JPH0677004A - 正特性サーミスタ装置 - Google Patents
正特性サーミスタ装置Info
- Publication number
- JPH0677004A JPH0677004A JP22753092A JP22753092A JPH0677004A JP H0677004 A JPH0677004 A JP H0677004A JP 22753092 A JP22753092 A JP 22753092A JP 22753092 A JP22753092 A JP 22753092A JP H0677004 A JPH0677004 A JP H0677004A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass frit
- temperature coefficient
- positive temperature
- electrode
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、ＰＴＣセラミック素子に対してオ
ーミック接触されると共に、耐湿性が向上された電極を
備えた正特性サーミスタ装置を提供することを目的とす
る。 【構成】ＰＴＣサーミスタ素子11の表面に、耐湿性を有
するアルミニウムペースト電極121 、122 を形成するこ
とによって正特性サーミスタ装置が構成される。この電
極121 、122 を構成するアルミニウムペーストの中に
は、アルミニウム粉末、ガラスフリット、溶剤およびバ
インダが含まれているもので、特にガラスフリットはホ
ウケイ酸鉛を主成分として構成され、固形分のうち７．
５〜４０ｗｔ％の範囲内で添加されている。
ーミック接触されると共に、耐湿性が向上された電極を
備えた正特性サーミスタ装置を提供することを目的とす
る。 【構成】ＰＴＣサーミスタ素子11の表面に、耐湿性を有
するアルミニウムペースト電極121 、122 を形成するこ
とによって正特性サーミスタ装置が構成される。この電
極121 、122 を構成するアルミニウムペーストの中に
は、アルミニウム粉末、ガラスフリット、溶剤およびバ
インダが含まれているもので、特にガラスフリットはホ
ウケイ酸鉛を主成分として構成され、固形分のうち７．
５〜４０ｗｔ％の範囲内で添加されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばインテークヒ
ータ、ハンドドライヤ、コルゲートヒータ等を構成する
ＰＴＣヒータに係るものであり、特に電極部の耐湿性が
改善されるようにした正特性サーミスタ装置に関する。
ータ、ハンドドライヤ、コルゲートヒータ等を構成する
ＰＴＣヒータに係るものであり、特に電極部の耐湿性が
改善されるようにした正特性サーミスタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＰＴＣサーミスタ素子に対しては、電源
を接続するために電極が接続設定されるもので、アルミ
ニウム材料を用いた電極を使用することが知られてい
る。このアルミニウム電極は、一般的に使用されるＮi
−Ａg 電極（Ｎi メッキ上にＡgペーストを印刷して構
成される）に比べて、一層のみの構成によって使用でき
るものであるためコスト上の効果が大きく、従来から広
く検討されている。
を接続するために電極が接続設定されるもので、アルミ
ニウム材料を用いた電極を使用することが知られてい
る。このアルミニウム電極は、一般的に使用されるＮi
−Ａg 電極（Ｎi メッキ上にＡgペーストを印刷して構
成される）に比べて、一層のみの構成によって使用でき
るものであるためコスト上の効果が大きく、従来から広
く検討されている。
【０００３】この様なアルミニウム電極は、ＰＴＣサー
ミスタ素子の表面にアルミニウム材料を溶射あるいはペ
ースト印刷等を施すことによって形成する方法が主に知
られているものであり、その他の手段は設備が大掛かり
になる等の問題を有する。
ミスタ素子の表面にアルミニウム材料を溶射あるいはペ
ースト印刷等を施すことによって形成する方法が主に知
られているものであり、その他の手段は設備が大掛かり
になる等の問題を有する。
【０００４】この様な電極形成方法の中で、溶射におい
てはセラミック材料に対する付着強度が弱く、また溶射
に伴うアルミニウムの粉塵の危険性を有する。これに対
してペースト印刷は、アルミニウム材料のみではＰＴＣ
セラミック材料とのオーミック接触を得ることが困難で
あり、このため例えば特開昭６０−７０２号に開示され
るようにアルミニウムにＺn またはＡg を添加すること
によってオーミック接触が得られるようにすることが考
えられている。
てはセラミック材料に対する付着強度が弱く、また溶射
に伴うアルミニウムの粉塵の危険性を有する。これに対
してペースト印刷は、アルミニウム材料のみではＰＴＣ
セラミック材料とのオーミック接触を得ることが困難で
あり、このため例えば特開昭６０−７０２号に開示され
るようにアルミニウムにＺn またはＡg を添加すること
によってオーミック接触が得られるようにすることが考
えられている。
【０００５】しかし、溶射あるいはペースト印刷によっ
て形成された電極にあっては、いずれにおいても耐湿性
が悪いものであり、この様な電極を備えたサーミスタ素
子を高湿度の環境下に放置すると、電極表面に水酸化ア
ルミニウム等の生成物を生じて、端子部との電気的な導
通状態が阻害されるようになり、また電極とセラミック
素子の界面のオーミック接触が破壊されて素子抵抗が増
大するようになって、特に露出状態のままで高湿度雰囲
気中で使用することが困難であった。
て形成された電極にあっては、いずれにおいても耐湿性
