JP3229261B2

JP3229261B2 - 小物部品メッキ装置及び方法

Info

Publication number: JP3229261B2
Application number: JP32384797A
Authority: JP
Inventors: 康司弓場; 淳中島
Original assignee: Taiyo Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Taiyo Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1997-11-10
Filing date: 1997-11-10
Publication date: 2001-11-19
Anticipated expiration: 2017-11-10
Also published as: JPH11140695A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、チップ形回路部品等の
小物部品にメッキを施す小物部品メッキ装置とメッキ方
法に関し、特に、小物部品に均一な膜厚のメッキ膜を形
成することができる小物部品メッキ装置と方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】積層セラミックコンデンサ等のチップ状
回路部品の外部電極上にメッキ膜を形成するための装置
として、従来はバレルメッキ装置が多く用いられてい
る。バレルメッキ装置は筒形の回転自在なバレル内に陰
極を設け、メッキ部品とほぼ同形状若しくは僅かに小さ
な導電性メディアと共にメッキ部品をバレル内に収納
し、このバレルを、メッキ浴槽の中に満たしたメッキ液
に浸漬する。メッキ浴槽内には前記バレルとは別に陽極
が設けられ、バレル内の陰極と陽極とに電源から直流電
圧が印加されるようになっている。また、バレルの回転
軸は駆動源に接続され、バレルがメッキ浴槽内で回転駆
動されるようになっている。メッキ部品を収納したバレ
ルを回転させながら、前記陽極と陰極間の間に直流電流
を流し、通電すると、メッキ部品の表面にメッキ膜が析
出する。

【０００３】しかしながら、チップ形セラミック電子部
品の素体表面には複数の外部電極が形成されている部品
が多く、従来のバレル装置では各電極のメッキ膜の膜厚
がばらつくことがある。また、メッキ後におけるメッキ
部品とメディアとの分離が煩わしいという欠点がある。
こうした課題を解消するために、例えば、金属メッシュ
からなる陰極上にメッキ部品を載置し、この状態でメッ
キ部品をメッキ液に浸漬し、メッキを施す装置の提案が
されている（特開平８−３７９０号公報）。

【０００４】この提案されたメッキ装置は、平板状の陰
極がメッシュまたは導電性多孔板により構成され、この
陰極上にメッキ部品を載せて、この陰極の上方に陽極を
対向させている。陰極は水平方向に往復運動させながら
メッキ液に浸漬され、この往復運動によって、陰極上で
メッキ部品のメッキを施す部分と陰極との接触部分を変
化させ、所要の部分に確実にメッキ膜を形成させようと
するものである。また、陰極の往復運動に際しは、スト
ロークの途中で陰極にストッパで衝撃を与え、この衝撃
によって陰極上のメッキ部品が反転するように試みられ
ている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前記従来のメッキ装置
では、メッキ部品が陰極と接触する部位によってメッキ
膜の析出速度が大きく異なり、これによって、メッキ部
品間にメッキ膜の膜厚のばらつきが生じる。これは、陰
極の主面上の中央部ではメッキ液中の電界強度が小さ
く、陰極の主面上の周辺部ではメッキ液中の電界強度が
大きくなるためである。これにより、陰極の中央部にあ
るメッキ部品のメッキ膜が薄く、陰極の周辺部にあるメ
ッキ部品のメッキ膜が厚くなる。

【０００６】この不都合を解消する為に、前記従来のメ
ッキ装置では、金属メッシュ状の陰極を往復運動させ、
往復運動に際してストロ-クの途中で衝撃を与えること
によって、メッキ部品を移動させ、各メッキ部品に均一
な膜厚のメッキ膜を施すことを試みている。しかし、こ
のようなメッキ物の反転手段によるものでは、偶然性に
頼るところが多く、確実性に欠け、やはりメッキ膜の厚
みにばらつきが生じるという課題があった。

【０００７】そこで本発明は、前記従来のメッキ装置に
おける課題に鑑みてなされたもので、その目的は、各メ
ッキ部品間でのメッキ膜の膜厚にばらつきがなく、均一
なメッキ膜を形成することを可能とするものである。特
に、メッキ部品が陰極に接触する部位によって、メッキ
膜の膜厚にばらつきが生じないようにするものである。

