JPH1197611A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
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- JPH1197611A JPH1197611A JP27535097A JP27535097A JPH1197611A JP H1197611 A JPH1197611 A JP H1197611A JP 27535097 A JP27535097 A JP 27535097A JP 27535097 A JP27535097 A JP 27535097A JP H1197611 A JPH1197611 A JP H1197611A
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- lead frame
- die pad
- semiconductor device
- pad portion
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 半導体装置用リードフレームのダイパッ
ド１１のチップ搭載部２の側方外周面に、全周にわたり
Ｖ字形溝５や角形の溝や段差等を設けた構造とする。 【効果】 全周にわたり、溝や段差が加工されたダイパ
ッド部にチップを搭載し、樹脂により封止することによ
り、機械的かみ合わせができ、フレームと樹脂の密着性
や食い付き性が向上し、封着面積も増加し、耐湿性、熱
サイクル特性が良好な信頼性の高い半導体装置が得られ
る。
ド１１のチップ搭載部２の側方外周面に、全周にわたり
Ｖ字形溝５や角形の溝や段差等を設けた構造とする。 【効果】 全周にわたり、溝や段差が加工されたダイパ
ッド部にチップを搭載し、樹脂により封止することによ
り、機械的かみ合わせができ、フレームと樹脂の密着性
や食い付き性が向上し、封着面積も増加し、耐湿性、熱
サイクル特性が良好な信頼性の高い半導体装置が得られ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置用リー
ドフレームに関するもので、特に、トランジスタチップ
を搭載するダイパッド部の構造に関する。
ドフレームに関するもので、特に、トランジスタチップ
を搭載するダイパッド部の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】トランジスタ用のリードフレームは、ダ
イパッド部のトランジスタチップ搭載部にトランジスタ
チップを搭載し、電極取り出し用リードにワイヤボンデ
ィングを行い、又、不活性化処理を施して、エポキシ等
の樹脂封止を行い、トランジスタを形成している。この
際、リードフレームと封止樹脂との密着性、及び食い付
き性を高めるために、図８に示すように、リードフレー
ム１のダイパッド部１１のトランジスタチップ搭載部２
の側面の一部にリードフレーム形成時に、つぶし加工等
を施し、突起部１０を形成していた。
イパッド部のトランジスタチップ搭載部にトランジスタ
チップを搭載し、電極取り出し用リードにワイヤボンデ
ィングを行い、又、不活性化処理を施して、エポキシ等
の樹脂封止を行い、トランジスタを形成している。この
際、リードフレームと封止樹脂との密着性、及び食い付
き性を高めるために、図８に示すように、リードフレー
ム１のダイパッド部１１のトランジスタチップ搭載部２
の側面の一部にリードフレーム形成時に、つぶし加工等
を施し、突起部１０を形成していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来技術
では、リードフレームの一部にしか突起部を施していな
いので、リードフレームと封止樹脂との間の密着性や食
い付き性に、突起がある部分と、ない部分で、ばらつき
があり、不完全な封止状態が発生したり、経時変化によ
り、封止部の劣化をもたらしていた。
では、リードフレームの一部にしか突起部を施していな
いので、リードフレームと封止樹脂との間の密着性や食
い付き性に、突起がある部分と、ない部分で、ばらつき
があり、不完全な封止状態が発生したり、経時変化によ
り、封止部の劣化をもたらしていた。
【０００４】本発明の課題は、上記欠点を除去し、半導
体装置用リードフレームと封止樹脂との密着性と食い付
き性を向上させ、耐湿性や気密性を向上できる半導体装
置用リードフレームを提供することにある。
体装置用リードフレームと封止樹脂との密着性と食い付
き性を向上させ、耐湿性や気密性を向上できる半導体装
置用リードフレームを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、トランジスタ
チップを搭載するダイパッド部の側方外周部全面に単数
又は複数本のＶ字形溝、あるいは、段差を形成した構造
のリードフレームである。半導体装置用リードフレーム
の構造として、ダイパッド部の構造を全周にわたって、
溝、又は段差加工することにより、樹脂封止にあたっ
て、材料間の食い付き性が向上でき、密着性や耐湿性も
向上させた半導体装置用リードフレームが提供される。
チップを搭載するダイパッド部の側方外周部全面に単数
又は複数本のＶ字形溝、あるいは、段差を形成した構造
のリードフレームである。半導体装置用リードフレーム
の構造として、ダイパッド部の構造を全周にわたって、
溝、又は段差加工することにより、樹脂封止にあたっ
て、材料間の食い付き性が向上でき、密着性や耐湿性も
向上させた半導体装置用リードフレームが提供される。
