰極７との間でメッキ液中
に流れる電流は、陰極７側において、陽極６と対向した
絶縁被膜１４を避けるように流れる。そして、陽極６と
メッキ部品ａとが直接対向しておらず、陰極７の絶縁被
膜１４側を介して陽極６に対向しているため、メッキ部
品ａの陰極７に接していない面のメッキ膜の析出が極端
に速くならず、その双方の面に均一にメッキ膜を析出さ
せることができる。さらに、メッキ部品ａを陰極７に対
して、その面方向に相対移動させることにより、メッキ
部品ａのメッキ膜を施すべき部位が陰極７に満遍なく接
触し、やはりメッキ膜の膜厚の均一化が図れる。

【００１４】陰極７のメッキ部品ａが接触する面を、複
数の区画に仕切り、この仕切られた各区画の中に分離し
てメッキ部品ａを配置することにより、メッキ部品ａの
陰極７上の重なり合いが起こらず、しかもメッキ部品ａ
を陰極７上に適当に分散することができる。これによっ
て、メッキ部品ａのメッキ膜の析出速度の均一化が図れ
る。前記の仕切は、メッキ部品ａを陰極７上で保持する
保持部材１７に代えることができ、これにより同様にし
て、メッキ膜の析出速度の均一化が図れる。

【００１５】前記のようなメッキ方法により、メッキ部
品ａにメッキを施すに当たり、陽極６と陰極７との対向
距離を変えることによって、メッキ膜の析出速度を制御
することができる。すなわち、陽極６と陰極７との間隔
を広くすると、陰極７側のメッキ部品ａの近傍の電界強
度はそれだけ弱くなり、メッキ部品ａのメッキ膜の析出
速度が遅くなる。他方、陽極６と陰極７との間隔を狭く
すると、陰極７側のメッキ部品ａの近傍の電界強度はそ
れだけ強くなり、メッキ部品ａのメッキ膜の析出速度が
速くなる。

【００１６】

【発明の実施の形態】次に、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について、具体的且つ詳細に説明する。
図１に本発明による小物部品メッキ装置の例を示す。図
１に示すように、湯浴槽１の中にメッキ浴槽２が設けら
れ、このメッキ浴槽２の中にはメッキ液１１が満たされ
ている。このメッキ液１１は、湯温槽１の中に満たされ
た温湯により、所定の温度に維持される。

【００１７】メッキ浴槽２内のメッキ液１１には、一対
の陽極６と陰極７とが浸漬されている。図２にこの陽極
６と陰極７のみを示す。陽極６は金属板からなる。他
方、陰極７は、枠縁状のフレーム１５の間に金属線１３
を張ったもので、網やパンチングメタル等、メッキ液が
通過可能なものからなる。

【００１８】図３は、パンチングメタルからなる陰極７
の例を示すが、この図に示すように、陰極７のフレーム
１５に張られた金属線１３の下面側が絶縁被膜１４で覆
われている。陰極７が網でできている場合は、金属線１
３が上下に交錯するよう編まれているが、やはり同様に
して下面側のみが絶縁被膜１４で覆われる。このような
絶縁被膜１４は、陰極７の金属線１３の全体、すなわち
陰極７の下面全面に施してもよいが、図４の例では、中
央部の正方形の部分の金属線１３のみに絶縁被膜１４が
施され、その周囲の部分には絶縁被膜１４が施されてお
らず、上面も下面も導体である金属線１３の表面が露出
している。

【００１９】図２及び図４の例では、陽極６及び陰極７
は、何れも正方形であるが、それらは矩形、円形、或い
は楕円形等、必要に応じて適宜な形状をとることができ
る。また、その金属線１３の下面側に施される絶縁被膜
１４を形成する領域も、陰極７の全体形状の如何に係わ
らず、図４に示すような正方形の他、矩形、円形、或い
は楕円形等、必要に応じて適宜な形状をとることができ
る。さらに、この図４の例のように、陰極７の片面の中
央部のみに絶縁被膜１４を設けるのではなく、陰極７の
片面の周辺部から中央部にいくに従って、絶縁被膜１４
の被覆比率が次第に大きくなるようにしてもよい。

