JP3988998B2 - メッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、メッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板およびその製造方法に関し、さらに詳細には、ボールグリッドアレイ(BallGrid Array;以下、‘BGA’という)およびCSP(Chip Scale Package)などのパッケージ基板(PackageSubstrate)の電解金メッキにおいて、パッケージ基板に実装される半導体チップと接続されるワイヤーボンディングパッドとソルダボールパッド(solderballpad)を、セミアディティブ(Semi−Additive)方式を利用してメッキ引込線なしに電解金メッキしてなるパッケージ基板およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近来、集積回路は軽量薄型化しつつあるにもかかわらず、集積回路パッケージから出るリ―ド(lead)数はむしろ増加する一方である。小型パッケージ用のキャリア上に多数のリ―ドを設置することから起こる問題を解決する方法の一つは、ピングリッドアレイ(PinGridArray;PGA)を有するキャリアを使用することである。しかし、PGAキャリアは、小型キャリア上に多くのリ―ドを設置することはできるが、ピンまたはリードが弱いので折れやすく、高密度集積に限界がある。
【0003】
このようなPGAにおける問題を解決するために、最近では、通常、BGAパッケージ基板を使用しているが、これは、ピン(pin)より微細なソルダボール(solderball)を使用して基板の高密度化を容易に実現できるからであり、主として半導体チップを実装するパッケージ基板に適用している。
【0004】
このような従来のBGAパッケージ基板は、図1に示すように、従来ピン(pin)の代わりにソルダボール(solderball)8が形成される構造を持つ。すなわち、銅張積層板(Copper CladLaminate:以下、‘CCL’という)4を多数枚用意し、各CCL4上に通常の写真エッチング工程を通じて内層回路を形成し、これら多数CCL4を加圧して積層させ、内層回路を導通させるためのビアホール2を加工した後、銅膜3のメッキ作業でビアホール2を導通させ、前記積層されたCCL構造の外側CCL4に半導体チップが接続されるボンドフィンガー(bondfinger)1を持つ外層回路6を写真エッチング工程を通じて形成させ、前記外層回路6の反対側のCCL構造の表面上に、ソルダボールパッド7、ソルダマスク5、ソルダボール8を順に形成させる。
【0005】
この時、前記半導体チップの接続されるボンドフィンガー1とソルダボール8の接続されるパッド7との電気的な接続状態を向上させるメッキ作業を行うために金メッキ引込線(PlatingLead Line)を形成する。つまり、各ソルダボール8が接続されるパッド7にそれぞれの金メッキ引込線を連結させると同時に、図示してはいないが、前記パッド7とビアホール2を通じてボンドフィンガー1に連結させる。図2は、従来の技術に係るメッキ引込線によりメッキされたパッケージ基板の平面図であって、ソルダボールパッド8が形成されているパッド7に、メッキ引込線9が連結されている例を示している。ここで、メッキ引込線9の形成される部分は、図1のAで表される部分である。しかし、これらメッキ引込線により回路の高密度化には制限がある。
【0006】
一方、前記外層回路6が形成されたCCL4にはI/Cチップが実装されて導線を介して前記外層回路6と連結され、その上側に充填材が塗布されて外部環境から保護され、したがって、BGAパッケージ基板10は、PGA基板と違い、ピンにより主回路基板と連結されるのではなく、CCL4のパッド7にソルダボール8が形成されて主回路基板と導通されるので、BGAはPGAよりも小型化が容易で、結果として基板10の高密度化が可能になる。
【0007】
しかし、このような従来のパッケージ基板10は、現在回路の高密度化およびこの回路を使用する装置の小型化によって前記BGAパッケージ基板のソルダボール(solderball)8のピッチ(pitch)(ソルダボールどうしの間隔)が極めて微細になるとともに、半導体チップが実装されるボンドフィンガー1周辺の回路が高密度化されることから、ボンドフィンガー1とパッド7の金メッキ作業に使用される金メッキ引込線の高密度化を達成し難いという問題を抱えている。
【0008】
以下、図3aないし図3iを参照して従来技術によってメッキ引込線により金メッキされるパッケージ基板の製造方法について説明する。
まず、ベース基板11に複数の導通孔、つまり、ビアホール12を加工し(図3a参照)、次いで、前記ベース基板11の表面と前記導通孔内壁に無電解銅メッキ層13を形成する(図3b参照)。
【0009】
