JPH1197227A - フェライト磁石およびそれを用いた回転機 - Google Patents
フェライト磁石およびそれを用いた回転機Info
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- JPH1197227A JPH1197227A JP10192167A JP19216798A JPH1197227A JP H1197227 A JPH1197227 A JP H1197227A JP 10192167 A JP10192167 A JP 10192167A JP 19216798 A JP19216798 A JP 19216798A JP H1197227 A JPH1197227 A JP H1197227A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 格段に優れた磁気特性、特に従来に比べて高
い残留磁束密度、または高い残留磁束密度と保磁力とを
有した新しい高性能フェライト磁石およびそれを用いた
高性能の回転機を提供する。 【解決手段】 マグネトプランバイト型Ｓｒフェライト
磁石のＳｒサイトをＬａで一部置換しているとともにＦ
ｅサイトをＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも１種以
上で一部置換してなり、かつ実質的にマグネトプランバ
イト型結晶構造を有することを特徴とするフェライト磁
石。
い残留磁束密度、または高い残留磁束密度と保磁力とを
有した新しい高性能フェライト磁石およびそれを用いた
高性能の回転機を提供する。 【解決手段】 マグネトプランバイト型Ｓｒフェライト
磁石のＳｒサイトをＬａで一部置換しているとともにＦ
ｅサイトをＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも１種以
上で一部置換してなり、かつ実質的にマグネトプランバ
イト型結晶構造を有することを特徴とするフェライト磁
石。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、従来に比べて高い
残留磁束密度または高い残留磁束密度と保磁力とが得ら
れ、実質的にマグネトプランバイト型結晶構造を有する
新しい高性能フェライト磁石に関する。また、本発明は
前記高性能フェライト磁石を用いて構成される回転機に
関する。
残留磁束密度または高い残留磁束密度と保磁力とが得ら
れ、実質的にマグネトプランバイト型結晶構造を有する
新しい高性能フェライト磁石に関する。また、本発明は
前記高性能フェライト磁石を用いて構成される回転機に
関する。
【０００２】
【従来の技術】フェライト磁石は、モーター、発電器等
の回転機を含む種々の用途に使用されている。最近は特
に自動車用回転機分野では小型・軽量化を目的とし、電
気機器用回転機分野では高効率化を目的としてより高い
磁気特性を有するフェライト磁石が求められている。従
来ＳｒフェライトあるいはＢａフェライトの高性能焼結
磁石は以下のように製造されていた。すなわち、酸化鉄
とＳｒまたはＢａの炭酸塩を混合後、仮焼処理によりフ
ェライト化反応を終了させる。仮焼されたクリンカーを
粗粉砕する。粗粉砕された仮焼粉を、焼結挙動の制御を
目的としてＳｉＯ2、ＳｒＣＯ3およびＣａＣＯ3、さら
には保磁力ｉＨｃの制御を目的としてＡｌ2Ｏ3あるいは
Ｃｒ2Ｏ 3等の添加物とともに平均粒径値が０．７〜１．
０μｍになるまで微粉砕する。微粉砕されたスラリーを
磁場中で配向させながら湿式成形し成形体とする。成形
体を焼成し、その後製品形状に加工し製品とする。
の回転機を含む種々の用途に使用されている。最近は特
に自動車用回転機分野では小型・軽量化を目的とし、電
気機器用回転機分野では高効率化を目的としてより高い
磁気特性を有するフェライト磁石が求められている。従
来ＳｒフェライトあるいはＢａフェライトの高性能焼結
磁石は以下のように製造されていた。すなわち、酸化鉄
とＳｒまたはＢａの炭酸塩を混合後、仮焼処理によりフ
ェライト化反応を終了させる。仮焼されたクリンカーを
粗粉砕する。粗粉砕された仮焼粉を、焼結挙動の制御を
目的としてＳｉＯ2、ＳｒＣＯ3およびＣａＣＯ3、さら
には保磁力ｉＨｃの制御を目的としてＡｌ2Ｏ3あるいは
Ｃｒ2Ｏ 3等の添加物とともに平均粒径値が０．７〜１．
０μｍになるまで微粉砕する。微粉砕されたスラリーを
磁場中で配向させながら湿式成形し成形体とする。成形
体を焼成し、その後製品形状に加工し製品とする。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような製造方法を
前提とした場合、フェライト磁石の高性能化の方法は以
下の５つに大きく分類されると考えられる。第１の方法
は微粒化である。焼成体における結晶粒の大きさが、Ｍ
（マグネトプランバイト）型Ｓｒフェライト磁石の臨界
単磁区粒子径値である約０．９μｍに近いほど保磁力ｉ
Ｈｃは最大となるため、焼成時の結晶粒成長を見込ん
で、微粉砕平均粒径値を例えば０．７μｍ以下に微粒化
すればよい。しかしながら本方法では、微粒化するほど
湿式成形時の脱水特性が悪くなり、生産効率が落ちると
いう副作用を有する。第２の方法は焼成体の結晶粒の大
きさをできるだけ均一にすることである。理想的には均
一にしてその値を上記の臨界単磁区粒子径値約０．９μ
ｍとすればよい。この値より大きな結晶粒も小さな結晶
粒も保磁力ｉＨｃの低下につながるからである。この方
式による具体的な高性能化の手段は微粉砕粉の粒径分布
を改善することにあるが、工業的生産を前提とした場合
にはボールミルやアトライターなどの既存の粉砕機を用
いらざるを得ず、その改善程度には自ずから限界があ
る。また近年、化学的沈殿法により均一な粒子径を有す
るフェライト微粒子を作製する試みが公表されている
が、工業的大量生産に適合する方式とはいえない。第３
の方法は磁気的異方性を左右する結晶配向度を向上させ
ることである。本方法における具体的手段としては、表
面活性剤を微粉砕スラリーに添加してスラリー中のフェ
ライト粒子の分散性を向上したり、配向時の磁場強度を
強くすること等が挙げられる。第４の方法は焼成体の密
度を向上させることである。Ｓｒフェライト焼成体の理
論密度は５．１５ｇ／ｃｃである。現在市場に供されて
いるＳｒフェライト磁石の密度は概ね４．９〜５．０ｇ
