JPH08144096A - チップ型電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 メッキ処理中にチップ型電子部品の積み重な
りによるメッキ不良などを抑制し得るメッキ方法を提供
する。 【構成】 メッキ装置に用いる陰極４０の金属メッシュ
４２上に仕切り板４３を設けて複数の区画を形成し、各
区画内に被メッキ物の積層セラミックコンデンサ１０を
ほぼ均等に配分する。陰極４０をメッキ液中で振動さ
せ、金属メッシュ４２上の積層セラミックコンデンサ１
０を攪拌させながらメッキ処理を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、チップ型電子部品の被
メッキ部にメッキ層を形成するためのメッキ方法に関
し、特に、メッキ処理中における陰極と大量のチップ型
電子部品との接触状態が改良されたチップ型電子部品の
メッキ方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図３は、チップ型電子部品の外部電極上
等にメッキ層を形成する際に用いられるメッキ装置の構
造を示している。メッキ装置１は、メッキ液３が貯留さ
れているメッキ液槽２を有している。メッキ液３中には
陰極４及び陽極５が所定の距離を隔てて浸漬されてい
る。陰極４は、振動手段６によって水平方向に振動が加
えられるように構成されている。さらに、メッキ液３中
には、メッキ液を所定の温度に設定するためのヒーター
７が設けられている。

【０００３】図４は、陰極４の断面構造を示している。
陰極４は、プラスチック製などの枠体１１の底面に金属
メッシュ１２を貼り付けて構成されている。金属メッシ
ュ１２は、その一部に接続された導線を介して、電源の
負電極側に電気的に接続されている。

【０００４】チップ型電子部品、例えば積層セラミック
コンデンサ１０の外部電極にメッキ層を形成する場合に
は、図３に示すメッキ装置１を用いて以下のように行わ
れる。まず、Ｎｉ、ＳｎあるいはＳｎ／Ｐｂメッキ液を
メッキ液槽２内に貯留する。さらに、メッキ層を形成す
べき積層セラミックコンデンサ１０を陰極４の金属メッ
シュ１２上に投入する。そして、陰極４をメッキ液３中
に浸漬し、陽極５及び陰極４間に所定の電圧を印加す
る。同時に、振動手段６により陰極４を水平方向に振動
させる。陰極４に水平方向への振動を与えると、金属メ
ッシュ１２上に載置された多量の積層セラミックコンデ
ンサ１０の被メッキ部、すなわち外部電極と金属メッシ
ュ１２との接触部位が変動し、あるいは外部電極と金属
メッシュ１２との癒着が妨げられる。これにより、金属
メッシュ１２表面と接触した積層セラミックコンデンサ
１０の外部電極表面にメッキ層が析出される。

【０００５】なお、水平方向への振動のみならず、垂直
方向への振動あるいは液噴流やエアー拡散などの方法に
よって積層セラミックコンデンサ１０などのメッキ対象
部品を攪拌させる方法が従来より用いられている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】積層セラミックコンデ
ンサなどのチップ型電子部品の生産性を高めるには、上
記メッキ工程において、一度に大量のチップ型電子部品
をメッキ処理することが望まれる。

【０００７】しかしながら、上記のような種々の方法を
用いて大量のチップ型電子部品にメッキ処理を施した場
合、図４に示すように金属メッシュ１２表面上において
局部的に多量のチップ型電子部品が積み重なることがあ
った。そして、特に上方に積み上げられたチップ型電子
部品では、振動などにより攪拌されたとしても、金属メ
ッシュ１２との接触が不良となり、メッキ不良やメッキ
厚みのばらつきが生じるという問題が生じた。

【０００８】本発明の目的は、陰極内に載置される被メ
ッキ物の積み重なりを制限して被メッキ物と陰極との接
触状態を改良して全ての被メッキ物に均一なメッキ層を
効率よく形成することができるチップ型電子部品の製造
方法を提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明によるチップ型電
子部品の製造方法は、メッキ液を貯留したメッキ液槽内
に、陰極と陽極とを浸漬し、両極間に通電して陰極上に
載置されたチップ型電子部品にメッキ層を形成する工程
を備えている。そして、陰極の、チップ型電子部品を載
置する載置面を仕切りによって分割して形成された複数
の区画内に、チップ型電子部品を適宜配分して投入し、
陰極をメッキ液中に浸した状態で、チップ型電子部品に
振動を与えつつメッキ層を形成させることを特徴として
いる。