が悪いものであり、この様な電極を備えたサーミスタ素
子を高湿度の環境下に放置すると、電極表面に水酸化ア
ルミニウム等の生成物を生じて、端子部との電気的な導
通状態が阻害されるようになり、また電極とセラミック
素子の界面のオーミック接触が破壊されて素子抵抗が増
大するようになって、特に露出状態のままで高湿度雰囲
気中で使用することが困難であった。
【０００６】この様な問題点を有するものであるため、
アルミニウム電極を使用する場合には、例えば特開昭５
８−７８０３号公報で示されるようにアルミニウム電極
の本体部の表面を第２層電極でカバーすることが考えら
れている。あるいは、シール材等によってアルミニウム
電極を密封する構造とすることが必要となる。したがっ
て、この様な構造としたのでは製造工程が繁雑化するの
みならず、生産効率が悪いものである。
アルミニウム電極を使用する場合には、例えば特開昭５
８−７８０３号公報で示されるようにアルミニウム電極
の本体部の表面を第２層電極でカバーすることが考えら
れている。あるいは、シール材等によってアルミニウム
電極を密封する構造とすることが必要となる。したがっ
て、この様な構造としたのでは製造工程が繁雑化するの
みならず、生産効率が悪いものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この発明は上記のよう
な点に鑑みなされたもので、生産性が効果的に向上され
て製造コストの軽減化が図れると共に、ＰＴＣセラミッ
ク素子との間のオーミック接触が効果的に得られるよう
にした電極を備えた正特性サーミスタ装置を提供しよう
とするものである。
な点に鑑みなされたもので、生産性が効果的に向上され
て製造コストの軽減化が図れると共に、ＰＴＣセラミッ
ク素子との間のオーミック接触が効果的に得られるよう
にした電極を備えた正特性サーミスタ装置を提供しよう
とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る正特性サ
ーミスタ装置は、ホウケイ酸鉛を主成分とするガラスフ
リットを添加したアルミニウムペーストによってオーミ
ック電極を形成するようにしたものであり、例えばガラ
スフリットは固形分のうち７．５〜４０ｗｔ％添加され
るようにしたものである。
ーミスタ装置は、ホウケイ酸鉛を主成分とするガラスフ
リットを添加したアルミニウムペーストによってオーミ
ック電極を形成するようにしたものであり、例えばガラ
スフリットは固形分のうち７．５〜４０ｗｔ％添加され
るようにしたものである。
【０００９】
【作用】ホウケイ酸鉛を主成分とするガラスフリット
は、他のガラスフリットに比較してアルミニウム粒子お
よびＰＴＣセラミックとの密着性が良好であり、またア
ルミニウムの粒子同志およびアルミニウムとＰＴＣセラ
ミック素子との結合状態を向上させる効果を有する。こ
のため、この様に構成されたアルミニウム電極表面の抵
抗が低くなり、またオーミック性も良好となる。また、
このホウケイ酸鉛を主成分とするガラスフリットの添加
量をある程度増加させることにより、このガラスフリッ
トが水分に対する保護層を形成するようになって、耐湿
性が効果的に向上される。
は、他のガラスフリットに比較してアルミニウム粒子お
よびＰＴＣセラミックとの密着性が良好であり、またア
ルミニウムの粒子同志およびアルミニウムとＰＴＣセラ
ミック素子との結合状態を向上させる効果を有する。こ
のため、この様に構成されたアルミニウム電極表面の抵
抗が低くなり、またオーミック性も良好となる。また、
このホウケイ酸鉛を主成分とするガラスフリットの添加
量をある程度増加させることにより、このガラスフリッ
トが水分に対する保護層を形成するようになって、耐湿
性が効果的に向上される。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の一実施例を説明する。図１
で示すようにＰＴＣサーミスタ素子11の表面に、耐湿性
を有するアルミニウムペースト電極121 、122 を形成す
ることによって正特性サーミスタ装置が構成される。
で示すようにＰＴＣサーミスタ素子11の表面に、耐湿性
を有するアルミニウムペースト電極121 、122 を形成す
ることによって正特性サーミスタ装置が構成される。
【００１１】ここで、この電極121 、122 を構成するア
ルミニウムペーストの中には、アルミニウム粉末、ガラ
スフリット、溶剤およびバインダが含まれているもの
で、特にガラスフリットはホウケイ酸鉛を主成分として
構成され、固形分のうち７．５〜４０ｗｔ％の範囲内で
添加されている。
ルミニウムペーストの中には、アルミニウム粉末、ガラ
スフリット、溶剤およびバインダが含まれているもの
で、特にガラスフリットはホウケイ酸鉛を主成分として
構成され、固形分のうち７．５〜４０ｗｔ％の範囲内で
添加されている。
【００１２】図２の（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれガ
ラスフリット添加量に対する電極の表面抵抗の状態、お
よび湿中に放置した場合の素子抵抗の変化率の状態を示
している。
ラスフリット添加量に対する電極の表面抵抗の状態、お
よび湿中に放置した場合の素子抵抗の変化率の状態を示
している。
【００１３】ホウケイ酸鉛系のガラスフリットは、他の
ガラスフリットに比較してアルミニウム粒子とＰＴＣセ
ラミックとの密着性が良好であり、またアルミニウムの
粒子同志およびアルミニウムとＰＴＣセラミック材料と
の結合させる効果を有するものであるため、電極表面抵
抗が低くなると共にオーミック性も良好となる。耐湿性
について考えてみると、通常のこの種電極におけるガラ
スフリットの添加量が５ｗｔ％程度であるのに対して、