【００２０】図１に示すように、陽極６と陰極７とは、
水平に保持された状態で上下に対向し、メッキ浴槽２の
内部に満たされたメッキ液１１に浸漬されている。図１
に示した例では、湯浴槽１に駆動体３が取り付けられ、
この駆動体３に連結部材４を介して水平にアーム５が取
り付けられている。このアーム５から垂直に垂下された
支持部材８、９を介して陽極６と陰極７とが上下に対向
するよう保持され、且つメッキ浴槽２内のメッキ液１１
に浸漬されている。図１において矢印で示すように、駆
動体３は連結部材４を介してアーム５を、水平方向に往
復駆動するもので、これによって陽極６と陰極７とが水
平方向に往復移動させられる。この陰極７の水平方向の
往復移動に伴うメッキ部品ａの慣性力により、陰極７に
対してメッキ部品ａが水平方向に相対移動する。これに
より、メッキ部品ａの陰極７と接触する部位が絶えず変
わる。

【００２１】陽極６と陰極７には電源１０が接続され、
陽極６に正の、陰極７に負の電位を印加する。このよう
な小物部品メッキ装置では、図１に示すように、陰極７
の上面にメッキ部品ａを載せ、これらメッキ部品ａを陰
極７の導体に接触させると共に、その下面側に陽極６を
対向させた状態でメッキ浴槽２内のメッキ液１１に浸漬
する。そして、前記電源１０により、陽極６と陰極７と
に電流を流す。これによって、陽極６と陰極７との間
に、電解液であるメッキ液１１を介して電界が発生す
る。

【００２２】図３は、この電界の状態を模式的に示して
いる。陰極７を構成している金属線１３は、陽極６と対
向する側が絶縁被膜１４で覆われ、表面が絶縁されてい
るので、陰極７側では電界が金属線１３の間を通ってメ
ッキ部品ａが載せられている上面側に回り込む。これに
よって、メッキ部品ａのメッキ膜を施そうとする部分に
は、陽極６が対向した下面側だけでなく、上面側にもメ
ッキ膜が析出する。この場合、陽極６を陰極７の上面
側、すなわちメッキ部品ａを載せた側に対向した場合に
比べて、メッキ膜の上下におけるメッキ膜の析出速度が
平均化され、メッキ膜の析出速度にばらつきが生じな
い。これによって、メッキ膜はメッキ部品の上下両面に
均一に析出する。

【００２３】このとき、駆動体３によりアーム５を図１
において矢印で示すように往復移動させる。これによっ
て、陰極７に対してメッキ部品ａが水平方向に相対移動
するため、メッキ部品ａの陰極７と接触する部位が絶え
ず変わり、メッキ部品の所要の位置にメッキ膜が満遍な
く析出する。

【００２４】前記の例では、陰極７の上にメッキ部品ａ
を何の制約もなく雑然と載せた状態でメッキを施してい
る。これに対し、図５及び図６の例では、仕切１６を設
けて陰極７上を複数の区画に仕切り、これら区画に分離
してメッキ部品ａを配置している。すなわち、この例で
は、図５に示すように、陰極７のフレーム１５に囲まれ
た内側の寸法に適合した格子状の仕切１６を用意し、図
６に示すように、この仕切１６を陰極７のフレーム１５
に囲まれた内側の金属線１３が張られた部分の上に載せ
て、その部分を仕切る。この仕切１６により仕切られた
各区画部分にメッキ部品ａを１つずつ或いは複数収納
し、前述と同様にして図１に示すような装置でメッキ部
品にメッキを行う。

【００２５】このようにして、陰極７のフレーム１５に
囲まれた内側の金属線１３が張られた部分の上を適当に
仕切り、仕切られた区画にメッキ部品ａを配置してメッ
キを行うことにより、メッキ部品ａを互いに干渉させ
ず、陰極７上に分散してメッキを行うことが出来る。こ
れによって、各メッキ部品ａ間のメッキ膜の析出速度の
ばらつきを解消し、均一な膜厚のメッキ膜を施すことが
できる。なお、陰極７の陽極６と対向する面側の中央部
に、金属線１３の下面側を覆う絶縁被膜１４を有するこ
とは、前述の例と同様である。

【００２６】図７〜図１０で示した例は、前記の仕切１
６に代えて、メッキ部品ａを１つずつ保持する保持孔１
８を有する板状の保持部材１７により、メッキ部品ａを
整列して保持し、この状態で陰極７上に配置している。
すなわち、この例では、陰極７のフレーム１５に囲まれ
た内側の寸法に適合した板状の保持部材１７を用意し、
この保持部材１７に縦横に設けた保持孔１８にメッキ部
品ａを嵌め込んで保持している。この保持部材１７は、
シリコーンゴム等のメッキ液に侵されにくく、且つ弾力
性を有する板状の部材からなり、図１０に示すように、
その厚さはメッキ部品ａの高さより薄い。図９から明ら
かなように、保持部材１７の保持孔１８は、メッキ部品
ａのメッキを施す両端部分を避けて、その中央を保持す
るもので、図示のものは２つの円形の孔を連ねた如き形
をしている。

