JPH11306877A

JPH11306877A - 酸化物バルク超電導体

Info

Publication number: JPH11306877A
Application number: JP10126631A
Authority: JP
Inventors: Tatsuo Fujimoto; 辰雄藤本
Original assignee: Nippon Steel Corp
Current assignee: Nippon Steel Corp
Priority date: 1998-04-22
Filing date: 1998-04-22
Publication date: 1999-11-05
Anticipated expiration: 2018-04-22
Also published as: JP4101930B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ＲＥＢａ₂ Ｃｕ₃ Ｏ_7-x 型の酸化物超電導単
結晶体からなる、円盤あるいは円柱形状の大型バルク超
電導体において、バルク体形状以外の要因に起因する表
面磁束密度分布の歪曲を抑制する。【解決手段】断面円の直径が５０ｍｍを越える上記大
型バルク材において、ほぼ同心円状の表面磁束密度分布
形状が実現されるバルク超電導材料の実現により、磁気
浮上力等の各種超電導特性が著しく改善される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＲＥＢａ₂ Ｃｕ₃
Ｏ_7-x 型の酸化物超電導体相を有するバルク超電導材料
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＲＥＢａ₂ Ｃｕ₃ Ｏ_7-x 型の酸化物バル
ク超電導体は超強力マグネットや磁気浮上などの応用に
有望な材料の一つと目されているが、その特性を最大限
に引き出すためにはバルク体試料の単結晶化を図る必要
がある。これを実現する方法の一つとしてＱＭＧ法（特
開昭６３−２６１６０７）が開発され、多結晶バルク体
に特有の結晶粒界が基本的に皆無な、ＲＥＢａ₂ Ｃｕ₃
Ｏ_7-x 型酸化物バルク超電導体が比較的容易に得られる
ようになった。

【０００３】ＱＭＧ法とは、通常、予め所定配合比にな
るように秤量されたＲＥ、Ｂａ、Ｃｕの複合酸化物の混
合粉末を加圧成形した後、半溶融状態になるように加熱
し、適度な温度勾配を保ちながら徐冷することによって
一方向結晶成長を誘起し、その結果ＲＥＢａ₂ Ｃｕ₃ Ｏ
_7-x 型酸化物超電導体の単結晶バルク体を得るというも
のである。また、試料周辺部において発生しやすい未配
向結晶粒の生成を抑制し、より確実な単結晶化を行う目
的から、成形体内部に１２３相の結晶生成温度の異なる
成分層あるいは組成層を成形体の温度勾配に沿って配置
するなどの発明がこれまでになされており（特開平３−
３５４４６９）、直径１００ｍｍを越える大型円盤状単
結晶が既に作製可能な現況にある。

【０００４】このようにして得られた単結晶材は、基本
的には１２３相のマトリックス内に微細な２１１相が分
散した組織を有しており、近年特に後者の２１１相につ
いては、Ｐｔ、Ｒｈ、あるいはＣｅＯ₂ などの微量添加
により約１μｍ程度まで微細化が可能になっている。微
細な２１１相は超電導体内に侵入した磁束線を強固にピ
ン止めする作用があるため、同種の無添加従来材に比べ
て臨界電流密度を格段に向上させることに成功してい
る。近年では、液体窒素温度下で強磁場を印加すること
によって磁束を捕捉させ、試料を超強力マグネットとし
て用いるなど、高臨界電流密度の特徴を生かした様々な
用途に供試されつつある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前項で述べたように、
本系の半溶融体に適当な結晶化開始起点を与えると、適
度な温度環境下では、一般的には｛１００｝面の晶癖面
で覆われた１２３相結晶が成長し、最終的に試料全体の
単結晶化が完了する。円盤状の半溶融体の場合について
例示するならば、通常は種結晶と呼ばれる、半溶融体の
１２３相結晶生成温度よりも高い１２３相結晶生成温度
を有する成分系の、大きさ約数ｍｍ角程度の微小単結晶
片を結晶化開始起点として用い、円盤の底面に向かって
適当な温度勾配を付与しながら徐冷を行うことにより単
結晶化を行う方法が一般的に行われている。このとき、
種結晶をそのｃ面が円盤状半溶融成形体の上面部中央に
接触するように静置すると、１２３相のｃ軸（［００
１］軸）が円盤の中心軸に平行な単結晶が得られる。

【０００６】このような円盤状単結晶に液体窒素温度下
で中心軸方向に十分に大きな強磁場（通常は１．５Ｔ以
上）を印加し、しかる後に上面あるいは底面の表面近傍
の磁束密度の強度分布を測定すると、試料内の１２３相
が完全な単結晶状態にあるならば、円盤の中心軸上に最
大値を有する同心円状の磁束密度分布（等値曲線）が得
られる筈である。臨界電流密度の磁場依存性が問題とな
らない条件下では、試料直径が大きい程、中心軸上の磁
束密度の最大値も大きくなり、このため、マグネットと
してより強力な磁力、あるいはより強力な磁気浮上力を
要求されるような応用局面においては、試料の直径を大
きくする大型化が有効な方法の一つとなる。従来までの
知見では、直径が約４５ｍｍの円盤状単結晶（厚さ約１
５ｍｍ）では、ほぼ同心円状の磁束密度分布が得られて
いる。

【０００７】しかしながら、円盤状単結晶の直径がこれ
を越えて大型化するにつれて次第に磁束密度分布の乱れ
が大きくなるという問題が指摘されていた。その典型例
を図１ないし図３に示す。図中の３試料はいずれも未配
向結晶粒の無い単結晶体である。なお、液体窒素温度下
での最大外部印加磁場は１．７Ｔとした。発明者らの解
析によれば、結晶化開始起点を含む試料上面の表面磁束
密度分布を測定すると、円盤の直径が大きくなるに従い
（１００）あるいは（０１０）晶癖面のほぼ中心を結ぶ
軸上（面内の［１００］および［０１０］軸方向）の試
料周辺付近における磁束密度強度が小さく、その結果、
磁束密度分布としてはこの方向の等値曲線が円盤中心部
に向かって屈曲した、全体としてほぼ四回対称に近い形
状を呈することが判明している。このような現象は、図
３に顕著に見られるように、特に直径が７０ｍｍを越え
る場合に著しい。かような状況では、不均一な磁束密度
分布の影響を受けて中心軸上の最大磁束密度が低下した
り、永久磁石体との磁気反発力、すなわち磁気浮上力が
弱められてしまう。また他方で、バルク試料を加工して
各種用途に供試する場合に超電導特性の不均一性が顕現
し、動作特性に問題が生じる。すなわち、試料が本来有
している超電導特性が大型試料において十分に発現でき
なくなり、大型化によるメリットが失われるという問題
が生じてしまう。

【０００８】本発明は、ＲＥＢａ₂ Ｃｕ₃ Ｏ_7-x 型の酸
化物超電導相を有するバルク超電導体において、試料の
大型化に伴って発生する磁束密度分布の不均一化の問題
を改善し、大型試料においても、磁束密度分布に、バル
ク体形状以外の要因に起因する歪曲を有しない、超電導
特性の極めて均一な大型バルク超電導材料を提供するこ
とを目的としてなされたものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】表面磁束密度分布の均一
度を表す指標を以下のように定義する。バルク体の上面
あるいは底面の中心付近の磁束密度最大位置から、面内
の［１００］あるいは［０１０］あるいはそれらと等価
な任意の１２３相結晶方向に、最大磁束密度値Ｂ_m に対
してｘ×Ｂ_m （０．０≦ｘ≦１．０）の磁束密度値を与
える点までの距離をＴA、また同様に面内の［１１０］
あるいは［−１１０］あるいはそれらと等価な任意の１
２３相結晶方向についての距離をＴBとした場合に、比
ＴB／ＴAを、図１ないし図３において示した３つの試料
について計算した。図４にその結果を示す。なお図にお
いて横軸は上記のｘ、すなわち最大磁束密度値Ｂ_m を１
と規格化した場合の各点における磁束密度値を表す。