【０００８】

【課題を解決する手段】本発明では、前記の目的を達成
するため、メッキ液に浸漬され、メッキ液が通過可能な
陰極７の主面上のメッキ部品ａが搭載される位置を、陰
極７の主面上の中央部に制限しながら、メッキを行うも
のである。換言すると、メッキ部品ａを陰極７の主面上
の中央部にのみ載せ、その周辺部にはメッキ部品ａを載
せずにメッキを行う。これにより、各メッキ部品ａ間の
メッキ膜の膜厚のばらつきを解消する。

【０００９】すなわち、本発明による小物部品メッキ装
置は、メッキ液１１を溜めるメッキ浴槽２と、このメッ
キ浴槽２のメッキ液１１に浸漬され、メッキを施すメッ
キ部品ａが接触する陰極７と、メッキ浴槽２のメッキ液
１１に浸漬された陽極６と、これら陽極６と陰極７とに
電流を流す電源１０とを有する。前記陰極７はメッキ液
１１が通過可能な薄板状であり、同陰極７のメッキ部品
ａが載せられる主面上に、メッキ部品ａを載せる位置を
陰極７の主面上の中央部に制限する位置規制手段を有す
る。

【００１０】メッキ液１１が通過可能な薄板状の陰極７
は、メッシュ状、多孔質状、不織布状の何れかであっ
て、導電性を有するものである。位置規制手段は、例え
ば、陰極７の主面上を複数の区画に区分する仕切１６で
ある。このような仕切１６により仕切られた区画のう
ち、中央部にメッキ部品ａを収納してメッキを施す。ま
た、他の位置規制手段としては、陰極７の主面上の中央
部を囲む囲い壁１９、２０をあげることができる。陰極
７の主面上の前記のような囲い壁１９、２０で区画され
た領域にメッキ部品ａを載せて、メッキを施す。

【００１１】さらに、他の位置規制手段としては、メッ
キ部品ａを所定の位置に配列して保持する保持部材１７
をあげることができる。このような保持部材１７にメッ
キ部品ａを保持し、これによってメッキ部品ａを陰極７
の主面上の中央部に配置する。保持部材１７を陰極７の
主面上の中央に位置決めするために、前記のような囲い
壁１９、２０を用いることができ、囲い壁１９、２０の
中に保持部材１７を入れる。メッキ液１１の中で対向す
る陽極６と陰極７とは一対であることが基本であるが、
メッキ部品ａを一対の陰極７、７で挟持し、それら双
方の陰極７、７にメッキ部品ａを接触するようそれらの
間に配置することもできる。

【００１２】本発明では、このような小物部品メッキ装
置を使用し、メッキ部品ａを載せる位置を陰極７の主面
上の中央部に制限しながら、メッキ部品ａにメッキを施
す。このような小物部品メッキ装置及び方法では、メッ
キ液１１中の電界強度が小さな陰極７の中央部のみにメ
ッキ部品ａを搭載してメッキを施し、電界強度が大きな
陰極７の周辺部にはメッキ部品ａを搭載しないため、各
メッキ部品ａの間でメッキ膜の膜厚にばらつきが生じな
い。こにれよって、各メッキ部品ａに均一な厚さのメッ
キ膜を形成することができる。

【００１３】このような各メッキ部品ａ間のメッキの膜
厚を均一にさせるためには、メッキ部品ａを載せる領域
を、陰極７のメッキ部品ａを搭載可能な全領域の１０〜
９５％の領域に制限することが好ましい。メッキ部品ａ
を載せる領域が、陰極７のメッキ部品ａを搭載可能な全
領域の９５％を越えると、前述の理由から、各メッキ部
品ａの間のメッキ膜の膜厚のばらつきが大きくなる。ま
た、メッキ部品ａを載せる領域が、陰極７のメッキ部品
ａを搭載可能な全領域の１０％に満たないと、各メッキ
部品ａの間のメッキ膜の膜厚のばらつきが小さくなる
が、生産性が極端に悪くなる。これらの理由から、さら
に好ましくは、メッキ部品ａを載せる領域を、陰極７の
メッキ部品ａを搭載可能な全領域の２０〜８０％の領域
に制限するのがよい。