／ｃｃの範囲にあり、この値は対理論密度比で９５〜９
７％に相当する。高密度化させれば、残留磁束密度Ｂｒ
の向上が期待されるが、上記の現状値以上に密度を向上
させるためには、ＨＩＰ等の特殊な高密度化手段が必要
である。しかしながらこのような特殊なプロセスの導入
は製造原価の増加に結びつき、廉価磁石としてのフェラ
イト磁石の特長を失わしめる可能性がある。第５の方法
はフェライト磁石を構成する主組成物であるフェライト
化合物自体の飽和磁化σsを向上させることである。飽
和磁化σsの向上は直接的に残留磁束密度Ｂｒの向上へ
結びつく可能性を有している。従来において生産されて
いるフェライト化合物はＭ（マグネトプランバイト）型
の結晶構造を有している。このＭ型より大きな飽和磁化
を有するＷ型フェライトの検討も鋭意行われているもの
の、雰囲気制御の困難さのため量産化が実現されるには
至っていない。このような状況の中で、上記第１〜第４
の方法によりフェライト磁石の高性能化が図られ、代表
特性；Ｂｒ＝４１００Ｇ、ｉＨｃ＝４０００Ｏｅを有す
る高性能フェライト磁石の製品化まで進んでいるのが現
状である。しかしながら、ＳｒＯ・ｎＦｅ2Ｏ3で表され
る化合物を主組成物とし上記第１〜第４の方法でこれ以
上の格段の高性能化を図ることは下記の理由により困難
になっている。即ち第１の理由は上記第１〜第４の方法
が生産性に対し副作用ともいうべき悪影響を有していた
り、量産工程を考慮した場合の実現が困難な内容を含ん
でいるためである。第２の理由は磁気特性特に残留磁束
密度値Ｂｒが既に理論値に近いレベルに達しているため
である。従って、本発明の目的は上記第５の方法により
格段に優れた磁気特性、特に従来に比べて高い残留磁束
密度、または高い残留磁束密度と保磁力とを有した新し
い高性能フェライト磁石およびそれを用いた高性能の回
転機を提供することである。
前提とした場合、フェライト磁石の高性能化の方法は以
下の５つに大きく分類されると考えられる。第１の方法
は微粒化である。焼成体における結晶粒の大きさが、Ｍ
（マグネトプランバイト）型Ｓｒフェライト磁石の臨界
単磁区粒子径値である約０．９μｍに近いほど保磁力ｉ
Ｈｃは最大となるため、焼成時の結晶粒成長を見込ん
で、微粉砕平均粒径値を例えば０．７μｍ以下に微粒化
すればよい。しかしながら本方法では、微粒化するほど
湿式成形時の脱水特性が悪くなり、生産効率が落ちると
いう副作用を有する。第２の方法は焼成体の結晶粒の大
きさをできるだけ均一にすることである。理想的には均
一にしてその値を上記の臨界単磁区粒子径値約０．９μ
ｍとすればよい。この値より大きな結晶粒も小さな結晶
粒も保磁力ｉＨｃの低下につながるからである。この方
式による具体的な高性能化の手段は微粉砕粉の粒径分布
を改善することにあるが、工業的生産を前提とした場合
にはボールミルやアトライターなどの既存の粉砕機を用
いらざるを得ず、その改善程度には自ずから限界があ
る。また近年、化学的沈殿法により均一な粒子径を有す
るフェライト微粒子を作製する試みが公表されている
が、工業的大量生産に適合する方式とはいえない。第３
の方法は磁気的異方性を左右する結晶配向度を向上させ
ることである。本方法における具体的手段としては、表
面活性剤を微粉砕スラリーに添加してスラリー中のフェ
ライト粒子の分散性を向上したり、配向時の磁場強度を
強くすること等が挙げられる。第４の方法は焼成体の密
度を向上させることである。Ｓｒフェライト焼成体の理
論密度は５．１５ｇ／ｃｃである。現在市場に供されて
いるＳｒフェライト磁石の密度は概ね４．９〜５．０ｇ
／ｃｃの範囲にあり、この値は対理論密度比で９５〜９
７％に相当する。高密度化させれば、残留磁束密度Ｂｒ
の向上が期待されるが、上記の現状値以上に密度を向上
させるためには、ＨＩＰ等の特殊な高密度化手段が必要
である。しかしながらこのような特殊なプロセスの導入
は製造原価の増加に結びつき、廉価磁石としてのフェラ
イト磁石の特長を失わしめる可能性がある。第５の方法
はフェライト磁石を構成する主組成物であるフェライト
化合物自体の飽和磁化σsを向上させることである。飽
和磁化σsの向上は直接的に残留磁束密度Ｂｒの向上へ
結びつく可能性を有している。従来において生産されて
いるフェライト化合物はＭ（マグネトプランバイト）型
の結晶構造を有している。このＭ型より大きな飽和磁化
を有するＷ型フェライトの検討も鋭意行われているもの
の、雰囲気制御の困難さのため量産化が実現されるには
至っていない。このような状況の中で、上記第１〜第４
の方法によりフェライト磁石の高性能化が図られ、代表
特性；Ｂｒ＝４１００Ｇ、ｉＨｃ＝４０００Ｏｅを有す
る高性能フェライト磁石の製品化まで進んでいるのが現
状である。しかしながら、ＳｒＯ・ｎＦｅ2Ｏ3で表され
る化合物を主組成物とし上記第１〜第４の方法でこれ以
上の格段の高性能化を図ることは下記の理由により困難
になっている。即ち第１の理由は上記第１〜第４の方法
が生産性に対し副作用ともいうべき悪影響を有していた
り、量産工程を考慮した場合の実現が困難な内容を含ん
でいるためである。第２の理由は磁気特性特に残留磁束
密度値Ｂｒが既に理論値に近いレベルに達しているため
である。従って、本発明の目的は上記第５の方法により
格段に優れた磁気特性、特に従来に比べて高い残留磁束
密度、または高い残留磁束密度と保磁力とを有した新し
い高性能フェライト磁石およびそれを用いた高性能の回
転機を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者らはＳｒＯ・ｎＦｅ2Ｏ3で表すことができ
る組成物のＳｒおよびＦｅ元素の一部を異種元素で置換
する方法を見い出した。マグネトプランバイト型Ｓｒフ
ェライトの磁性はＦｅイオンの磁気モーメントが担って
おり、この磁気モーメントがＦｅイオンサイトにより部
分的に反平行方向に配列したフェリ磁性体の磁気構造を
有している。この磁気構造において飽和磁化を向上させ
るためには２つの方法がある。第１の方法は反平行方向
に向いた磁気モーメントに対応するサイトのＦｅイオン
を、Ｆｅイオンより小さな磁気モーメントを有するか非
磁性の別種の元素で置換することである。第２の方法は
平行方向に向いた磁気モーメントに対応するサイトのＦ
ｅイオンを、Ｆｅイオンより大きな磁気モーメントを有
する別種の元素で置換することである。本発明者らは以
