JP3548081B2 - メッキ方法およびそれに用いるメッキ装置 - Google Patents

メッキ方法およびそれに用いるメッキ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3548081B2
JP3548081B2 JP2000091049A JP2000091049A JP3548081B2 JP 3548081 B2 JP3548081 B2 JP 3548081B2 JP 2000091049 A JP2000091049 A JP 2000091049A JP 2000091049 A JP2000091049 A JP 2000091049A JP 3548081 B2 JP3548081 B2 JP 3548081B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating
conductive member
bath
plating film
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000091049A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2001279499A (ja
Inventor
工次郎 亀山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2000091049A priority Critical patent/JP3548081B2/ja
Publication of JP2001279499A publication Critical patent/JP2001279499A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3548081B2 publication Critical patent/JP3548081B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はメッキ方法およびそれに用いるメッキ装置に関し、メッキ液に最適な電流密度で、導電部材と電極との距離を可変とし、その導電部材にメッキ膜を形成するメッキ方法およびそれに用いるメッキ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
Cu単体、Cu合金またはFe―Ni合金のような導電部材の表面を、Sn単体またはSn合金のメッキ層で被覆したリード材は、Cu単体またはCu合金が備えている優れた導電性と機械的強度を有する。なおかつ、そのリード材は、Sn単体またはSn合金が備えている耐食性と良好な半田付け性をも併有する高性能導体である。そのため、それらは、各種の端子、コネクタ、リードのような電気・電子機器分野や電力ケーブルの分野などで多用されている。
【0003】
また、半導体チップを回路基板に搭載する場合には、半導体チップのアウターリード部にSn合金を用いた溶融メッキや電気メッキを行うことにより、アウターリード部の半田付け性を向上せしめることが行われている。このようなSn合金の代表例は半田(Sn―Pb合金)であり半田付け性、耐食性などが良好なために、コネクタやリードフレームなどの電気・電子工業用部品の工業用メッキとして広く利用されている。
【0004】
図3は、図2に示した半導体リードフレームのA−A断面におけるリード材の基本構成を示す断面図である。例えば、導電部材21はCu、Cuを主成分としたCu系合金またはFe―Niを主成分としたFe―Ni系合金で構成されている。そして、それらの導電部材21の表面には、異なる金属材料の2層のメッキ膜が施されている。例えば、Snの第1メッキ膜22とSn―Biの第2メッキ膜23がこの順序で形成されている。ここで、第1メッキ膜22の厚さをt、第2メッキ膜3の厚さをtとしたとき、tは約3〜15μm、tは約1〜5μm、t/tは約0.1〜0.5に設定すると、コストの面でも、半田付け性、耐熱性の点でも、また半田の接合強度やアルミ線などとの溶接部の溶接強度の点でも良好な特性があり、リード材としての性能向上が得られるので好適であることが知られている。
【0005】
図4は、自動メッキ装置全体のレイアウトである。まず、アルカリ電解洗浄浴槽31において、導電部材21の表面における半田メッキ皮膜の密着性や半田付け性を阻害する油脂等の有機性の汚染物質を除去する。次に、水洗用浴槽32において洗浄された後、化学エッチング浴槽33において、化学エッチング処理(基本的には酸化―還元反応を利用した処理)を行い、粒界や介在物などの存在により不均一な表面になっている導電部材21の表面を均一化する。
【0006】
次に、水洗用浴槽34において洗浄された後、酸活性化浴槽35において、水洗用浴槽34で付着した酸化膜を除去する。次に、水洗用浴槽36において洗浄された後、半田メッキ装置37においてメッキが施される。半田メッキ液は強酸性のため、メッキ後の表面は酸性になっている。そのような表面では時間の経過とともに皮膜が変色し、半田付け性が劣化する。そのために、水洗用浴槽38、中和処理浴槽39において、メッキ表面に残留する酸を中和し、吸着している有機物を除去する。その後、水洗用浴槽40、湯洗用浴槽41で洗浄され、乾燥装置42において、メッキされた導電部材21を乾燥させる。
