JP2560872B2 - 正特性サーミスタの製造方法 - Google Patents
正特性サーミスタの製造方法Info
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- JP2560872B2 JP2560872B2 JP2043640A JP4364090A JP2560872B2 JP 2560872 B2 JP2560872 B2 JP 2560872B2 JP 2043640 A JP2043640 A JP 2043640A JP 4364090 A JP4364090 A JP 4364090A JP 2560872 B2 JP2560872 B2 JP 2560872B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ヒータ回路、過電流保護回路等に利用され
る正特性サーミスタの製造方法に関する。
る正特性サーミスタの製造方法に関する。
［従来の技術と課題］ 従来、正特性サーミスタとしては、第12図、第13図に
示すものが知られていた。まず、第12図に示す正特性サ
ーミスタは、素体20の上下面にAg−Zn,Ag−Sb等からな
るオーム接触のAgを主成分とする電極21,22が形成され
ている。また、第13図に示す正特性サーミスタは、素体
30の上下面に２層構造の電極31,32が形成されている。
電極31は素体30表面に形成された下地電極31aとその表
面に形成されたAg電極31bとから構成されている。同様
に電極32は下地電極32aとAg電極32bとから構成されてい
る。電極21,22及び31b,32bにAg材を使用する理由は、リ
ード端子等を半田付けし易く、オーム接触の特性が優れ
ていること等の利点があるからである。
示すものが知られていた。まず、第12図に示す正特性サ
ーミスタは、素体20の上下面にAg−Zn,Ag−Sb等からな
るオーム接触のAgを主成分とする電極21,22が形成され
ている。また、第13図に示す正特性サーミスタは、素体
30の上下面に２層構造の電極31,32が形成されている。
電極31は素体30表面に形成された下地電極31aとその表
面に形成されたAg電極31bとから構成されている。同様
に電極32は下地電極32aとAg電極32bとから構成されてい
る。電極21,22及び31b,32bにAg材を使用する理由は、リ
ード端子等を半田付けし易く、オーム接触の特性が優れ
ていること等の利点があるからである。
しかし、電極としてAg材を使用すると、外気の水分や
水分に溶けた塩素イオン等により電極を構成する一部の
Agがイオン化してマイグレーションを起こす場合があっ
た。即ち、素体20,30はセラミックスからなり、その表
面は微小電位差を持ち、電極21,22及び31,32を構成する
一部のイオン化したAgがその電位差により、素体20,30
の表面に沿って高電位側から低電位側に移動して、最悪
の場合は近接電極間がショートするおそれがあった。
水分に溶けた塩素イオン等により電極を構成する一部の
Agがイオン化してマイグレーションを起こす場合があっ
た。即ち、素体20,30はセラミックスからなり、その表
面は微小電位差を持ち、電極21,22及び31,32を構成する
一部のイオン化したAgがその電位差により、素体20,30
の表面に沿って高電位側から低電位側に移動して、最悪
の場合は近接電極間がショートするおそれがあった。
また、素体20,30や電極21,22及び31,32が外界に露出
しているため、製造中あるいは搬送中に機械的衝撃が素
体20,30等に直接加わって、素体20,30の角部に割れや欠
けが生じて商品価値を喪失したり、電極21,22及び31,32
が剥がれて電圧印加の際にスパークを起こして電気的信
頼性を低下させたりするおそれもあった。
しているため、製造中あるいは搬送中に機械的衝撃が素
体20,30等に直接加わって、素体20,30の角部に割れや欠
けが生じて商品価値を喪失したり、電極21,22及び31,32
が剥がれて電圧印加の際にスパークを起こして電気的信
頼性を低下させたりするおそれもあった。
さらに、素体20,30の周側面が露出しているため、素
体20,30そのものが多孔質であることと相俟って、塩素
ガスやハロゲンガス等の周側面から素体20,30内へ入り
込み、素体20,30を劣化させてしまう場合がある。この
とき、素体20,30の信頼性が低下し、破壊してしまうこ
とがあった。