上を念頭におき、Ｆｅイオンを種々の元素で置換する検
討を鋭意行った結果、Ｍｎ、Ｃｏ、ＮｉおよびＺｎが飽
和磁化の向上および磁気特性を改善する元素であること
を見い出した。しかしながら単純に上記元素を加えただ
けでは十分な効果は得られない。なぜならば、Ｆｅイオ
ンを別種の元素で置換しようとすると、イオン価数のバ
ランスがくずれ異相が発生してしまうためである。この
現象を回避するために、電荷補償を目的にＳｒサイトを
別種の元素で置換すればよく、その目的のためにはＬ
ａ、Ｎｄ、Ｐｒが特に有効であることを見い出し本発明
をなしたものである。
に、本発明者らはＳｒＯ・ｎＦｅ2Ｏ3で表すことができ
る組成物のＳｒおよびＦｅ元素の一部を異種元素で置換
する方法を見い出した。マグネトプランバイト型Ｓｒフ
ェライトの磁性はＦｅイオンの磁気モーメントが担って
おり、この磁気モーメントがＦｅイオンサイトにより部
分的に反平行方向に配列したフェリ磁性体の磁気構造を
有している。この磁気構造において飽和磁化を向上させ
るためには２つの方法がある。第１の方法は反平行方向
に向いた磁気モーメントに対応するサイトのＦｅイオン
を、Ｆｅイオンより小さな磁気モーメントを有するか非
磁性の別種の元素で置換することである。第２の方法は
平行方向に向いた磁気モーメントに対応するサイトのＦ
ｅイオンを、Ｆｅイオンより大きな磁気モーメントを有
する別種の元素で置換することである。本発明者らは以
上を念頭におき、Ｆｅイオンを種々の元素で置換する検
討を鋭意行った結果、Ｍｎ、Ｃｏ、ＮｉおよびＺｎが飽
和磁化の向上および磁気特性を改善する元素であること
を見い出した。しかしながら単純に上記元素を加えただ
けでは十分な効果は得られない。なぜならば、Ｆｅイオ
ンを別種の元素で置換しようとすると、イオン価数のバ
ランスがくずれ異相が発生してしまうためである。この
現象を回避するために、電荷補償を目的にＳｒサイトを
別種の元素で置換すればよく、その目的のためにはＬ
ａ、Ｎｄ、Ｐｒが特に有効であることを見い出し本発明
をなしたものである。
【０００５】即ち本発明は、マグネトプランバイト型Ｓ
ｒフェライト磁石のＳｒサイトをＬａで一部置換してい
るとともにＦｅサイトをＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少な
くとも１種以上で一部置換してなり、かつ実質的にマグ
ネトプランバイト型結晶構造を有するフェライト磁石で
ある。本発明のフェライト磁石において、Ｓｒサイトに
おけるＬａ置換の原子比率が０．０５〜０．５であり、
かつ前記ＦｅサイトにおけるＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの
少なくとも１種以上による置換の原子比率が｛０．０５
／（２．２×６）｝〜｛０．５／（１．８×５．７）｝
であることが従来に比べて高い残留磁束密度または高い
残留磁束密度と保磁力とを得るために好ましい。
ｒフェライト磁石のＳｒサイトをＬａで一部置換してい
るとともにＦｅサイトをＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少な
くとも１種以上で一部置換してなり、かつ実質的にマグ
ネトプランバイト型結晶構造を有するフェライト磁石で
ある。本発明のフェライト磁石において、Ｓｒサイトに
おけるＬａ置換の原子比率が０．０５〜０．５であり、
かつ前記ＦｅサイトにおけるＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの
少なくとも１種以上による置換の原子比率が｛０．０５
／（２．２×６）｝〜｛０．５／（１．８×５．７）｝
であることが従来に比べて高い残留磁束密度または高い
残留磁束密度と保磁力とを得るために好ましい。
【０００６】また本発明は、マグネトプランバイト型Ｓ
ｒフェライト磁石のＳｒサイトをＮｄ、Ｐｒのうちの少
なくとも１種以上で一部置換しているとともにＦｅサイ
トをＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎのうちの少なくとも１種以
上で一部置換してなり、かつ実質的にマグネトプランバ
イト型結晶構造を有するフェライト磁石である。本発明
のフェライト磁石において、ＳｒサイトにおけるＮｄ、
Ｐｒのうちの少なくとも１種以上による置換の原子比率
が０．０５〜０．５であり、かつ前記Ｆｅサイトにおけ
るＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎのうちの少なくとも１種以上
による置換の原子比率が｛０．０５／（２．２×６）｝
〜｛０．５／（１．８×５．７）｝であることが従来に
比べて高い残留磁束密度または高い残留磁束密度と保磁
力とを得るために好ましい。
ｒフェライト磁石のＳｒサイトをＮｄ、Ｐｒのうちの少
なくとも１種以上で一部置換しているとともにＦｅサイ
トをＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎのうちの少なくとも１種以
上で一部置換してなり、かつ実質的にマグネトプランバ
イト型結晶構造を有するフェライト磁石である。本発明
のフェライト磁石において、ＳｒサイトにおけるＮｄ、
Ｐｒのうちの少なくとも１種以上による置換の原子比率
が０．０５〜０．５であり、かつ前記Ｆｅサイトにおけ
るＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎのうちの少なくとも１種以上
による置換の原子比率が｛０．０５／（２．２×６）｝
〜｛０．５／（１．８×５．７）｝であることが従来に
比べて高い残留磁束密度または高い残留磁束密度と保磁
力とを得るために好ましい。
【０００７】また本発明は、フェライト磁石を用いた回
転機であって、このフェライト磁石がマグネトプランバ
イト型Ｓｒフェライト磁石のＳｒサイトをＬａで一部置
換しているとともにＦｅサイトをＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのう
ちの少なくとも１種以上で一部置換してなり、かつ実質
的にマグネトプランバイト型結晶構造を有する回転機で
ある。本発明において、前記ＳｒサイトにおけるＬａ置
換の原子比率が０．０５〜０．５であり、かつ前記Ｆｅ
サイトにおけるＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも１
