JPH11354473A - 半導体素子基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 外形抜きに低コストのプレス加工を用いた場
合にも、絶縁基板の端面から屑が発生しない半導体素子
基板の製造方法を提供することを課題(目的)とする。 【解決手段】 各単位基板の外形を画するように絶縁基
板１０をプレス加工により切り抜く外形抜き工程S.11、
基板１０に導体層２０を形成する導体層形成工程S.12、
基板１０の表面一面にレジスト層２１を形成するレジス
ト層形成段階S.13、ネガフィルムをマスクとして用いて
レジスト層２１を露光し、現像する露光・現像段階S.1
4、レジスト層２１をマスクに導体層２０の不要部分を
除去するエッチング段階S.15、レジスト層剥離段階S.16
を含み、この後に、ソルダーレジスト塗布工程S.17と、
ニッケル(Ni)および金(Au)を金属層２３としてメッキす
る金属層形成工程S.18とが実行される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体チップが
搭載される半導体素子基板、およびその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置は、ダイシ
ングにより個々に分割された半導体チップを半導体素子
基板上にボンディングし、金線等のワイヤーによりチッ
プ上のパッドと基板上の回路パターンとを接続し、樹脂
により封止して構成される。

【０００３】半導体素子基板としては、ガラス布とエポ
キシ樹脂から構成されるガラスエポキシ導張積層板が絶
縁基板として用いられ、この絶縁基板上に銅、ニッケ
ル、金等の導体膜により回路パターンが形成される。こ
のような半導体素子基板は、一枚の絶縁基板上に多数の
単位基板を区画し、これらの単位基板を一体に保持した
状態で回路パターンを形成し、その後に個々の単位基板
毎に切り離すことにより形成される。

【０００４】ここで、従来の半導体素子基板の製造方法
を図１０のフローチャートに従って説明する。第１段階
では、絶縁基板の必要個所にＮＣドリルにより穴を明け
(ステップS.1)、絶縁基板の表面に最初は無電解Ｃｕメ
ッキにより、続けて形成された銅箔に通電して電解Ｃｕ
メッキにより銅の導体層を形成する(ステップS.2)。

【０００５】導体層の上にドライフィルムレジストを熱
圧着し(ステップS.3)、形成される回路パターンに応じ
てレジストを露光、現像することにより、マスクパター
ンを形成する(ステップS.4)。続いて、このレジストに
よるマスクを用いて導体層の不要部分をエッチングによ
り除去し、回路パターンを形成する(ステップS.5)。次
に、レジストを剥離し(ステップS.6)、半導体チップが
載置される部分にソルダーレジストを印刷し(ステップ
S.7)、露出している導体層の銅の上にニッケル(Ni)、金
(Au)を電解メッキする(ステップS.8)。

【０００６】以上の工程で回路パターンの形成が終了す
ると、プレス加工あるいはルータ加工により各単位基板
の外形を画するように絶縁基板が所定のサポート部を残
して切り抜かれる(ステップS.9)。これにより絶縁基板
は、複数の単位基板とこれらの単位基板を支持するフレ
ームとに分離される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の製造方法では、特に外形抜きの工程で低コスト
のプレス加工が用いられた場合に、形成された外形抜き
穴の端面が荒く、この端面が崩れて屑が発生しやすいと
いう問題がある。絶縁基板の屑は、基板製造工程後のダ
イボンディング工程やワイヤーボンド工程のボンディン
グ性能を悪化させるため、その発生の防止は半導体装置
の信頼性を維持する上で重要である。なお、外形抜きに
ルータ加工を用いた場合には、端面がプレス加工による
よりは滑らかであるため、発生する屑の量は少なくはな
るが完全に防ぐことはできず、また、加工コストが高く
なるため、半導体装置のコストアップを招くという問題
がある。

【０００８】この発明は、上述した従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、外形抜きに低コストのプレ
ス加工を用いた場合にも、絶縁基板の端面から屑が発生
しない半導体素子基板の製造方法を提供することを課題
(目的)とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この発明にかかる半導体
素子基板の製造方法は、上記の目的を達成させるため、
規則的に配列した複数の単位基板を一枚の絶縁基板内に
形成する方法において、プレス加工等による外形抜き工
程を初期の段階で行い、その後に導体層の形成工程を実
行することにより、絶縁基板の端面にも導体層を形成す
るようにしたことを特徴とする。