体20,30そのものが多孔質であることと相俟って、塩素
ガスやハロゲンガス等の周側面から素体20,30内へ入り
込み、素体20,30を劣化させてしまう場合がある。この
とき、素体20,30の信頼性が低下し、破壊してしまうこ
とがあった。
そこで、本発明の課題は、Agのマイグレーションがな
く、電気的信頼性の優れた電極を備え、外界からの機械
的衝撃に対して割れや欠け等が少なく、周囲のガス等に
対して安定な、高信頼性の正特性サーミスタの製造方法
を提供することにある。
く、電気的信頼性の優れた電極を備え、外界からの機械
的衝撃に対して割れや欠け等が少なく、周囲のガス等に
対して安定な、高信頼性の正特性サーミスタの製造方法
を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 以上の課題を解決するため、本発明に係る正特性サー
ミスタの製造方法は、正特性サーミスタ素体全面にガラ
ス材を付着させる工程と、Ag膜を前記ガラス材の表面に
形成する工程と、熱処理により前記Ag膜近傍のガラス材
をAg膜に拡散させてAgを主成分とする電極を前記素体と
接合するように形成すると共に、残りのガラス材を前記
Agを主成分とする電極形成部分を残して前記素体を被覆
するガラスコーティング膜にする工程とを備えたことを
特徴とする。
ミスタの製造方法は、正特性サーミスタ素体全面にガラ
ス材を付着させる工程と、Ag膜を前記ガラス材の表面に
形成する工程と、熱処理により前記Ag膜近傍のガラス材
をAg膜に拡散させてAgを主成分とする電極を前記素体と
接合するように形成すると共に、残りのガラス材を前記
Agを主成分とする電極形成部分を残して前記素体を被覆
するガラスコーティング膜にする工程とを備えたことを
特徴とする。
また、本発明に係る正特性サーミスタの製造方法は、
下地電極を形成した正特性サーミスタ素体全面にガラス
材を付着させる工程と、Ag膜を前記ガラス材の表面に形
成する工程と、熱処理により前記Ag膜近傍のガラス材を
Ag膜に拡散させてAgを主成分とする電極を前記下地電極
と接合するように形成すると共に、残りのガラス材を前
記Agを主成分とする電極形成部分を残して前記素体を被
覆するガラスコーティング膜にする工程とを備えたこと
を特徴とする。
下地電極を形成した正特性サーミスタ素体全面にガラス
材を付着させる工程と、Ag膜を前記ガラス材の表面に形
成する工程と、熱処理により前記Ag膜近傍のガラス材を
Ag膜に拡散させてAgを主成分とする電極を前記下地電極
と接合するように形成すると共に、残りのガラス材を前
記Agを主成分とする電極形成部分を残して前記素体を被
覆するガラスコーティング膜にする工程とを備えたこと
を特徴とする。
［作用］ 以上の方法によって、Agを主成分とする電極間の素体
表面に絶縁性のガラスコーティング膜が設けられるた
め、素体表面に微小電位差があってもイオン化したAgは
ガラスコーティング膜によってその移動を阻止される。
ガラスコーティング膜と素体とは密着するためのガラス
コーティング膜と素体との界面に沿ってAgが移動するこ
ともない。
表面に絶縁性のガラスコーティング膜が設けられるた
め、素体表面に微小電位差があってもイオン化したAgは
ガラスコーティング膜によってその移動を阻止される。
ガラスコーティング膜と素体とは密着するためのガラス
コーティング膜と素体との界面に沿ってAgが移動するこ
ともない。
また、正特性サーミスタはAgを主成分とする電極形成
部分を残してガラスコーティング膜で覆われるため、外
界からの機械的衝撃が素体等に直接加わらず、ガスの影
響を直接受けることがない。
部分を残してガラスコーティング膜で覆われるため、外
界からの機械的衝撃が素体等に直接加わらず、ガスの影
響を直接受けることがない。
［実施例］ 以下、本発明に係る正特性サーミスタの製造方法の実
施例を添付図面を参照して説明する。
施例を添付図面を参照して説明する。
（第１実施例、第１図〜第４図） 第１図は、正特性サーミスタの素体１を示す垂直断面
図である。素体１は矩形板状の構造を有し、BaTiO3等の
セラミックス材料からできている。
図である。素体１は矩形板状の構造を有し、BaTiO3等の
セラミックス材料からできている。
まず、第２図に示すように、この素体１全面にバレル
法あるいは吹き付け法等の手段によりビスマス系のガラ
ス材３を薄く付着させる。さらに、このガラス材３の表
面にAg膜4,5を印刷等の手段によって形成する（第３図
