JPS58111939A - 微細パタ−ン形成法 - Google Patents
微細パタ−ン形成法Info
- Publication number
- JPS58111939A JPS58111939A JP56209424A JP20942481A JPS58111939A JP S58111939 A JPS58111939 A JP S58111939A JP 56209424 A JP56209424 A JP 56209424A JP 20942481 A JP20942481 A JP 20942481A JP S58111939 A JPS58111939 A JP S58111939A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- aromatic
- azide
- pattern
- photosensitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
′本発明は、アルカリ水溶gK対する構1性に優れ、陽
Il!1it−形成する感光性禰膿繊或−會用いた倣−
細パターン形成法に関する。
Il!1it−形成する感光性禰膿繊或−會用いた倣−
細パターン形成法に関する。
近年の半導体重4tv聰遣な進歩に併ない、半導体素子
のバタ二ノ形成に#して用いられるしシスト材料に於い
て4広範なdl能及び特性向上が求められている。これ
らの要−にこたえて、橋々のタイプの感光性m層組成物
が実用に供せられており、それらはそれぞれに待機を有
しているものの欠点も多い。
のバタ二ノ形成に#して用いられるしシスト材料に於い
て4広範なdl能及び特性向上が求められている。これ
らの要−にこたえて、橋々のタイプの感光性m層組成物
が実用に供せられており、それらはそれぞれに待機を有
しているものの欠点も多い。
これら実用に満せられている感光性樹脂のなかで、芳香
族アジド化合−とノボラックamま゛たはポリヒトミ中
シスチレン樹膚を主成分とする感光性m膚櫨成倫C力え
ば特公昭5s−suo2)はアルカリ水11gを用いた
椀澹が可能である点に大きな轡倣を有している。構像液
としてM儀lI剤を用いる感光性傭腫組成物は数多く知
られているが、これらの場合現像によって形成されるパ
ターンが溶剤を吸収して膨満するためjW像度が感〈時
に半導体凧子の扁系槓化に必要な砿−パターンの形成と
いう一点からは大きな間層11・ 点となっていた。この儲にも、塊儂液な4t−溶剤とす
る場合は賽物な暑剤願気に対する対策。
族アジド化合−とノボラックamま゛たはポリヒトミ中
シスチレン樹膚を主成分とする感光性m膚櫨成倫C力え
ば特公昭5s−suo2)はアルカリ水11gを用いた
椀澹が可能である点に大きな轡倣を有している。構像液
としてM儀lI剤を用いる感光性傭腫組成物は数多く知
られているが、これらの場合現像によって形成されるパ
ターンが溶剤を吸収して膨満するためjW像度が感〈時
に半導体凧子の扁系槓化に必要な砿−パターンの形成と
いう一点からは大きな間層11・ 点となっていた。この儲にも、塊儂液な4t−溶剤とす
る場合は賽物な暑剤願気に対する対策。
大量に発生する有機物廃液の処19石油*m*約などの
関越点が6り改善が纏まれていた。
関越点が6り改善が纏まれていた。
アルカリ水m液を用いた41法は、液止成分が水である
ため、形成される傭−パターンを膨潤することがない。
ため、形成される傭−パターンを膨潤することがない。
このために倣11i1加工性に優れており、また安全衛
生面、資確節約の面でも有効な方法として注目されてお
り、この方法が可能な材料としてm記感元性11盾岨成
物が実用に供せられ工いる。
生面、資確節約の面でも有効な方法として注目されてお
り、この方法が可能な材料としてm記感元性11盾岨成
物が実用に供せられ工いる。
しかしながら、これらの感光性sagjit−において
も生として感光剤として用いるアジド化合物の性員に起
因する間趨点がめった。構在橿いられている:$ob合
、使用されているアジド化合物は殆どO*&−品性の高
い固体であり。
も生として感光剤として用いるアジド化合物の性員に起
因する間趨点がめった。構在橿いられている:$ob合
、使用されているアジド化合物は殆どO*&−品性の高
い固体であり。
溶液とした場合に液から析出したり、又處虞とした場合
に虞から析出したりする場合が6−)な。
に虞から析出したりする場合が6−)な。
籍に不郁合なφとしては、アルカリ水舗液塊儂に#4し
て、イ讐屏される禾4光部分にこれら結晶がfILiI
m粒子の形で残存することKるる、このような4#fi
りはパターン形成犠の犠工楊に憑影#ンもたらすことの
みならず、fKd4$llI性を求める場合には具ター
ン14の一漕るるいはノり一ン切断の原因となったりし
て用いることが不問となり水S液#l像の!!#黴を生
かすことができなくなる。このため、スプレー構像法な
どのように′4I場的手段によってこれらを取除こうと
する改良法が試みられているが、一点の欠陥によりても
不JIL品となる半導体素子などでは不十分な−が多く
%q#に歩止り向上の一点からも更にIII扇の^い方
法が望まれて米た。
て、イ讐屏される禾4光部分にこれら結晶がfILiI
m粒子の形で残存することKるる、このような4#fi
りはパターン形成犠の犠工楊に憑影#ンもたらすことの
みならず、fKd4$llI性を求める場合には具ター
ン14の一漕るるいはノり一ン切断の原因となったりし
て用いることが不問となり水S液#l像の!!#黴を生
かすことができなくなる。このため、スプレー構像法な