【００１０】バルク体が大型化すると磁束密度分布に四
回対称に近い乱れが生じる結果、比ＴB／ＴAが増加して
おり、特に直径７５ｍｍのバルク体の場合では、その値
はｘ＝０．６において最大１．６３に及ぶことが判る。
このように、比ＴB／ＴAはバルク体大型化に伴う表面磁
束密度分布の乱れを表し得るパラメーターの一つであ
り、その変化が最も大きいｘ＝０．６における値を、以
下の本文では均一度と定義する。すなわち、バルク体の
上面あるいは底面の表面磁束密度分布について、中心付
近の表面最大磁束密度値Ｂ_m に対して０．６×Ｂ_m の磁
束密度値に対応する等値曲線と磁束密度最大位置までの
距離のうち、面内の［１００］あるいは［０１０］ある
いはそれらと等価な１２３相結晶方向の値の中の最小値
をｔA、また面内の［１１０］あるいは［−１１０］あ
るいはそれらと等価な１２３相結晶方向の最大値をｔB
とした場合、均一度をｔB／ｔAと定義する。図５に本定
義式を説明する模式図を示す。

【００１１】本発明は、通常の方法により作製された、
円あるいはそれに類する形状の断面を有する酸化物バル
ク超電導体において、その大型化に伴って発生する前記
ような磁束密度分布の乱れが抑制され、断面円の直径が
５０ｍｍ以上７０ｍｍ未満の円盤あるいは円柱であるバ
ルク超電導体の場合、均一度が１．１以下、また断面円
の直径が７０ｍｍ以上の円盤あるいは円柱であるバルク
超電導体の場合、１．３以下であることを特徴とする、
ＲＥＢａ₂ Ｃｕ₃ Ｏ_7-x 型の酸化物超電導相を有するバ
ルク超電導材料に関するものである。本発明のバルク超
電導材料の具体的な構成要件の詳細について以下に述べ
る。

【００１２】

【発明の実施の形態】本系の結晶成長は超電導相である
１２３相の｛１００｝晶癖面の前進によって進行するこ
とは前項にて述べた。ところで詳細な結晶学的解析によ
れば、一方向結晶成長によって得られた１２３単結晶中
には、小傾角粒界などの下部構造が併存しており無欠陥
な完全単結晶ではないこと、またｃ晶癖面（（００１）
面）の前進によって形成された結晶領域と、ａあるいは
ｂ晶癖面（（１００）あるいは（０１０）面）の前進に
よって形成された結晶領域とでは、その下部構造が著し
く異なっていることが判明している。図６に前項にて取
り上げた円柱状バルク体の例について、そのような異な
る結晶領域の存在部分の概略を示す。このような二つの
結晶領域を以下ではそれぞれ簡単にｃ結晶領域、ａ／ｂ
結晶領域と略記することとする。

【００１３】発明者らによる解析の結果、通常の方法に
て作製された大型バルク材において、磁束密度分布を劣
化させている原因について、目下のところ主として以下
に述べる点を指摘するに至っている。すなわち、（１）試料が大型化すると、１２３相の結晶成長過程中
に、液相の一部あるいは２１１相などの非超電導相が、
成長末端部の、特にａ／ｂ晶癖面の前面部に偏析、孤立
化しやすい傾向があり、それらの非超電導相が結晶成長
の過程で１２３相結晶中に取り込まれることにより、結
晶成長後のバルク体内部での超電導電流の通路に迂回が
生じ、結果的に磁束密度分布に乱れが生じる。（２）バルク体が大型化した場合に、１２３相中の下部
構造による影響が指摘され、特にａ／ｂ結晶領域中に存
在する小傾角粒界において、超電導弱結合が発生しやす
く、このため超電導特性が劣化することにより磁束密度
分布の形状に乱れが生じる。