種以上による置換の原子比率が｛０．０５／（２．２×
６）｝〜｛０．５／（１．８×５．７）｝であることが
従来に比べて高性能の回転機を構成するために好まし
い。
転機であって、このフェライト磁石がマグネトプランバ
イト型Ｓｒフェライト磁石のＳｒサイトをＬａで一部置
換しているとともにＦｅサイトをＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのう
ちの少なくとも１種以上で一部置換してなり、かつ実質
的にマグネトプランバイト型結晶構造を有する回転機で
ある。本発明において、前記ＳｒサイトにおけるＬａ置
換の原子比率が０．０５〜０．５であり、かつ前記Ｆｅ
サイトにおけるＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも１
種以上による置換の原子比率が｛０．０５／（２．２×
６）｝〜｛０．５／（１．８×５．７）｝であることが
従来に比べて高性能の回転機を構成するために好まし
い。
【０００８】また本発明は、フェライト磁石を用いた回
転機であって、このフェライト磁石がマグネトプランバ
イト型Ｓｒフェライト磁石のＳｒサイトをＮｄ、Ｐｒの
うちの少なくとも１種以上で一部置換しているとともに
ＦｅサイトをＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎのうちの少なくと
も１種以上で一部置換してなり、かつ実質的にマグネト
プランバイト型結晶構造を有する回転機である。本発明
において、ＳｒサイトにおけるＮｄ、Ｐｒのうちの少な
くとも１種以上による置換の原子比率が０．０５〜０．
５であり、かつ前記ＦｅサイトにおけるＭｎ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ、Ｚｎのうちの少なくとも１種以上による置換の原子
比率が｛０．０５／（２．２×６）｝〜｛０．５／
（１．８×５．７）｝であることが従来に比べて高性能
の回転機を構成するために好ましい。
転機であって、このフェライト磁石がマグネトプランバ
イト型Ｓｒフェライト磁石のＳｒサイトをＮｄ、Ｐｒの
うちの少なくとも１種以上で一部置換しているとともに
ＦｅサイトをＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎのうちの少なくと
も１種以上で一部置換してなり、かつ実質的にマグネト
プランバイト型結晶構造を有する回転機である。本発明
において、ＳｒサイトにおけるＮｄ、Ｐｒのうちの少な
くとも１種以上による置換の原子比率が０．０５〜０．
５であり、かつ前記ＦｅサイトにおけるＭｎ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ、Ｚｎのうちの少なくとも１種以上による置換の原子
比率が｛０．０５／（２．２×６）｝〜｛０．５／
（１．８×５．７）｝であることが従来に比べて高性能
の回転機を構成するために好ましい。
【０００９】ここで、本発明のフェライト磁石を、原子
比率で（Ｓｒ1-xＲx）Ｏ・ｎ［（Ｆｅ1-yＭy）2Ｏ3］、
（Ｒ＝ＬａとＭ＝Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも
１種以上との組み合わせ、または、Ｒ＝Ｎｄ、Ｐｒのう
ちの少なくとも１種以上とＭ＝Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ
のうちの少なくとも１種以上との組み合わせ）、で表す
場合に、ｎの値を５．７〜６とすることが従来に比べて
高い磁気特性を得るためによい。ｘは本発明のフェライ
ト磁石のＳｒサイトにおけるＲ元素による置換の原子比
率、ｙはＦｅサイトにおけるＭ元素による置換の原子比
率である。前記ＳｒサイトにおけるＲ元素による置換の
原子比率ｘが０．０５未満であれば本発明に関わる有意
の効果が認められず、０．５を越えれば逆に磁気特性が
低下する。また、前記ＦｅサイトにおけるＭ元素による
置換の原子比率ｙを｛０．０５／（２．２×６）｝〜
｛０．５／（１．８×５．７）｝とすることが電荷補償
の目的を実現し、本発明の効果を実質的に保持するため
に非常に重要である。さらに、上記本発明のフェライト
磁石において、重量比率で０．４〜０．５％のＳｉＯ２
および０．３５〜０．５５％のＣａＯを含有することが
後述の通り実用上非常に重要である。
比率で（Ｓｒ1-xＲx）Ｏ・ｎ［（Ｆｅ1-yＭy）2Ｏ3］、
（Ｒ＝ＬａとＭ＝Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも
１種以上との組み合わせ、または、Ｒ＝Ｎｄ、Ｐｒのう
ちの少なくとも１種以上とＭ＝Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ
のうちの少なくとも１種以上との組み合わせ）、で表す
場合に、ｎの値を５．７〜６とすることが従来に比べて
高い磁気特性を得るためによい。ｘは本発明のフェライ
ト磁石のＳｒサイトにおけるＲ元素による置換の原子比
率、ｙはＦｅサイトにおけるＭ元素による置換の原子比
率である。前記ＳｒサイトにおけるＲ元素による置換の
原子比率ｘが０．０５未満であれば本発明に関わる有意
の効果が認められず、０．５を越えれば逆に磁気特性が
低下する。また、前記ＦｅサイトにおけるＭ元素による
置換の原子比率ｙを｛０．０５／（２．２×６）｝〜
｛０．５／（１．８×５．７）｝とすることが電荷補償
の目的を実現し、本発明の効果を実質的に保持するため
に非常に重要である。さらに、上記本発明のフェライト
磁石において、重量比率で０．４〜０．５％のＳｉＯ２
および０．３５〜０．５５％のＣａＯを含有することが
後述の通り実用上非常に重要である。
【００１０】本発明のフェライト磁石は標準製造工程
（混合→仮焼→粉砕→成形→焼結）の仮焼段階で、実質
的に形成し原料粉末として粉砕に供することが望まし
い。即ち、Ｒ元素およびＭ元素は上記工程の混合段階で
加えた方が仮焼と焼結の２回の高温過程を経ることにな
り、固体内拡散が進行してより均一な組成物が得られ
る。高性能のフェライト焼結体を得るためには、焼結現
象を制御する元素としてＳｉＯ2およびＣａＯ（ＣａＣ
Ｏ3）を粉砕段階で添加することが望ましい。ＳｉＯ 2は
焼結時の結晶粒成長を抑制する添加物であり、添加量は
重量比率で０．４〜０．５％が適切である。０．４％未
満では焼結時における結晶粒成長を抑制する効果が不十
分であり、保磁力が低下する。０．５％を越えると結晶
粒成長が過度に抑制され、結晶粒成長とともに進行する
配向度の改善が不十分であり、残留磁束密度が低下す
る。一方ＣａＯは結晶粒成長を促進する元素であり、添
加量は重量比率で０．３５〜０．５５％が適切である。
０．５５％を越えると焼結時における結晶粒成長が過度
に進行し、保磁力が低下する。０．３５％未満では結晶
粒成長が過度に抑制され、結晶粒成長とともに進行する
配向度の改善が不十分であり、残留磁束密度が低下す
る。
（混合→仮焼→粉砕→成形→焼結）の仮焼段階で、実質
的に形成し原料粉末として粉砕に供することが望まし
い。即ち、Ｒ元素およびＭ元素は上記工程の混合段階で
加えた方が仮焼と焼結の２回の高温過程を経ることにな
り、固体内拡散が進行してより均一な組成物が得られ
る。高性能のフェライト焼結体を得るためには、焼結現
象を制御する元素としてＳｉＯ2およびＣａＯ（ＣａＣ
Ｏ3）を粉砕段階で添加することが望ましい。ＳｉＯ 2は
焼結時の結晶粒成長を抑制する添加物であり、添加量は
重量比率で０．４〜０．５％が適切である。０．４％未
満では焼結時における結晶粒成長を抑制する効果が不十
分であり、保磁力が低下する。０．５％を越えると結晶
粒成長が過度に抑制され、結晶粒成長とともに進行する
配向度の改善が不十分であり、残留磁束密度が低下す
る。一方ＣａＯは結晶粒成長を促進する元素であり、添
加量は重量比率で０．３５〜０．５５％が適切である。
０．５５％を越えると焼結時における結晶粒成長が過度
に進行し、保磁力が低下する。０．３５％未満では結晶
粒成長が過度に抑制され、結晶粒成長とともに進行する
配向度の改善が不十分であり、残留磁束密度が低下す
る。
【００１１】上記の組成物からさらに高性能のフェライ
ト焼結体を得るためには、上記の標準製造工程の替わり
に以下に示す方法により製造することが望ましい。即
ち、該組成物を平均粒径値が０．４〜０．６μｍの範囲
まで湿式にて粉砕し、その後濃縮あるいは乾燥、解砕し
た後、混練後、湿式成形して焼結するという技術的手段
を採用することが望ましい。平均粒径値で０．４μｍ未
満まで粉砕すると、焼結時に異常結晶粒成長が生じ高い
磁気特性が得られないとともに、湿式成形時の脱水特性
が悪化する。０．６μｍを越える場合には、焼結体組織
において粗大な結晶粒の存在比率が増加する。高い磁気
特性のフェライト磁石を得るためには、組成および物性
が適当に制御されたフェライト粉末を準備することに加
えて、このフェライト粉末がスラリー中で凝集しないこ
とが重要である。そこで本発明者らはフェライト粉末の
各粒子がスラリー中で独立して存在し得る状態を作り出
すべく種々検討した結果、フェライト粉末を含むスラリ
ーを粉砕後乾燥あるいは濃縮した後、高濃度のスラリー
状態にして、分散剤を添加して混練することにより剪断
力が加えられ、凝集が解かれ、配向性が向上し、磁気特
性が向上することを見い出した。また混練時に分散剤を
添加することにより、分散剤の吸着による表面改質で良
好な分散状態となりさらに磁気特性が向上することを見
い出したのである。分散剤としては、界面活性剤、高級
脂肪酸、高級脂肪酸石鹸、高級脂肪酸エステル等が知ら
れているが、アニオン系界面活性剤の一種であるポリカ
ルボン酸系分散剤を使用することによりフェライト粒子
の分散性が向上し、フェライト粒子の凝集を有効に防止
できることがわかった。ポリカルボン酸系分散剤にも種
々あるが、フェライト粒子の分散性向上に特に有効なも
のはポリカルボン酸アンモニウム塩である。分散剤の添
加量は固形分比率で０．２％以上であれば有効である
が、２．０％を越えると逆に残留磁束密度が低下する。
以下に本発明の詳細を実施例により説明する。
ト焼結体を得るためには、上記の標準製造工程の替わり
に以下に示す方法により製造することが望ましい。即
ち、該組成物を平均粒径値が０．４〜０．６μｍの範囲
まで湿式にて粉砕し、その後濃縮あるいは乾燥、解砕し
た後、混練後、湿式成形して焼結するという技術的手段
を採用することが望ましい。平均粒径値で０．４μｍ未
満まで粉砕すると、焼結時に異常結晶粒成長が生じ高い
磁気特性が得られないとともに、湿式成形時の脱水特性
が悪化する。０．６μｍを越える場合には、焼結体組織
において粗大な結晶粒の存在比率が増加する。高い磁気
特性のフェライト磁石を得るためには、組成および物性
が適当に制御されたフェライト粉末を準備することに加
えて、このフェライト粉末がスラリー中で凝集しないこ
とが重要である。そこで本発明者らはフェライト粉末の
各粒子がスラリー中で独立して存在し得る状態を作り出
すべく種々検討した結果、フェライト粉末を含むスラリ
ーを粉砕後乾燥あるいは濃縮した後、高濃度のスラリー
状態にして、分散剤を添加して混練することにより剪断
力が加えられ、凝集が解かれ、配向性が向上し、磁気特
性が向上することを見い出した。また混練時に分散剤を
添加することにより、分散剤の吸着による表面改質で良
好な分散状態となりさらに磁気特性が向上することを見
い出したのである。分散剤としては、界面活性剤、高級
脂肪酸、高級脂肪酸石鹸、高級脂肪酸エステル等が知ら
れているが、アニオン系界面活性剤の一種であるポリカ
ルボン酸系分散剤を使用することによりフェライト粒子
の分散性が向上し、フェライト粒子の凝集を有効に防止
できることがわかった。ポリカルボン酸系分散剤にも種
々あるが、フェライト粒子の分散性向上に特に有効なも
のはポリカルボン酸アンモニウム塩である。分散剤の添
加量は固形分比率で０．２％以上であれば有効である
が、２．０％を越えると逆に残留磁束密度が低下する。
以下に本発明の詳細を実施例により説明する。
【００１２】
（実施例１〜５、参考例１〜７）ＳｒＣＯ3、Ｆｅ
2Ｏ3、Ｒ元素（Ｓｒサイト置換元素）の各酸化物および
Ｍ元素（Ｆｅサイト置換元素）の各酸化物を下記の化学
式において、原子比率でｎ＝５．８５、ｘ＝２ｎｙ、ｘ
＝０．１１７になるよう配合し、湿式にて混合した後、
１２００℃で２時間、大気中で仮焼した。 （Ｓｒ1-xＲx）Ｏ・ｎ［（Ｆｅ1-yＭy）2Ｏ3］ Ｒ元素としては、Ｓｒイオンと類似のイオン半径を有す
ることを基準として、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、