【００１４】さらに、メッキ部品ａと接触する側と反対
側の導体の表面が絶縁被膜１４で覆われている陰極７を
用いてメッキすることにより、絶縁被膜１４を設けた部
分では、メッキ部品ａと接触する導体の表面に電界が集
中し、電界強度が大きくなる。そして、前記絶縁被膜１
４の被覆比率を陰極７の周辺部に比べて中央部を大きく
したり、或いは中央部のみに絶縁被膜１４を設けること
で、チップ状部品ａが接触する側において、陰極７の中
央部の導体の電界強度とその周辺部の導体の電界強度と
の差が小さくなる。これによって、メッキ部品ａが接触
する陰極７の部位に係わらず、均一な膜厚のメッキ膜を
施すことができる。メッキを行うに当たっては、メッキ
部品ａを陰極７に対して、その面方向に相対移動させる
とよい。これによって、メッキ部品ａが陰極７に接触す
る部位が絶えず変わり、各メッキ部品ａに形成されるメ
ッキ膜の膜厚がより均一になる。

【００１５】

【発明の実施の形態】次に、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について、具体的且つ詳細に説明する。
図１に本発明による小物部品メッキ装置の例を示す。図
１に示すように、湯浴槽１の中にメッキ浴槽２が設けら
れ、このメッキ浴槽２の中にはメッキ液１１が満たされ
ている。このメッキ液１１は、湯温槽１の中に満たされ
た温湯により、所定の温度に維持される。

【００１６】メッキ浴槽２内のメッキ液１１には、一対
の陽極６と陰極７とが浸漬されている。陽極６は金属板
からなる。他方、陰極７は、図２に示すように、枠縁状
のフレーム１５の間に金属線１３を張ったもので、網や
パンチングメタル等、メッキ液が通過可能な薄板状のも
のからなる。網やパンチングメタルの他、メッキ液が通
過可能な薄板状のものであって、導電性を有するもので
あれば、多孔質状、不織布状のものであってもよい。

【００１７】図２の例では、陰極７が正方形であるが、
それらは矩形、円形、或いは楕円形等、必要に応じて適
宜な形状をとることができる。この陰極７の主面上に
は、仕切１６が設けられ、陰極７の主面上が複数の区画
に仕切られている。仕切１６は、格子状に仕切り板を組
み立てられたもので、仕切り板によって仕切られた複数
の区画を有する。

【００１８】陰極７のフレーム１５に囲まれた内側の寸
法に適合した格子状の仕切１６を用意し、図２に示すよ
うに、この仕切１６を陰極７のフレーム１５に囲まれた
内側の金属線１３が張られた部分の上に載せて、金属線
１３の上の部分を仕切る。仕切１６の全体は陰極７の金
属線１３が張られた領域、すなわちメッキ部品ａを搭載
可能な全領域とほぼ同じ寸法であるが、仕切り板により
四方が仕切られた区画が形成されている領域は、陰極７
のメッキ部品ａを搭載可能な全領域より狭い。図１で示
した区画を有する領域は、陰極７のメッキ部品ａを搭載
可能な全領域の約９５％程度である。この仕切１６によ
り仕切られた各区画部分にメッキ部品ａを１つずつ或い
は複数個収納し、図１に示すような装置でメッキ部品に
メッキを行う。

【００１９】このようにして、陰極７のフレーム１５に
囲まれた内側の金属線１３が張られた部分の上を適当に
仕切り、仕切られた区画にメッキ部品ａを配置してメッ
キを行うことにより、メッキ部品ａを陰極７の主面上の
中央部分に配置してメッキを行うことができる。また、
メッキ部品ａを互いに干渉させず、陰極７上に分散して
メッキを行うことが出来る。これによって、各メッキ部
品ａ間のメッキ膜の析出速度のばらつきを解消し、均一
な膜厚のメッキ膜を施すことができる。

【００２０】図１に示すように、陽極６と陰極７とは、
水平に保持された状態で上下に対向し、メッキ浴槽２の
内部に満たされたメッキ液１１に浸漬されている。図１
に示した例では、湯浴槽１に駆動体３が取り付けられ、
この駆動体３に連結部材４を介して水平にアーム５が取
り付けられている。このアーム５から垂直に垂下された
支持部材８、９を介して陽極６が上に、陰極７が下にな
るよう対向して保持され、且つメッキ浴槽２内のメッキ
液１１に浸漬されている。図１において矢印で示すよう
に、駆動体３は連結部材４を介してアーム５を、水平方
向に往復駆動するもので、これによって陽極６と陰極７
とが水平方向に往復移動させられる。この陰極７の水平
方向の往復移動に伴うメッキ部品ａの慣性力により、陰
極７に対してメッキ部品ａが水平方向に相対移動する。
これにより、メッキ部品ａの陰極７と接触する部位が絶
えず変わる。