【００２７】図７に示すように、この保持部材１７の保
持孔１８の中にメッキ部品ａを嵌め込み、そのメッキ部
品ａの中央部を保持し、メッキ部品ａを配列する。この
状態で、図８に示すように、この保持部材１７を陰極７
のフレーム１５に囲まれた内側の金属線１３が張られた
部分の上に載せて、メッキ部品ａを接触させ、前述と同
様にして図１に示すような装置でメッキ部品にメッキを
行う。

【００２８】このようにして、陰極７のフレーム１５に
囲まれた内側の金属線１３が張られた部分の上にメッキ
部品ａを縦横に配置してメッキを行うことにより、メッ
キ部品ａを互いに干渉させず、陰極７上に分散してメッ
キを行うことが出来る。これによって、やはり各メッキ
部品ａ間のメッキ膜の析出速度のばらつきを解消し、均
一な膜厚のメッキ膜を施すことができる。

【００２９】メッキ部品ａの一方の側面を陰極７に接触
させてメッキ膜を施した後、次に、保持部材１７にメッ
キ部品ａを保持したまま、保持部材１７を上下反転させ
て、メッキ部品ａの他方の側面を陰極７に接触させる。
そして、前回と同じ条件でメッキ部品ａにメッキ膜を施
す。これによって、メッキ部品ａの双方の側面に均一な
膜厚のメッキ膜を施すことができる。なお、陰極７の陽
極６と対向する面側の中央部に、金属線１３の下面側を
覆う絶縁被膜１４を有することは、前述の例と同様であ
る。

【００３０】図１１に、本発明による小物部品メッキ装
置に使用する陰極７の他の例を示す。この陰極７は、フ
レーム１５に張られた外側の金属線１３ａの内側にエポ
キシ樹脂系等の絶縁部材１９を介して、金属線１３ｄを
張ったものである。外側の金属線１３ａと内側の金属線
１３ｄとは互いに絶縁されており、これにより、メッキ
液中で陽極６と陰極７との間に直流電流を流したとき、
陰極７の中央部の電界強度と周辺部の電界強度との差が
小さくなるように、外側と内側の金属線１３ａ、１３ｄ
に個別に電流を流すことができる。

【００３１】図１３は、このような陰極７を使用してメ
ッキを施す装置の例を示す。この基本的な構成は、図１
に示したものと同じであり、同じ部分は同じ符号で示し
てある。ここでは、陰極７の外側の金属線１２ａと内側
の金属線１２ｄとを電源１０の負極に接続し、外側の金
属線１２ａには、抵抗器２２によって電流を制限して流
す。この抵抗器２２は可変抵抗器であり、その抵抗値を
調整することにより、外側の金属線１２ａに流す電流を
調整する。なお、外側の金属線１２ａを内側の金属線１
２ｄに比べて抵抗値を大きくすることにより、前記のよ
うな抵抗器２２を省略することもできる。

【００３２】図１２に、本発明による小物部品メッキ装
置に使用する陰極７の他の例を示す。この陰極７は、フ
レーム１５に張られた外側の金属線１３ａの内側に、金
属線１３ｄを配置、前記フレーム１５の内側に設けられ
た井桁状のフレーム２０によって金属線１３ｄを固定し
たものである。なお、符号２１は、金属線１３ａと目の
細かい金属線１３ｄとの間のギャップであり、これによ
り外側と内側の金属線１３ａ、１３ｄの絶縁を図る。従
って、この陰極７でもまた、メッキ液中で陽極６と陰極
７との間に直流電流を流したとき、陰極７の中央部の電
界強度と周辺部の電界強度との差が小さくなるように、
外側と内側の金属線１３ａ、１３ｄに個別に電流を流す
ことができる。例えば、図１３に示したように、外側と
内側の金属線１３ａ、１３ｄに個別に電流を流すことが
できるような電源回路を使用する。

【００３３】なお、フレーム１５や金属線１３ａ、１３
ｂの形状は、図１１〜図１２に示すような正方形に限ら
ず、円形、楕円形等、適宜の形状でよいことは、前述の
陰極７と同じである。また、金属線１３ａ、１３ｂ、１
３ｃの全体、または中央部の金属線１３ｂ、１３ｃの下
面にのみ、前記陰極７と同様の絶縁被膜１４を設けても
よい。