【００１０】具体的には、この発明の半導体素子基板の
製造方法は、各単位基板の外形を画するように、絶縁基
板を所定のサポート部を残して切り抜き、絶縁基板を単
位基板と単位基板を支持するフレームとに分離する外形
抜き工程と、単位基板の表面、および外形抜きにより形
成された外形抜き穴の厚さ方向の端面に導体層を形成す
る導体層形成工程と、外形抜き穴に形成された導体層を
保護しつつ、表面に形成された導体層の不要部分をリソ
グラフィの手法により除去して導通部分、および絶縁部
分とから構成される回路パターンを形成するリソグラフ
ィ工程とを含み、これらの工程が順に実行されることを
特徴とする。

【００１１】リソグラフィ工程には、マスクとしてネガ
フィルム、あるいはポジフィルムを用いることができ
る。ネガフィルムを用いる場合のリソグラフィ工程は、
導体層の上にレジスト層を形成する段階と、外形抜き穴
および回路パターンの導通部分に応じて不透過領域、回
路パターンの絶縁部分に応じて透過領域が形成されたネ
ガフィルムをマスクとしてレジストを露光・現像する段
階と、レジスト層をマスクに導体層をエッチングする段
階と、レジスト層を除去する段階とを含み、これらの段
階が順に実行される。この場合、リソグラフィ工程の後
に、導体層に重ねて導体層より安定した金属層をメッキ
する金属層形成工程を含むことが望ましい。例えば、導
体層として銅(Cu)を形成した場合、金属層としてニッケ
ル(Ni)、金(Au)を電解メッキにより形成することができ
る。

【００１２】ポジフィルムを用いる場合のリソグラフィ
工程は、導体層の上にレジスト層を形成する段階と、外
形抜き穴および表面上の導通部分に応じて透過領域、表
面上の絶縁部分に応じて不透過領域が形成されたポジフ
ィルムをマスクとしてレジストを露光・現像する段階
と、レジストの現像により露出する導体層上に導体層よ
り安定した金属層を形成する段階と、レジスト層を除去
する段階と、金属層をマスクに導体層をエッチングする
段階とを含み、これらの段階が順に実行される。

【００１３】また、導体層形成工程の後、リソグラフィ
工程の前に、外形抜き穴に樹脂を充填する樹脂充填工程
を備え、リソグラフィ工程の後に、外形抜き穴に充填さ
れた樹脂を除去する工程を含ませることができる。

【００１４】さらに、この発明にかかる半導体素子基板
は、規則的に配列した複数の単位基板と単位基板を支持
するフレームとを備える構成において、各単位基板とフ
レームとが、各単位基板の外形を画するように切り抜か
れた外形抜き穴により分離され、かつ、両者の間に架設
されたサポート部により連結され、外形抜き穴の厚さ方
向の端面に、端面を保護する保護層が形成されているこ
とを特徴とする。保護層としては、導体層、あるいは樹
脂層等を用いることができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、この発明にかかる半導体素
子基板の製造方法の実施形態を３例説明する。いずれの
実施形態においても、外形抜き工程が導体層形成工程の
前に実行され、外形抜き穴の端面は導体層により保護さ
れる。したがって、導体層形成工程の後に実行されるリ
ソグラフィ工程のエッチング段階において、何らかの手
段により外形抜き穴の端面に形成された導体層を保護す
る必要がある。各実施形態は、エッチング時に外形抜き
穴の端面に形成された導体層を何により保護するかによ
り分類される。第１の実施形態はレジスト層により、第
２の実施形態は導体層の上に形成される金属層により、
そして第３の実施形態は外形抜き穴に充填された樹脂に
より、それぞれ外形抜き穴の端面に形成された導体層を
保護する。以下、各実施形態を順に説明する。

【００１６】図１は、第１の実施形態にかかる半導体素
子基板の製造方法の工程を示すフローチャート、図２は
このフローチャートに対応する基板の状態を示す断面図
である。なお、図２は、説明のため図中の上下方向とな
る厚さ方向の倍率を左右方向となる幅方向と比較して大
きく設定し、かつ、導体膜、金属膜等の膜圧を実際の縮
尺より拡大して示した概念図である。

【００１７】図１のフローチャートは、外形抜き工程S.
11、導体層形成工程S.12、リソグラフィ工程S.13〜S.16
を含む。また、この例では、リソグラフィ工程でマスク
としてネガフィルムが用いられ、リソグラフィ工程は、
レジスト層形成段階S.13、露光・現像段階S.14、エッチ
ング段階S.15、レジスト層剥離段階S.16を含む。また、
このリソグラフィ工程の後に、ソルダーレジスト(はん
だレジスト)塗布工程S.17と、金属層をメッキする金属
層形成工程S.18とが実行される。以下、図２を参照しつ
つ各工程、段階について説明する。

【００１８】外形抜き工程S.11は、各単位基板の外形を
画するように絶縁基板１０をプレス加工により切り抜く
工程であり、これにより図２(Ａ)に示すように絶縁基板
１０には単位基板１１とフレーム１２とを分離する外形
抜き穴１３が形成される。図３は、外形抜き穴１３が形
成された状態での絶縁基板１０の平面図、図４はその一
部を示す斜視図である。単位基板１１はほぼ正方形であ
り、それぞれＬ字型に形成された４つの外形抜き穴１３
に囲まれた状態で複数が規則的に配列している。なお、
外形抜き工程は、各単位基板毎に４つのサポート部１４
を残して形成されており、単位基板１１とフレーム１２
とはこれらのサポート部１４により連結されている。図
２(Ａ)は、図３のII-II線に沿う断面図である。

【００１９】導体層形成工程S.12では、上記のように外
形抜き穴１３が形成された基板１０に導体層２０を形成
する(図２(Ｂ))。最初は無電解Cuメッキにより表面に薄
い銅膜を形成し、次に形成された銅膜に通電して電解Cu
メッキによりさらに銅膜を形成する。導体膜２０は、単
位基板１１の表面、および外形抜きにより形成された外
形抜き穴１３の厚さ方向の端面を含む基板１０の全ての
面に形成される。

【００２０】続いて、単位基板１１の表面に回路パター
ンを形成すべくリソグラフィ工程が実行される。レジス
ト層形成段階S.13では、基板１０の表面一面にレジスト
層２１を形成する。レジスト層２１は、ドライフィルム
レジストを熱圧着することにより外形抜き穴１３に侵入
しない状態で形成される(図２(Ｃ))。

【００２１】露光・現像段階S.14では、ネガフィルムを
マスクとして用いてレジスト層２１を露光し、現像す
る。ネガフィルムは、外形抜き穴１３および表面上に形
成される回路パターンの導通部分に応じて不透過領域、
表面上の絶縁部分に応じて透過領域が形成されたフィル
ムである。これを用いて露光し、現像することにより、
露光された表面上の絶縁部分ではレジスト層２１が除去
され、露光されなかった外形抜き穴１３および回路パタ
ーンの導通部分ではレジスト層２１が残る(図２(Ｄ))。
外形抜き穴１３の部分では、図４に拡大して示すよう
に、穴を塞ぐために穴の周囲0.2〜0.5mmの範囲を含めて
レジスト層２１が残される。

【００２２】エッチング段階S.15では、レジスト層２１
をマスクに導体層２０の不要部分をエッチングにより除
去し(図２(Ｅ))、レジスト層剥離段階S.16でレジスト層
２１を剥離する(図２(Ｆ))。これにより、外形抜き穴１
３の端面およびその周囲、そして表面上の回路パターン
の導通部分に導体層２０が残存し、回路パターンの絶縁
部分からは導体層２０が除去されて絶縁基板１０が露出
する。

【００２３】ソルダーレジスト塗布工程S.17では、導体
層２０が除去された部分にソルダーレジスト２２が塗布
される(図２(Ｇ))。ソルダーレジストの材料は、例えば
エポキシ樹脂系のインクであり、スクリーン印刷により
部品の取り付け穴や端子のみを残して導電体層および絶
縁基板の露出部に塗布される。

【００２４】続いて金属層形成工程S.18では、導体層２
０に通電して電解メッキをすることにより、ニッケル(N
i)および金(Au)を金属層２３として導体層２０上に形成
する(図２(Ｈ))。金属層２３は、銅から形成される導体
層２０の酸化を防止すると共に、基板上に搭載されるチ
ップとの電気的接続信頼性を確保するために必要とな
る。絶縁基板１０は、ガラス布とエポキシ樹脂から構成
されるガラスエポキシ導張積層板であり、外形抜き穴１
３をプレス加工により形成した場合には、端面からの屑
の発生が問題となるが、上記のように導体層２０および
金属層２３により端面を保護することにより、屑の発生
を防ぐことができる。

【００２５】次に、第２の実施形態について説明する。
図６は第２の実施形態にかかる製造方法の工程を示すフ
ローチャート、図７は各工程の基板の状態を示す断面図
である。図６のフローチャートは、外形抜き工程S.21、
導体層形成工程S.22、リソグラフィ工程S.23〜S.27を含
む。また、この例では、リソグラフィ工程でマスクとし
てポジフィルムが用いられ、リソグラフィ工程は、レジ
スト層形成段階S.23、露光・現像段階S.24、金属層形成
段階S.25、エッチング段階S.26、レジスト層剥離段階S.
27を含む。リソグラフィ工程の後には、ソルダーレジス
ト塗布工程S.28が実行される。以下、図７を参照しつつ
各工程、段階について説明する。

【００２６】最初の３工程S.21〜S.23は、第１の実施形
態における３工程S.11〜S.13と同一である(図７(Ａ)〜
(Ｃ))。露光・現像段階S.24では、ポジフィルムをマス
クとして用いてレジスト層２１を露光し、現像する。ポ
ジフィルムは、外形抜き穴１３および表面上に形成され
る回路パターンの導通部分に応じて透過領域、表面上の
絶縁部分に応じて不透過領域が形成されたフィルムであ
る。これを用いて露光し、現像することにより、露光さ
れた外形抜き穴１３および回路パターンの導通部分では
レジスト層２１が除去され、露光されなかった表面上の
絶縁部分ではレジスト層２１が残る(図７(Ｄ))。

【００２７】続いて金属層形成段階S.25では、導体層２
０に通電して電解メッキをすることにより、ニッケル(N
i)および金(Au)を金属層２３として形成し(図７(Ｅ))、
レジスト層剥離段階S.26でレジスト層２１を剥離する
(図７(Ｆ))。これにより、外形抜き穴１３および表面上
に形成される回路パターンの導通部分が金属層２３によ
り覆われ、表面上の絶縁部分では導体層２０が露出す
る。

【００２８】エッチング段階S.27では、S.25で形成され
た金属層２３を金属レジストとして用いて導体層２０を
エッチングする。これにより、外形抜き穴１３の端面お
よびその周囲、そして表面上の回路パターンの導通部分
には導体層２０と金属層２３とが残存し、回路パターン
の絶縁部分からは導体層２０が除去されて絶縁基板１０
が露出する(図７(Ｇ))。

【００２９】最後に、ソルダーレジスト塗布工程S.28で
表面上に露出した絶縁基板にソルダーレジスト２２を塗
布する(図７(Ｈ))。第２の実施形態によっても、外形抜
き穴１３の端面は導体層２０と金属層２３とによって保
護され、屑の発生が防止される。

【００３０】図８は第３の実施形態にかかる製造方法の
工程を示すフローチャート、図９は各工程の基板の状態
を示す断面図である。図８のフローチャートは、外形抜
き工程S.31、導体層形成工程S.32、樹脂充填工程S.33、
リソグラフィ工程S.34〜S.37、樹脂除去工程S.38を含
む。リソグラフィ工程では、第１の実施形態と同様にネ
ガフィルムが用いられ、リソグラフィ工程は、レジスト
層形成段階S.34、露光・現像段階S.35、エッチング段階
S.36、レジスト層剥離段階S.37を含む。樹脂除去工程S.
38の後には、ソルダーレジスト塗布工程S.39と金属層形
成工程S.40が実行される。以下、図９を参照しつつ各工
程、段階について説明する。

【００３１】最初の２工程S.31、S.32は、第１の実施形
態における２工程S.11、S.12と同一である(図９(Ａ)、
(Ｂ))。樹脂充填工程S.33では、外形抜き穴１３に樹脂
２５を充填して外形抜き穴１３の端面に形成された導体
層２０を保護する(図９(Ｃ))。続いて、レジスト層形成
段階S.34では、基板１０の表面一面にレジスト層２１を
形成する(図９(Ｄ))。

【００３２】露光・現像段階S.35では、ネガフィルムを
マスクとして用いてレジスト層２１を露光し、現像す
る。ネガフィルムは、表面上に形成される回路パターン
の導通部分に応じて不透過領域、表面上の絶縁部分およ
び外形抜き穴１３の部分に応じて透過領域が形成された
フィルムである。これを用いて露光し、現像することに
より、露光された表面上の絶縁部分および外形抜き穴１
３の部分ではレジスト層２１が除去され、露光されなか
った回路パターンの導通部分ではレジスト層２１が残る
(図９(Ｅ))。

【００３３】エッチング段階S.36では、レジスト層２１
をマスクに導体層２０の不要部分をエッチングにより除
去する。レジスト層２１により保護された表面上の導通
部分と、樹脂２５により保護された外形抜き穴１３の端
面とに形成された導体層２０が除去されずに残る(図９
(Ｆ))。レジスト層剥離段階S.37でレジスト層２１を剥
離し、樹脂取り除き工程S.28で外形抜き穴１３に充填さ
れた樹脂２５を除去する(図９(Ｇ))。

【００３４】ソルダーレジスト塗布工程S.39では、導体
層２０が除去された部分にソルダーレジスト２２が塗布
され(図９(Ｈ))、金属層形成工程S.40では、導体層２０
に通電して電解メッキをすることにより、ニッケル(Ni)
および金(Au)を金属層２３として導体層２０上に形成す
る(図９(Ｉ))。

【００３５】第３の実施形態によっても、外形抜き穴１
３の端面は導体層２０と金属層２３とによって保護さ
れ、屑の発生が防止される。また、第１の実施形態と比
較して、基板の表面積を有効に利用することができる。
第１の実施形態では、エッチング時にレジスト層２１に
より外形抜き穴１３の端面に形成された導体層２０を保
護する必要から、外形抜き穴１３内へのエッチング液の
侵入を防ぐため、図５に示したように外形抜き穴の周囲
に０．２〜０．５mmの範囲でレジスト層２１を残す必要
があり、この範囲を絶縁部分とすることができない。こ
れに対して、第３の実施形態では、外形抜き穴１３に樹
脂２５を充填するため、外形抜き穴の端面のみを保護す
ることができ、外形抜き穴の周囲を絶縁部分とすること
ができる。

【００３６】したがって、第３の実施形態によれば、単
位基板のサイズが第１の実施形態と同一であれば回路パ
ターンの領域を第１の実施形態より広く確保することが
でき、回路パターンの領域が第１の実施形態と同一であ
れば、第１の実施形態より単位基板のサイズを小さくす
ることができる。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１の製造方
法によれば、外形抜き工程を行った後に絶縁基板の端面
をも含めて導体層を形成し、この導体層により端面を保
護するようにしたため、低コストのプレス加工により外
形抜きを行った場合にも、端面からの屑の発生を抑え、
基板製造工程後のダイボンディング工程やワイヤーボン
ド工程に悪影響を与えるのを防止することができる。ま
た、基板表面に形成される導体層を外形抜き穴の端面の
保護に兼用することにより、保護するための層を別途形
成するよりも少ない工程数で製造することが可能とな
る。

【００３８】リソグラフィ工程にネガフィルムを用いる
場合には、請求項２の各段階を実行することにより、端
面の導体層をレジスト層により保護しつつ表面にはエッ
チングにより回路パターンを形成することができる。こ
の場合には、請求項３のようにリソグラフィ工程の後に
金属層をメッキする工程を含ませることにより、導体層
により形成される回路パターンを保護することができ
る。

【００３９】リソグラフィ工程にポジフィルムを用いる
場合には、請求項４の各段階を実行することにより、端
面の導体層を金属層により保護しつつ表面にはエッチン
グにより回路パターンを形成することができる。この場
合には、金属層はリソグラフィ工程中に形成される。

【００４０】また、請求項５のように導体層が形成され
た外形抜き穴に樹脂を充填することにより、外形抜き穴
の厚さ方向の端面のみを保護することができ、レジスト
層、あるいは金属層でその周囲を含めて保護する場合よ
り保護範囲を小さくし、回路パターンのサイズが同一で
あれば、単位回路基板の外形を小さくすることができ
る。

【００４１】この発明にかかる半導体素子基板は、請求
項６のように外形抜き穴の厚さ方向の端面に保護層が形
成されることにより、この端面からの屑の発生を防ぐこ
とができる。保護層を請求項７のように導体層とした場
合には、基板表面に形成される回路パターンと同一工程
で形成することが可能であり、保護層のみを別途形成す
るよりも工程数を削減することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 第１の実施形態にかかる半導体素子基板の製
造方法の工程を示すフローチャート。

【図２】 第１の実施形態にかかる半導体素子基板の製
造方法の各工程を示す基板の断面図。

【図３】 図２(Ｂ)の状態を示す基板の平面図。

【図４】 図３の一部を示す斜視図。

【図５】 図２(Ｃ)の一部を拡大して示す断面図。

【図６】 第２の実施形態にかかる半導体素子基板の製
造方法の工程を示すフローチャート。

【図７】 第２の実施形態にかかる半導体素子基板の製
造方法の各工程を示す基板の断面図。

【図８】 第３の実施形態にかかる半導体素子基板の製
造方法の工程を示すフローチャート。

【図９】 第３の実施形態にかかる半導体素子基板の製
造方法の各工程を示す基板の断面図。

【図１０】 従来の半導体素子基板の製造方法の工程を
示すフローチャート。

【符号の説明】

１０ 絶縁基板 １１ 単位基板 １２ フレーム １３ 外形抜き穴 １４ サポート部 ２０ 導体層 ２１ レジスト層 ２２ ソルダーレジスト ２３ 金属層

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 規則的に配列した複数の単位基板を一枚
   の絶縁基板内に形成する半導体素子基板の製造方法にお
   いて、 前記各単位基板の外形を画するように、前記絶縁基板を
   所定のサポート部を残して切り抜き、前記絶縁基板を前
   記単位基板と該単位基板を支持するフレームとに分離す
   る外形抜き工程と、 前記単位基板の表面、および前記外形抜きにより形成さ
   れた外形抜き穴の厚さ方向の端面に導体層を形成する導
   体層形成工程と、 前記外形抜き穴に形成された導体層を保護しつつ、前記
   表面に形成された導体層の不要部分をリソグラフィの手
   法により除去して導通部分、および絶縁部分とから構成
   される回路パターンを形成するリソグラフィ工程とを含
   み、これらの工程が順に実行されることを特徴とする半
   導体素子基板の製造方法。
2. 【請求項２】 前記リソグラフィ工程は、前記導体層の
   上にレジスト層を形成する段階と、前記外形抜き穴およ
   び前記回路パターンの導通部分に応じて不透過領域、前
   記回路パターンの絶縁部分に応じて透過領域が形成され
   たネガフィルムをマスクとして前記レジストを露光・現
   像する段階と、前記レジスト層をマスクに前記導体層を
   エッチングする段階と、前記レジスト層を除去する段階
   とを含み、これらの段階が順に実行されることを特徴と
   する請求項１に記載の半導体素子基板の製造方法。
3. 【請求項３】 前記リソグラフィ工程の後に、前記導体
   層に重ねて前記導体層より安定した金属層をメッキする
   金属層形成工程を含むことを特徴とする請求項２に記載
   の半導体素子基板の製造方法。
4. 【請求項４】 前記リソグラフィ工程は、前記導体層の
   上にレジスト層を形成する段階と、前記外形抜き穴およ
   び前記回路パターンの導通部分に応じて透過領域、前記
   回路パターンの絶縁部分に応じて不透過領域が形成され
   たポジフィルムをマスクとして前記レジストを露光・現
   像する段階と、前記レジストの現像により露出する前記
   導体層上に該導体層より安定した金属層を形成する段階
   と、前記レジスト層を除去する段階と、前記金属層をマ
   スクに前記導体層をエッチングする段階とを含み、これ
   らの段階が順に実行されることを特徴とする請求項１に
   記載の半導体素子基板の製造方法。
5. 【請求項５】 前記導体層形成工程の後、前記リソグラ
   フィ工程の前に、前記外形抜き穴に樹脂を充填する樹脂
   充填工程を備え、前記リソグラフィ工程の後に、前記外
   形抜き穴に充填された樹脂を除去する工程を含むことを
   特徴とする請求項１に記載の半導体素子基板の製造方
   法。
6. 【請求項６】 規則的に配列した複数の単位基板と該単
   位基板を支持するフレームとを備える半導体素子基板に
   おいて、 前記各単位基板と前記フレームとは、前記各単位基板の
   外形を画するように切り抜かれた外形抜き穴により分離
   され、かつ、両者の間に架設されたサポート部により連
   結され、 前記外抜き穴の厚さ方向の端面に、該端面を保護する保
   護層が形成されていることを特徴とする半導体素子基
   板。
7. 【請求項７】 前記保護層は、導体層であることを特徴
   とする請求項６に記載の半導体素子基板。