【００１０】

【作用】本発明のメッキ工程において、陰極の部品載置
面に形成された複数の区画は、陰極の載置面上に投入さ
れるチップ型電子部品の分布を載置面全体にわたって均
一化する働きを成す。すなわち、各区画内に投入された
チップ型電子部品は、仕切りによって当該区画以外の区
画へ移動することが制限される。従って、大量のチップ
型電子部品にメッキ処理を施す場合でも、局部的に多数
のチップ型電子部品が積層され難い。これにより、全て
のチップ型電子部品と陰極との電気的接触の確率が高く
なり、メッキ不良やメッキ厚みのばらつきなどの発生確
率が低下する。

【００１１】

【実施例の説明】以下、図面を参照しつつ、実施例を説
明することにより、本発明を明らかにする。

【００１２】図１は、本発明の実施例によるチップ型電
子部品の製造方法のメッキ工程に用いられる陰極の平面
構造を示す平面図であり、図２は、図１中の切断線Ｘ−
Ｘに沿った方向からの陰極の断面構造を示す断面構造図
である。そして、本発明の実施例によるメッキ工程で
は、図３に示す構造を有するメッキ装置１に図１及び図
２に示す陰極４０を用いたメッキ装置が用いられる。

【００１３】図１及び図２を参照して、陰極４０は、プ
ラスチックなどの絶縁材料からなる矩形の陰極枠４１
と、陰極枠４１の底面に取り付けられた金属メッシュ４
２と、陰極枠４１の内部を区画する仕切り板４３とから
構成されている。金属メッシュ４２は、ステンレスなど
の金属材料から構成され、陰極枠４１の底面にねじなど
により固定されている。また、金属メッシュ４２は、導
線を介して電源の負電極に接続されている。仕切り板４
３は、プラスチックなどの絶縁物からなり、金属メッシ
ュ４２上に井桁状に配置されることにより、例えば正方
金属メッシュ４２の表面を９つの区画に分割している。

【００１４】上記の陰極４０を備えたメッキ装置１（図
３参照）により、積層セラミックコンデンサのＡｇ電極
（外部電極）上にＮｉメッキ層を形成する方法につき、
以下に説明する。

【００１５】メッキ装置１の陽極５は、陰極４０の金属
メッシュ４２とほぼ同じサイズのＮｉ電極を陰極４０か
ら５０ｍｍ離して対向配置して構成されている。陰極４
０には、１６０８サイズ（１．６×０．８×０．８ｍ
ｍ）の積層セラミックコンデンサが９つの区画にほぼ均
等となるように配分して投入される。Ｎｉメッキ液３は
ヒーター７により６０℃の温度に設定される。そして、
陽極５と陰極４０との間に通電し、１０分間メッキ処理
を行った。陰極電流密度は３Ａ／ｄｍ² である。また、
メッキ処理中に振動手段６を駆動し、陰極４０を水平方
向へ振幅１０ｍｍ、０．２秒／ストロークの振動を与
え、積層セラミックコンデンサ１０の攪拌を行った。

【００１６】なお、この実施例によるメッキ工程の効果
を比較するため、陰極４０に仕切り板４３を設けていな
い従来構造の陰極を用いてメッキを行った。その結果を
表１に示す。

【００１７】

【表１】

【００１８】表１に示す結果からわかるように、陰極４
０に仕切り板４３を設けた場合には、仕切り板４３が設
けられていない従来例に比べ積層セラミックコンデンサ
１０の積み重なりが抑制されている。この結果、形成さ
れたＮｉメッキ層の厚みのばらつきも小さく、均一なメ
ッキ層が形成されている。