その後、パッケージ基板製品に回路を形成するためにベース基板11に銅メッキ用レジスト14を塗布、露光および現像してパターンを形成(Patterning)し、この時、パターンがメッキされる部分のみを銅メッキ用レジストを除去する(図3c参照)。前記ビアホール12は、前記ベース基板11に機械的ドリルを使って多数の導通孔を穿孔して形成する。前記銅メッキ用レジスト14には、通常、ドライフィルムが使用される。
次いで、前記銅メッキ用レジスト14が除去された部分に回路パターン15をメッキした後(図3d参照)、前述のように回路パターン15がメッキされた前記銅メッキ用レジスト14を剥離液を使用して除去する(図3e参照)。
【0010】
次いで、前記剥離液により前記銅メッキ用レジスト14が除去されて露出された部位である前記ベース基板11上の無電解銅メッキ層13部分をエッチング液を使って除去する(図3f参照)。ここで、参照符号16はエッチング液によりエッチングされた部分を表す。
【0011】
その後、ソルダレジスト17を結果構造の全面に塗布し、これを露光および現像して電解金メッキされる部分、すなわちワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドが形成される部位に該当するソルダレジストは除去する(図3g参照)。
【0012】
次いで、既に形成されたメッキ引込線を介して電流を印加しながら、それぞれの回路に含まれているワイヤーボンディングパッドとソルダボールパッドに金膜18をメッキする。この時のメッキは電解金メッキ(Ni−AuPlating)であって、メッキされる金の厚さは通常、0.5〜1.0μm程度である(図3g参照)。
【0013】
一般に、半導体チップなどが実装されるパッケージ基板を表面処理(Metal Finishing)するために、電解金メッキ(Electrolytic Au Plating)が主に適用されている。その理由は、信頼性の側面から、電解金メッキが無電解金メッキ(ElectrolessAu Plating)に比べて優れているためである。しかし、電解金メッキのためには、前述のように、メッキ引込線を製品に挿入して設計しなければならないが、これは、回路密集度(LineDensity)を低下させ、高密集度の回路製品の製造に問題を招く。
【0014】
その後、ルータ(Router)やダイシング(Dicing)を使って前記メッキ引込線を切断する(図3h参照)。ここで、参照符号19はダイシングが行われる部分である。すなわち、前記電解金メッキ完了後にルータやダイシングでメッキ引込線を切断するが、この時、メッキ引込線がパッケージ基板に残留し、電気信号伝達に際してノイズ(Noise)を誘発し、製品の電気的特性(ElectricalPerformance)を劣化させる問題がある。
【0015】
一方、近来、パッケージ基板メーカー等はメッキ引込線を使用することなく電解金メッキ可能な技術を開発することに力を傾注している。また、前述したような電解金メッキ時、ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドの両方とも同厚さ(通常、金厚は0.5〜1.5μm)に金をメッキしているが、このようにソルダボールパッド側に適正厚さ(金厚さは0.03〜0.25μm)以上に厚くメッキされた金のため、ソルダボール接合信頼性に問題が起ってしまう。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、セミアディティブ方式を適用してパッケージ基板製品の回路配線密集度を向上させる、メッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板およびその製造方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、正常的な電解金メッキを行った後、全てのメッキ引込線を除去してノイズ発生を抑制できるようにしたパッケージ基板の製造方法を提供することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明によるメッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板の製造方法は、a)複数の導通孔が形成されているベース基板の全面と前記導通孔の内壁を銅メッキして第1銅メッキ層を形成する段階;b)前記第1銅メッキ層上に第1メッキ用レジストを塗布した後、その第1メッキ用レジストを部分的に除去してパターンがメッキされる部位に該当する第1銅メッキ層の部分を露出させる段階;c)前記第1銅メッキ層の露出部分を銅メッキして第2銅メッキ層を形成する段階;d)前記第1銅メッキ層に残存する前記第1メッキ用レジストを剥離する段階;e)前記段階d)の完了後に得られる構造の全面に第2メッキ用レジストを塗布し、ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドが形成される部分の前記第2メッキ用レジストを除去する段階;f)前記第2メッキ用レジストで覆われずに露出された第1銅メッキ層部分をエッチング液を使って除去する段階;g)前記第2メッキ用レジストで覆われずに露出された第2銅メッキ層部分を電解金メッキして前記ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドを形成する段階;h)前記段階g)の完了後に得られる構造上に残存する前記第2メッキ用レジストを剥離液を使って除去する段階;i)前記第2メッキ用レジストが除去された部位に露出された前記第1銅メッキ層部分を、エッチング液を使って除去する段階;および、
j)前記段階i)の完了後に得られる構造の全面にソルダレジストを塗布し、前記ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドを覆っている部分の前記ソルダレジストを除去する段階を含む。
【0018】
ここで、前記第1銅メッキ層は、無電解銅メッキされ、前記ワイヤーボンディングパッドとソルダボールパッドを金メッキするときメッキ引込線の役割を果たす。
【0019】
ここで、前記第2銅メッキ層は、パターンが形成される電解銅メッキ層である。
【0020】
好ましくは、前記第2メッキ用レジストは、金メッキ用ドライフィルムである。
【0021】
好ましくは、前記電解金メッキされる厚さは、0.5〜1.5μmである。
【0022】
【0023】
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しつつ、本発明の実施例によるメッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板の製造方法を詳細に説明する。
【0025】
図6aないし図6kは、それぞれ本発明の実施例による、セミアディティブ方式でメッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板の製造工程を示す図であって、本発明に係るメッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板の製造方法は、下記の通りとなる。
【0026】
まず、ベース基板31上に複数の導通孔32を形成し(図6a参照)、前記ベース基板31の表面と前記導通孔32の内壁に第1銅メッキ層33を形成する(図6b参照)。ここで、前記第1銅メッキ層33は、無電解銅メッキされ、前記ワイヤーボンディングパッドとソルダホールパッドを金メッキさせるメッキ引込線として機能する。
【0027】
本発明によるベース基板は、単層のCCL構造を有するものとして示されているが、多数のCCLが積層される多層基板で構成してもいい。このとき、前記CCLは、エポキシからなる基板に導電性接着剤として銅箔が一体に接合された構成にしてもいい。前記ベース基板31にはフィルムエッチング工程により内層回路を形成し、この時、前記内層回路は、通常、接地パターンまたは信号処理パターンに構成される。前記導通孔、つまり、ビアホール32は、ベース基板31の回路を電気的に連結させるために形成され、導通孔が形成されると前記回路を電気的に連結するために銅メッキ作業により銅メッキ層が形成される。図示のように、銅メッキ層、つまり、第1銅メッキ層33はベース基板31の全面とビアホール32の内部を覆っている。
【0028】
その後、ベース基板31の上・下面を覆っている前記第1銅メッキ層33部分に第1メッキ用レジスト34を塗布し、パターンの形成される部分に対してのみ前記第1メッキ用レジスト34を除去して第1銅メッキ層33を部分的に露出させる(図6c参照)
次いで、前記露出された第1銅メッキ層33部分を銅メッキして第2銅メッキ層35を形成する(図6d参照)。前記第2銅メッキ層35はパターンが形成される電解銅メッキ層である。
【0029】
その後、前記第1メッキ用レジスト34を剥離液を使って剥離(Stripping)した後(図6e参照)、第2メッキ用レジスト37を塗布し、ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドが形成される部分の前記第2メッキ用レジスト37のみ除去して第2銅メッキ層35を部分的に露出させる(図6f参照)。前記第2メッキ用レジスト37は金メッキ用ドライフィルムが好ましい。
【0030】
次いで、前記第2メッキ用レジスト37で覆われずに露出された第1銅メッキ層33をエッチング液を使って除去する(図6g参照)。ここで、参照符号38は第1銅メッキ層33の除去によりベース基板31が露出された領域を表す。その後、前記ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドが形成される部分に該当する露出された第2銅メッキ層35部分に金メッキ層39を電解金メッキ(Ni−AuPlating)する(図6h参照)。また、前記電解金メッキされる厚さは0.5〜1.5μmが好ましい。前記ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドは前記第1銅メッキ層33に電流を流して金メッキされた金メッキ層39である。
【0031】
その後、前記第2メッキ用レジスト37を剥離液を使って除去し(図6i参照)、前記第2メッキ用レジスト37が除去された部位に露出された前記第1銅メッキ層33をエッチング液を使って除去する(図6j参照)。ここで、参照符号40は前記第1銅メッキ層33が除去された部位を表す。
【0032】
最後に、ソルダレジスト41を塗布し、前記ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドが形成される部分39の前記ソルダレジスト41は除去する(図6k参照)。すなわち、露光および現像工程で前記ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドが形成される部分に覆われたソルダレジスト41を除去する。
【0033】
要するに、本発明によるメッキ引込線なしに電解金メッキされたパッケージ基板は、a)多数の導通孔32が形成されているベース基板31;b)前記ベース基板31上の所定部分と前記導通孔32内に銅メッキされている第1銅メッキ層33;c)前記第1銅メッキ層33上に形成されて回路パターンを形成する第2銅メッキ層(パターンメッキ層)35;d)前記ベース基板31の上面上の前記第2銅メッキ層35の所定部分にメッキ引込線なしに電解金メッキされるワイヤーボンディングパッド;e)前記ベース基板31の下面上の前記第2銅メッキ層35の所定部分にメッキ引込線なしに電解金メッキされるソルダボールパッド;および、f)前記ワイヤーボンディングパッドとソルダボールパッド以外のベース基板31と第2銅メッキ層35に塗布されるソルダレジスト41;を含めてなる。
【0034】
本発明によれば、前記導通孔32周辺を除く第1銅メッキ層33上にメッキ用レジスト34を塗布した後、前記メッキ用レジスト34が存在しない部位の第1銅メッキ層33上にセミアディティブ(Semi−additive)方式で前記第2銅メッキ層35(パターンメッキ層)が形成される。前記セミアディティブ方式については後述するものとする。
【0035】
一方、図4は、本発明の方法によって製造される、メッキ引込線なしにメッキされたパッケージ基板の平面図であって、本発明によるパッケージ基板は、従来技術による図2のパッケージ基板とは違い、ソルダボールパッド20に連結されるメッキ引込線を使用していない。
【0036】
図5は、本発明の方法によって製造されるメッキ引込線なしにメッキされたパッケージ基板に、電流を流す方式を例示する図であって、前述したように、無電解銅メッキ層33に電流を流してワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドを金メッキする例を示している。
【0037】
以下、図7ないし図10を参照して、通常のサブトラクティブ方式および本発明によるセミアディティブ方式を利用する金メッキ方法をそれぞれ説明する。
【0038】
まず、図7aないし図7fはそれぞれ、通常のサブトラクティブ方式で製造されるプリント配線板の工程を例示する図であり、図8aおよび図8bは通常のサブトラクティブ方式で製造されたプリント配線板のエッチングプロファイル(EtchingProfile)断面を示す図である。
【0039】
まず、通常のサブトラクティブ方式でプリント配線板を製造するために、ベース基板コア51の両面に12μm程の銅箔52を形成して構成されるベース基板を用意し(図7a参照)、前記ベース基板を機械式ドリルを使って複数個の導通孔53を形成する(図7b参照)。この時、前記12μm程の銅箔52を3〜7μm程に薄くするエッチング工程が行われてもいい。
【0040】
その後、前記ベース基板の全面および導通孔53の内壁に0.5μm程度の無電解銅箔層54を形成し(図7c参照)、再び15μm程度の電解銅箔層55を前記無電解銅箔層54上に形成する(図7d参照)。
【0041】
次いで、15μm程度のドライフィルム56を積層して前記導通孔53が形成された上部および下部をテンティング(tenting)し(図7e参照)、露光および現像工程により前記ドライフィルム56が積層された部分以外の前記無電解銅箔層54および電解銅箔層55をエッチング液を使って除去する(図7f参照)。
【0042】
図8aおよび図8bは、前述の図7aないし図7fの工程で製造されるプリント配線板の側断面をそれぞれ示すが、図8aはベース基板コア51、約5μmの銅箔52、約0.5μmの無電解銅メッキ層54、約15μmの電解銅メッキ層55および約15μmのドライフィルム56が積層される構造を示しており、図8bは、図8aの積層構造に対して側壁エッチング(sideetch)が行われた状態を示し、図8bに示すように、側壁エッチングが深いので微細回路が形成し難い。
【0043】
一方、図9aないし図9fはそれぞれ、本発明によるセミアディティブ方式で製造されるプリント配線板の製造工程を例示する図であり、図10aおよび図10bはそれぞれ、本発明によるセミアディティブ方式で製造されたプリント配線板のエッチングプロファイル断面を示す図である。
【0044】
本発明によるセミアディティブ方式でプリント配線板を製造するために、ベース基板コア61を含むベース基板を用意し(図9a参照)、前記ベース基板に機械式ドリルを使って複数個の導通孔62を形成する(図9b参照)。
【0045】
その後、前記ベース基板の全面および導通孔62の内壁に0.5μm程度の無電解銅箔層63を形成し(図9c参照)、前記導通孔62周辺を除く無電解銅箔層63の上部にドライフィルム64を塗布し、これを露光および現像する(図9d参照)。次いで、15μm〜20μm程度の電解銅箔層65を、前記ドライフィルム64が形成された部位以外の無電解導箔層63部位に形成し(図9e参照)、次いで、露光および現像工程により前記ドライフィルム64が積層された部分を除く前記無電解銅箔層63および電解銅箔層65を剥離液を使って剥離しフラッシュエッチングする(図9f参照)。
【0046】
前述の図7aないし図7fのサブトラクティブ方式で製造されるプリント配線板では、無電解銅メッキ層54上に電解銅メッキ層55を形成し、その後、ドライフィルム56を積層しエッチングを行うが、図9aないし図9fのセミアディティブ方式で製造されるプリント配線板は、無電解銅メッキ層63上にドライフィルム64を積層し、その後、電解銅メッキ層65を形成しフラッシュエッチングを行う。
【0047】
図10aおよび図10bは、前述した図9aないし図9fの工程で製造されるプリント配線板の側断面を示すが、図10aは、ベース基板コア61、0.5μm程度の無電解銅メッキ層63、25μm程度のドライフィルム64、および前記ドライフィルムの間に積層される20μm程度の電解銅メッキ層65の積層構造を示しており、図10bは、図10aの積層構造に対して剥離およびフラッシュエッチングが施された例を示す。ここでは、図10bに示すように、側壁エッチングが発生しないので微細回路の形成が可能となる。
【0048】
つまり、通常のサブトラクティブ方式におけるトレース幅(Trace Width)の誤差範囲は±15μmとなるに対し、本発明によるセミアディティブ方式におけるトレース幅の誤差範囲は±5μm程度となるので、エッチング厚さを薄く形成することができる。
【0049】
要するに、本発明によるメッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板の製造方法は、前述したようなセミアディティブ方式を使用することから、回路の密集度を向上させることができる。
【0050】
図11aおよび図11bは、従来の技術および本発明における回路の密集度を比較するための図である。図11aに示す従来の技術では、パッケージ基板71上に形成されたソルダボールパッド72aどうしの中心間のボールパッドピッチはAで表され、参照符号73はメッキ引込線を表している。また、図11bに示す本発明では、パッケージ基板71上に形成されたソルダボールパッド72bどうしの中心間のボールパッドピッチはBとなり、前記従来技術におけるボールパッドピッチAに比べて約0.1ないし0.15μmも縮まったことがわかる。つまり、図11aにおけるメッキ引込線73が省略されたため、同一面積のパッケージ基板上にさらに多いソルダボールパッドを形成することができ、回路密集度が向上されたことがわかる。
【0051】
したがって、本発明は、BGAおよびCSPなどのパッケージ基板の電解金メッキ時、メッキ引込線なしに金メッキすることによって、信号ノイズ発生を防止してパッケージ基板の電気的特性を向上させることができる。また、本発明は、メッキ引込線が要らないので、回路の設計自由度が向上されるし、ボールパッドピッチ(Pitch)を、従来の技術によるボールパッドピッチに比べて約0.1〜0.15μmも縮められるため、高密集回路製品の作製が可能となる。
【0052】
以上では本発明を特定の実施例に上げて説明したが、特許請求の範囲によって定められた本発明の思想や要旨をはずれない範囲内でさまざまに改造および変化できることは当業者にとって自明である。
【0053】
【発明の効果】
本発明によれば、電解金メッキ用引込線の残留による信号ノイズ発生を防ぐことができるため、パッケージ基板の電気的特性が向上される。
また、本発明によれば、メッキ引込線が要らないため、回路の設計自由度が向上され、かつ、高集積回路を有する製品の作製に有利である。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来技術に係るBGAパッケージ基板を例示する図である。