Ｇｄを選択した。またＭ元素としては、Ｆｅイオンと類
似のイオン半径を有することを基準として、Ｔｉ、Ｖ、
Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎを選択した。また比較例
として、上記化学式においてｎ＝５．８５、ｘ＝ｙ＝０
なる組成物を同様な方法で作製した。仮焼粉をローラー
ミルで乾式粉砕を行い粗粉砕粉とした。試料振動型磁力
計により得られた粗粉砕粉の磁気特性を評価した。この
際の測定条件は最大磁場強度が１２ｋＯｅであり、１／
Ｈ 2プロットにより本測定条件による飽和磁化値σsを求
めた。またＨｃを求めた。またＸ線回折により生成した
相の同定を行った。評価結果を表１に示す（表１におい
て、Ｍ相とはマグネトプランバイト型の結晶構造を有す
る相である）。表１より、（Ｒ元素、Ｍ元素）の組み合
わせで（Ｌａ、Ｍｎ）、（Ｌａ、Ｃｏ）、（Ｌａ、Ｎ
ｉ）、（Ｐｒ、Ｚｎ）、（Ｎｄ、Ｚｎ）をそれぞれ置換
元素として選択した実施例１〜５の場合に、比較例に比
して高い飽和磁化値および良好な保磁力値を有してお
り、焼結してバルクの磁石とした場合に従来材に比して
高性能の磁石材料となりうるポテンシャルを有している
ことがわかる。
2Ｏ3、Ｒ元素（Ｓｒサイト置換元素）の各酸化物および
Ｍ元素（Ｆｅサイト置換元素）の各酸化物を下記の化学
式において、原子比率でｎ＝５．８５、ｘ＝２ｎｙ、ｘ
＝０．１１７になるよう配合し、湿式にて混合した後、
１２００℃で２時間、大気中で仮焼した。 （Ｓｒ1-xＲx）Ｏ・ｎ［（Ｆｅ1-yＭy）2Ｏ3］ Ｒ元素としては、Ｓｒイオンと類似のイオン半径を有す
ることを基準として、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、
Ｇｄを選択した。またＭ元素としては、Ｆｅイオンと類
似のイオン半径を有することを基準として、Ｔｉ、Ｖ、
Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎを選択した。また比較例
として、上記化学式においてｎ＝５．８５、ｘ＝ｙ＝０
なる組成物を同様な方法で作製した。仮焼粉をローラー
ミルで乾式粉砕を行い粗粉砕粉とした。試料振動型磁力
計により得られた粗粉砕粉の磁気特性を評価した。この
際の測定条件は最大磁場強度が１２ｋＯｅであり、１／
Ｈ 2プロットにより本測定条件による飽和磁化値σsを求
めた。またＨｃを求めた。またＸ線回折により生成した
相の同定を行った。評価結果を表１に示す（表１におい
て、Ｍ相とはマグネトプランバイト型の結晶構造を有す
る相である）。表１より、（Ｒ元素、Ｍ元素）の組み合
わせで（Ｌａ、Ｍｎ）、（Ｌａ、Ｃｏ）、（Ｌａ、Ｎ
ｉ）、（Ｐｒ、Ｚｎ）、（Ｎｄ、Ｚｎ）をそれぞれ置換
元素として選択した実施例１〜５の場合に、比較例に比
して高い飽和磁化値および良好な保磁力値を有してお
り、焼結してバルクの磁石とした場合に従来材に比して
高性能の磁石材料となりうるポテンシャルを有している
ことがわかる。
【００１３】
【表１】
【００１４】（参考例８）Ｒ元素としてＬａ、Ｍ元素と
してＺｎをそれぞれ選択し、ＳｒＣＯ3、Ｆｅ2Ｏ 3、Ｌ
ａ2Ｏ3およびＺｎＯを下記に示す化学式において、原子
比率でｎ＝５．８５、ｘ＝２ｎｙ、ｘ＝０〜０．６にな
るよう配合し、湿式にて混合した後、１２００℃で２時
間、大気中で仮焼した。 （Ｓｒ1-xＬａx）Ｏ・ｎ［（Ｆｅ1-yＺｎy）2Ｏ3］ その後実施例１に示したのと同様な方法により粗粉砕粉
を作製し、その磁気特性を評価した。その結果を図１に
示す。図１よりＬａ2Ｏ3およびＺｎＯを同時に加えるこ
とにより、飽和磁化が向上することが明確にわかる。ま
た添加量ｘ値が０．０５以上でその効果が顕著となり、
０．５を越えると効果が減じることがわかる。従ってｘ
値に関しては、０．０５以上、０．５以下が望ましく、
さらに望ましくは０．０７以上、０．４以下である。 （実施例６）Ｒ元素がＰｒまたはＮｄおよびＭ元素がＭ
ｎ、Ｃｏ、Ｎｉのいずれかとした組み合わせとした以外
は参考例８と同様にして評価した場合においても図１と
ほぼ同様な結果が得られた。またｎ値が５．７〜６．０
の範囲では有意に差異は認められず、同様な効果が得ら
れることを確認した。
してＺｎをそれぞれ選択し、ＳｒＣＯ3、Ｆｅ2Ｏ 3、Ｌ
ａ2Ｏ3およびＺｎＯを下記に示す化学式において、原子
比率でｎ＝５．８５、ｘ＝２ｎｙ、ｘ＝０〜０．６にな
るよう配合し、湿式にて混合した後、１２００℃で２時
間、大気中で仮焼した。 （Ｓｒ1-xＬａx）Ｏ・ｎ［（Ｆｅ1-yＺｎy）2Ｏ3］ その後実施例１に示したのと同様な方法により粗粉砕粉
を作製し、その磁気特性を評価した。その結果を図１に
示す。図１よりＬａ2Ｏ3およびＺｎＯを同時に加えるこ
とにより、飽和磁化が向上することが明確にわかる。ま
た添加量ｘ値が０．０５以上でその効果が顕著となり、
０．５を越えると効果が減じることがわかる。従ってｘ
値に関しては、０．０５以上、０．５以下が望ましく、
さらに望ましくは０．０７以上、０．４以下である。 （実施例６）Ｒ元素がＰｒまたはＮｄおよびＭ元素がＭ
ｎ、Ｃｏ、Ｎｉのいずれかとした組み合わせとした以外
は参考例８と同様にして評価した場合においても図１と
ほぼ同様な結果が得られた。またｎ値が５．７〜６．０
の範囲では有意に差異は認められず、同様な効果が得ら
れることを確認した。
【００１５】（実施例７〜９、参考例９）Ｒ元素として
Ｌａを選択するとともに、Ｍ元素としてＭｎを選択した
場合（実施例７）、Ｍ元素としてＣｏを選択した場合
（実施例８）、Ｍ元素としてＮｉを選択した場合（実施
例９）、Ｍ元素としてＺｎを選択した場合（参考例９）
の各々において、ＳｒＣＯ3、Ｆｅ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3およ
び各Ｍ元素の酸化物を用いて、下記に示す化学式におい
て、原子比率でｎ＝５．８５、ｘ＝２ｎｙ、ｘ＝０．１
１７になるよう配合し、湿式にて混合した後、１２００
℃で２時間、大気中で仮焼した。仮焼粉をローラーミル
で乾式粉砕を行い粗粉砕粉とした。 （Ｓｒ1-xＬａx）Ｏ・ｎ［（Ｆｅ1-yＭy）2Ｏ3］ その後、アトライターにより湿式粉砕を行い、平均粒径
値が０．７μｍの微粉砕粉を含むスラリーを得た。焼結
助剤として、ＳｉＯ2とＣａＣＯ3を粉砕粉に対する重量