【００１４】上記二点の観点より鋭意検討した結果、発
明者らは、特に断面円の直径が５０ｍｍを越える大型バ
ルク材において、ほぼ同心円状の表面磁束密度分布形状
が実現される、ＲＥＢａ₂ Ｃｕ₃ Ｏ_7-x 型の酸化物超電
導体相を有するバルク超電導材料を見出すに至った。以
下に本発明の酸化物バルク超電導体の概要と、そのバル
ク体において均一な表面磁束密度分布形を発現している
メカニズムについて、具体的製造方法の一例を例示しな
がら述べる。

【００１５】円盤状バルク体の場合、先ずバルク体本体
の１２３相結晶化開始温度よりも高い結晶化開始温度を
持つ組成の成形体を別途作製し、これをバルク体本体上
部に配置する。この時の成形体の形状（直径および厚さ
等々）は炉内温度分布や試料内温度勾配などの成長条件
を考慮して決定する。しかる後、通常法と同様に結晶成
長を行うが、微小種結晶は上部成形体の上面中央に静置
し、炉内温度を降下させながら成形体全体を順次結晶化
させる。このような場合、まず１２３相結晶化開始温度
の高い上部成形体が完全に結晶化する。このとき試料の
厚さを予め適当に指定することによりバルク体本体と接
している上部成形体下部面の大半がｃ結晶領域で構成さ
れるようにすることが出来る。しかる後にさらに温度を
降下、徐冷することにより上部成形体下部面のｃ結晶領
域を成長起点としてバルク体本体の結晶化が進行し、最
終的にバルク体本体内部の結晶化が完了する。

【００１６】図７に、本法を適用した場合のｃ、および
ａ／ｂ結晶領域の存在部分の概念図を示す。このように
して作製した試料では、バルク体本体内の、ａ／ｂ結晶
領域のバルク体全体積に対する体積占有率が小さく、そ
の結果直径４５ｍｍの円盤状単結晶のような小型バルク
試料のそれに近づけることが可能になり、非超電導相の
偏析・孤立化を抑制して、前記（１）が解決されるに及
んだと考えられる。

【００１７】また前記（２）についてであるが、Ｗ．Ｌ
ｏらによって指摘されているように、小傾角粒界を挟ん
で、亜結晶粒のｃ軸方向に数度の偏差が存在することが
知られている［Ｊ.Ｍａｔｅｒ.Ｒｅｓ.，１２（１９９
７）ｐ.２８８９］。１２３相のようなコヒーレンス長
が極端に短い超電導物質の場合、角度偏差が約５度を越
えると超電導弱結合が発生するといわれ［Ｐｈｙｓ．Ｒ
ｅｖ．Ｂ，４１（１９９０）ｐ.４０３８］、このよう
な場合にはａ／ｂ結晶領域中での磁束捕捉力が低下し、
磁束密度分布の形状を乱してしまう。発明者らの知見に
よれば、円盤状単結晶の場合、その直径が４５ｍｍを越
えて大きくなると、ａ／ｂ結晶領域中の小傾角粒界にお
ける角度偏差に比較的大きなものが現れ易く、特に直径
６５ｍｍのバルク体では、上記の超電導弱結合が起こる
臨界角度偏差に及ぶものが生成する確率が大きくなる。

【００１８】本発明の酸化物バルク超電導体は、ａ／ｂ
結晶領域の体積占有率を小さくすることによって、上述
の角度偏差が比較的大きな小傾角粒界の発生を抑制し、
その結果として大型バルク材の下部構造を、上述の原因
（２）が特性上問題にならない程度に抑えられている、
直径４５ｍｍの円盤状単結晶のような小サイズのバルク
体（その表面磁束密度分布が図１に示されている）の下
部構造に近づけることを可能にすることによってもたら
されているものと推測される。