ホウケイ酸鉛を主成分とするガラスフリットが７．５ｗ
ｔ％以上とされるように添加量が増加されているもので
あり、したがってガラスフリットが水分に対する保護層
の役目を果たすようになる。このため、耐湿性が大幅に
向上される。
ガラスフリットに比較してアルミニウム粒子とＰＴＣセ
ラミックとの密着性が良好であり、またアルミニウムの
粒子同志およびアルミニウムとＰＴＣセラミック材料と
の結合させる効果を有するものであるため、電極表面抵
抗が低くなると共にオーミック性も良好となる。耐湿性
について考えてみると、通常のこの種電極におけるガラ
スフリットの添加量が５ｗｔ％程度であるのに対して、
ホウケイ酸鉛を主成分とするガラスフリットが７．５ｗ
ｔ％以上とされるように添加量が増加されているもので
あり、したがってガラスフリットが水分に対する保護層
の役目を果たすようになる。このため、耐湿性が大幅に
向上される。
【００１４】なお、ホウケイ酸鉛を主成分とするガラス
フリット以外の他のガラスフリットの添加量を増加させ
るようにしても、耐湿性は改善されない。その理由はア
ルミニウム粒子およびＰＴＣセラミックとの密着性が弱
いためと思われる。
フリット以外の他のガラスフリットの添加量を増加させ
るようにしても、耐湿性は改善されない。その理由はア
ルミニウム粒子およびＰＴＣセラミックとの密着性が弱
いためと思われる。
【００１５】またホウケイ酸鉛を主成分とするガラスフ
リットも過剰に添加するようにすると、このガラスフリ
ット自体は絶縁体であるため、電極表面抵抗が必然的に
増大し、通電によって素子割れや電極損傷が発生するよ
うになり、その添加量は４０ｗｔ％以下にすることが望
ましい。
リットも過剰に添加するようにすると、このガラスフリ
ット自体は絶縁体であるため、電極表面抵抗が必然的に
増大し、通電によって素子割れや電極損傷が発生するよ
うになり、その添加量は４０ｗｔ％以下にすることが望
ましい。
【００１６】［実施例１］アルミニウム（Ａl ）粉末７
５ｇに対して、ホウケイ酸鉛をガラスフリットとして２
５ｇ（固形分の２５ｗｔ％）添加し、これに対してバイ
ンダ（エチルセルロース、ＰＶＡ等）と、溶剤（ｎ−ブ
チルカルビトールアセテート等）を加えて混合し、これ
をよく練ってペースト状にする。そしてこのペーストを
横２５mm、縦２５mm、厚さ３mmのＰＴＣセラミック素子
11の両面に図１で示したように印刷し、１５０℃で乾燥
後、７００〜９００℃にて約２０分間保持して焼き付
け、電極121 、122 とした。このようにして作成された
ＰＴＣサーミスタ装置のオーミック性、表面抵抗、耐湿
性は全て良好であった。
５ｇに対して、ホウケイ酸鉛をガラスフリットとして２
５ｇ（固形分の２５ｗｔ％）添加し、これに対してバイ
ンダ（エチルセルロース、ＰＶＡ等）と、溶剤（ｎ−ブ
チルカルビトールアセテート等）を加えて混合し、これ
をよく練ってペースト状にする。そしてこのペーストを
横２５mm、縦２５mm、厚さ３mmのＰＴＣセラミック素子
11の両面に図１で示したように印刷し、１５０℃で乾燥
後、７００〜９００℃にて約２０分間保持して焼き付
け、電極121 、122 とした。このようにして作成された
ＰＴＣサーミスタ装置のオーミック性、表面抵抗、耐湿
性は全て良好であった。
【００１７】ここで表面抵抗は、幅２０mmで２端子法で
測定した。また実験上、表面抵抗が０．１Ωを越える
と、通電による素子割れや電極損傷が発生することが確
認されている。さらに耐湿性は、８０℃９５％ＲＨ中で
１０００時間放置後の素子抵抗変化率で評価した（規格
は±２０％以下）。
測定した。また実験上、表面抵抗が０．１Ωを越える
と、通電による素子割れや電極損傷が発生することが確
認されている。さらに耐湿性は、８０℃９５％ＲＨ中で
１０００時間放置後の素子抵抗変化率で評価した（規格
は±２０％以下）。
【００１８】表１は他の実施例と共に比較例の評価結果
を示すもので、 実施例２〜６ ホウケイ酸鉛７．５〜４０ｗｔ％ 実施例１４、１５ ホウケイ酸鉛ガラスフリット １４＋Ｚn １５＋Ｂi 比較例１〜５ 他のガラスフリット 比較例６、７ ホウケイ酸鉛ガラスフリットの添加
量が実施例２〜６の範囲を外れた場合。
を示すもので、 実施例２〜６ ホウケイ酸鉛７．５〜４０ｗｔ％ 実施例１４、１５ ホウケイ酸鉛ガラスフリット １４＋Ｚn １５＋Ｂi 比較例１〜５ 他のガラスフリット 比較例６、７ ホウケイ酸鉛ガラスフリットの添加
量が実施例２〜６の範囲を外れた場合。
【００１９】
【表１】
【００２０】
【発明の効果】以上のようにこの発明に係る正特性セラ
ミック装置によれば、ＰＴＣセラミック素子の表面に形
成されるアルミニウムペースト電極において、セラミッ
ク素子と効果的にオーミック接触するように構成される
と共に、耐湿性が大幅に向上されるものであり、したが
って高湿度の雰囲気において使用される機器に対して充
分な信頼性をもって適用することができる。
ミック装置によれば、ＰＴＣセラミック素子の表面に形
成されるアルミニウムペースト電極において、セラミッ
ク素子と効果的にオーミック接触するように構成される
と共に、耐湿性が大幅に向上されるものであり、したが
って高湿度の雰囲気において使用される機器に対して充
分な信頼性をもって適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例に係る正特性サーミスタを
説明する断面図。
説明する断面図。
【図２】（Ａ）および（Ｂ）はそれぞれガラスフリット
添加量に対する表面抵抗および湿中の素子抵抗変化率の
状態を示す図。
添加量に対する表面抵抗および湿中の素子抵抗変化率の
状態を示す図。
11…ＰＴＣセラミック素子、121 、122 …アルミニウム