【００３４】

【実施例】次に、本発明のより具体的な実施例につい
て、具体的な数値をあげならがら詳細に説明する。（実施例１）図１に示すような小物部品メッキ装置を使
用し、電流密度を５００Ｃ／ｄｍ²としてメッキ部品ａ
である積層セラミックコンデンサの両端に半田メッキを
施した。なお、陰極７はパンチングメタル製のものを使
用し、その金属線１３の下面の全体にわたって絶縁被膜
１４を設けた。水洗したメッキ部品ａから無作為に１０
０個取り出し、蛍光Ｘ線法に従って、積層セラミックコ
ンデンサの両端の半田メッキ膜の膜厚を測定したとこ
ろ、その平均値は４．５３μｍであり、メッキ膜のばら
つき（ＣＶ値＝標準偏差／平均値）は９．０％であっ
た。

【００３５】（実施例２）前記と同じ図１で示すような
小物部品メッキ装置を使用し、電流密度を５００Ｃ／ｄ
ｍ² としてメッキ部品ａである積層セラミックコンデン
サの両端に半田メッキを施した。陰極７はパンチングメ
タル製のものを使用し、その金属線１３の下面の中央円
形部分に絶縁被膜１４を設けた。水洗したメッキ部品ａ
から無作為に１００個取り出し、蛍光Ｘ線法に従って、
積層セラミックコンデンサの両端の半田メッキ膜の膜厚
を測定したところ、その平均値は４．５５μｍであり、
メッキ膜のばらつき（ＣＶ値＝標準偏差／平均値）は
９．６％であった。

【００３６】（実施例３）前記と同じ図１で示すような
小物部品メッキ装置を使用し、電流密度を５００Ｃ／ｄ
ｍ² としてメッキ部品ａである積層セラミックコンデン
サの両端に半田メッキを施した。陰極７はパンチングメ
タル製のものを使用し、その金属線１３の下面の全体に
絶縁被膜１４を設けた。また、図５及び図６に示すよう
な仕切１６を用いて陰極７の上を仕切り、各区画に１つ
ずつメッキ部品ａである積層セラミックコンデンサを収
納した。水洗したメッキ部品ａから無作為に１００個取
り出し、蛍光Ｘ線法に従って、積層セラミックコンデン
サの両端の半田メッキ膜の膜厚を測定したところ、その
平均値は４．５０μｍであり、メッキ膜のばらつき（Ｃ
Ｖ値＝標準偏差／平均値）は９．２％であった。

【００３７】（実施例４）前記、実施例２で用いた装置
を使用し、電流密度を５００ｃ／ｄｍ² とし、メッキ部
品ａである積層セラミックコンデンサの両端に半田メッ
キを施した。陰極７はパンチィングメタル製のものを使
用し、その金属線１３の下面の中央円形部分に絶縁被膜
１４を形成した。この際、陽極６と陰極７との対向する
距離を３ｃｍ、９ｃｍ、１４ｃｍと変えてメッキを行っ
た。これらのメッキ部品ａを水洗し、無作為に１００個
取り出して蛍光Ｘ線法に従って積層セラミックコンデン
サの両端の半田メッキ膜の膜厚を測定した。その平均値
とメッキ膜のばらっき（ＣＶ値＝標準偏差／平均値）は
表１の通りであった。

【００３８】

【表１】

【００３９】（実施例５）図１３で示すような小物部品
メッキ装置を使用し、メッキ部品ａとして積層セラミッ
クコンデンサの両端に半田メッキを施した。陰極７はパ
ンチングメタル製のものを使用し、図１１に示すよう
に、周辺部の金属線１３ａと中央部の金属線１３ｄとを
互いに絶縁したものを使用した。そして、周辺部の金属
線１３ａの電流密度を３００Ｃ／ｄｍ² とし、中央部の
金属線１３ｄの電流密度を５００Ｃ／ｄｍ² とした。こ
の陰極７の金属線１３ａ、１３ｄの下面には、絶縁被膜
１４を設けた。水洗したメッキ部品ａから無作為に１０
０個取り出し、蛍光Ｘ線法に従って、積層セラミックコ
ンデンサの両端の半田メッキ膜の膜厚を測定したとこ
ろ、その平均値は４．４２μｍであり、メッキ膜のばら
つき（ＣＶ値＝標準偏差／平均値）は１２．０％であっ
た。