【００２１】陽極６と陰極７には電源１０が接続され、
陽極６に正の、陰極７に負の電位を印加する。この電源
１０により、陽極６と陰極７とに電流を流す。これによ
って、陽極６と陰極７との間に、電解液であるメッキ液
１１を介して電界が発生する。このとき、前記駆動体３
によりアーム５を図１において矢印で示すように往復移
動させる。これによって、陰極７に対してメッキ部品ａ
が水平方向に相対移動するため、メッキ部品ａの陰極７
と接触する部位が絶えず変わり、メッキ部品の所要の位
置にメッキ膜が満遍なく析出する。

【００２２】また、陰極７のフレーム１５に囲まれた内
側の金属線１３が張られた部分の上に、仕切１６によっ
てメッキ部品ａを縦横に配置してメッキを行うことによ
り、メッキ部品ａを互いに干渉させず、陰極７上に分散
してメッキを行うことが出来る。これによって、やはり
各メッキ部品ａ間のメッキ膜の析出速度のばらつきを解
消し、均一な膜厚のメッキ膜を施すことができる。

【００２３】図３及び図４の例では、陰極７の上に載せ
られた仕切１６の区画を形成した領域の面積は、前記図
２に示した仕切１６より狭くなっている。具体的には、
仕切１６の区画を有する領域は、陰極７のメッキ部品ａ
を搭載可能な全領域の約８０％程度である。図４に示す
ように、この仕切１６により仕切られた区画部分のう
ち、中央の４つの区画のみにメッキ部品ａを１つずつ或
いは複数収納し、前述と同様にして図１に示すような装
置でメッキ部品にメッキを行う。

【００２４】図５で示した例では、前記の仕切１６に代
えて、メッキ部品ａを１つずつ保持する保持孔１８を有
する板状の保持部材１７により、メッキ部品ａを整列し
て保持し、この状態で陰極７上に配置している。すなわ
ち、この例では、板状の保持部材１７を用意し、この保
持部材１７に縦横に設けた保持孔１８にメッキ部品ａを
嵌め込んで保持している。この保持部材１７は、シリコ
ーンゴム等のメッキ液に侵されにくく、且つ弾力性を有
する板状の部材からなり、その厚さはメッキ部品ａの高
さより薄い。

【００２５】さらに、この保持部材１７を陰極７の主面
上の中央に保持するため、陰極７の金属線１３が張られ
た主面上の中央部を囲む位置に囲い壁１９を設け、この
囲い壁１９の中に保持部材１７を入れる。囲い壁１９と
保持部材１７との間には、多少の間隙があり、保持部材
１７は、囲い壁１９の中で陰極７の面方向にある程度移
動できるようになっている。図５に示した例では、囲い
壁１９が陰極７の外形線に対応する四角形の線に沿って
断続的に形成され、この中に陰極７を保持した保持部材
１７を入れて、保持部材１７を陰極７の中央部に位置規
制する。このようにして陰極７の主面上の中央部にメッ
キ部品ａを配置した状態で、前記図１に示すような装置
でメッキ部品にメッキを行う。

【００２６】図６に示した例では、陰極７の金属線１３
が張られた主面上の中央部を囲むように囲い壁２０を設
け、この囲い壁２０の中に複数のメッキ部品ａを、互い
に重ならない程度に散在させている。この囲い壁２０
は、陰極７の金属線１３が張られた主面上の中央部を囲
む四角形の辺に沿って連続して形成している。このよう
にして陰極７の主面上の中央部にメッキ部品ａを配置し
た状態で、前記図１に示すような装置でメッキ部品にメ
ッキを行う。この例では、囲い壁２０の中に自由に移動
できるようにメッキ部品ａを配置しているので、図１に
示す駆動体３により、陰極７を平面方向に往復移動した
とき、メッキ部品ａが陰極７の主面上を自由に移動でき
る利点がある。

