JPH1135584A - ケイ素含有メタクリル酸エステルの蒸留方法 - Google Patents

ケイ素含有メタクリル酸エステルの蒸留方法

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JPH1135584A
JPH1135584A JP9191120A JP19112097A JPH1135584A JP H1135584 A JPH1135584 A JP H1135584A JP 9191120 A JP9191120 A JP 9191120A JP 19112097 A JP19112097 A JP 19112097A JP H1135584 A JPH1135584 A JP H1135584A
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JP
Japan
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salt
distillation
silicon
nitrosophenylhydroxylamine
polymerization
Prior art date
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Pending
Application number
JP9191120A
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English (en)
Inventor
Junichi Kuwayama
順一 桑山
Tomoaki Yada
智昭 矢田
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Asahi Kasei Finechem Co Ltd
Original Assignee
Asahi Kasei Finechem Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】珪素含有メタクリル酸エステルを蒸留精製する
に際し、その重合を効果的に且つ安全に抑制し得る新た
な技術を提供することを主な目的とする。 【解決手段】1.下記一般式(1)で表される珪素含有
メタクリル酸エステルを蒸留精製する方法であって、蒸
留装置の気相部にN-ニトロソフェニルヒドロキシルアミ
ン塩を存在させることを特徴とする方法。 【化1】 (式中、xは、Si(OCH3)3、Si(OCH3)2CH3、Si(OCH3)(CH
3)2またはSi(CH3)3を表す。)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、珪素含有メタクリ
ル酸エステルの蒸留精製方法に関し、より詳細には、ケ
イ素含有メタクリル酸エステル蒸留時の重合を防止する
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、メタクリル酸エステルの分離、
濃縮、精製などを行うためには、粗製品の蒸留が行われ
ている。しかしながら、メタクリル酸は、極めて容易に
重合する性質を有しており、特に蒸留工程などにおける
蒸気状態での高温処理に際しては、その重合性が著しく
高くなることが知られているので、その重合防止には大
きな注意が払われている。メタクリル酸エステル中で
も、珪素含有メタクリル酸エステル、特にトリメトキシ
シリル基の様なエステル基に結合した加水分解可能なシ
リコン含有基を有するメタクリロキシプロピルトリメト
キシシランなどは、耐熱安定性が極めて低く、重合しや
すい。従って、この様に重合性の高い珪素含有メタクリ
ル酸を工業的に製造する場合には、高温蒸留工程での重
合によるトラブルを防止する技術は、プロセス全体を安
全且つ円滑に連続的に実施する上で、極めて重要であ
る。
【0003】メタクリル酸エステルの重合禁止剤として
は、一般的な重合禁止剤として知られているハイドロキ
ノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、パラフェニ
レンジアミン、金属銅塩などが使用されているが、蒸留
時の気相における重合抑制効果は、満足すべきであると
は言い難い。これらの重合禁止剤は、珪素含有メタクリ
ル酸エステル、特にメタクリロキシプロピルトリメトキ
シシラン、メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシ
ランなどに対しては、殆ど効果がなく、工業的には採用
できない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、珪
素含有メタクリル酸エステルを蒸留精製するに際し、そ
の重合を効果的に且つ安全に抑制し得る新たな技術を提
供することを主な目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の様な
従来技術の問題点に留意しつつ鋭意研究を重ねた結果、
珪素含有メタクリル酸エステルを蒸留精製するに際し、