【００４０】（実施例６）図１で示すような小物部品メ
ッキ装置を使用し、電流密度を５００Ｃ／ｄｍ²として
メッキ部品ａである積層セラミックコンデンサの両端に
半田メッキを施した。陰極７はパンチングメタル製のも
のを使用し、その金属線１３の下面側全面に絶縁被膜を
設けた。また、図７〜図１０に示すような保持部材１７
の保持孔１８にメッキ部品ａである積層セラミックコン
デンサを収納した。そして、保持部材１７を上下反転
し、メッキ部品ａの両面を陰極７にそれぞれ接触させる
よう、２回にわけてメッキ工程を行った。

【００４１】水洗したメッキ部品ａから無作為に１００
個取り出し、蛍光Ｘ線法に従って、積層セラミックコン
デンサの両端の半田メッキ膜の膜厚を測定したところ、
その平均値は４．６２μｍであり、メッキ膜のばらつき
（ＣＶ値＝標準偏差／平均値）は１０．０％であった。
その上下面のメッキ膜の膜厚の平均の比は、９０％であ
った。

【００４２】（比較例）陽極６を上に、絶縁被膜を設け
ていない陰極７を下に配置し、前記実施例１と同じ条件
でメッキを行った。その結果、積層セラミックコンデン
サの両端のメッキ膜の膜厚の平均は４．５０μｍであ
り、メッキ膜のばらつき（ＣＶ値＝標準偏差／平均値）
は１８．０％であった。その上下面のメッキ膜の膜厚の
平均の比は、６４％であった。

【００４３】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、メ
ッキ物の各部位や各メッキ物間のメッキ膜の膜厚のばら
つきが小さく、均一な膜厚のメッキ膜を施すことが可能
となる。これによって、メッキ部品の品質の向上を図る
ことができ、製品の品質の向上、歩留まりの向上などを
図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるメッキ装置の例を示す概略縦断側
面図である。

【図２】同メッキ装置の陽極と陰極の例を示す斜視図で
ある。

【図３】同メッキ装置の陽極と陰極の例を示す要部拡大
縦断側面図である。

【図４】同メッキ装置の陰極の例を示す底面図である。

【図５】同メッキ装置の陰極のとそれに載せる仕切の例
を示す斜視図である。

【図６】同メッキ装置の陽極、陰極及びその陰極の上に
載せた仕切の例を示す斜視図である。

【図７】同メッキ装置の陰極のとそれに載せる保持部材
の例を示す斜視図である。

【図８】同メッキ装置の陽極、陰極及びその陰極の上に
載せた保持部材の例を示す斜視図である。

【図９】同メッキ装置の保持部材の例を示す要部拡大平
面図である。

【図１０】図９のＡ−Ａ…断側面図である。

【図１１】同メッキ装置の陰極の他の例を示す平面図で
ある。

【図１２】同メッキ装置の陰極の他の例を示す底面図で
ある。

【図１３】本発明によるメッキ装置の他の例を示す概略
縦断側面図である。

【符号の説明】

２メッキ浴槽６陽極７陰極１０電源１１メッキ液１３金属線１３ａ金属線１３ｄ金属線１４絶縁被膜１６仕切１７保持部材ａメッキ部品

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献実開昭54−127822（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C25D 17/08,17/16 H01G 13/00

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】メッキ液（１１）を溜めるメッキ浴槽
（２）と、このメッキ浴槽（２）のメッキ液（１１）に
浸漬され、メッキを施すメッキ部品（ａ）が接触する陰
極（７）と、メッキ浴槽（２）のメッキ液（１１）に浸
漬された陽極（６）と、これら陽極（６）と陰極（７）
とに電流を流す電源（１０）とを有する小物部品メッキ
装置において、前記メッキ部品（ａ）が接触する陰極
（７）は、メッキ液が通過可能な薄板状のものからな
り、少なくともメッキ部品ａが接触する面側において、
前記陰極（７）の中心部の導体の電界強度とその周辺部
の導体の電界強度との差を小さくするような電界形成手
段を備えることを特徴とする小物部品メッキ装置。
【請求項２】メッキ液（１１）を溜めるメッキ浴槽
（２）と、このメッキ浴槽（２）のメッキ液（１１）に
浸漬され、メッキを施すメッキ部品（ａ）が接触する陰
極（７）と、メッキ浴槽（２）のメッキ液（１１）に浸
漬された陽極（６）と、これら陽極（６）と陰極（７）
とに電流を流す電源（１０）とを有する小物部品メッキ
装置において、前記陰極（７）は、メッキ液が通過可能
な薄板状のものからなると共に、そのメッキ部品（ａ）
と接触するのと反対側の面の少なくとも一部の導体が絶
縁被膜（１４）に覆われており、且つ陰極（７）の周辺
部に比べて中央部における絶縁被膜（１４）の被覆比率
が大きくなっていることを特徴とする小物部品メッキ装
置。
【請求項３】メッキ液（１１）を溜めるメッキ浴槽
（２）と、このメッキ浴槽（２）のメッキ液（１１）に
浸漬され、メッキを施すメッキ部品（ａ）が接触する陰
極（７）と、メッキ浴槽（２）のメッキ液（１１）に浸
漬された陽極（６）と、これら陽極（６）と陰極（７）
とに電流を流す電源（１０）とを有する小物部品メッキ
装置において、前記陰極（７）は、メッキ液が通過可能
な薄板状のものからなると共に、そのメッキ部品（ａ）
と接触するのと反対側の面の中央部の導体が絶縁被膜
（１４）で覆われていると共に、陰極（７）の周辺部が
絶縁被膜（１４）で覆われていないことを特徴とする小
物部品メッキ装置。
【請求項４】絶縁被膜（１４）は、陰極（７）の下面
側に設けられ、陰極（７）の上面にメッキ部品（ａ）が
載せられることを特徴とする請求項２または３に記載の
小物部品メッキ装置。
【請求項５】メッキ液（１１）を溜めるメッキ浴槽
（２）と、このメッキ浴槽（２）のメッキ液（１１）に
浸漬され、メッキを施すメッキ部品（ａ）が接触する陰
極（７）と、メッキ浴槽（２）のメッキ液（１１）に浸
漬された陽極（６）と、これら陽極（６）と陰極（７）
とに電流を流す電源（１０）とを有する小物部品メッキ
装置において、前記陰極（７）は、メッキ液が通過可能
な薄板状のものからなると共に、この陰極（７）の周辺
部と中央部との導体が互いに絶縁されており、前記電源
（１０）は、前記陰極（７）の周辺部の導体に比べてそ
の中央部の導体に大きな電流を流すものであることを特
徴とする小物部品メッキ装置。
【請求項６】メッキ液（１１）が通過可能な薄板状の
陰極（７）は、メッシュ状、多孔質状、不織布状の何れ
かであって、導電性を有するものであることを特徴とす
る請求項１〜５の何れかに記載の小物部品メッキ装置。
【請求項７】陰極（７）のメッキ部品（ａ）が接触す
る面が、複数の区画に仕切られており、この仕切られた
各区画の中に分離してメッキ部品（ａ）が配置されてい
ることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の小物
部品メッキ装置。
【請求項８】メッキ部品（ａ）が保持部材（１７）に
より保持された状態で、陰極（７）に接触するようその
片面に配置されていることを特徴とする請求項１〜６の
何れかに記載の小物部品メッキ装置。
【請求項９】陽極（６）を、陰極（７）のメッキ部品
（ａ）が接触するのと反対側の面に対向するよう配置し
たことを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載の小物
部品メッキ装置。
【請求項１０】メッキ液（１１）を溜めたメッキ浴槽
（２）に、陰極（７）と陽極（８）とを浸漬すると共
に、これら陽極（６）と陰極（７）とに電流を流し、メ
ッキ部品（ａ）を陰極（７）に接触させて同メッキ部品
（ａ）にメッキを析出させる小物部品メッキ方法におい
て、前記請求項１〜９の何れかに記載された小物部品メ
ッキ装置を使用し、少なくとも前記メッキ部品（ａ）が
接触する面側において、陰極（７）の中央部の導体の電
界強度とその周辺部の導体の電界強度との差が小さくな
るように電源（１０）から陰極（７）に電流を流しなが
らメッキを行うことを特徴とする小物部品メッキ方法。
【請求項１１】陽極（６）と陰極（７）との対向距離
を変えることによって、メッキ膜の析出速度を制御する
ことを特徴とする請求項１０に記載の小物部品メッキ方
法。
【請求項１２】メッキ部品（ａ）が陰極（７）、
（７）に対して、その面方向に相対移動させられること
を特徴とする請求項１０または１１に記載の小物部品メ
ッキ方法。