【００２７】図７〜図１０は、本発明による小物部品メ
ッキ装置の他の例を示すものである。基本的な構成は図
１に示したものと同じであり、同じ部分は同じ符号で示
してある。この例では、後述する通り、陰極７が上に、
陽極８が下になるように対向している。陰極７の主面上
には、図３及び図４に示すのと同様の仕切１６を載せ、
その各区画にメッキ部品ａを収納している。

【００２８】図９と図１０は、パンチングメタルからな
る陰極７の例を示すが、この図に示すように、陰極７の
フレーム１５に張られた金属線１３の下面側が絶縁被膜
１４で覆われている。陰極７が網でできている場合は、
金属線１３が上下に交錯するよう編まれているが、やは
り同様にして下面側のみが絶縁被膜１４で覆われる。こ
のような絶縁被膜１４は、陰極７の金属線１３の全体、
すなわち陰極７の下面全面に施してもよいが、図示の例
では、図１０に示すように、中央部の正方形の部分の金
属線１３のみに絶縁被膜１４が施され、その周囲の部分
には絶縁被膜１４が施されておらず、上面も下面も導体
である金属線１３の表面が露出している。

【００２９】その金属線１３の下面側に施される絶縁被
膜１４を形成する領域は、陰極７の全体形状の如何に係
わらず、図１０に示すような正方形の他、矩形、円形、
或いは楕円形等、必要に応じて適宜な形状をとることが
できる。さらに、この図１０に示した例のように、陰極
７の片面の中央部のみに絶縁被膜１４を設けるのではな
く、陰極７の片面の周辺部から中央部にいくに従って、
絶縁被膜１４の被覆比率が次第に高くなるようにしても
よい。

【００３０】陰極７は、絶縁被膜１４を設けたのと反対
側の面が上に向けられ、この上にメッキ部品ａが配置さ
れ、メッキ部品ａが陰極７の導体と接触する。陽極６
は、陰極７の下側に配置され、陰極７の絶縁被膜１４が
設けられた面側に対向している。換言すると、陽極６は
メッキ部品ａが載せられた陰極７の上面と反対側の面に
対向している。

【００３１】このように、陰極７のメッキ部品ａが接触
したのと反対側の面に陽極６を配置したことに伴い、陰
極７の周辺部では中央部に比べて電界強度が大きくなり
やすい。そこで、前述のように、陰極７の中央部のみに
絶縁被膜１４を設けたり、或いは陰極７の周辺部に比べ
て中央部における絶縁被膜１４の被覆比率を高くするこ
とにより、この電界強度のばらつきを解消し、陰極７の
中央部と周辺部とにおけるメッキ部品ａへのメッキ膜の
析出速度を均一化することができる。

【００３２】図１１と図１２は、本発明による小物部品
メッキ装置の他の例を示すものである。基本的な構成は
図７及び図８に示したものと同じであり、同じ部分は同
じ符号で示してある。この例では、陰極７、７を２つ重
ね、その間にメッキ部品ａを挟むようにして配置してあ
る。また、図示の例では、高さがメッキ部品ａと同等か
それよりやや低い仕切１６を使用し、その仕切１６によ
り仕切られた各区画部分にメッキ部品ａを１つずつ或い
は複数収納し、この状態でメッキ部品ａと仕切１６を両
側から一対の陰極７、７で挟持している。

【００３３】これら陰極７、７の上下には、それぞれ陽
極６、６が対向して配置してある。この例において、陽
極６を陰極７、７の下または上の一方にだけ配置するこ
ともできる。その場合は、陰極７、７にメッキ部品ａを
挟んだまま、メッキ部品ａと共に陰極７、７を反転しな
がら、メッキをするのがよい。なお、図示の例では、前
述のような金属線１３の一部を覆う絶縁被膜１４を設け
ていないが、各陰極７、７と対向する上下の陽極６、６
と対向する面側の中央部に、それぞれ金属線１３の上面
側または下面側を覆う絶縁被膜１４を設けてもよい。