蒸留装置の気相部にN-ニトロソフェニルヒドロキシルア
ミン塩を存在させる場合には、珪素含有メタクリル酸エ
ステルの重合が極めて効果的に抑制できることを見出し
た。
【0006】すなわち、本発明は、下記の珪素含有メタ
クリル酸エステルの蒸留方法を提供するものである。
【0007】1.下記一般式(1)で表される珪素含有
メタクリル酸エステルを蒸留精製する方法であって、蒸
留装置の気相部にN-ニトロソフェニルヒドロキシルアミ
ン塩を存在させることを特徴とする方法。
【0008】
【化2】
【0009】(式中、xは、Si(OCH3)3、Si(OCH3)2C
H3、Si(OCH3)(CH3)2またはSi(CH3)3を表す。)
【0010】
【発明の実施の形態】本発明方法において、一般式
(1)で示される珪素含有メタクリル酸エステルの蒸留
に使用する装置、蒸留条件などは、公知の蒸留による精
製方法において採用されているものと同様であって良
い。
【0011】一般に反応工程を経た後蒸留による精製工
程に供される粗珪素含有メタクリル酸エステルの純度
は、通常90%程度であり、蒸留後の純度は、95%以上と
なる。
【0012】蒸留装置の気相部に存在させるN-ニトロソ
フェニルヒドロキシルアミン塩としては、そのアンモニ
ウム塩、アルミニウム塩、エタノールアミン塩などが挙
げられる。価格および入手の容易さを考慮すれば、アン
モニウム塩が好ましい。
【0013】N-ニトロソフェニルヒドロキシルアミン塩
は、蒸留装置の気相部、すなわち、ラシヒリングなどの
充填物が配置されている充填塔部に存在させるのが最も
効果的である。気相部におけるN-ニトロソフェニルヒド
ロキシルアミン塩の量は、気相中の珪素含有メタクリル
酸エステルに対し、通常1〜1000ppm程度、より好ましく
は10〜100ppm程度となる様にすればよい。N-ニトロソフ
ェニルヒドロキシルアミン塩の量が少なすぎる場合に
は、珪素含有メタクリル酸エステルの重合抑制効果が十
分に発揮されないのに対し、過剰量となる場合には、経
済的に不利となる。
【0014】蒸留装置の気相部へのN-ニトロソフェニル
ヒドロキシルアミン塩の付与方法は、特に限定されるも
のではないが、アンモニウム塩の場合には、珪素含有メ
タクリル酸エステルに分散させたスラリーの形態で、充
填塔部に連続的に或いは不連続的に供給して、所定の濃
度を維持するようにすればよい。また、アルミニウム塩
の場合には、珪素含有メタクリル酸エステルに溶解させ
た溶液の形態で、充填塔部に連続的に或いは不連続的に
供給して、所定の濃度を維持するようにすればよい。
【0015】或いは、N-ニトロソフェニルヒドロキシル
アミンのアンモニウム塩、アルミニウム塩、エタノール
アミン塩などをフェノール樹脂などの樹脂成形体(形状
は任意)の内部に固定して、この樹脂成形体を蒸留装置
の充填塔部に配置しておいても良い。この場合には、樹
脂成形体は、N-ニトロソフェニルヒドロキシルアミン塩
の消耗に応じて、適宜入替えを行う。
【0016】或いは、N-ニトロソフェニルヒドロキシル
アミンのアンモニウム塩、アルミニウム塩、エタノール
アミン塩などをフェノール樹脂、樹脂硬化剤、溶媒など
と混合し、得られた樹脂組成物を充填塔内のラシヒリン
グなどの充填物に塗布し、硬化して、充填物の表面にN-
ニトロソフェニルヒドロキシルアミン塩を含有する塗膜
を形成させても良い。
【0017】また、蒸留装置中の珪素含有メタクリル酸
エステル液相部にN-ニトロソフェニルヒドロキシルアミ
ン塩を加えておく場合には、液相における珪素含有メタ
クリル酸エステルの重合を抑制できることはいうまでも
ない。
【0018】本発明方法においては、N-ニトロソフェニ
ルヒドロキシルアミン塩とともに、従来から重合禁止剤
として知られているハイドロキノン、ハイドロキノンモ
ノメチルエーテル、p-フェニレンジアミン類、フェノチ
アジンなどを併用しても差し支えない。
【0019】なお、本発明においては、N-ニトロソフェ
ニルヒドロキシルアミン塩をスラリー形態、樹脂成形体
への固定化形態、充填塔内のラシヒリングなどの充填物
への塗膜成分などとして使用する場合には、その理由は
不明であるが、溶液の形態で使用する場合に比して、よ
り良好な重合抑制効果が得られる。
【0020】
【実施例】以下に実施例を示し、本発明の特徴とすると
ころをより一層明確にする。
【0021】実施例1 環流冷却器付ラシヒリング充填塔を取り付けた1リット
ルのガラス製フラスコに、主成分としてのメタクリロキ
シプロピルトリメトキシシランと副産物としてのメタク
リロキシプロピルトリクロロシランとからなる粗製混合
物(メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン含有
量;95重量%)400gおよび重合禁止剤としてN,N-ジフェ
ニル-p-フェニレンジアミン0.2g(500ppm相当)を仕込
み、浴温150℃、塔頂温度125〜130℃、系内圧力7〜9mmH
gの条件下で環流操作を行なった。この際、充填塔内の
メタクリロキシプロピルトリメトキシシランに対しN-ニ
トロソフェニルヒドロキシルアミンのアンモニウム塩が
20ppm相当量を維持する様に、該アンモニウム塩を1000p
pm相当の濃度で含有するメタクリロキシプロピルトリメ
トキシシランスラリーを充填塔の中段から添加しつつ、
重合発生の有無をチェックした。
【0022】その結果、上記の条件で36時間操作を継続
しても、メタクリロキシプロピルトリメトキシシランの
重合は発生せず、フラスコ内の溶液も、ゲル化を起こさ
なかった。また、環流液の一部をサンプリングして液体
クロマトグラフにより重合禁止剤混入の有無をチェック
したが、混入は全く認められなかった。
【0023】実施例2 充填塔内のメタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
に対しN-ニトロソフェニルヒドロキシルアミンのアンモ
ニウム塩が80ppm相当量を維持する様に、該アンモニウ
ム塩を1000ppm相当の濃度で含有するメタクリロキシプ
ロピルトリメトキシシランスラリーを充填塔の中段から
添加する以外は、実施例1と同様にしてメタクリロキシ
プロピルトリメトキシシランの環流操作を行った。
【0024】その結果、上記の条件で36時間操作を継続
しても、メタクリロキシプロピルトリメトキシシランの
重合は発生せず、フラスコ内の溶液も、ゲル化を起こさ
なかった。また、環流液の一部をサンプリングして液体
クロマトグラフにより重合禁止剤混入の有無をチェック
したが、混入は全く認められなかった。
【0025】実施例3 環流冷却器付ラシヒリング充填塔を取り付けた1リット
ルのガラス製フラスコに、主成分としてのメタクリロキ
シプロピルトリメトキシシランと副産物としてのメタク
リロキシプロピルトリクロロシランとからなる粗製混合
物(メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン含有
量;95重量%)400gおよび重合禁止剤としてフェノチア
ジン0.2g(500ppm相当)を仕込み、浴温150℃、塔頂温度1
25〜130℃、系内圧力7〜9mmHgの条件下で環流操作を行
なった。この際、充填塔内のメタクリロキシプロピルト
リメトキシシランに対しN-ニトロソフェニルヒドロキシ
ルアミンのアンモニウム塩が20ppm相当量を維持する様
に、該アンモニウム塩を1000ppm相当の濃度で含有する
メタクリロキシプロピルトリメトキシシランスラリーを
充填塔の中段から添加しつつ、重合発生の有無をチェッ
クした。
【0026】その結果、上記の条件で36時間操作を継続
しても、メタクリロキシプロピルトリメトキシシランの
重合は発生せず、フラスコ内の溶液も、ゲル化を起こさ
なかった。また、環流液の一部をサンプリングして液体
クロマトグラフにより重合禁止剤混入の有無をチェック
したが、混入は全く認められなかった。
【0027】実施例4 環流冷却器付ラシヒリング充填塔を取り付けた1リット
ルのガラス製フラスコに、主成分としてのメタクリロキ
シプロピルメチルジメトキシシランと副産物としてのメ
タクリロキシプロピルメチルジクロロシランとからなる
粗製混合物(メタクリロキシプロピルメチルジメトキシ
シラン含有量;95重量%)400gおよび重合禁止剤として
N,N-ジフェニル-p-フェニレンジアミン0.2g(500ppm相
当)を仕込み、浴温150℃、塔頂温度125〜130℃、系内圧
力7〜9mmHgの条件下で環流操作を行なった。この際、充
填塔内のメタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラ
ンに対しN-ニトロソフェニルヒドロキシルアミンのアン
モニウム塩が20ppm相当量を維持する様に、該アンモニ
ウム塩を1000ppm相当の濃度で含有するメタクリロキシ
プロピルメチルジメトキシシランスラリーを充填塔の中
段から添加しつつ、重合発生の有無をチェックした。
【0028】その結果、上記の条件で36時間操作を継続
しても、メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラ
ンの重合は発生せず、フラスコ内の溶液も、ゲル化を起
こさなかった。また、環流液の一部をサンプリングして
液体クロマトグラフにより重合禁止剤混入の有無をチェ
ックしたが、混入は全く認められなかった。
【0029】比較例1 N-ニトロソフェニルヒドロキシルアミンのアンモニウム
塩を1000ppm相当の濃度で含有するメタクリロキシプロ
ピルトリメトキシシランスラリーに代えて、ハイドロキ
ノンモノメチルエーテルを1000ppm相当の濃度で含有す
るメタクリロキシプロピルトリメトキシシラン溶液を使
用する以外は実施例1と同様にして、メタクリロキシプ
ロピルトリメトキシシランの環流操作を行った。その結
果、環流開始から2時間後には充填塔内の重合物の堆積
が顕著となり、その5分後には充填塔が閉塞された。
【0030】比較例2 N-ニトロソフェニルヒドロキシルアミンのアンモニウム
塩を1000ppm相当の濃度で含有するメタクリロキシプロ
ピルトリメトキシシランスラリーに代えて、ハイドロキ