参照）。Ag膜4,5にはAgをペースト状にした材料が使用
され、その膜厚は、例えば２〜６μｍ程度とする。
法あるいは吹き付け法等の手段によりビスマス系のガラ
ス材３を薄く付着させる。さらに、このガラス材３の表
面にAg膜4,5を印刷等の手段によって形成する（第３図
参照）。Ag膜4,5にはAgをペースト状にした材料が使用
され、その膜厚は、例えば２〜６μｍ程度とする。
次に、素体１は約500℃の温度で30分間焼付け処理が
行なわれる。このとき、Ag膜4,5近傍のガラス材３がAg
膜4,5に拡散して、Ag膜4,5はAgを主成分とする電極4a,5
aになる（第４図参照）。このAgを主成分とする電極4a,
5aは素体１に強固に接合する。また、残りの部分のガラ
ス材３は素体１の周端面や周側面にガラスコーティング
膜3aを形成する。このガラスコーティング膜3aは絶縁性
を有し、素体１に強固に密着している。この後、電極4
a,5aにリード端子等を半田付けして製品とする。
行なわれる。このとき、Ag膜4,5近傍のガラス材３がAg
膜4,5に拡散して、Ag膜4,5はAgを主成分とする電極4a,5
aになる（第４図参照）。このAgを主成分とする電極4a,
5aは素体１に強固に接合する。また、残りの部分のガラ
ス材３は素体１の周端面や周側面にガラスコーティング
膜3aを形成する。このガラスコーティング膜3aは絶縁性
を有し、素体１に強固に密着している。この後、電極4
a,5aにリード端子等を半田付けして製品とする。
（第２実施例、第５図〜第10図） この第２実施例において、第１実施例と同様の構成部
分については同じ符号を付与した。まず、第５図は、正
特性サーミスタの素体１を示す垂直断面図である。素体
１は矩形板状の構造を有し、BaTiO3等のセラミックス材
料からできている。
分については同じ符号を付与した。まず、第５図は、正
特性サーミスタの素体１を示す垂直断面図である。素体
１は矩形板状の構造を有し、BaTiO3等のセラミックス材
料からできている。
まず、無電解めっき等の手段により、素体１の全面に
Ni膜２を形成する（第６図参照）。経済性と信頼性の両
方の観点からNi膜２の厚さは約１μｍ程度にするのが好
ましい。
Ni膜２を形成する（第６図参照）。経済性と信頼性の両
方の観点からNi膜２の厚さは約１μｍ程度にするのが好
ましい。
素体１の全面に形成したNi膜２は、化学エッチング、
研磨あるいはブラスト等の方法を用いて不要な部分、本
実施例の場合は素体１の周側面部分のNi膜が除去され
る。素体１の上下面に残ったNi膜は下地電極2a,2bとな
る（第７図参照）。
研磨あるいはブラスト等の方法を用いて不要な部分、本
実施例の場合は素体１の周側面部分のNi膜が除去され
る。素体１の上下面に残ったNi膜は下地電極2a,2bとな
る（第７図参照）。
次に、第８図に示すように、この素体１全面にバレル
法あるいは吹き付け法等の手段によりビスマス系のガラ
ス材３を薄く付着させる。さらに、このガラス材３の表
面で、下地電極2a,2bと重なる部分にAg膜4,5を印刷等の
手段によって形成する（第９図参照）。Ag膜4,5にはAg
をペースト状にした材料が使用され、その膜厚は、例え
ば２〜６μｍ程度とする。
法あるいは吹き付け法等の手段によりビスマス系のガラ
ス材３を薄く付着させる。さらに、このガラス材３の表
面で、下地電極2a,2bと重なる部分にAg膜4,5を印刷等の
手段によって形成する（第９図参照）。Ag膜4,5にはAg
をペースト状にした材料が使用され、その膜厚は、例え
ば２〜６μｍ程度とする。
次に、素体１は約500℃の温度で30分間焼付け処理が
行なわれる。このとき、Ag膜4,5近傍のガラス材３がAg
膜4,5に拡散して、Ag膜4,5はAgを主成分とする電極4a,5
aになる（第10図参照）。このAgを主成分とする電極4a,
5aは下地電極2a,2bに強固に接合する。また、残りの部
分のガラス材３は下地電極2a,2bの一部や素体１の周側
面にビスマス系のガラスコーティング膜3aを形成する。
このガラスコーティング膜3aは絶縁性を有し、素体１に
強固に密着している。この後、電極4a,5aにリード端子
等を半田付けして製品とする。
行なわれる。このとき、Ag膜4,5近傍のガラス材３がAg
膜4,5に拡散して、Ag膜4,5はAgを主成分とする電極4a,5
aになる（第10図参照）。このAgを主成分とする電極4a,
5aは下地電極2a,2bに強固に接合する。また、残りの部