どのように′4I場的手段によってこれらを取除こうと
する改良法が試みられているが、一点の欠陥によりても
不JIL品となる半導体素子などでは不十分な−が多く
%q#に歩止り向上の一点からも更にIII扇の^い方
法が望まれて米た。
本角−の目的は、上記した従来技術の欠点をなくシ、機
成化工性に優れたパターン形成法を提供するにある。
成化工性に優れたパターン形成法を提供するにある。
上記目的を連成するために8感光性樹脂繊成物の芳香族
アジド化合物成分の改嵐中心Ilc鋭意検討した結果、
芳香族アジド化合物として富−−において液体状−にあ
るものを用いれば、/(−一)形成時O黴戚加ニー性が
大−に同上することを見い出した。ここで%癩温におい
て液体とは、少なくとも5〜sO℃oaaic纏−内の
1点で液体であることを意味する。
アジド化合物成分の改嵐中心Ilc鋭意検討した結果、
芳香族アジド化合物として富−−において液体状−にあ
るものを用いれば、/(−一)形成時O黴戚加ニー性が
大−に同上することを見い出した。ここで%癩温におい
て液体とは、少なくとも5〜sO℃oaaic纏−内の
1点で液体であることを意味する。
構製11に111解する未露光部分で見、られる嶺細な
芳香族アジド化合物の粒子を除く方法としては、これら
を溶解する有dA躊剤で洗浄する方法が考えられるがこ
の場合は形成された露光部分のパターンを4h′m解し
てしまい適切でない、傭の方法として芳香族アジド化合
−自身を液体とすれば徽爾粒子成分が芳香族、アジド化
合物であるだけに根本的な解決乗となる。この方法を実
用するにあたっての困廟な点は、液体でありてかつ感光
輝に富む芳4ftアンド化合−な1lIji!すること
Kある。そこで、芳香族アジド化合物を樵々合成しその
物性と光感応性t−債村したiII釆、((jl、−N
、は−X−R−1’に刈しメメ又はパ。
芳香族アジド化合物の粒子を除く方法としては、これら
を溶解する有dA躊剤で洗浄する方法が考えられるがこ
の場合は形成された露光部分のパターンを4h′m解し
てしまい適切でない、傭の方法として芳香族アジド化合
−自身を液体とすれば徽爾粒子成分が芳香族、アジド化
合物であるだけに根本的な解決乗となる。この方法を実
用するにあたっての困廟な点は、液体でありてかつ感光
輝に富む芳4ftアンド化合−な1lIji!すること
Kある。そこで、芳香族アジド化合物を樵々合成しその
物性と光感応性t−債村したiII釆、((jl、−N
、は−X−R−1’に刈しメメ又はパ。
−C1l、CH,−、−CH,CHsCH,−、−C1
1,CH,0C1l、C1l、C1l、−w−。
1,CH,0C1l、C1l、C1l、−w−。
は−OH,−Ml、、 −N(cH,)、 、−N(C
1,)、。
1,)、。
−NtCallt)m から選択された一つの基な表
わす。)で表わされる芳香族アジド化合物が、アルカリ
可濤性鳥分子と城合せた場合に感光性に富みかり富ff
iにおいて液状であることを見い出した。
わす。)で表わされる芳香族アジド化合物が、アルカリ
可濤性鳥分子と城合せた場合に感光性に富みかり富ff
iにおいて液状であることを見い出した。
この液状芳香族アット化合物を成分の1つとする前記感
光性IIi繍岨成吻を用い、アルカリ水溶液を用いてi
A像したパターンはその未露光sII解澤分において、
従来の結晶性芳香族アンドを用いた場合に見られた嶺S
粒子析出中員像残り等O構象も見られず清浄であり、パ
ターンの欠陥も著しく減少した。
光性IIi繍岨成吻を用い、アルカリ水溶液を用いてi
A像したパターンはその未露光sII解澤分において、
従来の結晶性芳香族アンドを用いた場合に見られた嶺S
粒子析出中員像残り等O構象も見られず清浄であり、パ
ターンの欠陥も著しく減少した。
以下、本脅−の*輌パターン形成法に用いる感光性Il
l盾岨成物について更に一明に4明する。
l盾岨成物について更に一明に4明する。
本発明のパターン形MI法において用いる感光性両線組
成物のアルカリ可溶性蟲分子化合書としてはノボラック
**にこでは、ホルムアルデヒドと石炭鹸、クレゾール
、その他アル中ルフェノールとの縮會吻などを意味する
)またはポリヒトミキシスチレン11盾などがめげられ
る。
成物のアルカリ可溶性蟲分子化合書としてはノボラック
**にこでは、ホルムアルデヒドと石炭鹸、クレゾール
、その他アル中ルフェノールとの縮會吻などを意味する
)またはポリヒトミキシスチレン11盾などがめげられ
る。
ノボ9ツク樹盾においてはホモ鑵合体もしくは共縮會体
の形で用いることが9馳であり、ポリヒトミキシスチレ
ン*mにおいてもホモ重合体もしくは共重体の形で用い
ることが可能であるC以下、ノボツック*n*、ポリヒ
トgキシスtレンw盾で包括する。)。これらは単一で
用いる場合O他K141rの1盆書の形で用いてもさし
つかえない。
の形で用いることが9馳であり、ポリヒトミキシスチレ
ン*mにおいてもホモ重合体もしくは共重体の形で用い
ることが可能であるC以下、ノボツック*n*、ポリヒ
トgキシスtレンw盾で包括する。)。これらは単一で
用いる場合O他K141rの1盆書の形で用いてもさし
つかえない。
ノボラック両線、ポリヒトQ中シスチレン樹脂は市m品
として求めること−できる。たとえば、ノボツク樹盾と
して石炭酸ノボンシタ榔盾、クレゾールノボラック樹R
xs石炭戚・クレゾールノボラック両層等があり、ポリ
ヒト鑓中シHvン*mとしてはポリーP−ビニル71ノ
ール等があげられる。これらのベースレジVは目的に応
じて分子瀘、共m盆m或比、共重會櫨成比t−任意に変
えることも町−である。
として求めること−できる。たとえば、ノボツク樹盾と
して石炭酸ノボンシタ榔盾、クレゾールノボラック樹R
xs石炭戚・クレゾールノボラック両層等があり、ポリ
ヒト鑓中シHvン*mとしてはポリーP−ビニル71ノ
ール等があげられる。これらのベースレジVは目的に応
じて分子瀘、共m盆m或比、共重會櫨成比t−任意に変
えることも町−である。
用いるベース1llt繍としては、フォトレジストとし
て使用するff1K、たとえば10〜100’Cにおい
てJR,I[していることが必要であり、そのために数
平均分子量は500以上が良く、好ましくは1000以
上5ooooo以下、通しくは、1000社10000
0以下が好しい。
て使用するff1K、たとえば10〜100’Cにおい
てJR,I[していることが必要であり、そのために数
平均分子量は500以上が良く、好ましくは1000以
上5ooooo以下、通しくは、1000社10000
0以下が好しい。
本発明のパターン形g法において用いる感光性*#繊成
−*of香磯アジド化合瑠は室温において液体であるこ
とを大きな特徴としている。
−*of香磯アジド化合瑠は室温において液体であるこ
とを大きな特徴としている。
アルカリ可溶性扁分子との組合せたQK十分な感光性を
持ちかつ液体である芳香族アジド化合物の例としてはパ
ラ(又はメタ)7ジド安息査戚2−(N、N−ジメチル
1オノ)エチル、パ2(又はメタ)アジド安息香酸5−
(N、N−ジメテルアζ))グミピル、パラ(又ハメタ
)アジド安息香酸2−しド鑓キシエチルなどの安息香酸
エステル系芳香族アジド化合物、N、N−ジメチル−N
′−パ:)(又はメタ〕アジドベンゾイルエチレンジア
ンン NN−ジメチル−N′か ク ーパラ(又はメタ)アジドベイゾイルグaピレンジアン
ンなどの女息香戚アイド畢芳香族アジド化合物、パラ(
スはメJ)アジドケイ皮−2−CN、N−ジメチルアン
ノ)エチル、パラ(又はメタ)アジドケイ皮#t4−C
M、N−ノメチルアンノ)グコピルなどのケイ皮酸ニス
tル系芳香族アジド化合備、N、N−ジエチル1電ノー
N′−バラ(叉はメタ)1ジドベンノリデン1セチルエ
チレンシアiノ、N、N−ジメチルアζノーr−パラ(
又はメタ)1ノドベンジリデンアセチルグaピレンノア
オン7よどのケイ皮酸ア2ド系芳香族アジド化曾1、パ
ラ(又はメタ)アジド−α−シアノケイ皮戚2−(#、
#−ノメチルア一))エチル、パラ(又はメI)アジド
−α−シアノケイ皮−3−(N、N−ジメチルアi))
グミピルなどのα−シアノケイ皮酸エステル糸芳誉族ア
ジド化合備などがあげられる。
持ちかつ液体である芳香族アジド化合物の例としてはパ
ラ(又はメタ)7ジド安息査戚2−(N、N−ジメチル
1オノ)エチル、パ2(又はメタ)アジド安息香酸5−
(N、N−ジメテルアζ))グミピル、パラ(又ハメタ
)アジド安息香酸2−しド鑓キシエチルなどの安息香酸
エステル系芳香族アジド化合物、N、N−ジメチル−N
′−パ:)(又はメタ〕アジドベンゾイルエチレンジア
ンン NN−ジメチル−N′か ク ーパラ(又はメタ)アジドベイゾイルグaピレンジアン
ンなどの女息香戚アイド畢芳香族アジド化合物、パラ(
スはメJ)アジドケイ皮−2−CN、N−ジメチルアン
ノ)エチル、パラ(又はメタ)アジドケイ皮#t4−C
M、N−ノメチルアンノ)グコピルなどのケイ皮酸ニス
tル系芳香族アジド化合備、N、N−ジエチル1電ノー
N′−バラ(叉はメタ)1ジドベンノリデン1セチルエ
チレンシアiノ、N、N−ジメチルアζノーr−パラ(
又はメタ)1ノドベンジリデンアセチルグaピレンノア
オン7よどのケイ皮酸ア2ド系芳香族アジド化曾1、パ
ラ(又はメタ)アジド−α−シアノケイ皮戚2−(#、
#−ノメチルア一))エチル、パラ(又はメI)アジド
−α−シアノケイ皮−3−(N、N−ジメチルアi))
グミピルなどのα−シアノケイ皮酸エステル糸芳誉族ア
ジド化合備などがあげられる。
上記芳香族アジド化合備はたとえば以下に示した方法で
甘酸される。安息香−エステル系着番族アジド化合1は
アジド安息香酸りaライドと#、N−ジアルキルアtア
ミルヵノールt’x応させ安息香酸エステル系芳香アジ
ド化合4I。
甘酸される。安息香−エステル系着番族アジド化合1は
アジド安息香酸りaライドと#、N−ジアルキルアtア
ミルヵノールt’x応させ安息香酸エステル系芳香アジ
ド化合4I。
塩酸JJVt作る0次にこれ゛を水酸化ナトリクムで逃
場すれば目的とする芳香族アジド化合物を得ることがで
きる。同様に安息香酸アζド系芳香族アジド化金書は相
当する含芳香族アジド基戚タajイド化合書とN、N−
ジアルキルアずノアルキレンジアζンとの反応により、
目的とする化合物の塩酸塩を得ることができるのでこれ
を水鐘化ナトリクムなとのアルカリで逃場することによ
り合成することができる。安息香酸エステル系芳香族ア
ジド化合物のうち、アジド安息香酸2−ヒト1:lJ?
ジエチルに代表されるような分子の1jllllK水戚
基を待つ化合物は、含芳香族アジドjlIi#1りaラ
イド化合物をピリジン、トリエチルアンンなどの有債虐
基存在下に大4#のアル中レンジオールと反応させるこ
とによって得られる。
場すれば目的とする芳香族アジド化合物を得ることがで
きる。同様に安息香酸アζド系芳香族アジド化金書は相
当する含芳香族アジド基戚タajイド化合書とN、N−
ジアルキルアずノアルキレンジアζンとの反応により、
目的とする化合物の塩酸塩を得ることができるのでこれ
を水鐘化ナトリクムなとのアルカリで逃場することによ
り合成することができる。安息香酸エステル系芳香族ア
ジド化合物のうち、アジド安息香酸2−ヒト1:lJ?
ジエチルに代表されるような分子の1jllllK水戚
基を待つ化合物は、含芳香族アジドjlIi#1りaラ
イド化合物をピリジン、トリエチルアンンなどの有債虐
基存在下に大4#のアル中レンジオールと反応させるこ
とによって得られる。
本発明のパターン形成法において用いる感光性#腫櫨成
倫のアルカリ可溶性高分子化合資と室温で液体状虐にあ
る芳香族アジド化合物の配合割合としては、アルカリ町
S性高分子化合吻1100重量部とした時芳香族アジド
化合資はα5重量部から150瀘を部の範囲内で用いる
のが好しく、さらに孟しくは2貞量婦から100重量部
の範囲内で用いるのが好しい、この輻1よりも少量の配
合の場合には実用に供しうるだけの十分な感光感度とな
らない事が多く、又このl1111mより多量の配合の
場合にはIk膜形成−の点で着しく悪化することが多い
。
倫のアルカリ可溶性高分子化合資と室温で液体状虐にあ
る芳香族アジド化合物の配合割合としては、アルカリ町
S性高分子化合吻1100重量部とした時芳香族アジド
化合資はα5重量部から150瀘を部の範囲内で用いる
のが好しく、さらに孟しくは2貞量婦から100重量部
の範囲内で用いるのが好しい、この輻1よりも少量の配
合の場合には実用に供しうるだけの十分な感光感度とな
らない事が多く、又このl1111mより多量の配合の
場合にはIk膜形成−の点で着しく悪化することが多い
。
本発明のパターン形成法に用いる感光性*m組成物は適
当な有fjl浴剤に溶した#液状層で適当な1IiI板
表面に塗布される。従って、用いる溶剤としては感光性
樹脂組成物成分のいずれをもm解する必要があり、アセ
トン、メテルエtルケトン、シクQヘキナノンなどのケ
トン系、メチルセaノルグ、エチルセaソルグ、エチル
七−ソルプアセテートなどのセaソルグ系、酢−エチル
、酢酸ブチルなどのエステス系などの瘍剤をこれらの目
□的として用いることができる。
当な有fjl浴剤に溶した#液状層で適当な1IiI板
表面に塗布される。従って、用いる溶剤としては感光性
樹脂組成物成分のいずれをもm解する必要があり、アセ
トン、メテルエtルケトン、シクQヘキナノンなどのケ
トン系、メチルセaノルグ、エチルセaソルグ、エチル
七−ソルプアセテートなどのセaソルグ系、酢−エチル
、酢酸ブチルなどのエステス系などの瘍剤をこれらの目
□的として用いることができる。
これらは各成分が溶解する範囲であれば単一で用いても
よいし、2櫨以上の混合系で用いてもさしつかえない。
よいし、2櫨以上の混合系で用いてもさしつかえない。
用いる溶剤の配合−合とじてはアルカリ可溶性高分子と
芳香族アジド化合物の総量を100重量部とした時これ
に対して100重量部からtccoooliiigo範
d内で用いるのが好しく、さらに望しくは200重童埋
置ら釧00′:IL量部の範囲内で用いるのが好しい。
芳香族アジド化合物の総量を100重量部とした時これ
に対して100重量部からtccoooliiigo範
d内で用いるのが好しく、さらに望しくは200重童埋
置ら釧00′:IL量部の範囲内で用いるのが好しい。
本発明のパターン形成法において用いる感光性**m*
*には、アルカリ可溶性高分子と室温で液体状騰にある
芳香族アンド化合物、溶剤の他に、目的に応じて更に一
次的な成分を含有せしめてもさLつえない、それらの例
としてしては、貯蔵安定性をはかるための熱ム合防止剤
、基板との「ぬれ」性をよくするための界面活性剤、基
板からのハレーシlンt−防止する/′−レーVIlン
防止剤、基板との密着性な向上させるため081着性向
上剤、染料、顔料、充填1@、離燃剤、増感剤等があげ
られる。
*には、アルカリ可溶性高分子と室温で液体状騰にある
芳香族アンド化合物、溶剤の他に、目的に応じて更に一
次的な成分を含有せしめてもさLつえない、それらの例
としてしては、貯蔵安定性をはかるための熱ム合防止剤
、基板との「ぬれ」性をよくするための界面活性剤、基
板からのハレーシlンt−防止する/′−レーVIlン
防止剤、基板との密着性な向上させるため081着性向
上剤、染料、顔料、充填1@、離燃剤、増感剤等があげ
られる。
次にパターン形成の工楊について1!!l々に説明する
。感光性4#腫組成物を示持ts板へ塗布する方法とし
てはスピンナを用いた一転造布、浸漬、噴−1印刷など
の手段が可能であり目的に応じて適宜選択することがで
きる。これらは次Km轟な温度(120℃以下、好まし
くは70〜100℃がよい)で乾燥し虞とする。皇布編
厚は塗布手段、溶液の固形分濃度、粘度によって!11
31Iが可能である。
。感光性4#腫組成物を示持ts板へ塗布する方法とし
てはスピンナを用いた一転造布、浸漬、噴−1印刷など
の手段が可能であり目的に応じて適宜選択することがで
きる。これらは次Km轟な温度(120℃以下、好まし
くは70〜100℃がよい)で乾燥し虞とする。皇布編
厚は塗布手段、溶液の固形分濃度、粘度によって!11
31Iが可能である。
支持基板上で造膜となりた感光性樹脂組成物に場所的に
紫外−を照射し1次いで未4光褌分をm儂液で溶解除去
することによりしv−7・パターンを潜ることができる
。雇射掘は紫外−に限らずXd、1子−などの放射−で
あっても嵐い。感応させるのに要する蝋適照射−重は繊
成によっても異なるが、紫外−の場合S〜sOQ罵’/
cllB” * X #の場合10〜500”/cが、
4子−〇場合1×1Q″″・〜5×10″″’ 07c
m” O[’fAから目的に応じて適、fi4択して照
射するのが望しい。
紫外−を照射し1次いで未4光褌分をm儂液で溶解除去
することによりしv−7・パターンを潜ることができる
。雇射掘は紫外−に限らずXd、1子−などの放射−で
あっても嵐い。感応させるのに要する蝋適照射−重は繊
成によっても異なるが、紫外−の場合S〜sOQ罵’/
cllB” * X #の場合10〜500”/cが、
4子−〇場合1×1Q″″・〜5×10″″’ 07c
m” O[’fAから目的に応じて適、fi4択して照
射するのが望しい。
本発明で墳いる感光a111膚411成1は−1したよ
うにアルカリ溶液によりて構儂することができる。これ
らの例としてはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド
によって代表されるテトラアルキルアンモ=9ムヒドロ
中シトの水all。
うにアルカリ溶液によりて構儂することができる。これ
らの例としてはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド
によって代表されるテトラアルキルアンモ=9ムヒドロ
中シトの水all。
薦易燐峨ナトリウム、水酸化ナトリウムに代表される無
砿アルカリ*溶液などがめげられるが、アルカV性嬉液
であれば嵐〈これらに@定されない。
砿アルカリ*溶液などがめげられるが、アルカV性嬉液
であれば嵐〈これらに@定されない。
amは浸漬法、スプレー現像法などによって行なう事が
できる。現像に望しい温に範囲は5〜60℃であるが、
a像i1には温度条件に依存するので目的に応じて嚢択
することが殖しい。芳香族アジド化合物として液状のも
のを用い又もその成分比が多くなると基板表面にこれら
か付着するm像が見られるが、液状であることの臀性を
生かしスプレー現像法でw手段に洗い流すことによりて
砺めて清#Kかつ歩止り員〈パターンt”形成すること
ができる。
できる。現像に望しい温に範囲は5〜60℃であるが、
a像i1には温度条件に依存するので目的に応じて嚢択
することが殖しい。芳香族アジド化合物として液状のも
のを用い又もその成分比が多くなると基板表面にこれら
か付着するm像が見られるが、液状であることの臀性を
生かしスプレー現像法でw手段に洗い流すことによりて
砺めて清#Kかつ歩止り員〈パターンt”形成すること
ができる。
構IJi後2i!碩から極績液を洗浄鹸去し基板機−を
清浄にするためリンス処4t−行な5が、このためのリ
ンス液としては水が好しい、こ0falにもm濃液との
All性が^好でかつ形成パターンを連層しないもので
あればイ砿溶剤を用いてもさしりρ1えない、これらの
例としてはエタノール、イソグミピルアルコールなどが
あげられるがこれらに限定されない。又、水と有−溶剤
を1液の形で用いてもさしつかえない6石4は纜漬、ス
プレー法などによって行なう4Iができる。
清浄にするためリンス処4t−行な5が、このためのリ
ンス液としては水が好しい、こ0falにもm濃液との
All性が^好でかつ形成パターンを連層しないもので
あればイ砿溶剤を用いてもさしりρ1えない、これらの
例としてはエタノール、イソグミピルアルコールなどが
あげられるがこれらに限定されない。又、水と有−溶剤
を1液の形で用いてもさしつかえない6石4は纜漬、ス
プレー法などによって行なう4Iができる。
以下に本発明を実施例によって1!−する。崗、実施例
中の部はム重婦七示す。
中の部はム重婦七示す。
実施例1
石炭酸ノボラック−!110婦をシタaヘキtノンto
@Kmかし、択にバラアジド安息香酸2−ヒドロキシエ
チル1ts1に湛解して感光W膚繊成−O嬉液を調製し
た。この時、パラアジド安息香酸2−ヒドロキシエチル
は瞬時に溶解して掬−S液となった。次いで、この溶液
な1輿^孔のフィルj1%−用いて加圧F、4した。
@Kmかし、択にバラアジド安息香酸2−ヒドロキシエ
チル1ts1に湛解して感光W膚繊成−O嬉液を調製し
た。この時、パラアジド安息香酸2−ヒドロキシエチル
は瞬時に溶解して掬−S液となった。次いで、この溶液
な1輿^孔のフィルj1%−用いて加圧F、4した。
nbれた滴液をスピンナでシリコンクエ^よに!m1i
j1ii[布し、久イて70℃、20分間転−してae
Jl厚ommt慢た。この塗−七縞礪嫌の石英属フォト
マスクで密着被覆し、500 IF OXs −111
灯を用いて距−500m(1)所から5秒関索外−照射
した。α15虞定の水−1ζカリ9ム水−液を用いてス
プレーfill、次いで水で洗浄してシャープな趨向の
レリーフ・パターン4t4た。ノ(ターンは結晶性芳香
族アジド化合′4IJt−用いた場合に見られ4i*a
、o析ai構儂やこの成分に基ず〈)(ターン閾OiA
像残りなども見られず清浄であり、最小1μ島幅のツイ
ンアンドスペースのくり返しパターンなfj′Iiする
ことができた。
j1ii[布し、久イて70℃、20分間転−してae
Jl厚ommt慢た。この塗−七縞礪嫌の石英属フォト
マスクで密着被覆し、500 IF OXs −111
灯を用いて距−500m(1)所から5秒関索外−照射
した。α15虞定の水−1ζカリ9ム水−液を用いてス
プレーfill、次いで水で洗浄してシャープな趨向の
レリーフ・パターン4t4た。ノ(ターンは結晶性芳香
族アジド化合′4IJt−用いた場合に見られ4i*a
、o析ai構儂やこの成分に基ず〈)(ターン閾OiA
像残りなども見られず清浄であり、最小1μ島幅のツイ
ンアンドスペースのくり返しパターンなfj′Iiする
ことができた。
実施例2
クレゾールノボラック11腫10部をエチ身上ロノルグ
ア上テート12DiK浴解し1次に)(ツアノド安息香
tlt2−CN、N−ジメチルアζ))エテル2st’
浴解して感光性膚膚櫨成書の滴液を#Jlllた。この
#、パラアジド安息香−2−(# 、N−ノメチルアイ
ノ)エチルはiil14Km解して均一溶液となりた0
次いで、この緩液七1μ馬孔のフィルタを用いて加圧F
Iした。
ア上テート12DiK浴解し1次に)(ツアノド安息香
tlt2−CN、N−ジメチルアζ))エテル2st’
浴解して感光性膚膚櫨成書の滴液を#Jlllた。この
#、パラアジド安息香−2−(# 、N−ノメチルアイ
ノ)エチルはiil14Km解して均一溶液となりた0
次いで、この緩液七1μ馬孔のフィルタを用いて加圧F
Iした。
46れた液をスピンナでセ9建ツク基板上に&glli
處布し、次いで70℃、20分間転燥し【α8μ凰4の
j11縞な得た。このI11属を縞礒様の石英義7オト
1スタで*JllFIH1L、5001のXg −H1
灯を用いて距−5Qcy+の所から5秒閾承外−照射し
た。α2属定の水酸化ナトリウム水m猷を用いてスプレ
ーm葎し、次いで水で洗浄して端面のシャープなレリー
フ・パターンt−4た。パー−7は実−111で示した
のと同様に十分に清浄で6りだ。
處布し、次いで70℃、20分間転燥し【α8μ凰4の
j11縞な得た。このI11属を縞礒様の石英義7オト
1スタで*JllFIH1L、5001のXg −H1
灯を用いて距−5Qcy+の所から5秒閾承外−照射し
た。α2属定の水酸化ナトリウム水m猷を用いてスプレ
ーm葎し、次いで水で洗浄して端面のシャープなレリー
フ・パターンt−4た。パー−7は実−111で示した
のと同様に十分に清浄で6りだ。
夷′#AfM3
ホリパクビニルフェノール10部をエチルセーソルプア
セテート120鄭に溶解し、次にメタアジド安息香−5
−(N、N−ジメチルア建))プロビルS廊と緩解し工
感光性樹m繊成書の一液Vt!liI署した。夷遁愕1
に示した如く、こO場合も芳香族アジド成分は添加する
と11時に溶解した。次いで、この溶液を1JIllI
孔のフィルI′#1:用いて加圧P4した。
セテート120鄭に溶解し、次にメタアジド安息香−5
−(N、N−ジメチルア建))プロビルS廊と緩解し工
感光性樹m繊成書の一液Vt!liI署した。夷遁愕1
に示した如く、こO場合も芳香族アジド成分は添加する
と11時に溶解した。次いで、この溶液を1JIllI
孔のフィルI′#1:用いて加圧P4した。
得られた液をスピンtでシリコンウエノ1上に崗転處布
し、次いで70℃、20分閾乾燥してα?JII厚のI
k属を得た。この處Aを縞横−〇石英顧フ# ) w
−x、 / テ’1HIIijlfli L、50Ql
’0Xa−Ill灯を用いて@@hQO肩c1所から5
秒間紫外−照射した、11L2J1足O?)ツメチルア
ンモニウムヒトa中シトの水#瀘t’用いてスグレー構
謙し1次いで水で洗浄してjli1面oVヤーグなレリ
ーフ拳ノ(I−ンを得た。パターンは夷m例1で見られ
た如く、十分に清浄であった。
し、次いで70℃、20分閾乾燥してα?JII厚のI
k属を得た。この處Aを縞横−〇石英顧フ# ) w
−x、 / テ’1HIIijlfli L、50Ql
’0Xa−Ill灯を用いて@@hQO肩c1所から5
秒間紫外−照射した、11L2J1足O?)ツメチルア
ンモニウムヒトa中シトの水#瀘t’用いてスグレー構
謙し1次いで水で洗浄してjli1面oVヤーグなレリ
ーフ拳ノ(I−ンを得た。パターンは夷m例1で見られ
た如く、十分に清浄であった。
実施1114
石炭酸)I#/ツyり樹脂10都をメチルセaソルグア
セt−)40部Km解し、次にN、N−ジメチル−N′
−バツアジドベンゾイルエチレンジア電ン3部を8%し
て感光性樹膚組成物の4液を一編した。実施例1に見ら
れた如く、芳香族アジド成分は添加すると瞬時に溶解し
た。久いで、と0m液な1声罵孔のフィルタな用いて加
圧−通した。
セt−)40部Km解し、次にN、N−ジメチル−N′
−バツアジドベンゾイルエチレンジア電ン3部を8%し
て感光性樹膚組成物の4液を一編した。実施例1に見ら
れた如く、芳香族アジド成分は添加すると瞬時に溶解し
た。久いで、と0m液な1声罵孔のフィルタな用いて加
圧−通した。
優られた液なスピンナでシリコンクエバ上に關l1II
/11布し1次いで70℃、2Q、間転乾燥してαtμ
講厚の11IJ111な得た。この處−【鍋砿−の石英
編フォトvx夕で*J*ilL、500 I OXa
−Hl 灯t’用いて距縮5Qcws、の所から5抄閲
紫外−照射した。a2.d定デトツメチルアンモニウム
ヒドaキシドの水m′tiを用いてスグレー構謔し、次
いで水で洗浄して端面のシャープなレリーフ・パターン
を得た。パターンは^1丙1で見られた如く、十分に清
績でめった。
/11布し1次いで70℃、2Q、間転乾燥してαtμ
講厚の11IJ111な得た。この處−【鍋砿−の石英
編フォトvx夕で*J*ilL、500 I OXa
−Hl 灯t’用いて距縮5Qcws、の所から5抄閲
紫外−照射した。a2.d定デトツメチルアンモニウム
ヒドaキシドの水m′tiを用いてスグレー構謔し、次
いで水で洗浄して端面のシャープなレリーフ・パターン
を得た。パターンは^1丙1で見られた如く、十分に清
績でめった。
裏afl15
石炭酸ノボ2ツク樹繍10部[メチルセミツルグア竜デ
ート10i)@に溶解し、久にバラアジドケイ皮dR2
−CN、N−ノメチルアンノ)エチル3gを溶解して感
光性樹jJit岨或1の嬉歇を一編した。芳香族アジド
成分は添加すると瞬#!I11に―解し均一溶液となっ
た。次に、この溶液1に171111孔のフィルタを用
いて加圧P4した。
ート10i)@に溶解し、久にバラアジドケイ皮dR2
−CN、N−ノメチルアンノ)エチル3gを溶解して感
光性樹jJit岨或1の嬉歇を一編した。芳香族アジド
成分は添加すると瞬#!I11に―解し均一溶液となっ
た。次に、この溶液1に171111孔のフィルタを用
いて加圧P4した。
優られた*t−スピンナでシリコンウェハ上にm転造布
し、?Xいで70′c、20分閾乾蟻してtQμ廖o*
wivtsた。こotxt’縞備憾のソーダガラス−7
オトマスクで御R砿曖し、5oΩlの4圧水−灯t−用
いて−a5Qc瑯の所から10砂閾索外城照射した。α
2現定のデトラメチルアンモエクムヒドaキシドの水浴
猷ン用いてスプレーjA威し、次に水で洗浄してjli
lriiのシャープなレリーフ・パターンを得た。パタ
ーンは夷Mlllで見られたのと同等なほどに十分清浄
であった。
し、?Xいで70′c、20分閾乾蟻してtQμ廖o*
wivtsた。こotxt’縞備憾のソーダガラス−7
オトマスクで御R砿曖し、5oΩlの4圧水−灯t−用
いて−a5Qc瑯の所から10砂閾索外城照射した。α
2現定のデトラメチルアンモエクムヒドaキシドの水浴
猷ン用いてスプレーjA威し、次に水で洗浄してjli
lriiのシャープなレリーフ・パターンを得た。パタ
ーンは夷Mlllで見られたのと同等なほどに十分清浄
であった。
実施例6
石炭酸ノボラVり樹1110 廊をメチルセaソルグア
セテート100部に浴解し、次にN、N−ジエチルアン
ノーN′−パラアジドベンジリデンアセチルエチレンノ
アζ74部を溶解して感光性1111膚岨JR会の溶液
を一刺した。芳香族アット成分は添加すると瞬a#に溶
解し均一#r液となった。
セテート100部に浴解し、次にN、N−ジエチルアン
ノーN′−パラアジドベンジリデンアセチルエチレンノ
アζ74部を溶解して感光性1111膚岨JR会の溶液
を一刺した。芳香族アット成分は添加すると瞬a#に溶
解し均一#r液となった。
次に、この浴液Vt1mμ孔のフィルタな用いて加圧P
通した。
通した。
優られた液なスピンナでシリコンクエバ上に一@塗布し
、次いで70℃、20分子!a4tllllしてt1μ
導厚の値属を4た。このl111jIIi[を縞41様
の)−fガラスj117オトマスクで着層−一し、50
0#’の4圧水銀灯t’用いてj111m!!O’ll
の所から10秒閾紫外!#照射した。α2現定のナト2
メチルアンモニウムとドロキシドの水溶液を用いて浸漬
法によって塊儂し、次に水で洗浄して4面のシャープな
レリー 7・パターンt’慢た。パターンは夷−例1で
見られたのと同等なほどに十分清疹で6りた。
、次いで70℃、20分子!a4tllllしてt1μ
導厚の値属を4た。このl111jIIi[を縞41様
の)−fガラスj117オトマスクで着層−一し、50
0#’の4圧水銀灯t’用いてj111m!!O’ll
の所から10秒閾紫外!#照射した。α2現定のナト2
メチルアンモニウムとドロキシドの水溶液を用いて浸漬
法によって塊儂し、次に水で洗浄して4面のシャープな
レリー 7・パターンt’慢た。パターンは夷−例1で
見られたのと同等なほどに十分清疹で6りた。
実施fI17
ホリパ2ビニルフェノール10filメチル−IEaソ
ルグアセテート100gに′a4し、久にパラ1シトα
−シアノケイ皮−2−(N、N−ノメチルアゼノ)エチ
ル11躊解して感元性貞繍繊成書O嬉at’−顧した。
ルグアセテート100gに′a4し、久にパラ1シトα
−シアノケイ皮−2−(N、N−ノメチルアゼノ)エチ
ル11躊解して感元性貞繍繊成書O嬉at’−顧した。
芳香族アンド成分は添加すると瞬時に溶解し掬−溶鼠と
なった。久に。
なった。久に。
この溶液を1μ膓孔のフィルタを用いて加圧P4した。
慢らntS液をスピンナでシリコンウェハ上にm転造布
し、久いて70℃、20分閾乾嫌して19μ馬のlk編
を得た。このIIl磯を縞慎燻のソーfガ2スj&l1
7オトマスクで青層砿握し、51)OF■−圧水銀打を
用いて距−50cwaOPfHから10抄閾第外−照射
した。α2現定のデトラメテルアンモニ9ムヒドqキシ
ドの水111液を用いて漬浸法によりて塊・1し、次に
水で洗浄して4#iのシャープなレリーフIパターンt
4た。パターンは^4111111で見られたのと同等
なほどに十分清浄であった。
し、久いて70℃、20分閾乾嫌して19μ馬のlk編
を得た。このIIl磯を縞慎燻のソーfガ2スj&l1
7オトマスクで青層砿握し、51)OF■−圧水銀打を
用いて距−50cwaOPfHから10抄閾第外−照射
した。α2現定のデトラメテルアンモニ9ムヒドqキシ
ドの水111液を用いて漬浸法によりて塊・1し、次に
水で洗浄して4#iのシャープなレリーフIパターンt
4た。パターンは^4111111で見られたのと同等
なほどに十分清浄であった。
実部?l18
ポリパラビニルフェノ−AImJllloSt−エチル
七ロノルグアセテー)100部に躊解し、次にパラアジ
ド安息誉1fi2−1ドqキシエチル[L5 褌f:連
層して感光性傭BTI繊成−の溶液を一層した。
七ロノルグアセテー)100部に躊解し、次にパラアジ
ド安息誉1fi2−1ドqキシエチル[L5 褌f:連
層して感光性傭BTI繊成−の溶液を一層した。
芳4族アジド成分はa訓すると瞬時に4解し均一溶液と
なりた。久に、この醪漱’kl岸島孔のフィルタを用い
て加圧F4した。
なりた。久に、この醪漱’kl岸島孔のフィルタを用い
て加圧F4した。
優られた献をスピンナでシリコンクエバ上に薗@處布し
、次いで70℃、20分間転Emして(:L7AIAの
處IAを漫た。この遺構を縞横−の石基−フォトマスク
で’!Iylltltdll、、 5uoFO+g圧
水銀灯を用いて距*SaC隅の所から15秒14紫外−
照射した。
、次いで70℃、20分間転Emして(:L7AIAの
處IAを漫た。この遺構を縞横−の石基−フォトマスク
で’!Iylltltdll、、 5uoFO+g圧
水銀灯を用いて距*SaC隅の所から15秒14紫外−
照射した。
α2風定のテトシメチルアンモニウムヒドI2中シトの
水溶#X電用いてスプレーiA謔し、久に水で洗浄して
417のシャープな□レリーフeパターンな得た。パタ
ーンは夷S例1で見られたのと同憂なほどに十分清浄で
6りた。
水溶#X電用いてスプレーiA謔し、久に水で洗浄して
417のシャープな□レリーフeパターンな得た。パタ
ーンは夷S例1で見られたのと同憂なほどに十分清浄で
6りた。
、ル砿例
石炭酸ノボツツク#盾IQdJをメチルセaソルグ1セ
テー)40越Km解し1次に一品性アシト化合吻でめる
4、4′−ジアジドアセトフェノン1鄭を微粉末にして
〃口えてj温で10時閾攪拌したが、アンド化合省は完
全に4鱗しなかりた。
テー)40越Km解し1次に一品性アシト化合吻でめる
4、4′−ジアジドアセトフェノン1鄭を微粉末にして
〃口えてj温で10時閾攪拌したが、アンド化合省は完
全に4鱗しなかりた。
更に、アンド化合′41を浴すべく猷v50℃箇で加―
したが完全に溶けなかった。この液は、久に1μm孔の
フィルタを用いて加圧P迩した。
したが完全に溶けなかった。この液は、久に1μm孔の
フィルタを用いて加圧P迩した。
得られた液をスピンナでシリコンウェハ上に一転迩布し
、次いで70℃、20G間乾−してαpμ導の皇Bx馨
得た。こO慮At’縞横−の石英−フォトマスクで一4
偵握し、5001のXs −jig灯を用いて距−5Q
C纒の所から15抄閾紫外41照射した。
、次いで70℃、20G間乾−してαpμ導の皇Bx馨
得た。こO慮At’縞横−の石英−フォトマスクで一4
偵握し、5001のXs −jig灯を用いて距−5Q
C纒の所から15抄閾紫外41照射した。
0.2規定のテトラメチルアンモニウムヒトミキシドの
水溶液を用いてスプレー槻1−し次に水で洗浄してレリ
ーフ・パターンを得た。槻鐵液によって洗い處された未
嬉元部分にはアジド1区合−の倣禰な粒子がいたるとこ
ろ/lcM、られ、→に償−な1〜5μ導−のラインア
ンドスペースパターンでは−I!lがアンド化合榔の補
晶によって一層している部分が数多(見られた。
水溶液を用いてスプレー槻1−し次に水で洗浄してレリ
ーフ・パターンを得た。槻鐵液によって洗い處された未
嬉元部分にはアジド1区合−の倣禰な粒子がいたるとこ
ろ/lcM、られ、→に償−な1〜5μ導−のラインア
ンドスペースパターンでは−I!lがアンド化合榔の補
晶によって一層している部分が数多(見られた。
以上、詳述したように本発明の倣顧パターン形成法によ
り、従来のアルカリ可溶性扁分子と芳香族アット化金豐
から成る感光性(11腫櫨或倫を用いて鐵細パターンを
形成する康に間扇点であったアルカリ水溶液による構儂
性が著しく向上した0本fi−の黴爾パターン形成績は
曽にパターンOSS性の点で優れており、尚系積化され
た半導体のパターン形成などく有用である。
り、従来のアルカリ可溶性扁分子と芳香族アット化金豐
から成る感光性(11腫櫨或倫を用いて鐵細パターンを
形成する康に間扇点であったアルカリ水溶液による構儂
性が著しく向上した0本fi−の黴爾パターン形成績は
曽にパターンOSS性の点で優れており、尚系積化され
た半導体のパターン形成などく有用である。
第1頁の続き
0発 明 者 磯部麻部
日立市東町四丁目13番1号日立
化成工業株式会社山崎工場内
0出 願 人 日立化成工業株式会社
東京都新宿区西新宿二丁目1番
1号
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板に室温で液状の芳香族アジド化合物。 アルカリ可嬉性^分子化會曹、溶剤よりなる感光性樹盾
岨成′#I七皇布し、乾燥して感光性m線膜を形成し、
この−を局部的に露光してからアルカリ水**で、im
諺して未露光部分を溶解鹸去させることをq#歳とする
徽爾パI −ン形成法。 2 アルカリ町−性−分子化合倫が、ホ海−合ノボンツ
ク樹繍、共−合ノボラック貞膚、ポリヒト−キシスチレ
ンホモ瀘合体、ポリヒトミ中システレン共瀘合体の5’
&から迩ばれた少なくとも−lI−の化合1で6ること
をtf#砿とする脣t*m求O樋−扇1項昭−O黴爾パ
ターン形g法。 五 m温で液体状!IjAに6る芳香族アジド化合−(
但シ、−N、+* −X −R−Y K RL ”C/
I Xはパラ位に位置し、 は−cHR嘴−9−嘴ci、−山一、−嘴偶一。 一つの基、Yは−OL−w、、−N(C1l、)R1−
N(C,H,)、、−N (C,拓)ヨから選択された
ークO基を表わす。)で表わされ“る芳香族アジド化合
物であることを特徴とする轡iII!F祷求O範−N1
磯記−の微細パターン形成法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56209424A JPS58111939A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 微細パタ−ン形成法 |
US06/452,198 US4554237A (en) | 1981-12-25 | 1982-12-22 | Photosensitive resin composition and method for forming fine patterns with said composition |
EP82111931A EP0083078B1 (en) | 1981-12-25 | 1982-12-23 | Photosensitive resin composition and method for forming fine patterns with said composition |
DE8282111931T DE3277646D1 (en) | 1981-12-25 | 1982-12-23 | Photosensitive resin composition and method for forming fine patterns with said composition |
KR8205781A KR890001079B1 (ko) | 1981-12-25 | 1982-12-23 | 감광성의 수지조성물과 이것을 사용하여 미세한 패터언을 형성하는 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56209424A JPS58111939A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 微細パタ−ン形成法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58111939A true JPS58111939A (ja) | 1983-07-04 |
JPH0367257B2 JPH0367257B2 (ja) | 1991-10-22 |
Family
ID=16572631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56209424A Granted JPS58111939A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 微細パタ−ン形成法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58111939A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01145649A (ja) * | 1988-10-18 | 1989-06-07 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ネガ型感放射線性樹脂組成物 |
JPH02291559A (ja) * | 1989-05-01 | 1990-12-03 | Toyo Gosei Kogyo Kk | 遠紫外光用ホトレジスト組成物 |
-
1981
- 1981-12-25 JP JP56209424A patent/JPS58111939A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01145649A (ja) * | 1988-10-18 | 1989-06-07 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ネガ型感放射線性樹脂組成物 |
JPH02291559A (ja) * | 1989-05-01 | 1990-12-03 | Toyo Gosei Kogyo Kk | 遠紫外光用ホトレジスト組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0367257B2 (ja) | 1991-10-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2028903C3 (de) | Lichtempfindliche Masse | |
US5635332A (en) | Alkylsulfonium salts and photoresist compositions containing the same | |
KR910000219B1 (ko) | 감광성 물품 및 그의 제조방법 | |
JPS5817112A (ja) | ポジ型ノボラツクホトレジスト組成物及びその調製物 | |
DE2007208A1 (de) | Positivkopierlack | |
TWI490652B (zh) | 正型感光性樹脂組成物,硬化膜,保護膜及絕緣膜,暨利用其等之半導體裝置及顯示體裝置 | |
EP0839341A1 (de) | Heterogene photoinitiatoren, photopolymerisierbare zusammensetzungen und deren verwendung | |
DE69504115T2 (de) | Hitzebeständige, negativ-arbeitende Photoresistzusammensetzung, lichtempfindliches Substrat und Verfahren zur Herstellung eines negativen Musters | |
JPS61118744A (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
JPH0425847A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JPH03763A (ja) | ポジ型感光性ポリイミド組成物 | |
JPS58111939A (ja) | 微細パタ−ン形成法 | |
JP3870385B2 (ja) | 水溶性フォトレジスト組成物 | |
JP2824188B2 (ja) | 感光性組成物及びパターンの製造方法 | |
DE69308403T2 (de) | Hitzebeständige, negativ-arbeitende Photoresistzusammensetzung, lichtempfindliches Substrat und Verfahren zur Herstellung eines negativen Musters | |
JPH0339286B2 (ja) | ||
JPH0284654A (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
CN105807563A (zh) | 光刻胶组合物及其制备方法和构图方法 | |
JPS63175854A (ja) | 画像の製法 | |
JPH0311350A (ja) | ネガ型感光性塗膜材 | |
JPS63183439A (ja) | 画像の製造方法 | |
JPH02296245A (ja) | 感光性組成物 | |
JPH0277749A (ja) | ソルダーマスクの製造法 | |
DE62662C (de) | Herstellung von Photographien mittels Guajaretinsäure als lichtempfindlicher Substanz | |
DE69506001T2 (de) | Positiv arbeitende lichtempfindliche zusammensetzung |