JP2555317B2 - 正特性磁器半導体の製造方法 - Google Patents
正特性磁器半導体の製造方法Info
- Publication number
- JP2555317B2 JP2555317B2 JP61042698A JP4269886A JP2555317B2 JP 2555317 B2 JP2555317 B2 JP 2555317B2 JP 61042698 A JP61042698 A JP 61042698A JP 4269886 A JP4269886 A JP 4269886A JP 2555317 B2 JP2555317 B2 JP 2555317B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- palladium
- positive
- silver
- electrode
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は各種発熱体素子、電気回路における電流制御
用素子に用いられる正特性磁器半導体の製造方法に関す
るものである。
用素子に用いられる正特性磁器半導体の製造方法に関す
るものである。
従来の正特性磁器半導体は、正特性磁器半導体素体
に、ニッケル層および該ニッケル層面上に形成した銀層
よりなる二層構造の一対の電極を付与した構成となって
いる。
に、ニッケル層および該ニッケル層面上に形成した銀層
よりなる二層構造の一対の電極を付与した構成となって
いる。
従来のものは一対の電極間に電位差を与えた場合、該
一対の電極のうちの正極から負極へ前記銀層の銀が正特
性磁器半導体素体の表面を伝わって移動するいわゆるシ
ルバーマイグレーション現象を生じ、高温、高湿の雰囲
気中で特に著しく促進される。
一対の電極のうちの正極から負極へ前記銀層の銀が正特
性磁器半導体素体の表面を伝わって移動するいわゆるシ
ルバーマイグレーション現象を生じ、高温、高湿の雰囲
気中で特に著しく促進される。
本発明は上記の問題点を解決するためのものであっ
て、粒計１μｍ以下の銀40wt％〜90wt％、およびパラジ
ウム60wt％〜10wt％の組成より成るペーストを、正特性
磁器半導体素体の表面に焼付け形成して正極となる電極
としたことを特徴とするものである。
て、粒計１μｍ以下の銀40wt％〜90wt％、およびパラジ
ウム60wt％〜10wt％の組成より成るペーストを、正特性
磁器半導体素体の表面に焼付け形成して正極となる電極
としたことを特徴とするものである。
本発明において、パラジウムの含有量の増加に伴って
耐マイグレーション性は向上するが、パラジウムの量が
10wt％以上にてマイグレーション現象を生じなくなる。
しかるに、パラジウムの量が40wt％を越えると、性特性
磁器半導体素体と電極との間に界面抵抗を生じ、次第に
突入電流の低下を招き、かつ表面抵抗が大きくなって被
接触面との接触が点接触となって電流の集中を招く。更
には、パラジウムの増量により価格的にも高価となる。
従って、パラジウムの量は実用上60wt％以下が望まし
い。
耐マイグレーション性は向上するが、パラジウムの量が
10wt％以上にてマイグレーション現象を生じなくなる。
しかるに、パラジウムの量が40wt％を越えると、性特性
磁器半導体素体と電極との間に界面抵抗を生じ、次第に
突入電流の低下を招き、かつ表面抵抗が大きくなって被
接触面との接触が点接触となって電流の集中を招く。更
には、パラジウムの増量により価格的にも高価となる。
従って、パラジウムの量は実用上60wt％以下が望まし
い。
このように、本発明においてはパラジウムの量は、銀
−パラジウム系で10〜60wt％が望ましく、より望ましく
は性能面の信頼性および価格面を考慮すると、20〜30wt
％である。
−パラジウム系で10〜60wt％が望ましく、より望ましく
は性能面の信頼性および価格面を考慮すると、20〜30wt
％である。
以下本発明を具体的実施例により詳細に説明する。
第１図〜第５図は本発明の一実施例における正特性磁
器半導体の断面図を示している。各実施例について説明
すると、まず第１図において、この実施例では円板状の
正特性磁器半導体素体１の両表面にオーミックなニッケ
ル層２を形成し、該ニッケル層２の上に該ニッケル層２
の周縁をも覆うように本発明の銀−パラジウム合金層５
が形成している。なお、上記素体１は正の抵抗温度係数
を有し、かつ所定温度で抵抗値が急増するキュリー点を
有したイタン酸バリウム系材料で構成されている。
器半導体の断面図を示している。各実施例について説明
すると、まず第１図において、この実施例では円板状の
正特性磁器半導体素体１の両表面にオーミックなニッケ
ル層２を形成し、該ニッケル層２の上に該ニッケル層２
の周縁をも覆うように本発明の銀−パラジウム合金層５
が形成している。なお、上記素体１は正の抵抗温度係数
を有し、かつ所定温度で抵抗値が急増するキュリー点を
有したイタン酸バリウム系材料で構成されている。
第２図の実施例は、第１図のものが正極をニッケル層
２と銀−パラジウム合金層５との二層構成としてあるの
に対し、銀−パラジウム合金層５のみの一層構成とした
ものである。なお、負極は第１図のものと同一構成にし
てある。
２と銀−パラジウム合金層５との二層構成としてあるの
に対し、銀−パラジウム合金層５のみの一層構成とした
ものである。なお、負極は第１図のものと同一構成にし
てある。
第３図の実施例は、正極は第１図のものと同一構成に
なし、負極を従来の、ニッケル層２−銀層３の２層構成
にしてある。
なし、負極を従来の、ニッケル層２−銀層３の２層構成
にしてある。
第４図の実施例は、正極は第２図のものと同一構成に
なし、負極を第３図と同様の従来構成にしてある。
なし、負極を第３図と同様の従来構成にしてある。