【図2】従来の技術に係るメッキ引込線によりメッキされたパッケージ基板の平面図である。
【図3】従来の技術に係るメッキ引込線によりメッキされるパッケージ基板の製造工程をそれぞれ示す図である。
【図4】本発明の方法によって製造されるメッキ引込線無しにメッキされたパッケージ基板の平面図である。
【図5】本発明の方法によって製造されるメッキ引込線無しにメッキされたパッケージ基板に電流を流す方式を例示する図である。
【図6】本発明の実施例に係るメッキ引込線無しにメッキされるパッケージ基板の製造方法(製造工程)をそれぞれ示す図である。
【図7】通常のサブトラクティブ(subtractive)方式で製造されるプリント配線板の工程をそれぞれ示す図である。
【図8】通常のサブトラクティブ方式で製造されたプリント配線板のエッチングプロファイル断面を示す図である。
【図9】本発明に係るセミアディティブ(Semi−Additive)方式で製造されるプリント配線板の工程をそれぞれ示す図である。
【図10】本発明によるセミアディティブ方式で製造されたプリント配線板のエッチングプロファイル断面をそれぞれ示す図である。
【図11】従来技術および本発明における回路の密集度を例示する図である。
【符号の説明】
31:ベース基板
32:導通孔
33:第1メッキ層(無電解銅メッキ層)
34:第1レジスト(銅メッキ用)
35:第2メッキ層(パターンメッキ層)
37:第2レジスト(金メッキ用)
39:金メッキ層
41:ソルダレジスト
Claims (6)
- a)複数の導通孔が形成されているベース基板の全面と前記導通孔の内壁を銅メッキして第1銅メッキ層を形成する段階;
b)前記第1銅メッキ層上に第1メッキ用レジストを塗布した後、その第1メッキ用レジストを部分的に除去してパターンがメッキされる部位に該当する第1銅メッキ層の部分を露出させる段階;
c)前記第1銅メッキ層の露出部分を銅メッキして第2銅メッキ層を形成する段階;
d)前記第1銅メッキ層に残存する前記第1メッキ用レジストを剥離する段階;
e)前記段階d)の完了後に得られる構造の全面に第2メッキ用レジストを塗布し、ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドが形成される部分の前記第2メッキ用レジストを除去する段階;
f)前記第2メッキ用レジストで覆われずに露出された第1銅メッキ層部分をエッチング液を使って除去する段階;
g)前記第2メッキ用レジストで覆われずに露出された第2銅メッキ層部分を電解金メッキして前記ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドを形成する段階;
h)前記段階g)の完了後に得られる構造上に残存する前記第2メッキ用レジストを剥離液を使って除去する段階;
i)前記第2メッキ用レジストが除去された部位に露出された前記第1銅メッキ層部分を、エッチング液を使って除去する段階;および、
j)前記段階i)の完了後に得られる構造の全面にソルダレジストを塗布し、前記ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドを覆っている部分の前記ソルダレジストを除去する段階;
を含めてなる、メッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板の製造方法。 - 前記第1銅メッキ層は、無電解銅メッキされることを特徴とする請求項1記載のメッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板の製造方法。
- 前記第2銅メッキ層は、パターンが形成される電解銅メッキ層であることを特徴とする請求項1記載のメッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板の製造方法。
- 前記第2メッキ用レジストは、金メッキ用ドライフィルムであることを特徴とする請求項1記載のメッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板の製造方法。
- 前記電解金メッキされる厚さは、0.5〜1.5μmであることを特徴とする請求項1記載のメッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板の製造方法。
- 前記第1銅メッキ層は、前記ワイヤーボンディングパッドとソルダボールパッドを金メッキするときメッキ引込線の役割をすることを特徴とする請求項1記載のメッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板の製造方法。
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