【0007】
図5は、図4に示した全体のメッキ装置における化学エッチング浴槽33のB―B方向における断面図である。
【0008】
この化学エッチング浴槽33における働きは上記した通りである。ここでは、このメッキ装置における仕組みについて説明する。このメッキ装置では、横送り式プッシャー331と搬送レール332は、共に上下方向に可動できるようになっている。そして、それらの可動範囲の上限位置および下限位置が決められており、その間を繰り返し動いている。吊り下げ用フック333は、作業目的に応じて適した間隔に搬送レール332に掛けられる。通常は、隣り合った浴槽のセンター間の距離である。そして、メッキされる導電部材21を吊っているメッキ補助ラック334は、この吊り下げ用フック333に掛けられ、このメッキ装置にセットされる。次に、横送り式プッシャー331について述べる。横送り式プッシャー331間の距離は、基本的には、隣り合った浴槽のセンター間の距離とほぼ等しい。そして、この横送り式プッシャー331は、1本もののアームに設置されており、作業方向へ吊り下げ用フック333を1スパン送ると、その分戻るようになっている。そして、この横送り式プッシャー331は、上限位置で1スパン送り、下限位置でその分戻るようになっている。また、搬送レール332は、上下方向には動くが進行方向には動かない。この作業の繰り返しにより、このメッキ装置は機能している。
【0009】
上記したこの半田メッキ装置では、メッキラインにおけるメッキ浴槽内の電極、例えばアノードは、メッキ浴槽に固定して設置されていたため、アノードと導電部材21との距離は一定であった。そして、このメッキ装置を用いて様々な導電部材21に、いろいろなメッキ条件でメッキ膜を形成していた。例えば、パッケージの大きさの異なる導電部材21やパッケージのデザインの異なる導電部材21や材質の異なる導電部材21などがある。そして、それら導電部材21に厚いメッキ膜を形成するときは、メッキ液に強い電流密度をかけてメッキ作業を行っていた。このように、主に電流密度に強弱をつけることで様々な厚さのメッキ膜を形成していた。
【0010】
しかし、電気メッキでは導電部材21に対して適切な電流密度でメッキを行うことができるかで、そのメッキ膜の品質や生産性に大きな影響を与える。つまり、メッキ液の液構成や操作条件により品質のよいメッキ膜を形成するための電流密度の範囲が決められる。そして、その好適な電流密度の範囲でメッキ作業を行うことにより、導電部材21に特有の金属色を呈する平坦なメッキ膜を形成することができることが知られていた。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように、この半田メッキ装置では、メッキラインにおけるメッキ浴槽内の電極、例えばアノードは、メッキ浴槽に固定して設置されていた。そのため、様々の種類の導電部材21にメッキ膜を形成するとき、導電部材21の表面積などにより電流密度等を調整してメッキ膜厚をコントロールしていた。しかし、このとき、導電部材21の表面積の大小等により電流密度の強弱を変えていたため、安定した品質のメッキ膜を導電部材21に形成することができないという課題が生じた。そして、このメッキ装置では、アノードがメッキ浴槽に固定されているため、また、ライン作業による1回のメッキ時間が決められているため、導電部材21に形成されるメッキ膜厚をコントロールする際には主に電流密度で調整していた。そのため、導電部材21の表面積の大小により電流密度をそのメッキ液に適した範囲でメッキ作業を行うことが困難となった。そのことにより、メッキ膜厚やメッキ膜組成分布にばらつきが生じたりするため、メッキ膜の品質を安定して確保し、生産性を上げることに関して問題が生じた。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記した従来の問題に鑑みてなされたもので、半田メッキラインにおけるメッキ浴槽に可動式の電極を設置することに特徴を有する。具体的には、メッキ液に適した電流密度の範囲内で、表面積やデザイン等が異なる様々な導電部材21に対してメッキ浴槽に設置された電極を移動させて、それぞれの導電部材21との距離を適した間隔に保つことができることに特徴がある。
【0013】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明であるメッキ方法を実施するための電極可動機能を有するメッキ浴槽1を簡単に表したレイアウトである。また、図4に示した全体のメッキ装置の半田メッキ装置37におけるメッキ浴槽1に該当する。そして、このメッキ方法では、メッキ浴槽1に可動式アーム2、導電板3、電極(電着物と同じ組成の合金)4がメッキ浴槽1の両側にそれぞれ設置されている。ここでは、電気メッキは、主に導電部材21(図3参照)を陰極にするため電極4がアノード4の場合として説明する。
【0014】