第５図の実施例は、上記第１図〜第４図の実施例が正
特性磁器半導体１の形状をいずれも円板状に形成してい
るのに対し、リング状に形成したものであり、電極構成
は第１図のものと同一構成にしてある。
特性磁器半導体１の形状をいずれも円板状に形成してい
るのに対し、リング状に形成したものであり、電極構成
は第１図のものと同一構成にしてある。
次に、本発明の正特性磁器半導体の製造方法を第５図
のものに適用した例について説明する。
のものに適用した例について説明する。
通常の方法によって製造したチタン酸バリウム系のリ
ング状の正特性磁器半導体素体（焼成品）の両表面を砥
粒、例えば炭化硅素砥粒を用いて研摩し、洗浄し乾燥す
る。
ング状の正特性磁器半導体素体（焼成品）の両表面を砥
粒、例えば炭化硅素砥粒を用いて研摩し、洗浄し乾燥す
る。
次に、塩化パラジウムを含む活性化ペースト（日本カ
ニゼン株式会社製造のK146）を上記素体の両表面にスク
リーン印刷し、乾燥後400〜700℃で焼付ける。
ニゼン株式会社製造のK146）を上記素体の両表面にスク
リーン印刷し、乾燥後400〜700℃で焼付ける。
この焼付後、上記素体をNi−Ｐ系の無電解メッキ浴に
浸漬し、ニッケルメッキを行なう。その後、200〜450℃
の温度で焼付け、ニッケル層を素体の両端面に形成す
る。
浸漬し、ニッケルメッキを行なう。その後、200〜450℃
の温度で焼付け、ニッケル層を素体の両端面に形成す
る。
次に、この素体の両表面のニッケル層の上に平均粒径
１μｍ以下の銀および平均粒径800オングストロームの
パラジウムを含むペーストをスクリーン印刷し、600℃
で15分間焼付ける。その焼付けにより、銀とパラジウム
とは互いに全率固溶し、二元系合金となる。
１μｍ以下の銀および平均粒径800オングストロームの
パラジウムを含むペーストをスクリーン印刷し、600℃
で15分間焼付ける。その焼付けにより、銀とパラジウム
とは互いに全率固溶し、二元系合金となる。
なお、第１図〜第４図のものも上記の製造方法に準じ
て製造される。
て製造される。
さて、次に、上記製造方法に従って銀およびパラジウ
ムの割合を変えた試料を用意し、この試料の耐マイグレ
ーション性および界面抵抗を調査したので、その結果を
以下説明する。
ムの割合を変えた試料を用意し、この試料の耐マイグレ
ーション性および界面抵抗を調査したので、その結果を
以下説明する。
なお、試料は第５図のごとくリング状であり、外径3
5.0mm、内径25.0mm、厚さ2.5mmである。この素子を常温
で連続通電耐久試験にかけた。その条件は印加電圧14V
で20g/secの通風下で2000時間連続して行なった。
5.0mm、内径25.0mm、厚さ2.5mmである。この素子を常温
で連続通電耐久試験にかけた。その条件は印加電圧14V
で20g/secの通風下で2000時間連続して行なった。
結果を第６図に示す。この第６図において、マイグレ
ーション（mm）はマイグレーションの最大到達距離を示
している。また、界面抵抗（ΔＲ）は次式により求めた
ものである。
ーション（mm）はマイグレーションの最大到達距離を示
している。また、界面抵抗（ΔＲ）は次式により求めた
ものである。
ΔＲ＝（RNi−Ag/Pd−RNi）/RNi ここで、RNiは性、負電極をニッケル（300℃で２時間
焼付）とした正特性磁器半導体（形状、寸法は前記した
とおり）の抵抗値を示し、RNi−Ag/Pdは前記製造方法で
述べたごとく正、負電極がニッケル層と銀−パラジウム
合金層との二層より成る正特性磁器半導体の抵抗値を示
している。要するに、この界面抵抗（ΔＲ）は基準とな
るニッケル電極との抵抗値の差を比で表しているのであ
る。
焼付）とした正特性磁器半導体（形状、寸法は前記した
とおり）の抵抗値を示し、RNi−Ag/Pdは前記製造方法で
述べたごとく正、負電極がニッケル層と銀−パラジウム
合金層との二層より成る正特性磁器半導体の抵抗値を示
している。要するに、この界面抵抗（ΔＲ）は基準とな
るニッケル電極との抵抗値の差を比で表しているのであ
る。
ところで、第６図から理解されるごとく、パラジウム
の量が10wt％を境にしてマイグレーション現象の発生が
急激に変化しており、10wt％以上ではマイグレーション
現象は発生していない。
の量が10wt％を境にしてマイグレーション現象の発生が
急激に変化しており、10wt％以上ではマイグレーション
現象は発生していない。
従来のものはマイグレーション現象の最大到達距離は
約1.5mmであり、いかに性能の悪いことがわかる。
約1.5mmであり、いかに性能の悪いことがわかる。
一方、界面抵抗はパラジウムの量が約40％以上より徐
々に増加し、60％を越えると増加率が上昇してくる。
々に増加し、60％を越えると増加率が上昇してくる。
ところで、第６図における界面抵抗は正特性磁器半導
体の電極構成によってもたらされる値である。従って、
前記第１図のものは第５図のものに対し、形状が異なっ
ているだけであるから、前記式はそのまま使えるが、特
に第３図のものではその抵抗値を前記式のRNi−Ag/Pdの
代わりに入れればよい。
体の電極構成によってもたらされる値である。従って、
前記第１図のものは第５図のものに対し、形状が異なっ
ているだけであるから、前記式はそのまま使えるが、特
に第３図のものではその抵抗値を前記式のRNi−Ag/Pdの
代わりに入れればよい。
それ故、第３図のものは界面抵抗の特性曲線は第６図
のものと異なるが、界面抵抗から規制されるパラジウム
の使用範囲の上限である60wt％は第５図のものと共通し
ている。また、第２図、第４図に於いては、Ni電極がな
い非オーミック電極となっており、抵抗値は測定できな
いが、突入電流にて界面抵抗を求めると、同様に60％が
上限となる。