【０００６】
【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施の
形態を説明する。図１は、本発明の一例の半導体装置用
リードフレームのダイパッド部周辺の形状を説明する斜
視図である。ダイパッド部１１のチップ搭載部２の側方
外周部に、図１に示すようなＶ字形溝５、又は角形溝や
テーパー状、階段状段差が、ダイパッド部の全周にわた
って加工されている。
形態を説明する。図１は、本発明の一例の半導体装置用
リードフレームのダイパッド部周辺の形状を説明する斜
視図である。ダイパッド部１１のチップ搭載部２の側方
外周部に、図１に示すようなＶ字形溝５、又は角形溝や
テーパー状、階段状段差が、ダイパッド部の全周にわた
って加工されている。
【０００７】このような形状の加工が、全周に施される
ことにより、機械的かみ合わせ部が全周にわたって得ら
れ、リードフレームと封止樹脂との密着性と食い付き性
が改善され、封着面積も大きくでき、耐湿特性や熱サイ
クル特性が良好で、信頼性の高い半導体装置が得られ
る。
ことにより、機械的かみ合わせ部が全周にわたって得ら
れ、リードフレームと封止樹脂との密着性と食い付き性
が改善され、封着面積も大きくでき、耐湿特性や熱サイ
クル特性が良好で、信頼性の高い半導体装置が得られ
る。
【０００８】
（第１の実施例）図１ないし図３を用いて、本発明によ
る第１の実施例を説明する。図１は、第１の実施例のダ
イパッド部周辺の形状を示し、図２は、図１の断面を示
し、図３は、図２の断面に直交する断面を示す。
る第１の実施例を説明する。図１は、第１の実施例のダ
イパッド部周辺の形状を示し、図２は、図１の断面を示
し、図３は、図２の断面に直交する断面を示す。
【０００９】図１に示すように、リードフレーム１のダ
イパッド部１１のトランジスタチップ搭載部２の側方外
周部全面にＶ字形溝５を設けた。図２及び図３に、図１
のＡ−Ａ断面、及びＢ−Ｂ断面の構造が示すように、ダ
イパッド部の４方向すべてに溝を設けることが重要であ
る。
イパッド部１１のトランジスタチップ搭載部２の側方外
周部全面にＶ字形溝５を設けた。図２及び図３に、図１
のＡ−Ａ断面、及びＢ−Ｂ断面の構造が示すように、ダ
イパッド部の４方向すべてに溝を設けることが重要であ
る。
【００１０】このように、溝がダイパッド部のほぼ全周
に設けられているので、樹脂封止を行う際、全外周部に
わたり、リードフレームと封止樹脂との密着性及び食い
付き性が向上された。この結果、耐湿性が改善された。
耐温度サイクル特性も改善することができた。
に設けられているので、樹脂封止を行う際、全外周部に
わたり、リードフレームと封止樹脂との密着性及び食い
付き性が向上された。この結果、耐湿性が改善された。
耐温度サイクル特性も改善することができた。
【００１１】（第２の実施例）図４に、本発明による第
２の実施例のダイパッド部の断面形状を示す。図４に示
すように、本例の半導体装置用リードフレームのダイパ
ッド部１１のトランジスタチップ搭載部２の側方外周部
全面には、角形溝６が設けられている。図面では、一方
向の断面を示すが、ダイパッド部の４方向すべてに同様
の溝が設けられている。その結果、全外周部におけるリ
ードフレームと封止樹脂との密着性及び食い付き性が改
善された。
２の実施例のダイパッド部の断面形状を示す。図４に示
すように、本例の半導体装置用リードフレームのダイパ
ッド部１１のトランジスタチップ搭載部２の側方外周部
全面には、角形溝６が設けられている。図面では、一方
向の断面を示すが、ダイパッド部の４方向すべてに同様
の溝が設けられている。その結果、全外周部におけるリ
ードフレームと封止樹脂との密着性及び食い付き性が改
善された。
【００１２】（第３の実施例）図５に、本発明による第
３の実施例のダイパッド部の断面形状を示す。図５に示
すように、本例の半導体装置用リードフレームのダイパ
ッド部１１のトランジスタチップ搭載部２の側方外周部
全面には、複Ｖ字形溝７が設けられている。図面では、
一方向の断面形状のみを示すが、ダイパッド部の４方向
すべてに複数のＶ字形溝が設けられている。この結果、
全外周部におけるリードフレームと封止樹脂との密着性
及び食い付き性が、更に改善された。
３の実施例のダイパッド部の断面形状を示す。図５に示
すように、本例の半導体装置用リードフレームのダイパ
ッド部１１のトランジスタチップ搭載部２の側方外周部
全面には、複Ｖ字形溝７が設けられている。図面では、
一方向の断面形状のみを示すが、ダイパッド部の４方向
すべてに複数のＶ字形溝が設けられている。この結果、
全外周部におけるリードフレームと封止樹脂との密着性
及び食い付き性が、更に改善された。
【００１３】（第４の実施例）図６に、本発明による第
４の実施例のダイパッド部の断面形状を示す。図６に示
すように、本例の半導体装置用リードフレームのダイパ
ッド部１１のトランジスタチップ搭載部２の側方外周部
全面には、トランジスタチップ搭載部２側が突き出した
階段状段差８が設けられている。図面では、一方向の断
面形状のみを示すが、ダイパッド部１１の４方向すべて
に段差が設けられ、その段差の高い部分は、トランジス
タチップ搭載部２に位置するように設けられている。こ
の結果、全外周部におけるリードフレームと封止樹脂と
の密着性及び食い付き性が改善された。
４の実施例のダイパッド部の断面形状を示す。図６に示
すように、本例の半導体装置用リードフレームのダイパ
ッド部１１のトランジスタチップ搭載部２の側方外周部
全面には、トランジスタチップ搭載部２側が突き出した
階段状段差８が設けられている。図面では、一方向の断
面形状のみを示すが、ダイパッド部１１の４方向すべて
に段差が設けられ、その段差の高い部分は、トランジス
タチップ搭載部２に位置するように設けられている。こ
の結果、全外周部におけるリードフレームと封止樹脂と
の密着性及び食い付き性が改善された。
【００１４】（第５の実施例）図７に、本発明による第
５の実施例のダイパッド部の断面形状を示す。図７に示
すように、本例の半導体装置用リードフレームのダイパ
ッド部１１のトランジスタチップ搭載部２の側方外周部
全面には、トランジスタチップ搭載部２側が突き出した
テーパー状段差９が設けられている。図面では、一方向
の断面形状のみを示すが、ダイパッド部の４方向すべて
に段差が設けられ、その段差の外側に高くなっている部
分は、トランジスタチップ搭載部２に位置するように設
けられている。この結果、全外周部におけるリードフレ
ームと封止樹脂との密着性及び食い付き性が改善され
た。
５の実施例のダイパッド部の断面形状を示す。図７に示
すように、本例の半導体装置用リードフレームのダイパ
ッド部１１のトランジスタチップ搭載部２の側方外周部
全面には、トランジスタチップ搭載部２側が突き出した
テーパー状段差９が設けられている。図面では、一方向
の断面形状のみを示すが、ダイパッド部の４方向すべて
に段差が設けられ、その段差の外側に高くなっている部
分は、トランジスタチップ搭載部２に位置するように設
けられている。この結果、全外周部におけるリードフレ
ームと封止樹脂との密着性及び食い付き性が改善され
た。
【００１５】以上、実施例の通り、本発明の半導体装置
用リードフレームは、そのダイパッド部の外周面の構造
が、異形断面形状を有している。本発明の半導体装置用
リードフレームは、機械的構造により、フレーム材と封
止樹脂との密着性及び食い付き性が改善されているの
で、温度変化の激しいパワー系トランジスタで、特に、
信頼性が高い製品が得られた。
用リードフレームは、そのダイパッド部の外周面の構造
が、異形断面形状を有している。本発明の半導体装置用
リードフレームは、機械的構造により、フレーム材と封
止樹脂との密着性及び食い付き性が改善されているの
で、温度変化の激しいパワー系トランジスタで、特に、
信頼性が高い製品が得られた。
【００１６】ダイパッド部の溝や段差の形成は、金属材
料からリードフレーム形状にプレス加工等により打ち抜
かれ、その後、ダイパッド部側方外周部のつぶし加工等
で、Ｖ字形溝、あるいは、テーパー状段差が加工されて
いるので、各種形状溝及び段差は、容易に形成すること
ができる。
料からリードフレーム形状にプレス加工等により打ち抜
かれ、その後、ダイパッド部側方外周部のつぶし加工等
で、Ｖ字形溝、あるいは、テーパー状段差が加工されて
いるので、各種形状溝及び段差は、容易に形成すること
ができる。
【００１７】本発明は、Ｖ字形や角形溝、階段状やテー
パー状段差を設けることにより、リードフレームと封止
樹脂とのダイパッド部全周にわたる機械的挟み込み部分
が増え、密着性及び食い付き性が増し、更に、密着面積
も増加し、外気からトランジスタチップ搭載部までの距
離も大きくなり、耐湿性等が向上し、信頼性を高めるこ
とができた。特に、ダイパッド部の外周部全面（４方
向）に溝や段差を形成したことから、部分的な差異は少
なくなり、信頼性も向上した。なお、本効果は、単純な
リードフレームの厚み増加では得られないものである。
パー状段差を設けることにより、リードフレームと封止
樹脂とのダイパッド部全周にわたる機械的挟み込み部分
が増え、密着性及び食い付き性が増し、更に、密着面積
も増加し、外気からトランジスタチップ搭載部までの距
離も大きくなり、耐湿性等が向上し、信頼性を高めるこ
とができた。特に、ダイパッド部の外周部全面（４方
向）に溝や段差を形成したことから、部分的な差異は少
なくなり、信頼性も向上した。なお、本効果は、単純な
リードフレームの厚み増加では得られないものである。
【００１８】溝や段差の形状は、Ｖ字形、角形等、又、
角度、幅、及び深さ等は、リードフレーム形状、材質、
封止材の材質により任意に選定され、あるいは、各種形
状を任意に組み合わせても、同様の効果が得られる。
角度、幅、及び深さ等は、リードフレーム形状、材質、
封止材の材質により任意に選定され、あるいは、各種形
状を任意に組み合わせても、同様の効果が得られる。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、半導体装置用リードフ
レームのダイパッド部の側方外周面に溝や段差を形成す
ることにより、リードフレームと封止樹脂との密着性及
び食い付き性が改善され、耐湿性の向上が可能となり、
信頼性の高い半導体装置が製造できる半導体装置用リー
ドフレームの提供が可能となった。
レームのダイパッド部の側方外周面に溝や段差を形成す
ることにより、リードフレームと封止樹脂との密着性及
び食い付き性が改善され、耐湿性の向上が可能となり、
信頼性の高い半導体装置が製造できる半導体装置用リー
ドフレームの提供が可能となった。
【図１】本発明による半導体装置用リードフレームの第
１の実施例のダイパッド部周辺の形状を示す斜視図。
１の実施例のダイパッド部周辺の形状を示す斜視図。
【図２】図１に示す半導体装置用リードフレームのＡ−
Ａ断面を示す断面図。
Ａ断面を示す断面図。
【図３】図１に示す半導体装置用リードフレームのＢ−
Ｂ断面を示す断面図。
Ｂ断面を示す断面図。
【図４】本発明による半導体装置用リードフレームの第
２の実施例のダイパッド部の断面形状を示す断面図。
２の実施例のダイパッド部の断面形状を示す断面図。
【図５】本発明による半導体装置用リードフレームの第
３の実施例のダイパッド部の断面形状を示す断面図。
３の実施例のダイパッド部の断面形状を示す断面図。
【図６】本発明による半導体装置用リードフレームの第
４の実施例のダイパッド部の断面形状を示す断面図。
４の実施例のダイパッド部の断面形状を示す断面図。
【図７】本発明による半導体装置用リードフレームの第
５の実施例のダイパッド部の断面形状を示す断面図。
５の実施例のダイパッド部の断面形状を示す断面図。
【図８】従来の半導体装置用リードフレームのダイパッ
ド部周辺の形状を示す斜視図。
ド部周辺の形状を示す斜視図。
１ リードフレーム ２ （トランジスタ）チップ搭載部 ３，４ 電極取り出し用リード ５ Ｖ字形溝 ６ 角形溝 ７ 複Ｖ字形溝 ８ 階段状段差 ９ テーパー状段差 １０ 突起部 １１ ダイパッド部
Claims (3)
- 【請求項１】 トランジスタチップを搭載するダイパッ
ド部の側方外周部全面に単数又は複数本のＶ字形溝を有
することを特徴とする半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項２】 トランジスタチップを搭載するダイパッ
ド部の側方外周部全面に階段状の段差を有することを特
徴とする半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項３】 トランジスタチップを搭載するダイパッ
ド部の側方外周部全面にテーパ状の段差を有することを
特徴とする半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27535097A JPH1197611A (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27535097A JPH1197611A (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197611A true JPH1197611A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17554257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27535097A Pending JPH1197611A (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1197611A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010010567A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2012222111A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電気部品モジュール |
| JP2013145825A (ja) * | 2012-01-16 | 2013-07-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
| JP2015041684A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置及びリードフレーム |
| WO2018096656A1 (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1997
- 1997-09-22 JP JP27535097A patent/JPH1197611A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010010567A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2012222111A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電気部品モジュール |
| JP2013145825A (ja) * | 2012-01-16 | 2013-07-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
| JP2015041684A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置及びリードフレーム |
| WO2018096656A1 (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JPWO2018096656A1 (ja) * | 2016-11-25 | 2019-04-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| CN110024118A (zh) * | 2016-11-25 | 2019-07-16 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
| US10763183B2 (en) | 2016-11-25 | 2020-09-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
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