比でそれぞれ０．４５％、０．８０％（ＣａＯ換算で
０．４５％）粉砕初期に添加した。このスラリーを１０
ｋＯｅの磁場中で湿式成形を行い、成形体とした。この
成形体を１１８０〜１２３０℃の温度範囲で２時間焼結
し、焼結体とした。また同様な方法でｘ＝ｙ＝０なる組
成を有する試料を比較材（従来材）として作製した。こ
の焼結体を約１０×１０×２０ｍｍの形状に加工し、Ｂ
−Ｈトレーサーにより磁気特性を評価した。結果を図２
に示す。図２より、（Ｌａ、Ｍｎ）、（Ｌａ、Ｎｉ）、
（Ｌａ、Ｚｎ）置換材はいずれも従来材に比較して低ｉ
Ｈｃ領域における飽和磁束密度Ｂｒの伸びが良好で、飽
和磁化σs向上の効果が有効に出ていると判断される。
従って、（Ｌａ、Ｍｎ）、（Ｌａ、Ｎｉ）、（Ｌａ、Ｚ
ｎ）置換材は特に高Ｂｒ材に適合している。一方、（Ｌ
ａ、Ｃｏ）置換材は、高いＢｒ値とともに高いｉＨｃ値
を兼ね備えており、高性能材として非常に有用である。
本実施例に示したごとく、いずれにおいても従来材に対
する本発明材の優位性は明らかである。
Ｌａを選択するとともに、Ｍ元素としてＭｎを選択した
場合（実施例７）、Ｍ元素としてＣｏを選択した場合
（実施例８）、Ｍ元素としてＮｉを選択した場合（実施
例９）、Ｍ元素としてＺｎを選択した場合（参考例９）
の各々において、ＳｒＣＯ3、Ｆｅ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3およ
び各Ｍ元素の酸化物を用いて、下記に示す化学式におい
て、原子比率でｎ＝５．８５、ｘ＝２ｎｙ、ｘ＝０．１
１７になるよう配合し、湿式にて混合した後、１２００
℃で２時間、大気中で仮焼した。仮焼粉をローラーミル
で乾式粉砕を行い粗粉砕粉とした。 （Ｓｒ1-xＬａx）Ｏ・ｎ［（Ｆｅ1-yＭy）2Ｏ3］ その後、アトライターにより湿式粉砕を行い、平均粒径
値が０．７μｍの微粉砕粉を含むスラリーを得た。焼結
助剤として、ＳｉＯ2とＣａＣＯ3を粉砕粉に対する重量
比でそれぞれ０．４５％、０．８０％（ＣａＯ換算で
０．４５％）粉砕初期に添加した。このスラリーを１０
ｋＯｅの磁場中で湿式成形を行い、成形体とした。この
成形体を１１８０〜１２３０℃の温度範囲で２時間焼結
し、焼結体とした。また同様な方法でｘ＝ｙ＝０なる組
成を有する試料を比較材（従来材）として作製した。こ
の焼結体を約１０×１０×２０ｍｍの形状に加工し、Ｂ
−Ｈトレーサーにより磁気特性を評価した。結果を図２
に示す。図２より、（Ｌａ、Ｍｎ）、（Ｌａ、Ｎｉ）、
（Ｌａ、Ｚｎ）置換材はいずれも従来材に比較して低ｉ
Ｈｃ領域における飽和磁束密度Ｂｒの伸びが良好で、飽
和磁化σs向上の効果が有効に出ていると判断される。
従って、（Ｌａ、Ｍｎ）、（Ｌａ、Ｎｉ）、（Ｌａ、Ｚ
ｎ）置換材は特に高Ｂｒ材に適合している。一方、（Ｌ
ａ、Ｃｏ）置換材は、高いＢｒ値とともに高いｉＨｃ値
を兼ね備えており、高性能材として非常に有用である。
本実施例に示したごとく、いずれにおいても従来材に対
する本発明材の優位性は明らかである。
【００１６】
【発明の効果】以上に記述の如く、本発明によれば、従
来に比して残留磁束密度または残留磁束密度と保磁力と
が向上したマグネトプランバイト型結晶構造の新しい高
性能フェライト磁石およびそれを用いた高性能の回転機
を提供することができる。
来に比して残留磁束密度または残留磁束密度と保磁力と
が向上したマグネトプランバイト型結晶構造の新しい高
性能フェライト磁石およびそれを用いた高性能の回転機
を提供することができる。
【図１】ｘと飽和磁化との相関の一例を示す図である。
【図２】ＳｒフェライトのＳｒサイトをＬａで一部置換
するとともに、ＦｅサイトをＺｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏの
いずれかで一部置換してなる高性能フェライト磁石の磁
気特性の一例を示す図である。
するとともに、ＦｅサイトをＺｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏの
いずれかで一部置換してなる高性能フェライト磁石の磁
気特性の一例を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０４Ｂ 35/40 Ｃ０４Ｂ 35/40
Claims (8)
- 【請求項１】 マグネトプランバイト型Ｓｒフェライト
磁石のＳｒサイトをＬａで一部置換しているとともにＦ
ｅサイトをＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも１種以
上で一部置換してなり、かつ実質的にマグネトプランバ
イト型結晶構造を有することを特徴とするフェライト磁
石。 - 【請求項２】 前記ＳｒサイトにおけるＬａ置換の原子
比率が０．０５〜０．５であり、かつ前記Ｆｅサイトに
おけるＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも１種以上に
よる置換の原子比率が｛０．０５／（２．２×６）｝〜
｛０．５／（１．８×５．７）｝である請求項１に記載
のフェライト磁石。 - 【請求項３】 マグネトプランバイト型Ｓｒフェライト
磁石のＳｒサイトをＮｄ、Ｐｒのうちの少なくとも１種
以上で一部置換しているとともにＦｅサイトをＭｎ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｚｎのうちの少なくとも１種以上で一部置換
してなり、かつ実質的にマグネトプランバイト型結晶構
造を有することを特徴とするフェライト磁石。 - 【請求項４】 前記ＳｒサイトにおけるＮｄ、Ｐｒのう
ちの少なくとも１種以上による置換の原子比率が０．０
５〜０．５であり、かつ前記ＦｅサイトにおけるＭｎ、
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎのうちの少なくとも１種以上による置
換の原子比率が｛０．０５／（２．２×６）｝〜｛０．
５／（１．８×５．７）｝である請求項３に記載のフェ
ライト磁石。 - 【請求項５】 フェライト磁石を用いた回転機であっ
て、 このフェライト磁石がマグネトプランバイト型Ｓｒフェ
ライト磁石のＳｒサイトをＬａで一部置換しているとと
もにＦｅサイトをＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも
１種以上で一部置換してなり、かつ実質的にマグネトプ
ランバイト型結晶構造を有することを特徴とする回転
機。 - 【請求項６】 前記ＳｒサイトにおけるＬａ置換の原子
比率が０．０５〜０．５であり、かつ前記Ｆｅサイトに
おけるＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも１種以上に
よる置換の原子比率が｛０．０５／（２．２×６）｝〜
｛０．５／（１．８×５．７）｝である請求項５に記載
の回転機。 - 【請求項７】 フェライト磁石を用いた回転機であっ
て、 このフェライト磁石がマグネトプランバイト型Ｓｒフェ
ライト磁石のＳｒサイトをＮｄ、Ｐｒのうちの少なくと
も１種以上で一部置換しているとともにＦｅサイトをＭ
ｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎのうちの少なくとも１種以上で一
部置換してなり、かつ実質的にマグネトプランバイト型
結晶構造を有することを特徴とする回転機。 - 【請求項８】 前記ＳｒサイトにおけるＮｄ、Ｐｒのう
ちの少なくとも１種以上による置換の原子比率が０．０
５〜０．５であり、かつ前記ＦｅサイトにおけるＭｎ、
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎのうちの少なくとも１種以上による置
換の原子比率が｛０．０５／（２．２×６）｝〜｛０．
５／（１．８×５．７）｝である請求項７に記載の回転
機。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
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| JP2000106217A JP3945962B2 (ja) | 1996-11-18 | 2000-04-07 | フェライト化合物 |
| JP2000108584A JP3506174B2 (ja) | 1996-11-18 | 2000-04-10 | フェライト磁石及びその粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19216798A JP3266187B2 (ja) | 1996-11-18 | 1998-07-07 | 回転機 |
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| JP2000108584A Division JP3506174B2 (ja) | 1996-11-18 | 2000-04-10 | フェライト磁石及びその粉末の製造方法 |
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|---|---|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007031204A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Tdk Corp | Ｗ型フェライト磁石 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2002313618A (ja) * | 2001-02-07 | 2002-10-25 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 永久磁石、およびその製造方法 |
| JP4599752B2 (ja) * | 2001-05-15 | 2010-12-15 | Ｔｄｋ株式会社 | フェライト焼結磁石の製造方法 |
| KR100359547B1 (en) * | 2001-12-27 | 2002-10-31 | Ssangyong Materials Corp | Magnetoplumbite type ferrite magnet and fabricating method thereof |
| JP4924794B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2012-04-25 | Ｔｄｋ株式会社 | フェライト磁性材料の製造方法 |
| JP7247467B2 (ja) * | 2017-03-23 | 2023-03-29 | 株式会社プロテリアル | フェライト焼結磁石の製造方法及びフェライト焼結磁石 |
| JP7531373B2 (ja) | 2020-11-26 | 2024-08-09 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | ボンド磁石用六方晶フェライト磁性粉とその製造方法、およびボンド磁石とその製造方法 |
| CN113173783A (zh) * | 2021-04-28 | 2021-07-27 | 桂林电子科技大学 | 钙钛矿结构的铁氧体吸波材料与制备方法 |
-
1998
- 1998-07-07 JP JP19216798A patent/JP3266187B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-04-07 JP JP2000106217A patent/JP3945962B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-10 JP JP2000108584A patent/JP3506174B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007031204A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Tdk Corp | Ｗ型フェライト磁石 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| JP3266187B2 (ja) | 2002-03-18 |
| JP2000323317A (ja) | 2000-11-24 |
| JP3506174B2 (ja) | 2004-03-15 |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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