分のガラス材３は下地電極2a,2bの一部や素体１の周側
面にビスマス系のガラスコーティング膜3aを形成する。
このガラスコーティング膜3aは絶縁性を有し、素体１に
強固に密着している。この後、電極4a,5aにリード端子
等を半田付けして製品とする。
第１実施例及び第２実施例で得られた正特性サーミス
タにおいて、電極4a,5aを構成している一部のAgが雰囲
気中の水分や水分に溶け込んだ塩素イオンによってイオ
ン化しても、電極4aと5a間に形成された絶縁性のコーテ
ィング膜3aがイオン化したAgの移動を阻止する。しかも
ガラスコーティング膜3aと素体１の端面とは強固に密着
しているため、ガラスコーティング膜3aと素体１の端面
との界面６に沿ってイオン化したAgが移動することもな
い。また、ガラスコーティング膜3aが電極4a,5a形成部
分を残して素体１を被覆しているため、外界からの機械
的衝撃が素体１等に直接加わらず、素体１の角部に割れ
や欠けが生じたり、下地電極2a,2bが剥がれたりするお
それがなくなる。さらに、ガラスコーティング膜3aによ
り素体１が直接外気に触れることがなく、周囲の雰囲気
に含まれている有害なガスにより特性が影響を受けるこ
とがない。
タにおいて、電極4a,5aを構成している一部のAgが雰囲
気中の水分や水分に溶け込んだ塩素イオンによってイオ
ン化しても、電極4aと5a間に形成された絶縁性のコーテ
ィング膜3aがイオン化したAgの移動を阻止する。しかも
ガラスコーティング膜3aと素体１の端面とは強固に密着
しているため、ガラスコーティング膜3aと素体１の端面
との界面６に沿ってイオン化したAgが移動することもな
い。また、ガラスコーティング膜3aが電極4a,5a形成部
分を残して素体１を被覆しているため、外界からの機械
的衝撃が素体１等に直接加わらず、素体１の角部に割れ
や欠けが生じたり、下地電極2a,2bが剥がれたりするお
それがなくなる。さらに、ガラスコーティング膜3aによ
り素体１が直接外気に触れることがなく、周囲の雰囲気
に含まれている有害なガスにより特性が影響を受けるこ
とがない。
Agを主成分とする電極4a,5aはリード端子等を取り付
けるための接続用電極としての機能を有しているが、本
実施例の製造方法で得られる電極4a,5aは、素体１ある
いは下地電極2a,2bとの密着力が大きく、接続信頼性の
高い電極を備えた正特性サーミスタが得られる。
けるための接続用電極としての機能を有しているが、本
実施例の製造方法で得られる電極4a,5aは、素体１ある
いは下地電極2a,2bとの密着力が大きく、接続信頼性の
高い電極を備えた正特性サーミスタが得られる。
（第３実施例、第11図） 第11図に示す正特性サーミスタは素体９の上面にギャ
ップを有する２個のAgを主成分とする電極13,14を備え
たものである。素体９の上面左右には、ギャップを有し
て下地電極10,11が並設され、その上に電極13,14が形成
されている。さらに、電極13,14を残して、ビスマス系
のガラスコーティング膜12が下地電極10,11の一部や素
体９の表面に形成されている。この正特性サーミスタの
電極13,14を構成する一部のAgがイオン化しても、電極1
3と14との間に形成されている絶縁性のガラスコーティ
ング膜12があるためAgの移動が阻止される。
ップを有する２個のAgを主成分とする電極13,14を備え
たものである。素体９の上面左右には、ギャップを有し
て下地電極10,11が並設され、その上に電極13,14が形成
されている。さらに、電極13,14を残して、ビスマス系
のガラスコーティング膜12が下地電極10,11の一部や素
体９の表面に形成されている。この正特性サーミスタの
電極13,14を構成する一部のAgがイオン化しても、電極1
3と14との間に形成されている絶縁性のガラスコーティ
ング膜12があるためAgの移動が阻止される。
なお、第11図に示した正特性サーミスタを、第１実施
例に示した構成に変更しても同様の効果が得られる。
例に示した構成に変更しても同様の効果が得られる。
（他の実施例） なお、本発明に係る正特性サーミスタの製造方法は前
記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で
種々に変形することができる。
記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で
種々に変形することができる。
素体１はその使用目的に応じて円板状、円筒状、球状