本発明では、半田メッキラインにおけるメッキ浴槽1において、アノード4を可動式にすることにより表面積等の異なる様々な導電部材21に対処してアノード4を移動させて、導電部材21とアノード4との距離を適した間隔に保つことに特徴を有する。
【0015】
具体的に言うと、メッキ液は、メッキ作業を行うときそれぞれのメッキ液に適した電流密度の範囲があり、その範囲内でメッキ作業を行うことで高品質のメッキ膜を形成することができる。そして、このメッキ方法では、アノード4を移動可能とすることで、アノード4と導電部材21との距離を可変にすることができる。次に、常に、メッキ液に適した電流密度の範囲で、アノード4と導電部材21との距離を適した間隔にしてメッキ作業が行える。また、このメッキ浴槽には、導電部材21に対して両側にアノード4が設置されており、一度で全体に均一にメッキ膜を形成することができる。そのことにより、表面積の大きい導電部材21や表面積の小さい導電部材21等異なる様々な導電部材21に対して均一なメッキ膜厚で均一なメッキ膜組成分布のメッキ膜を形成することができる。
【0016】
例えば、表面積の大きい導電部材21にメッキ膜を形成する場合がある。この場合、導電部材21の単位面積あたりの通電量は表面積の小さい導電部材21の場合に比べて小さい。更に、表面積が大きい為アノード4に対して近い場所と遠い場所では、電流密度の強さにも差がある。そして、このメッキ装置はライン作業の為、1回でのメッキ膜形成時間が決められている。そのため、その時間内で、使用するメッキ液に適した電流密度で導電部材21にメッキ膜を形成するための距離が決められる。その結果、その適した距離にアノード4を移動させメッキ作業を行うことで、この導電部材21の表面には均一な膜厚で均一メッキ膜組成のメッキ膜が形成される。
【0017】
ここで、本発明であるメッキ方法に用いるメッキ装置について説明する。このメッキ装置では、搬送レールに平行してメッキ浴槽1の両側に可動式アーム2を2本ずつ設置する。そして、その可動式アーム2の上に導電板3を設け、その導電板3の中央にまたはメッキ浴槽のセンターの位置にアノード4を設置する。このメッキ装置では、導電板3に電流を流し、その電流はアノード4を通してメッキ液に伝わる。
【0018】
よって、上記したこのメッキ装置のメッキラインにおけるメッキ浴槽1では、アノード4を可動式にしたことにより導電部材21とアノード4との距離をそのメッキ作業に適した条件に保つことができる。このことにより、導電部材21の表面積やデザイン等が変化しても電流密度の強弱だけで対処するのではなく、電流密度はそのメッキ液に適した範囲内で保ち導電部材21とアノード4との距離で対処できるようになった。この結果、常にメッキ液に適した範囲内の電流密度で導電部材21にメッキ膜を形成することができるようになり、均一なメッキ膜厚で均一なメッキ膜組成分布のメッキ膜が形成されるようになる。
【0019】
つまり、メッキ液に適した条件で導電部材21にメッキ膜を形成することができ、メッキ膜の品質の向上や生産性を高めることができる。
【0020】
上記したように、半田メッキの場合を例として説明してきたが、このメッキ装置は半田メッキに限らず利用することができる。例えば、Snメッキ、Cuメッキ、Niメッキなどがある。これらの場合にも、このメッキ方法を用いたメッキ装置により様々な種類の導電部材21にメッキ液に適した条件でメッキ膜を形成することができる。
【0021】
また、上記したように、電極4がアノード4の場合の実施例について説明したが、電極4がカソード4の場合でも同じメッキ方法で導電部材21にメッキ膜を形成することができる。
【0022】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明のメッキ方法には次のような効果が得られる。
【0023】
第1に、このメッキ方法でメッキ作業を行うことにより、使用するメッキ液の好適な範囲内の電流密度で、表面積等の異なる様々な導電部材に対してその導電部材と電極との距離を適した関係に保ちメッキ作業を行うことができる。その結果、表面積やデザイン等の異なる導電部材に対して、常にメッキ液に適した作業条件でメッキ膜を形成できるようになり、様々な導電部材に対してメッキ膜厚やメッキ膜組成分布が均一になるようメッキ膜を形成することができる。そして、メッキ作業における品質面、生産性における向上が得られる。
【0024】
第2に、このメッキ方法に用いるメッキ装置では電極が移動可能となり、表面積等の異なる様々な導電部材に対しても高品質なメッキ膜を形成することができる。更に、導電部材にメッキ膜を形成するときに微妙な調整ができるようになり、メッキ作業性においても向上が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のメッキ装置に用いるメッキ浴槽を説明する図である。
【図2】本発明および従来のメッキを施す半導体チップを説明する図である。
【図3】本発明および従来の2層メッキ膜から成る図2に示した半導体リードフレームのA−A方向からみた断面を説明する図である。
【図4】本発明および従来の自動メッキ装置全体のレイアウトを説明する図である。
【図5】本発明および従来の図4に示した自動メッキ装置全体の化学エッチング浴槽のB−B方向からみた断面を説明する図である。