【００３４】

【実施例】次に、本発明のより具体的な実施例につい
て、具体的な数値をあげならがら詳細に説明する。（実施例１）図１に示すような小物部品メッキ装置と図
２に示すような仕切りを使用し、市販のメッキ液によ
り、電流密度を５００Ｃ／ｄｍ² 、メッキ液温度３０℃
としてメッキ部品ａである積層セラミックコンデンサの
両端に半田メッキを施した。なお、仕切１６の区画にメ
ッキ部品ａを収納した領域は、陰極７のメッキ部品ａを
搭載可能な全領域の約９５％である。陰極７はパンチン
グメタル製のものを使用し、その金属線１３には絶縁被
膜を設けず、金属線１３全体を裸の導体とした。水洗し
たメッキ部品ａから無作為に１００個取り出し、蛍光Ｘ
線法に従って、積層セラミックコンデンサの両端の半田
メッキ膜の膜厚を測定したところ、その平均値は４．４
１μｍであり、メッキ膜のばらつき（ＣＶ値＝標準偏差
／平均値）は９．３％であった。

【００３５】（実施例２）前記と同じ図１で示すような
小物部品メッキ装置と図３及び図４に示すような仕切１
６を使用し、前記実施例１と同じ条件でメッキ部品ａで
ある積層セラミックコンデンサの両端に半田メッキを施
した。なお、仕切１６の中央の４つの区画のみにメッキ
部品ａを収納し、その領域は、陰極７のメッキ部品ａを
搭載可能な全領域の約２０％である。陰極７はパンチン
グメタル製のものを使用し、その金属線１３には絶縁被
膜を設けず、金属線１３全体を裸の導体とした。水洗し
たメッキ部品ａから無作為に１００個取り出し、蛍光Ｘ
線法に従って、積層セラミックコンデンサの両端の半田
メッキ膜の膜厚を測定したところ、その平均値は４．３
２μｍであり、メッキ膜のばらつき（ＣＶ値＝標準偏差
／平均値）は８．７％であった。

【００３６】（実施例３）図７で示すような小物部品メ
ッキ装置と図８に示すような仕切１６を使用し、前記実
施例１と同じ条件でメッキ部品ａである積層セラミック
コンデンサの両端に半田メッキを施した。なお、仕切１
６の各区画にメッキ部品ａを収納し、その領域は、陰極
７のメッキ部品ａを搭載可能な全領域の約８０％であ
る。また、陰極７はパンチングメタル製のものを使用
し、その金属線１３の下面側全面に絶縁被膜を設けた。
水洗したメッキ部品ａから無作為に１００個取り出し、
蛍光Ｘ線法に従って、積層セラミックコンデンサの両端
の半田メッキ膜の膜厚を測定したところ、その平均値は
４．４８μｍであり、メッキ膜のばらつき（ＣＶ値＝標
準偏差／平均値）は８．０％であった。

【００３７】（実施例４）図１で示すような小物部品メ
ッキ装置と図５に示すような陰極７及び保持部材１７を
使用し、前記実施例１と同じ条件でメッキ部品ａである
積層セラミックコンデンサの両端に半田メッキを施し
た。保持部材１７の各保持孔１８にメッキ部品ａを収納
して配置し、その領域は、陰極７のメッキ部品ａを搭載
可能な全領域の約６０％である。陰極７はパンチングメ
タル製のものを使用し、その金属線１３には絶縁被膜を
設けず、金属線１３全体を裸の導体とした。水洗したメ
ッキ部品ａから無作為に１００個取り出し、蛍光Ｘ線法
に従って、積層セラミックコンデンサの両端の半田メッ
キ膜の膜厚を測定したところ、その平均値は４．４５μ
ｍであり、メッキ膜のばらつき（ＣＶ値＝標準偏差／平
均値）は９．１％であった。

【００３８】（実施例５）図１で示すような小物部品メ
ッキ装置と図６に示すような陰極７を使用し、前記実施
例１と同じ条件でメッキ部品ａである積層セラミックコ
ンデンサの両端に半田メッキを施した。囲い壁２０の中
にメッキ部品ａを収納したが、囲い壁２０に囲まれた領
域は、陰極７のメッキ部品ａを搭載可能な全領域の中央
部の約７５％である。陰極７はパンチングメタル製のも
のを使用し、その金属線１３には絶縁被膜を設けず、金
属線１３全体を裸の導体とした。水洗したメッキ部品ａ
から無作為に１００個取り出し、蛍光Ｘ線法に従って、
積層セラミックコンデンサの両端の半田メッキ膜の膜厚
を測定したところ、その平均値は４．４０μｍであり、
メッキ膜のばらつき（ＣＶ値＝標準偏差／平均値）は
９．５％であった。

【００３９】（実施例６）図１で示すような小物部品メ
ッキ装置と図３及び図４に示すような仕切１６を使用
し、前記実施例１と同じ条件でメッキ部品ａである積層
セラミックコンデンサの両端に半田メッキを施した。な
お、仕切１６で仕切られた各区画にメッキ部品ａを収納
し、その領域は、陰極７のメッキ部品ａを搭載可能な全
領域の約８０％である。陰極７はパンチングメタル製の
ものを使用し、その金属線１３には絶縁被膜を設けず、
金属線１３全体を裸の導体とした。水洗したメッキ部品
ａから無作為に１００個取り出し、蛍光Ｘ線法に従っ
て、積層セラミックコンデンサの両端の半田メッキ膜の
膜厚を測定したところ、その平均値は４．４０μｍであ
り、メッキ膜のばらつき（ＣＶ値＝標準偏差／平均値）
は９．０％であった。

【００４０】（実施例７）図１１に示すような小物部品
メッキ装置と図１２に示すような仕切りを使用し、市販
のメッキ液により、電流密度を５００Ｃ／ｄｍ² 、メッ
キ液温度３０℃としてメッキ部品ａである積層セラミッ
クコンデンサの両端に半田メッキを施した。なお、仕切
１６の区画にメッキ部品ａを収納した領域は、陰極７の
メッキ部品ａを搭載可能な全領域の約８０％である。陰
極７はパンチングメタル製のものを使用し、その金属線
１３には絶縁被膜を設けず、金属線１３全体を裸の導体
とした。水洗したメッキ部品ａから無作為に１００個取
り出し、蛍光Ｘ線法に従って、積層セラミックコンデン
サの両端の半田メッキ膜の膜厚を測定したところ、その
平均値は４．３８μｍであり、メッキ膜のばらつき（Ｃ
Ｖ値＝標準偏差／平均値）は１０．５％であった。

【００４１】（比較例）前記実施例１において、陰極７
の金属線１３を貼ったメッキ部品ａの搭載可能な全領域
に区画を有する仕切りを使用し、各区画にメッキ部品ａ
である積層セラミックコンデンサを収納し、同実施例１
と同様にして同メッキ部品ａの両端に半田メッキを施し
た。従って、仕切１６の区画にメッキ部品ａを収納した
領域は、陰極７のメッキ部品ａを搭載可能な全領域の１
００％である。水洗したメッキ部品ａから無作為に１０
０個取り出し、蛍光Ｘ線法に従って、積層セラミックコ
ンデンサの両端の半田メッキ膜の膜厚を測定したとこ
ろ、その平均値は４．４５μｍであり、メッキ膜のばら
つき（ＣＶ値＝標準偏差／平均値）は１２．０％であっ
た。以上の結果を下記の表１に纏めた。

【００４２】

【表１】

【００４３】以上の結果から明らかな通り、メッキ部品
ａを陰極７の搭載可能な全領域に展開してメッキを施し
た場合、メッキ部品ａの平均メッキ膜厚は厚いが、各メ
ッキ部品ａのメッキ膜厚のばらつきが大きい。これに対
して、実施例１〜６のように、メッキ部品ａの位置を、
陰極７の搭載可能な全領域のうち、その中央部に制限す
ると、メッキ部品ａの平均メッキ膜厚は若干薄くなる
が、各メッキ部品ａのメッキ膜厚のばらつきが小さい。

【００４４】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、各
メッキ物間のメッキ膜の膜厚のばらつきが小さく、均一
な膜厚のメッキ膜を施すことが可能となる。これによっ
て、メッキ部品の品質の向上を図ることができ、製品の
品質の向上、歩留まりの向上などを図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるメッキ装置の例を示す概略縦断側
面図である。