のものと異なるが、界面抵抗から規制されるパラジウム
の使用範囲の上限である60wt％は第５図のものと共通し
ている。また、第２図、第４図に於いては、Ni電極がな
い非オーミック電極となっており、抵抗値は測定できな
いが、突入電流にて界面抵抗を求めると、同様に60％が
上限となる。
なお、本発明の実施例の効果としては、パラジウムは
イオウ、塩素に対して耐久性がある点から、ガソリン中
での耐電極腐食に優れており、従って正特性磁器半導体
を電極の保護なしにガソリン中で露出状態で使用するこ
とができる。
イオウ、塩素に対して耐久性がある点から、ガソリン中
での耐電極腐食に優れており、従って正特性磁器半導体
を電極の保護なしにガソリン中で露出状態で使用するこ
とができる。
本発明は上述の実施例に限定されず、次のごとく種々
の変形が可能である。
の変形が可能である。
（１）銀およびパラジウムの他に、接着強度、はんだ付
け性等の向上のため、種々のフリット、ビスマス等の第
３成分が添加されていてもよい。
け性等の向上のため、種々のフリット、ビスマス等の第
３成分が添加されていてもよい。
（２）素体１のニッケル層の代わりにアルミニウム、青
銅等の、素体１に対しオーミック接触となる金属層を用
いてもよい。
銅等の、素体１に対しオーミック接触となる金属層を用
いてもよい。
（３）正特性磁器半導体素体の形状は上述の実施例のご
とく板状、リング状に限らず、多数の貫通孔を軸方向に
有したハニカム状であってもよく、形状は問わない。
とく板状、リング状に限らず、多数の貫通孔を軸方向に
有したハニカム状であってもよく、形状は問わない。
（４）一対の電極は正特性磁器半導体素体の対向する両
表面に形成する代わりに、該素体の一方の表面に互いに
離間して一対の電極を形成してもよい。
表面に形成する代わりに、該素体の一方の表面に互いに
離間して一対の電極を形成してもよい。
以上詳述したように本発明においては、粒径１μｍ以
下の銀40％wt〜90wt％、及びパラジウム60wt％〜10wt％
の組成より成るペーストを、正特性磁器半導体素体の表
面に焼付け形成して一対の電極としたから、銀とパラジ
ウムとは互いに全率固溶して二元系合金となるため、銀
が遊離することがなく、従ってこのような方法により形
成された電極によればマイグレーションを確実に防止で
きるという格別なる効果を奏する。
下の銀40％wt〜90wt％、及びパラジウム60wt％〜10wt％
の組成より成るペーストを、正特性磁器半導体素体の表
面に焼付け形成して一対の電極としたから、銀とパラジ
ウムとは互いに全率固溶して二元系合金となるため、銀
が遊離することがなく、従ってこのような方法により形
成された電極によればマイグレーションを確実に防止で
きるという格別なる効果を奏する。
第１図、第２図、第３図、第４図および第５図は本発明
の正特性磁器半導体の構造例を示す断面図、第６図は本
発明の作用効果の説明に供する特性図である。 １……正特性磁器半導体素体,5……銀−パラジウム合金
層。
の正特性磁器半導体の構造例を示す断面図、第６図は本
発明の作用効果の説明に供する特性図である。 １……正特性磁器半導体素体,5……銀−パラジウム合金
層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丹羽 準 刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電装株 式会社内 (72)発明者 三輪 直人 刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電装株 式会社内 (56)参考文献 特開 昭56−118323（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−78098（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】粒計１μｍ以下の銀40wt％〜90wt％、およ
びパラジウム60wt％〜10wt％の組成より成るペースト
を、正特性磁器半導体素体の表面に焼付け形成して正極
となる電極としたことを特徴とする正特性磁器半導体の
製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61042698A JP2555317B2 (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 正特性磁器半導体の製造方法 |
| CA000530415A CA1264871A (en) | 1986-02-27 | 1987-02-24 | Positive ceramic semiconductor device with silver/palladium alloy electrode |
| DE8787102734T DE3785946T2 (de) | 1986-02-27 | 1987-02-26 | Halbleiterbauelement aus positiver keramik. |
| EP87102734A EP0235749B1 (en) | 1986-02-27 | 1987-02-26 | Positive ceramic semiconductor device |
| US07/019,972 US4831432A (en) | 1986-02-27 | 1987-02-27 | Positive ceramic semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61042698A JP2555317B2 (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 正特性磁器半導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62199001A JPS62199001A (ja) | 1987-09-02 |