ペースト電極。
ペースト電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奈良 昭夫 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 ホウケイ酸鉛を主成分とするガラスフリ
ットを添加したアルミニウムペーストによってオーミッ
ク電極を形成するようにしたことを特徴とする正特性サ
ーミスタ装置。 - 【請求項２】 前記ホウケイ酸鉛を主成分とするガラス
フリットは、固形分のうち７．５〜４０ｗｔ％添加され
るようにした請求項１の正特性サーミスタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22753092A JPH0677004A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 正特性サーミスタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22753092A JPH0677004A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 正特性サーミスタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677004A true JPH0677004A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16862353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22753092A Pending JPH0677004A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 正特性サーミスタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677004A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8329066B2 (en) | 2008-07-07 | 2012-12-11 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Paste containing aluminum for preparing PDP electrode, method of preparing the PDP electrode using the paste and PDP electrode prepared using the method |
| US8436537B2 (en) | 2008-07-07 | 2013-05-07 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Substrate structure for plasma display panel, method of manufacturing the substrate structure, and plasma display panel including the substrate structure |
| KR20210016637A (ko) | 2018-08-21 | 2021-02-16 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 전자 부품 및 전자 부품의 제조 방법 |
-
1992
- 1992-08-26 JP JP22753092A patent/JPH0677004A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8329066B2 (en) | 2008-07-07 | 2012-12-11 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Paste containing aluminum for preparing PDP electrode, method of preparing the PDP electrode using the paste and PDP electrode prepared using the method |
| US8436537B2 (en) | 2008-07-07 | 2013-05-07 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Substrate structure for plasma display panel, method of manufacturing the substrate structure, and plasma display panel including the substrate structure |
| KR20210016637A (ko) | 2018-08-21 | 2021-02-16 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 전자 부품 및 전자 부품의 제조 방법 |
| US11396164B2 (en) | 2018-08-21 | 2022-07-26 | Mitsubishi Materials Corporation | Electronic component and method of manufacturing electronic component |
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