【図２】同メッキ装置の陰極とその上に載せる仕切の例
を示す斜視図である。

【図３】同メッキ装置の陰極の上に載せる仕切の他の例
を示す斜視図である。

【図４】同メッキ装置の陰極の上に前記仕切を載せた状
態の例を示す斜視図である。

【図５】同メッキ装置の陰極の上に保持部材を載せた例
を示す斜視図である。

【図６】同メッキ装置の陰極の上に囲い壁を形成した例
を示す斜視図である。

【図７】本発明によるメッキ装置の他の例を示す概略縦
断側面図である。

【図８】同メッキ装置の陰極、陽極及び陽極の上に載せ
た仕切の例を示す斜視図である。

【図９】同メッキ装置の陰極とその上に載せた仕切のを
示す要部拡大縦断側面図である。

【図１０】同メッキ装置の陰極の例を示す底面図であ
る。

【図１１】本発明によるメッキ装置の例を示す概略縦断
側面図である。

【図１２】同メッキ装置の陰極とその上に載せる仕切の
例を示す斜視図である。

【符号の説明】

２メッキ浴槽６陽極７陰極１０電源１１メッキ液１３金属線１４絶縁被膜１６仕切１７保持部材１９囲い壁２０囲い壁ａメッキ部品

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C25D 17/08,17/16 H01G 13/00

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】メッキ液（１１）を溜めるメッキ浴槽
（２）と、このメッキ浴槽（２）のメッキ液（１１）に
浸漬され、メッキを施すメッキ部品（ａ）が接触する陰
極（７）と、メッキ浴槽（２）のメッキ液（１１）に浸
漬された陽極（６）と、これら陽極（６）と陰極（７）
とに電流を流す電源（１０）とを有する小物部品メッキ
装置において、前記陰極（７）はメッキ液（１１）が通
過可能な薄板状であり、同陰極（７）のメッキ部品
（ａ）が載せられる主面上に、メッキ部品（ａ）を載せ
る位置を陰極（７）の主面上の中央部に制限する位置規
制手段を有することを特徴とする小物部品メッキ装置。
【請求項２】メッキ液（１１）が通過可能な薄板状の
陰極（７）は、メッシュ状、多孔質状、不織布状の何れ
かであって、導電性を有するものであることを特徴とす
る請求項１に記載の小物部品メッキ装置。
【請求項３】位置規制手段が、陰極（７）の主面上を
複数の区画に区分する仕切（１６）であることを特徴と
する請求項１または２に記載の小物部品メッキ装置。
【請求項４】位置規制手段が、陰極（７）の主面上の
中央部を囲む囲い壁（１９）、（２０）であることを特
徴とする請求項１または２に記載の小物部品メッキ装
置。
【請求項５】位置規制手段が、メッキ部品（ａ）を所
定の位置に配列して保持する保持部材（１７）であるこ
とを特徴とする請求項１、２または４に記載の小物部品
メッキ装置。
【請求項６】メッキ部品（ａ）が一対の陰極（７）、
（７）に挟持され、それら双方の陰極（７）、（７）に
接触するようそれらの間に配置されていることを特徴と
する請求項１〜５の何れかに記載の小物部品メッキ装
置。
【請求項７】陰極（７）の―方の主面側は同陰極
（７）の導体が露出していると共に、同陰極（７）の他
方の主面側の少なくとも一部の導体が絶縁被膜（１４）
に覆われていることを特徴とする請求項１〜６の何れか
に記載の小物部品メッキ装置。
【請求項８】メッキ液（１１）を溜めたメッキ浴槽
（２）に、陰極（７）と陽極（８）とを浸漬すると共
に、これら陽極（６）と陰極（７）とに電流を流し、メ
ッキ部品（ａ）を陰極（７）に接触させて同メッキ部品
（ａ）にメッキを析出させる小物部品メッキ方法におい
て、前記請求項１〜７の何れかの小物部品メッキ装置を
使用し、メッキ部品（ａ）を載せる位置を陰極（７）の
主面上の中央部に制限しながら、メッキ部品（ａ）にメ
ッキを施すことを特徴とする小物部品メッキ方法。
【請求項９】メッキ部品（ａ）を載せる位置を、陰極
（７）のメッキ部品（ａ）を搭載可能な全領域の１０〜
９５％の領域に制限することを特徴とする請求項８に記
載の小物部品メッキ方法。
【請求項１０】メッキ部品（ａ）が陰極（７）に対し
て、その面方向に相対移動させられることを特徴とする
請求項８または９に記載の小物部品メッキ方法。