| JP2555317B2 true JP2555317B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=12643270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61042698A Expired - Fee Related JP2555317B2 (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 正特性磁器半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2555317B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7817176B2 (en) | 2005-12-26 | 2010-10-19 | Ricoh Company, Ltd. | Light source device, optical scanning device, and image forming apparatus |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04118901A (ja) * | 1990-09-10 | 1992-04-20 | Komatsu Ltd | 正特性サーミスタおよびその製造方法 |
| JPH098376A (ja) * | 1995-06-22 | 1997-01-10 | Nec Corp | 圧電トランス及びその製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5278098A (en) * | 1975-12-24 | 1977-07-01 | Hitachi Ltd | Conductive paste |
| JPS567376A (en) * | 1979-06-29 | 1981-01-26 | Nichicon Capacitor Ltd | Porcelain heater |
| JPS56118323A (en) * | 1980-02-21 | 1981-09-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing ceramic electronic part |
-
1986
- 1986-02-27 JP JP61042698A patent/JP2555317B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7817176B2 (en) | 2005-12-26 | 2010-10-19 | Ricoh Company, Ltd. | Light source device, optical scanning device, and image forming apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62199001A (ja) | 1987-09-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4831432A (en) | Positive ceramic semiconductor device | |
| JP4244466B2 (ja) | 導電性ペーストおよびそれを用いた半導体セラミック電子部品 | |
| JP2555317B2 (ja) | 正特性磁器半導体の製造方法 | |
| JPS62238602A (ja) | 正特性磁器半導体 | |
| JPS62230005A (ja) | 正特性磁器半導体 | |
| JP2504048B2 (ja) | 正特性磁器半導体 | |
| JPS62222601A (ja) | 正特性磁器半導体 | |
| JP3310010B2 (ja) | 正特性サーミスタ装置 | |
| JP3548586B2 (ja) | 正特性サーミスタ装置 | |
| JP2985527B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPS62235702A (ja) | 正特性磁器半導体 | |
| JPH03233805A (ja) | 電子部品の電極 | |
| JP3016560B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPH0729702A (ja) | 正特性サーミスタ | |
| JP2560495B2 (ja) | 酸化亜鉛電圧非直線抵抗素子の製造方法 | |
| JPH1022104A (ja) | 正特性サーミスタ | |
| JP3606467B2 (ja) | 積層形電圧非直線抵抗器の製造方法 | |
| JPH0677004A (ja) | 正特性サーミスタ装置 | |
| JPS6322444B2 (ja) | ||
| JPH07297008A (ja) | 正特性サーミスタおよびこれを用いたサーミスタ装置 | |
| JPH04105303A (ja) | 磁器半導体素子の電極形成方法 | |
| JPH0329163B2 (ja) | ||
| JPS60130801A (ja) | 正特性サ−ミスタ | |
| JPH0548333Y2 (ja) | ||
| JPH06151110A (ja) | 面実装用ｎｔｃサーミスタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |