JPS6345760Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6345760Y2 JPS6345760Y2 JP1983068668U JP6866883U JPS6345760Y2 JP S6345760 Y2 JPS6345760 Y2 JP S6345760Y2 JP 1983068668 U JP1983068668 U JP 1983068668U JP 6866883 U JP6866883 U JP 6866883U JP S6345760 Y2 JPS6345760 Y2 JP S6345760Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic heater
- silver
- lead terminal
- coating layer
- solder material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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Landscapes
- Surface Heating Bodies (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、セラミツクヒーターに関する。
従来、セラミツクヒーターは、第１図に示され
るように、発熱体が設けられているセラミツクヒ
ーター本体部１の外表面にリード端子鑞付部２が
設けられ、そこにリード端子３が鑞材（図示せ
ず）によつて固定された構造とされている。
るように、発熱体が設けられているセラミツクヒ
ーター本体部１の外表面にリード端子鑞付部２が
設けられ、そこにリード端子３が鑞材（図示せ
ず）によつて固定された構造とされている。
しかしながら、このリード端子３を鑞付固定す
るために、鑞材として広く利用されているAg−
Cu−Znの共晶鑞あるいは銀を含む鑞材を用いる
と、特に高温度あるいは高湿度の環境下で使用さ
れた場合に、リード端子間で鑞材中の銀がマイグ
レーシヨンを起こし、シヨートしたり、鑞付部に
クラツクが発生したりする欠点があつた。
るために、鑞材として広く利用されているAg−
Cu−Znの共晶鑞あるいは銀を含む鑞材を用いる
と、特に高温度あるいは高湿度の環境下で使用さ
れた場合に、リード端子間で鑞材中の銀がマイグ
レーシヨンを起こし、シヨートしたり、鑞付部に
クラツクが発生したりする欠点があつた。
本考案は、かかる欠点を解消したセラミツクヒ
ーターを提供することにあり、その特徴とすると
ころは、セラミツクに発熱体を設けてなるセラミ
ツクヒーター本体部の外表面に、前記発熱体と導
通するリード端子鑞付部を設け、該リード端子鑞
付部に所定のリード端子を銀を含む鑞材により鑞
付固定したセラミツクヒーターにおいて、前記リ
ード端子を固定してなる鑞材の表面に、銀以外の
金属よりなる被覆層を設けたセラミツクヒーター
にある。
ーターを提供することにあり、その特徴とすると
ころは、セラミツクに発熱体を設けてなるセラミ
ツクヒーター本体部の外表面に、前記発熱体と導
通するリード端子鑞付部を設け、該リード端子鑞
付部に所定のリード端子を銀を含む鑞材により鑞
付固定したセラミツクヒーターにおいて、前記リ
ード端子を固定してなる鑞材の表面に、銀以外の
金属よりなる被覆層を設けたセラミツクヒーター
にある。
以下、本考案の構成を、その一実施例である第
２図を用いて具体的に説明する。
２図を用いて具体的に説明する。
まず、第２図において、発熱体（図示せず）を
設けたセラミツクヒーター本体部１の外表面に設
けられているリード端子鑞付部２には、所定のリ
ード端子３が、銀を含む鑞材４によつて固定され
ている。そして、かかるリード端子３を鑞付固定
した鑞材４の表面には、被覆層５として、例えば
ニツケルよりなるメツキ層が設けられているので
ある。
設けたセラミツクヒーター本体部１の外表面に設
けられているリード端子鑞付部２には、所定のリ
ード端子３が、銀を含む鑞材４によつて固定され
ている。そして、かかるリード端子３を鑞付固定
した鑞材４の表面には、被覆層５として、例えば
ニツケルよりなるメツキ層が設けられているので
ある。
ところで、銀のマイグレーシヨンは、銀が
AgOHあるいはAg2Oとなり、これが電離してAg
イオンが生じ、電界によつて移動する現象であ
る。而して、本考案のセラミツクヒーターにおい
ては、上例のように、リード端子３を固定した鑞
材４の表面が、銀以外の金属よりなる被覆層５に
て覆われているところから、かかる被覆層５が銀
を保護し、Agイオンとなるのを防止するため、
銀のマイグレーシヨンの発生が効果的に阻止され
るのである。さらに、この被覆層５の存在のため
に、銀が反応しやすい、例えば硫化ガス中におい
ても、鑞材を構成する銀が硫化銀となることを防
止する効果も生ずるのである。
AgOHあるいはAg2Oとなり、これが電離してAg
イオンが生じ、電界によつて移動する現象であ
る。而して、本考案のセラミツクヒーターにおい
ては、上例のように、リード端子３を固定した鑞
材４の表面が、銀以外の金属よりなる被覆層５に
て覆われているところから、かかる被覆層５が銀
を保護し、Agイオンとなるのを防止するため、
銀のマイグレーシヨンの発生が効果的に阻止され
るのである。さらに、この被覆層５の存在のため
に、銀が反応しやすい、例えば硫化ガス中におい
ても、鑞材を構成する銀が硫化銀となることを防
止する効果も生ずるのである。
なお、本考案において、セラミツクヒーターと
しては、板状のものに限らず、第３図に示される
ような棒状のセラミツクヒーターでも良く、また
セラミツクに設けられる発熱体としては、タング
ステン、ニツケル、白金等の金属粉末を主成分と
するペーストを印刷、焼付けして構成しても良い
し、タングステン、ニツケル、白金等の金属線を
セラミツク中に埋設して構成しても良い。
しては、板状のものに限らず、第３図に示される
ような棒状のセラミツクヒーターでも良く、また
セラミツクに設けられる発熱体としては、タング
ステン、ニツケル、白金等の金属粉末を主成分と
するペーストを印刷、焼付けして構成しても良い
し、タングステン、ニツケル、白金等の金属線を
セラミツク中に埋設して構成しても良い。
また、鑞材の表面を覆う被覆層はメツキ等の公
知の各種の手法にて形成され得、さらに該被覆層
を構成する金属としては、銀以外のマイグレーシ
ヨンを発生しない金属であれば良く、例えばニツ
ケル、亜鉛、金等を適宜選択することが出来る
が、なかでも耐熱性、耐食性の点よりニツケルが
特に優れている。そして、内部の銀を保護するた
め、この被覆層の厚みは1μ以上とすることが好
ましいのである。
知の各種の手法にて形成され得、さらに該被覆層
を構成する金属としては、銀以外のマイグレーシ
ヨンを発生しない金属であれば良く、例えばニツ
ケル、亜鉛、金等を適宜選択することが出来る
が、なかでも耐熱性、耐食性の点よりニツケルが
特に優れている。そして、内部の銀を保護するた
め、この被覆層の厚みは1μ以上とすることが好
ましいのである。
以上詳記のように、本考案のセラミツクヒータ
ーには、リード端子鑞付部に適用された鑞材の表
面に、銀以外のマイグレーシヨンを生じない金属
よりなる被覆層が形成されているので、鑞材中の
銀がマイグレーシヨンを生ずるのを効果的に防止
することができ、従つて、銀のマイグレーシヨン
の発生しない、長期間使用できる、信頼性の高い
セラミツクヒーターが提供され得て、産業上極め
て有用である。
ーには、リード端子鑞付部に適用された鑞材の表
面に、銀以外のマイグレーシヨンを生じない金属
よりなる被覆層が形成されているので、鑞材中の
銀がマイグレーシヨンを生ずるのを効果的に防止
することができ、従つて、銀のマイグレーシヨン
の発生しない、長期間使用できる、信頼性の高い
セラミツクヒーターが提供され得て、産業上極め
て有用である。
第１図は従来のセラミツクヒーターを示す説明
図であり、第２図は本考案のセラミツクヒーター
の一実施例を説明する断面図であり、さらに第３
図は本考案のセラミツクヒーターの他の一具体例
を示す説明図である。 １：セラミツクヒーター本体部、２：リード端
子鑞付部、３：リード端子、４：鑞材、５：被覆
層。
図であり、第２図は本考案のセラミツクヒーター
の一実施例を説明する断面図であり、さらに第３
図は本考案のセラミツクヒーターの他の一具体例
を示す説明図である。 １：セラミツクヒーター本体部、２：リード端
子鑞付部、３：リード端子、４：鑞材、５：被覆
層。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) セラミツクに発熱体を設けてなるセラミツク
ヒーター本体部の外表面に、前記発熱体と導通
するリード端子鑞付部を設け、該リード端子鑞
付部に所定のリード端子を銀を含む鑞材により
鑞付固定したセラミツクヒーターにおいて、前
記リード端子を固定してなる鑞材の表面に、銀
以外の金属よりなる被覆層を設けたことを特徴
とするセラミツクヒーター。 (2) 前記被覆層が、ニツケルメツキ層である実用
新案登録請求の範囲第１項記載のセラミツクヒ
ーター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6866883U JPS59173992U (ja) | 1983-05-09 | 1983-05-09 | セラミツクヒ−タ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6866883U JPS59173992U (ja) | 1983-05-09 | 1983-05-09 | セラミツクヒ−タ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59173992U JPS59173992U (ja) | 1984-11-20 |
| JPS6345760Y2 true JPS6345760Y2 (ja) | 1988-11-28 |
Family
ID=30198838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6866883U Granted JPS59173992U (ja) | 1983-05-09 | 1983-05-09 | セラミツクヒ−タ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59173992U (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5031446A (ja) * | 1973-07-24 | 1975-03-27 | ||
| JPS52117066A (en) * | 1976-03-27 | 1977-10-01 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS5713115A (en) * | 1980-06-26 | 1982-01-23 | Komatsu Ltd | Production of tough and strong free-cutting ca cast steel |
-
1983
- 1983-05-09 JP JP6866883U patent/JPS59173992U/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5031446A (ja) * | 1973-07-24 | 1975-03-27 | ||
| JPS52117066A (en) * | 1976-03-27 | 1977-10-01 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS5713115A (en) * | 1980-06-26 | 1982-01-23 | Komatsu Ltd | Production of tough and strong free-cutting ca cast steel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59173992U (ja) | 1984-11-20 |
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