等種々の構造に作られる。
等種々の構造に作られる。
また、Ag膜４の材料としては、Al,Ga等を添加してい
るAg合金材料であってもよい。
るAg合金材料であってもよい。
さらに、ガラスコーティング膜としてビスマス系ガラ
スを用いたものを示したが、特にこれに限定されるもの
ではなく、その他の絶縁性のガラスを用いることができ
る。
スを用いたものを示したが、特にこれに限定されるもの
ではなく、その他の絶縁性のガラスを用いることができ
る。
［発明の効果］ 以上のように本発明によれば、Agを主成分とする電極
間の素体表面に絶縁性のガラスコーティング膜が強固に
密着するため、たとえ電極の一部を構成するAgがイオン
化していても、ガラスコーティング膜によってその移動
は阻止されるので、マイグレーションのない正特性サー
ミスタが得られる。
間の素体表面に絶縁性のガラスコーティング膜が強固に
密着するため、たとえ電極の一部を構成するAgがイオン
化していても、ガラスコーティング膜によってその移動
は阻止されるので、マイグレーションのない正特性サー
ミスタが得られる。
また、このコーティング膜はAgを主成分とする電極形
成部分を残して正特性サーミスタを被覆するため、外界
からの機械的衝撃が素体等に直接加わらないので、素体
の角部に割れや欠けが発生しにくく、また下地電極も剥
がれにくいものが得られる。さらに、Agを主成分とする
電極にリード端子等を半田付けする場合、素体がガラス
コーティング膜により保護されているので、フラックス
等が素体に悪影響を与える心配がなくなる。しかも、素
体はガラスコーティング膜によって完全に外界から遮蔽
されているので耐環境特性が優れた正特性サーミスタが
得られる。
成部分を残して正特性サーミスタを被覆するため、外界
からの機械的衝撃が素体等に直接加わらないので、素体
の角部に割れや欠けが発生しにくく、また下地電極も剥
がれにくいものが得られる。さらに、Agを主成分とする
電極にリード端子等を半田付けする場合、素体がガラス
コーティング膜により保護されているので、フラックス
等が素体に悪影響を与える心配がなくなる。しかも、素
体はガラスコーティング膜によって完全に外界から遮蔽
されているので耐環境特性が優れた正特性サーミスタが
得られる。
さらに、素体とAgを主成分とする電極、あるいはAgを
主成分とする電極と下地電極との接合が強固であるた
め、リード端子等をAgを主成分とする電極に半田付けす
れば接続信頼性の高いリード端子等を有する正特性サー
ミスタとなる。
主成分とする電極と下地電極との接合が強固であるた
め、リード端子等をAgを主成分とする電極に半田付けす
れば接続信頼性の高いリード端子等を有する正特性サー
ミスタとなる。
さらに、本発明に係る正特性サーミスタの製造方法
は、従来の製造工程にガラスコーティング膜を形成する
工程を追加するだけでよく、既存の設備に若干の改良を
加えるだけでよい等の利点がある。
は、従来の製造工程にガラスコーティング膜を形成する
工程を追加するだけでよく、既存の設備に若干の改良を
加えるだけでよい等の利点がある。
第１図ないし第４図は本発明に係る正特性サーミスタの
製造方法の第１実施例を示すもので、第１図は素体を示
す垂直断面図、第２図、第３図、第４図はガラスコーテ
ィング膜とAg電極形成工程を説明する垂直断面図であ
る。第５図ないし第10図は本発明に係る正特性サーミス
タの製造方法の第２実施例を示すもので、第５図は素体
を示す垂直断面図、第６図及び第７図は下地電極形成工
程を説明する垂直断面図、第８図、第９図、第10図はガ
ラスコーティング膜とAg電極形成工程を説明する垂直断
面図である。第11図は本発明に係る正特性サーミスタの
製造方法の第３実施例を示す垂直断面図である。第12図
及び第13図は従来の正特性サーミスタを示す垂直断面図
である。 １…素体、2a,2b…下地電極、３…ビスマス系ガラス
材、3a…ビスマス系ガラスコーティング膜、4,5…Ag
膜、4a,5a…Agを主成分とする電極、９…素体、10,11…
下地電極、12…ビスマス系ガラスコーティング膜、13,1
4…Agを主成分とする電極。
製造方法の第１実施例を示すもので、第１図は素体を示
す垂直断面図、第２図、第３図、第４図はガラスコーテ
ィング膜とAg電極形成工程を説明する垂直断面図であ
る。第５図ないし第10図は本発明に係る正特性サーミス
タの製造方法の第２実施例を示すもので、第５図は素体