ノンを1000ppm相当の濃度で含有するメタクリロキシプ
ロピルトリメトキシシラン溶液を使用する以外は実施例
1と同様にして、メタクリロキシプロピルトリメトキシ
シランの環流操作を行った。その結果、環流開始から3
時間後には充填塔内の重合物の堆積が顕著となり、その
5分後には充填塔が閉塞された。
【0031】実施例5 フェノールノボラック60g、ヘキサメチレンテトラミン1
5gおよびN-ニトロソフェニルヒドロキシアミンのアンモ
ニウム塩5gを均一に混合し、粉砕し、80℃で1時間加熱
した後、オーブン中120℃で1時間硬化させた。その結
果、発泡倍率9倍のフェノール樹脂発泡体を得た。
【0032】実施例1と同様の条件下において、N-ニト
ロソフェニルヒドロキシルアミンのアンモニウム塩を含
むメタクリロキシプロピルトリメトキシシランスラリー
を使用することなく、上記で得たフェノール樹脂発泡体
(約0.5mm程度に分割したもの)4gを充填塔内のラシヒ
リング間に均一に保持した状態で、メタクリロキシプロ
ピルトリメトキシシランの環流を行った。
【0033】その結果、36時間操作を継続しても、メタ
クリロキシプロピルトリメトキシシランの重合は発生せ
ず、フラスコ内の溶液も、ゲル化を起こさなかった。
【0034】実施例6 N-ニトロソフェニルヒドロキシルアミンのアンモニウム
塩に代えてアルミニウム塩を使用する以外は実施例5と
同様にしてフェノール樹脂発泡体を得た。
【0035】この樹脂発泡体を使用して、実施例5と同
様にしてメタクリロキシプロピルトリメトキシシランの
環流操作を行ったところ、36時間操作を継続しても、メ
タクリロキシプロピルトリメトキシシランの重合は発生
せず、フラスコ内の溶液も、ゲル化を起こさなかった。
【0036】実施例7 フェノールノボラック10g、ヘキサメチレンテトラミン3
g、N-ニトロソフェニルヒドロキシルアミンのアンモニ
ウム塩1gをアセトン10gおよびメタノール15gに加え、溶
解させたのち、この溶液にラシヒリング305gを浸した。
次いで、ロータリーエバポレーターにより、アセトンお
よびメタノールを除去し、樹脂被覆ラシヒリングを得た
後、これをオーブン中120℃で1時間加熱した。
【0037】実施例1と同様の条件下において、N-ニト
ロソフェニルヒドロキシルアミンのアンモニウム塩を含
むメタクリロキシプロピルトリメトキシシランスラリー
を使用することなく、上記で得た樹脂被覆ラシヒリング
を充填塔に充填した状態で、メタクリロキシプロピルト
リメトキシシランの環流を行った。
【0038】その結果、36時間操作を継続しても、メタ
クリロキシプロピルトリメトキシシランの重合は発生せ
ず、フラスコ内の溶液も、ゲル化を起こさなかった。
【0039】
【発明の効果】本発明によれば、珪素含有メタクリル酸
エステルの蒸留に際し、 N-ニトロソフェニルヒドロキ
シルアミン塩を重合禁止剤として使用することにより、
従来は防止できなかった「ポップコーン重合」を効果的
に抑制することができるので、メタクリロキシプロピル
トリメトキシシランなどの珪素含有メタクリル酸エステ
ルを工業的に効率よく生産することが可能となった。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】下記一般式(1)で表される珪素含有メタ
    クリル酸エステルを蒸留精製する方法であって、蒸留装
    置の気相部にN-ニトロソフェニルヒドロキシルアミン塩
    を存在させることを特徴とする方法; 【化1】 (式中、xは、Si(OCH3)3、Si(OCH3)2CH3、Si(OCH3)(CH
    3)2またはSi(CH3)3を表す。)
JP9191120A 1997-07-16 1997-07-16 ケイ素含有メタクリル酸エステルの蒸留方法 Pending JPH1135584A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6334935B1 (en) * 1998-06-19 2002-01-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Distillation of (meth) acryloxy-bearing alkoxysilane
US6726508B2 (en) 2001-12-21 2004-04-27 Tyco Electronics Amp K.K. Card connector
WO2005080405A1 (en) * 2004-02-03 2005-09-01 Dow Corning Corporation Method of purifying alkoxysilanes

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US6726508B2 (en) 2001-12-21 2004-04-27 Tyco Electronics Amp K.K. Card connector
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