Claims (2)

  1. 導電部材にメッキ膜を形成するメッキ浴槽を有するメッキ装置において、
    前記メッキ浴槽に可動式アームの一端を固定し、前記可動式アームに導電板を設置し、前記導電板に電極を設置することで前記電極を移動可動とすることを特徴とするメッキ装置。
  2. 前記メッキ装置は、前記メッキ浴槽の両側に一対の電極を有することを特徴とする請求項1に記載したメッキ装置。
JP2000091049A 2000-03-29 2000-03-29 メッキ方法およびそれに用いるメッキ装置 Expired - Fee Related JP3548081B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000091049A JP3548081B2 (ja) 2000-03-29 2000-03-29 メッキ方法およびそれに用いるメッキ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000091049A JP3548081B2 (ja) 2000-03-29 2000-03-29 メッキ方法およびそれに用いるメッキ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001279499A JP2001279499A (ja) 2001-10-10
JP3548081B2 true JP3548081B2 (ja) 2004-07-28

Family

ID=18606564

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000091049A Expired - Fee Related JP3548081B2 (ja) 2000-03-29 2000-03-29 メッキ方法およびそれに用いるメッキ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3548081B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6573652B2 (ja) * 2017-10-25 2019-09-11 モベック株式会社 電解洗浄装置
JP6861610B2 (ja) * 2017-11-07 2021-04-21 株式会社荏原製作所 めっき解析方法、めっき解析システム、及びめっき解析のためのコンピュータプログラム

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001279499A (ja) 2001-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1112729C (zh) 电子器件中的电连接结构和导体表面材料的形成方法
US20150243408A1 (en) Silver-plated product and method for producing same
JPH11229178A (ja) 金属被覆部材
US20040235219A1 (en) Plating apparatus, plating method, and method for manufacturing semiconductor device
JP3711141B1 (ja) Sn−Ag−Cu三元合金薄膜を形成する方法
JP2714922B2 (ja) 超極細複合金属めっき線の製造装置
JP3548081B2 (ja) メッキ方法およびそれに用いるメッキ装置
JP3523555B2 (ja) メッキ装置
JP3588304B2 (ja) メッキ装置
US20070218590A1 (en) Plating Apparatus, Plating Method and Manufacturing Method for Semiconductor Device
JP4029936B2 (ja) 半導体装置の製造方法
TW200524223A (en) Terminal having surface layer formed of Sn-Ag-Cu ternary alloy formed thereon, and part and product having the same
JP5011587B2 (ja) 放熱板の製造法
JP3557150B2 (ja) メッキ装置
JP2005105307A (ja) リフローSnめっき部材、前記部材の製造方法、および前記部材が用いられた電気電子機器用部品
JP3568486B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR100695372B1 (ko) 도금 방법
CA2467037A1 (en) Manufacturing method for semiconductor device
JP3995564B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
EP1464731A1 (en) Plating apparatus, plating method, and method for manufacturing semiconductor device
JP4027324B2 (ja) 半導体装置
KR20070005027A (ko) 반도체 장치의 제조 방법
KR100336319B1 (ko) 수정 진동자 베이스 리드의 도금방법 및 그 장치
KR200172374Y1 (ko) 수정 진동자 베이스 리드의 도금장치
KR100582129B1 (ko) 도금 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040106

A521 Written amendment

Effective date: 20040305

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040330

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040415

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 5

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090423

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090423

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100423

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 7

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110423

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 8

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120423

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120423

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130423

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees