JPS58111939A - 微細パタ−ン形成法 - Google Patents

Abstract

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Description

【発明の詳細な説明】 ′本発明は、アルカリ水溶ｇＫ対する構１性に優れ、陽
Ｉｌ！１ｉｔ−形成する感光性禰膿繊或−會用いた倣−
細パターン形成法に関する。

近年の半導体重４ｔｖ聰遣な進歩に併ない、半導体素子
のバタ二ノ形成に＃して用いられるしシスト材料に於い
て４広範なｄｌ能及び特性向上が求められている。これ
らの要−にこたえて、橋々のタイプの感光性ｍ層組成物
が実用に供せられており、それらはそれぞれに待機を有
しているものの欠点も多い。

これら実用に満せられている感光性樹脂のなかで、芳香
族アジド化合−とノボラックａｍま゛たはポリヒトミ中
シスチレン樹膚を主成分とする感光性ｍ膚櫨成倫Ｃ力え
ば特公昭５ｓ−ｓｕｏ２）はアルカリ水１１ｇを用いた
椀澹が可能である点に大きな轡倣を有している。構像液
としてＭ儀ｌＩ剤を用いる感光性傭腫組成物は数多く知
られているが、これらの場合現像によって形成されるパ
ターンが溶剤を吸収して膨満するためｊＷ像度が感〈時
に半導体凧子の扁系槓化に必要な砿−パターンの形成と
いう一点からは大きな間層１１・ 点となっていた。この儲にも、塊儂液な４ｔ−溶剤とす
る場合は賽物な暑剤願気に対する対策。

大量に発生する有機物廃液の処１９石油＊ｍ＊約などの
関越点が６り改善が纏まれていた。

アルカリ水ｍ液を用いた４１法は、液止成分が水である
ため、形成される傭−パターンを膨潤することがない。

このために倣１１ｉ１加工性に優れており、また安全衛
生面、資確節約の面でも有効な方法として注目されてお
り、この方法が可能な材料としてｍ記感元性１１盾岨成
物が実用に供せられ工いる。

しかしながら、これらの感光性ｓａｇｊｉｔ−において
も生として感光剤として用いるアジド化合物の性員に起
因する間趨点がめった。構在橿いられている：＄ｏｂ合
、使用されているアジド化合物は殆どＯ＊＆−品性の高
い固体であり。

溶液とした場合に液から析出したり、又處虞とした場合
に虞から析出したりする場合が６−）な。

籍に不郁合なφとしては、アルカリ水舗液塊儂に＃４し
て、イ讐屏される禾４光部分にこれら結晶がｆＩＬｉＩ
ｍ粒子の形で残存することＫるる、このような４＃ｆｉ
りはパターン形成犠の犠工楊に憑影＃ンもたらすことの
みならず、ｆＫｄ４＄ｌｌＩ性を求める場合には具ター
ン１４の一漕るるいはノり一ン切断の原因となったりし
て用いることが不問となり水Ｓ液＃ｌ像の！！＃黴を生
かすことができなくなる。このため、スプレー構像法な
どのように′４Ｉ場的手段によってこれらを取除こうと
する改良法が試みられているが、一点の欠陥によりても
不ＪＩＬ品となる半導体素子などでは不十分な−が多く
％ｑ＃に歩止り向上の一点からも更にＩＩＩ扇の＾い方
法が望まれて米た。

本角−の目的は、上記した従来技術の欠点をなくシ、機
成化工性に優れたパターン形成法を提供するにある。

上記目的を連成するために８感光性樹脂繊成物の芳香族
アジド化合物成分の改嵐中心Ｉｌｃ鋭意検討した結果、
芳香族アジド化合物として富−−において液体状−にあ
るものを用いれば、／（−一）形成時Ｏ黴戚加ニー性が
大−に同上することを見い出した。ここで％癩温におい
て液体とは、少なくとも５〜ｓＯ℃ｏａａｉｃ纏−内の
１点で液体であることを意味する。

構製１１に１１１解する未露光部分で見、られる嶺細な
芳香族アジド化合物の粒子を除く方法としては、これら
を溶解する有ｄＡ躊剤で洗浄する方法が考えられるがこ
の場合は形成された露光部分のパターンを４ｈ′ｍ解し
てしまい適切でない、傭の方法として芳香族アジド化合
−自身を液体とすれば徽爾粒子成分が芳香族、アジド化
合物であるだけに根本的な解決乗となる。この方法を実
用するにあたっての困廟な点は、液体でありてかつ感光
輝に富む芳４ｆｔアンド化合−な１ｌＩｊｉ！すること
Ｋある。そこで、芳香族アジド化合物を樵々合成しその
物性と光感応性ｔ−債村したｉＩＩ釆、（（ｊｌ、−Ｎ
、は−Ｘ−Ｒ−１’に刈しメメ又はパ。

−Ｃ１ｌ、ＣＨ，−、−ＣＨ，ＣＨｓＣＨ，−、−Ｃ１
１，ＣＨ，０Ｃ１ｌ、Ｃ１ｌ、Ｃ１ｌ、−ｗ−。

は−ＯＨ，−Ｍｌ、、　−Ｎ（ｃＨ，）、　、−Ｎ（Ｃ
１，）、。

−ＮｔＣａｌｌｔ）ｍ　　から選択された一つの基な表
わす。）で表わされる芳香族アジド化合物が、アルカリ
可濤性鳥分子と城合せた場合に感光性に富みかり富ｆｆ
ｉにおいて液状であることを見い出した。

この液状芳香族アット化合物を成分の１つとする前記感
光性ＩＩｉ繍岨成吻を用い、アルカリ水溶液を用いてｉ
Ａ像したパターンはその未露光ｓＩＩ解澤分において、
従来の結晶性芳香族アンドを用いた場合に見られた嶺Ｓ
粒子析出中員像残り等Ｏ構象も見られず清浄であり、パ
ターンの欠陥も著しく減少した。

以下、本脅−の＊輌パターン形成法に用いる感光性Ｉｌ
ｌ盾岨成物について更に一明に４明する。

本発明のパターン形ＭＩ法において用いる感光性両線組
成物のアルカリ可溶性蟲分子化合書としてはノボラック
＊＊にこでは、ホルムアルデヒドと石炭鹸、クレゾール
、その他アル中ルフェノールとの縮會吻などを意味する
）またはポリヒトミキシスチレン１１盾などがめげられ
る。

ノボ９ツク樹盾においてはホモ鑵合体もしくは共縮會体
の形で用いることが９馳であり、ポリヒトミキシスチレ
ン＊ｍにおいてもホモ重合体もしくは共重体の形で用い
ることが可能であるＣ以下、ノボツック＊ｎ＊、ポリヒ
トｇキシスｔレンｗ盾で包括する。）。これらは単一で
用いる場合Ｏ他Ｋ１４１ｒの１盆書の形で用いてもさし
つかえない。

ノボラック両線、ポリヒトＱ中シスチレン樹脂は市ｍ品
として求めること−できる。たとえば、ノボツク樹盾と
して石炭酸ノボンシタ榔盾、クレゾールノボラック樹Ｒ
ｘｓ石炭戚・クレゾールノボラック両層等があり、ポリ
ヒト鑓中シＨｖン＊ｍとしてはポリーＰ−ビニル７１ノ
ール等があげられる。これらのベースレジＶは目的に応
じて分子瀘、共ｍ盆ｍ或比、共重會櫨成比ｔ−任意に変
えることも町−である。

用いるベース１ｌｌｔ繍としては、フォトレジストとし
て使用するｆｆ１Ｋ、たとえば１０〜１００’Ｃにおい
てＪＲ，Ｉ［していることが必要であり、そのために数
平均分子量は５００以上が良く、好ましくは１０００以
上５ｏｏｏｏｏ以下、通しくは、１０００社１００００
０以下が好しい。

本発明のパターン形ｇ法において用いる感光性＊＃繊成
−＊ｏｆ香磯アジド化合瑠は室温において液体であるこ
とを大きな特徴としている。

アルカリ可溶性扁分子との組合せたＱＫ十分な感光性を
持ちかつ液体である芳香族アジド化合物の例としてはパ
ラ（又はメタ）７ジド安息査戚２−（Ｎ、Ｎ−ジメチル
１オノ）エチル、パ２（又はメタ）アジド安息香酸５−
（Ｎ、Ｎ−ジメテルアζ））グミピル、パラ（又ハメタ
）アジド安息香酸２−しド鑓キシエチルなどの安息香酸
エステル系芳香族アジド化合物、Ｎ、Ｎ−ジメチル−Ｎ
′−パ：）（又はメタ〕アジドベンゾイルエチレンジア
ンン　ＮＮ−ジメチル−Ｎ′か　　　　　ク ーパラ（又はメタ）アジドベイゾイルグａピレンジアン
ンなどの女息香戚アイド畢芳香族アジド化合物、パラ（
スはメＪ）アジドケイ皮−２−ＣＮ、Ｎ−ジメチルアン
ノ）エチル、パラ（又はメタ）アジドケイ皮＃ｔ４−Ｃ
Ｍ、Ｎ−ノメチルアンノ）グコピルなどのケイ皮酸ニス
ｔル系芳香族アジド化合備、Ｎ、Ｎ−ジエチル１電ノー
Ｎ′−バラ（叉はメタ）１ジドベンノリデン１セチルエ
チレンシアｉノ、Ｎ、Ｎ−ジメチルアζノーｒ−パラ（
又はメタ）１ノドベンジリデンアセチルグａピレンノア
オン７よどのケイ皮酸ア２ド系芳香族アジド化曾１、パ
ラ（又はメタ）アジド−α−シアノケイ皮戚２−（＃、
＃−ノメチルア一））エチル、パラ（又はメＩ）アジド
−α−シアノケイ皮−３−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアｉ））
グミピルなどのα−シアノケイ皮酸エステル糸芳誉族ア
ジド化合備などがあげられる。

上記芳香族アジド化合備はたとえば以下に示した方法で
甘酸される。安息香−エステル系着番族アジド化合１は
アジド安息香酸りａライドと＃、Ｎ−ジアルキルアｔア
ミルヵノールｔ’ｘ応させ安息香酸エステル系芳香アジ
ド化合４Ｉ。

塩酸ＪＪＶｔ作る０次にこれ゛を水酸化ナトリクムで逃
場すれば目的とする芳香族アジド化合物を得ることがで
きる。同様に安息香酸アζド系芳香族アジド化金書は相
当する含芳香族アジド基戚タａｊイド化合書とＮ、Ｎ−
ジアルキルアずノアルキレンジアζンとの反応により、
目的とする化合物の塩酸塩を得ることができるのでこれ
を水鐘化ナトリクムなとのアルカリで逃場することによ
り合成することができる。安息香酸エステル系芳香族ア
ジド化合物のうち、アジド安息香酸２−ヒト１：ｌＪ？
ジエチルに代表されるような分子の１ｊｌｌｌｌＫ水戚
基を待つ化合物は、含芳香族アジドｊｌＩｉ＃１りａラ
イド化合物をピリジン、トリエチルアンンなどの有債虐
基存在下に大４＃のアル中レンジオールと反応させるこ
とによって得られる。

本発明のパターン形成法において用いる感光性＃腫櫨成
倫のアルカリ可溶性高分子化合資と室温で液体状虐にあ
る芳香族アジド化合物の配合割合としては、アルカリ町
Ｓ性高分子化合吻１１００重量部とした時芳香族アジド
化合資はα５重量部から１５０瀘を部の範囲内で用いる
のが好しく、さらに孟しくは２貞量婦から１００重量部
の範囲内で用いるのが好しい、この輻１よりも少量の配
合の場合には実用に供しうるだけの十分な感光感度とな
らない事が多く、又このｌ１１１１ｍより多量の配合の
場合にはＩｋ膜形成−の点で着しく悪化することが多い
。

本発明のパターン形成法に用いる感光性＊ｍ組成物は適
当な有ｆｊｌ浴剤に溶した＃液状層で適当な１ＩｉＩ板
表面に塗布される。従って、用いる溶剤としては感光性
樹脂組成物成分のいずれをもｍ解する必要があり、アセ
トン、メテルエｔルケトン、シクＱヘキナノンなどのケ
トン系、メチルセａノルグ、エチルセａソルグ、エチル
七−ソルプアセテートなどのセａソルグ系、酢−エチル
、酢酸ブチルなどのエステス系などの瘍剤をこれらの目
□的として用いることができる。

これらは各成分が溶解する範囲であれば単一で用いても
よいし、２櫨以上の混合系で用いてもさしつかえない。

用いる溶剤の配合−合とじてはアルカリ可溶性高分子と
芳香族アジド化合物の総量を１００重量部とした時これ
に対して１００重量部からｔｃｃｏｏｏｌｉｉｉｇｏ範
ｄ内で用いるのが好しく、さらに望しくは２００重童埋
置ら釧００′：ＩＬ量部の範囲内で用いるのが好しい。

本発明のパターン形成法において用いる感光性＊＊ｍ＊
＊には、アルカリ可溶性高分子と室温で液体状騰にある
芳香族アンド化合物、溶剤の他に、目的に応じて更に一
次的な成分を含有せしめてもさＬつえない、それらの例
としてしては、貯蔵安定性をはかるための熱ム合防止剤
、基板との「ぬれ」性をよくするための界面活性剤、基
板からのハレーシｌンｔ−防止する／′−レーＶＩｌン
防止剤、基板との密着性な向上させるため０８１着性向
上剤、染料、顔料、充填１＠、離燃剤、増感剤等があげ
られる。

次にパターン形成の工楊について１！！ｌ々に説明する
。感光性４＃腫組成物を示持ｔｓ板へ塗布する方法とし
てはスピンナを用いた一転造布、浸漬、噴−１印刷など
の手段が可能であり目的に応じて適宜選択することがで
きる。これらは次Ｋｍ轟な温度（１２０℃以下、好まし
くは７０〜１００℃がよい）で乾燥し虞とする。皇布編
厚は塗布手段、溶液の固形分濃度、粘度によって！１１
３１Ｉが可能である。

支持基板上で造膜となりた感光性樹脂組成物に場所的に
紫外−を照射し１次いで未４光褌分をｍ儂液で溶解除去
することによりしｖ−７・パターンを潜ることができる
。雇射掘は紫外−に限らずＸｄ、１子−などの放射−で
あっても嵐い。感応させるのに要する蝋適照射−重は繊
成によっても異なるが、紫外−の場合Ｓ〜ｓＯＱ罵’／
ｃｌｌＢ”　＊　Ｘ　＃の場合１０〜５００”／ｃが、
４子−〇場合１×１Ｑ″″・〜５×１０″″’　０７ｃ
ｍ”　Ｏ［’ｆＡから目的に応じて適、ｆｉ４択して照
射するのが望しい。

本発明で墳いる感光ａ１１１膚４１１成１は−１したよ
うにアルカリ溶液によりて構儂することができる。これ
らの例としてはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド
によって代表されるテトラアルキルアンモ＝９ムヒドロ
中シトの水ａｌｌ。

薦易燐峨ナトリウム、水酸化ナトリウムに代表される無
砿アルカリ＊溶液などがめげられるが、アルカＶ性嬉液
であれば嵐〈これらに＠定されない。

ａｍは浸漬法、スプレー現像法などによって行なう事が
できる。現像に望しい温に範囲は５〜６０℃であるが、
ａ像ｉ１には温度条件に依存するので目的に応じて嚢択
することが殖しい。芳香族アジド化合物として液状のも
のを用い又もその成分比が多くなると基板表面にこれら
か付着するｍ像が見られるが、液状であることの臀性を
生かしスプレー現像法でｗ手段に洗い流すことによりて
砺めて清＃Ｋかつ歩止り員〈パターンｔ”形成すること
ができる。

構ＩＪｉ後２ｉ！碩から極績液を洗浄鹸去し基板機−を
清浄にするためリンス処４ｔ−行な５が、このためのリ
ンス液としては水が好しい、こ０ｆａｌにもｍ濃液との
Ａｌｌ性が＾好でかつ形成パターンを連層しないもので
あればイ砿溶剤を用いてもさしりρ１えない、これらの
例としてはエタノール、イソグミピルアルコールなどが
あげられるがこれらに限定されない。又、水と有−溶剤
を１液の形で用いてもさしつかえない６石４は纜漬、ス
プレー法などによって行なう４Ｉができる。

以下に本発明を実施例によって１！−する。崗、実施例
中の部はム重婦七示す。

実施例１ 石炭酸ノボラック−！１１０婦をシタａヘキｔノンｔｏ
＠Ｋｍかし、択にバラアジド安息香酸２−ヒドロキシエ
チル１ｔｓ１に湛解して感光Ｗ膚繊成−Ｏ嬉液を調製し
た。この時、パラアジド安息香酸２−ヒドロキシエチル
は瞬時に溶解して掬−Ｓ液となった。次いで、この溶液
な１輿＾孔のフィルｊ１％−用いて加圧Ｆ、４した。

ｎｂれた滴液をスピンナでシリコンクエ＾よに！ｍ１ｉ
ｊ１ｉｉ［布し、久イて７０℃、２０分間転−してａｅ
Ｊｌ厚ｏｍｍｔ慢た。この塗−七縞礪嫌の石英属フォト
マスクで密着被覆し、５００　ＩＦ　ＯＸｓ　−１１１
灯を用いて距−５００ｍ（１）所から５秒関索外−照射
した。α１５虞定の水−１ζカリ９ム水−液を用いてス
プレーｆｉｌｌ、次いで水で洗浄してシャープな趨向の
レリーフ・パターン４ｔ４た。ノ（ターンは結晶性芳香
族アジド化合′４ＩＪｔ−用いた場合に見られ４ｉ＊ａ
、ｏ析ａｉ構儂やこの成分に基ず〈）（ターン閾ＯｉＡ
像残りなども見られず清浄であり、最小１μ島幅のツイ
ンアンドスペースのくり返しパターンなｆｊ′Ｉｉする
ことができた。

実施例２ クレゾールノボラック１１腫１０部をエチ身上ロノルグ
ア上テート１２ＤｉＫ浴解し１次に）（ツアノド安息香
ｔｌｔ２−ＣＮ、Ｎ−ジメチルアζ））エテル２ｓｔ’
浴解して感光性膚膚櫨成書の滴液を＃Ｊｌｌｌた。この
＃、パラアジド安息香−２−（＃　、Ｎ−ノメチルアイ
ノ）エチルはｉｉｌ１４Ｋｍ解して均一溶液となりた０
次いで、この緩液七１μ馬孔のフィルタを用いて加圧Ｆ
Ｉした。

４６れた液をスピンナでセ９建ツク基板上に＆ｇｌｌｉ
處布し、次いで７０℃、２０分間転燥し【α８μ凰４の
ｊ１１縞な得た。このＩ１１属を縞礒様の石英義７オト
１スタで＊ＪｌｌＦＩＨ１Ｌ、５００１のＸｇ　−Ｈ１
灯を用いて距−５Ｑｃｙ＋の所から５秒閾承外−照射し
た。α２属定の水酸化ナトリウム水ｍ猷を用いてスプレ
ーｍ葎し、次いで水で洗浄して端面のシャープなレリー
フ・パターンｔ−４た。パー−７は実−１１１で示した
のと同様に十分に清浄で６りだ。

夷′＃ＡｆＭ３ ホリパクビニルフェノール１０部をエチルセーソルプア
セテート１２０鄭に溶解し、次にメタアジド安息香−５
−（Ｎ、Ｎ−ジメチルア建））プロビルＳ廊と緩解し工
感光性樹ｍ繊成書の一液Ｖｔ！ｌｉＩ署した。夷遁愕１
に示した如く、こＯ場合も芳香族アジド成分は添加する
と１１時に溶解した。次いで、この溶液を１ＪＩｌｌＩ
孔のフィルＩ′＃１：用いて加圧Ｐ４した。

得られた液をスピンｔでシリコンウエノ１上に崗転處布
し、次いで７０℃、２０分閾乾燥してα？ＪＩＩ厚のＩ
ｋ属を得た。この處Ａを縞横−〇石英顧フ＃　）　ｗ　
−ｘ、　／　テ’１ＨＩＩｉｊｌｆｌｉ　Ｌ、５０Ｑｌ
’０Ｘａ−Ｉｌｌ灯を用いて＠＠ｈＱＯ肩ｃ１所から５
秒間紫外−照射した、１１Ｌ２Ｊ１足Ｏ？）ツメチルア
ンモニウムヒトａ中シトの水＃瀘ｔ’用いてスグレー構
謙し１次いで水で洗浄してｊｌｉ１面ｏＶヤーグなレリ
ーフ拳ノ（Ｉ−ンを得た。パターンは夷ｍ例１で見られ
た如く、十分に清浄であった。

実施１１１４ 石炭酸）Ｉ＃／ツｙり樹脂１０都をメチルセａソルグア
セｔ−）４０部Ｋｍ解し、次にＮ、Ｎ−ジメチル−Ｎ′
−バツアジドベンゾイルエチレンジア電ン３部を８％し
て感光性樹膚組成物の４液を一編した。実施例１に見ら
れた如く、芳香族アジド成分は添加すると瞬時に溶解し
た。久いで、と０ｍ液な１声罵孔のフィルタな用いて加
圧−通した。

優られた液なスピンナでシリコンクエバ上に關ｌ１ＩＩ
／１１布し１次いで７０℃、２Ｑ、間転乾燥してαｔμ
講厚の１１ＩＪ１１１な得た。この處−【鍋砿−の石英
編フォトｖｘ夕で＊Ｊ＊ｉｌＬ、５００　Ｉ　ＯＸａ　
−Ｈｌ　灯ｔ’用いて距縮５Ｑｃｗｓ、の所から５抄閲
紫外−照射した。ａ２．ｄ定デトツメチルアンモニウム
ヒドａキシドの水ｍ′ｔｉを用いてスグレー構謔し、次
いで水で洗浄して端面のシャープなレリーフ・パターン
を得た。パターンは＾１丙１で見られた如く、十分に清
績でめった。

裏ａｆｌ１５ 石炭酸ノボ２ツク樹繍１０部［メチルセミツルグア竜デ
ート１０ｉ）＠に溶解し、久にバラアジドケイ皮ｄＲ２
−ＣＮ、Ｎ−ノメチルアンノ）エチル３ｇを溶解して感
光性樹ｊＪｉｔ岨或１の嬉歇を一編した。芳香族アジド
成分は添加すると瞬＃！Ｉ１１に―解し均一溶液となっ
た。次に、この溶液１に１７１１１１孔のフィルタを用
いて加圧Ｐ４した。

優られた＊ｔ−スピンナでシリコンウェハ上にｍ転造布
し、？Ｘいで７０′ｃ、２０分閾乾蟻してｔＱμ廖ｏ＊
ｗｉｖｔｓた。こｏｔｘｔ’縞備憾のソーダガラス−７
オトマスクで御Ｒ砿曖し、５ｏΩｌの４圧水−灯ｔ−用
いて−ａ５Ｑｃ瑯の所から１０砂閾索外城照射した。α
２現定のデトラメチルアンモエクムヒドａキシドの水浴
猷ン用いてスプレーｊＡ威し、次に水で洗浄してｊｌｉ
ｌｒｉｉのシャープなレリーフ・パターンを得た。パタ
ーンは夷Ｍｌｌｌで見られたのと同等なほどに十分清浄
であった。

実施例６ 石炭酸ノボラＶり樹１１１０　廊をメチルセａソルグア
セテート１００部に浴解し、次にＮ、Ｎ−ジエチルアン
ノーＮ′−パラアジドベンジリデンアセチルエチレンノ
アζ７４部を溶解して感光性１１１１膚岨ＪＲ会の溶液
を一刺した。芳香族アット成分は添加すると瞬ａ＃に溶
解し均一＃ｒ液となった。

次に、この浴液Ｖｔ１ｍμ孔のフィルタな用いて加圧Ｐ
通した。

優られた液なスピンナでシリコンクエバ上に一＠塗布し
、次いで７０℃、２０分子！ａ４ｔｌｌｌｌしてｔ１μ
導厚の値属を４た。このｌ１１１ｊＩＩｉ［を縞４１様
の）−ｆガラスｊ１１７オトマスクで着層−一し、５０
０＃’の４圧水銀灯ｔ’用いてｊ１１１ｍ！！Ｏ’ｌｌ
の所から１０秒閾紫外！＃照射した。α２現定のナト２
メチルアンモニウムとドロキシドの水溶液を用いて浸漬
法によって塊儂し、次に水で洗浄して４面のシャープな
レリー　７・パターンｔ’慢た。パターンは夷−例１で
見られたのと同等なほどに十分清疹で６りた。

実施ｆＩ１７ ホリパ２ビニルフェノール１０ｆｉｌメチル−ＩＥａソ
ルグアセテート１００ｇに′ａ４し、久にパラ１シトα
−シアノケイ皮−２−（Ｎ、Ｎ−ノメチルアゼノ）エチ
ル１１躊解して感元性貞繍繊成書Ｏ嬉ａｔ’−顧した。

芳香族アンド成分は添加すると瞬時に溶解し掬−溶鼠と
なった。久に。

この溶液を１μ膓孔のフィルタを用いて加圧Ｐ４した。

慢らｎｔＳ液をスピンナでシリコンウェハ上にｍ転造布
し、久いて７０℃、２０分閾乾嫌して１９μ馬のｌｋ編
を得た。このＩＩｌ磯を縞慎燻のソーｆガ２スｊ＆ｌ１
７オトマスクで青層砿握し、５１）ＯＦ■−圧水銀打を
用いて距−５０ｃｗａＯＰｆＨから１０抄閾第外−照射
した。α２現定のデトラメテルアンモニ９ムヒドｑキシ
ドの水１１１液を用いて漬浸法によりて塊・１し、次に
水で洗浄して４＃ｉのシャープなレリーフＩパターンｔ
４た。パターンは＾４１１１１１１で見られたのと同等
なほどに十分清浄であった。

実部？ｌ１８ ポリパラビニルフェノ−ＡＩｍＪｌｌｌｏＳｔ−エチル
七ロノルグアセテー）１００部に躊解し、次にパラアジ
ド安息誉１ｆｉ２−１ドｑキシエチル［Ｌ５　褌ｆ：連
層して感光性傭ＢＴＩ繊成−の溶液を一層した。

芳４族アジド成分はａ訓すると瞬時に４解し均一溶液と
なりた。久に、この醪漱’ｋｌ岸島孔のフィルタを用い
て加圧Ｆ４した。

優られた献をスピンナでシリコンクエバ上に薗＠處布し
、次いで７０℃、２０分間転Ｅｍして（：Ｌ７ＡＩＡの
處ＩＡを漫た。この遺構を縞横−の石基−フォトマスク
で’！Ｉｙｌｌｔｌｔｄｌｌ、、　　５ｕｏＦＯ＋ｇ圧
水銀灯を用いて距＊ＳａＣ隅の所から１５秒１４紫外−
照射した。

α２風定のテトシメチルアンモニウムヒドＩ２中シトの
水溶＃Ｘ電用いてスプレーｉＡ謔し、久に水で洗浄して
４１７のシャープな□レリーフｅパターンな得た。パタ
ーンは夷Ｓ例１で見られたのと同憂なほどに十分清浄で
６りた。

、ル砿例 石炭酸ノボツツク＃盾ＩＱｄＪをメチルセａソルグ１セ
テー）４０越Ｋｍ解し１次に一品性アシト化合吻でめる
４、４′−ジアジドアセトフェノン１鄭を微粉末にして
〃口えてｊ温で１０時閾攪拌したが、アンド化合省は完
全に４鱗しなかりた。

更に、アンド化合′４１を浴すべく猷ｖ５０℃箇で加―
したが完全に溶けなかった。この液は、久に１μｍ孔の
フィルタを用いて加圧Ｐ迩した。

得られた液をスピンナでシリコンウェハ上に一転迩布し
、次いで７０℃、２０Ｇ間乾−してαｐμ導の皇Ｂｘ馨
得た。こＯ慮Ａｔ’縞横−の石英−フォトマスクで一４
偵握し、５００１のＸｓ　−ｊｉｇ灯を用いて距−５Ｑ
Ｃ纒の所から１５抄閾紫外４１照射した。

０．２規定のテトラメチルアンモニウムヒトミキシドの
水溶液を用いてスプレー槻１−し次に水で洗浄してレリ
ーフ・パターンを得た。槻鐵液によって洗い處された未
嬉元部分にはアジド１区合−の倣禰な粒子がいたるとこ
ろ／ｌｃＭ、られ、→に償−な１〜５μ導−のラインア
ンドスペースパターンでは−Ｉ！ｌがアンド化合榔の補
晶によって一層している部分が数多（見られた。

以上、詳述したように本発明の倣顧パターン形成法によ
り、従来のアルカリ可溶性扁分子と芳香族アット化金豐
から成る感光性（１１腫櫨或倫を用いて鐵細パターンを
形成する康に間扇点であったアルカリ水溶液による構儂
性が著しく向上した０本ｆｉ−の黴爾パターン形成績は
曽にパターンＯＳＳ性の点で優れており、尚系積化され
た半導体のパターン形成などく有用である。

第１頁の続き ０発　明　者　磯部麻部 日立市東町四丁目１３番１号日立 化成工業株式会社山崎工場内 ０出　願　人　日立化成工業株式会社 東京都新宿区西新宿二丁目１番 １号

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板に室温で液状の芳香族アジド化合物。 アルカリ可嬉性＾分子化會曹、溶剤よりなる感光性樹盾
   岨成′＃Ｉ七皇布し、乾燥して感光性ｍ線膜を形成し、
   この−を局部的に露光してからアルカリ水＊＊で、ｉｍ
   諺して未露光部分を溶解鹸去させることをｑ＃歳とする
   徽爾パＩ　−ン形成法。 ２　アルカリ町−性−分子化合倫が、ホ海−合ノボンツ
   ク樹繍、共−合ノボラック貞膚、ポリヒト−キシスチレ
   ンホモ瀘合体、ポリヒトミ中システレン共瀘合体の５’
   ＆から迩ばれた少なくとも−ｌＩ−の化合１で６ること
   をｔｆ＃砿とする脣ｔ＊ｍ求Ｏ樋−扇１項昭−Ｏ黴爾パ
   ターン形ｇ法。 五　ｍ温で液体状！ＩｊＡに６る芳香族アジド化合−（
   但シ、−Ｎ、＋＊　−Ｘ　−Ｒ−Ｙ　Ｋ　ＲＬ　”Ｃ／
   　Ｉ　Ｘはパラ位に位置し、 は−ｃＨＲ嘴−９−嘴ｃｉ、−山一、−嘴偶一。 一つの基、Ｙは−ＯＬ−ｗ、、−Ｎ（Ｃ１ｌ、）Ｒ１−
   Ｎ（Ｃ，Ｈ，）、、−Ｎ　（Ｃ，拓）ヨから選択された
   ークＯ基を表わす。）で表わされ“る芳香族アジド化合
   物であることを特徴とする轡ｉＩＩ！Ｆ祷求Ｏ範−Ｎ１
   磯記−の微細パターン形成法。