を示す垂直断面図、第６図及び第７図は下地電極形成工
程を説明する垂直断面図、第８図、第９図、第10図はガ
ラスコーティング膜とAg電極形成工程を説明する垂直断
面図である。第11図は本発明に係る正特性サーミスタの
製造方法の第３実施例を示す垂直断面図である。第12図
及び第13図は従来の正特性サーミスタを示す垂直断面図
である。 １…素体、2a,2b…下地電極、３…ビスマス系ガラス
材、3a…ビスマス系ガラスコーティング膜、4,5…Ag
膜、4a,5a…Agを主成分とする電極、９…素体、10,11…
下地電極、12…ビスマス系ガラスコーティング膜、13,1
4…Agを主成分とする電極。
Claims (2)
- 【請求項１】正特性サーミスタ素体全面にガラス材を付
着させる工程と、 Ag膜を前記ガラス材の表面に形成する工程と、 熱処理により前記Ag膜近傍のガラス材をAg膜に拡散させ
てAgを主成分とする電極を前記素体と接合するように形
成すると共に、残りのガラス材を前記Agを主成分とする
電極形成部分を残して前記素体を被覆するガラスコーテ
ィング膜にする工程と、 を備えたことを特徴とする正特性サーミスタの製造方
法。 - 【請求項２】下地電極を形成した正特性サーミスタ素体
全面にガラス材を付着させる工程と、 Ag膜を前記ガラス材の表面に形成する工程と、 熱処理により前記Ag膜近傍のガラス材をAg膜に拡散させ
てAgを主成分とする電極を前記下地電極と接合するよう
に形成すると共に、残りのガラス材を前記Agを主成分と
する電極形成部分を残して前記素体を被覆するガラスコ
ーティング膜にする工程と、 を備えたことを特徴とする正特性サーミスタの製造方
法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2043640A JP2560872B2 (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | 正特性サーミスタの製造方法 |
| US07/659,832 US5210516A (en) | 1990-02-22 | 1991-02-22 | Ptc thermistor and ptc thermistor producing method, and resistor with a ptc thermistor |
| KR1019910002885A KR970006424B1 (ko) | 1990-02-22 | 1991-02-22 | 정특성더미스터와 그 제조방법 |
| DE69114322T DE69114322T2 (de) | 1990-02-22 | 1991-02-22 | Verfahren zum Herstellen eines PTC-Thermistors. |
| EP91102654A EP0443618B1 (en) | 1990-02-22 | 1991-02-22 | Method for producing a PTC thermistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2043640A JP2560872B2 (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03245501A JPH03245501A (ja) | 1991-11-01 |
| JP2560872B2 true JP2560872B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=12669471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2043640A Expired - Lifetime JP2560872B2 (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2560872B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1990
- 1990-02-22 JP JP2043640A patent/JP2560872B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03245501A (ja) | 1991-11-01 |
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