【００１９】これは、メッキ処理中の陰極４０の金属メ
ッシュ４２と積層セラミックコンデンサ１０との接触状
態が良好であったことを裏付けるものである。すなわ
ち、従来の方法では、一定の領域、例えば本実施例の一
区画に該当する領域に着目すると、メッキ処理中に他の
領域から積層コンデンサが移動してくることにより、部
品の密度が最初の部品投入時よりも増大し、局所的な部
品の積み重なり状態が生じる。これに対し、本実施例の
場合では、仕切り板４３で区画された領域内の積層セラ
ミックコンデンサの密度は、最初の部品投入数によって
定まり、メッキ処理中に増大することはない。このた
め、従来に比べて局所的な積層セラミックコンデンサの
積み重なりを抑制でき、あるいは積み重なりの段数を低
減することができる。従って、さらに振動を受けた場
合、積み重なった積層セラミックコンデンサ１０が再び
拡散して金属メッシュ４２と接触し、メッキ層の形成が
行われるようになる。このような作用により、多量の積
層セラミックコンデンサ１０に対し個々の部品間の厚み
のばらつきの少ない均一なメッキ層を形成することがで
きる。さらに、個々の積層セラミックコンデンサ１０と
陰極４０との金属メッシュ４２とが接触する確率が高ま
り、良好な接触時間が長くなるため、従来に比べて短時
間で所定の厚みのメッキ層を形成することができる。

【００２０】なお、本発明のメッキ工程においては、仕
切り板４３が形成する区画の数や形状は上記の例に限定
されるものではない。例えば区画形状を矩形、円形など
任意の形状としてもよく、また区画の大きさもメッキ対
象の電子部品の種類や一度に処理する数量に応じて適宜
設定することができる。

【００２１】また、陰極として金属メッシュ４２を用い
るのみならず、多数の穴が形成された金属板等を用いて
もよい。さらに、メッキ処理中に積層セラミックコンデ
ンサ１０に与える振動は、上記のような水平方向の振動
のみならず、垂直方向に振動を与えてもよく、あるいは
噴流やエアー拡散などを用いて金属メッシュ４２上の積
層セラミックコンデンサ１０を攪拌するようにしてもよ
い。

【００２２】さらに、メッキ対象の部品としては、積層
セラミックコンデンサに限ることなく、積層インダク
タ、多層基板や複合部品、圧電部品や抵抗部品など他の
チップ型電子部品あるいは板状部品などにも本発明のメ
ッキ方法を広く適用することができる。

【００２３】

【発明の効果】このように、本発明によるチップ型電子
部品の製造方法のメッキ工程によれば、陰極に形成した
複数の区画内に被メッキ物を配分して投入することによ
り、被メッキ物のチップ型電子部品が互いに積み重なっ
て陰極との接触不良を生じるのを抑制し、メッキ厚のば
らつきの少ない均一なメッキ層を多量のチップ型電子部
品に対して一度に形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に用いるメッキ装置の陰極の平面構造を
示す平面図。

【図２】図１中の切断線Ｘ−Ｘに沿った方向からの陰極
の断面構造を示す断面構造図。

【図３】一般的なメッキ装置の一例を説明するための概
略構成図。

【図４】従来のメッキ装置に用いる陰極の断面構造を示
す断面構造図。

【符号の説明】

１…メッキ装置 ２…メッキ液槽 ３…メッキ液 ５…陽極 １０…積層セラミックコンデンサ ４０…陰極 ４２…金属メッシュ ４３…仕切り板

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 メッキ液を貯留したメッキ液槽内に陽極
   と陰極とを浸漬し、両極間に通電して前記陰極上に載置
   されたチップ型電子部品にメッキ層を形成する工程を備
   えたチップ型電子部品の製造方法において、 前記陰極の、前記チップ型電子部品を載置する載置面を
   仕切りによって分割して形成された複数の区画内に、前
   記チップ型電子部品を適宜配分して投入し、前記陰極を
   メッキ液中に浸した状態で前記チップ型電子部品に振動
   を与えつつ前記チップ型電子部品にメッキ層を形成する
   ことを特徴とする、チップ型電子部品のメッキ方法。