【００１９】なお、特開平３−３５４４６９において、
上記と類似の手法によって大型単結晶試料を得るという
製造方法が提案されているが、そこで述べられている解
決手段の目的は、未配向結晶粒の無い完全な単結晶試料
を得る点にある。未配向結晶粒とは、結晶成長過程にお
いて結晶成長中の晶癖面端部とは異なる部分より独立に
生成する、種結晶により成長した主結晶部分とは基本的
に結晶配向に相関を持たない結晶粒を指すものであり、
バルク体の表面磁束密度分布をはじめとする各種の超電
導特性を著しく劣化させる原因となるものである。しか
しながら、そのような未配向結晶粒が皆無なバルク体試
料においても、単結晶中の微細組織においては、小傾角
粒界等々の下部構造や異相は不可避なものとして通常必
ず存在する。

【００２０】本発明は、前項にて述べた通常の溶融・一
方向結晶成長法で作製された酸化物バルク超電導体にお
いて、これらの下部構造等を含むもののうち、ａ／ｂ結
晶領域の試料全体積に対する体積占有率が低減された大
型酸化物バルク超電導体の表面磁束密度分布が著しく改
善されていることを主旨とするものであり、この点前記
の発明の主旨とは根本的に異なるものである。また、特
開平７―４１３９４において述べられているような、未
配向結晶粒の発生を抑制することによって再現性を向上
させることを目的とする発明とも、上記同様、目的とす
る効果自体が本発明と基本的に異なることも明白であ
る。

【００２１】

【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。（実施例１）モル比でＹＢａ₂ Ｃｕ₃ Ｏ_7-x ：Ｙ₂ Ｂａ
ＣｕＯ₅ ＝０．７５：０．２５となるようにＹ₂ Ｏ₃ 、
ＢａＯ₂ 、及びＣｕＯ原料粉を混合した混合粉Ａ、及び
モル比でＤｙＢａ₂ Ｃｕ₃ Ｏ_7-x ：Ｄｙ₂ ＢａＣｕＯ₅
＝０．７５：０．２５となるようにＤｙ₂ Ｏ₃ 、ＢａＯ
₂ 、及びＣｕＯ原料粉を混合した混合粉Ｂを作製した
後、約９００℃で８時間仮焼した。これらの仮焼粉を解
砕し、ＣＩＰ成形により直径１００ｍｍ、厚さ３５ｍｍ
のＡ混合粉圧縮成形体、及び直径６０ｍｍ、厚さ２０ｍ
ｍのＢ混合粉圧縮成形体を作製した。

【００２２】次いで、Ｂ混合粉圧縮成形体を、図７に示
すようにＡ混合粉圧縮成形体上部に配置し、１１８０℃
で１時間保持した。しかる後、予め作製しておいた約２
ｍｍ角の（Ｎｄ０．５Ｓｍ０．５）Ｂａ₂ Ｃｕ₃ Ｏ_7-x
種結晶を、そのｃ面がＢ混合粉圧縮成形体上部面中央に
接触するように静置し、引き続いて９５０℃まで平均
０．２℃／ｈｒで徐冷して単結晶化させた。成長完了
後、一度室温まで冷却し、さらに酸素雰囲気中にて４５
０℃１００時間の酸素富化アニール処理を行った。

【００２３】Ａ混合粉圧縮成形体（Ｙ系超電導体部分）
部分の単結晶体は直径７５ｍｍであった。これから厚さ
１５ｍｍの円盤状試料を切りだし、液体窒素中に浸漬し
た後、円盤の中心軸方向に平行に１．７Ｔの磁場を印加
した。液体窒素に浸漬した状態で円盤試料の表面磁束密
度をホール素子を用いて測定した。その結果を図８に示
す。図３に示す従来の酸化物バルク超電導体と比較した
場合、目視によっても明らかなように、本発明の酸化物
バルク超電導体において表面磁束密度分布の形状が大幅
に改善され、ほぼ同心円状になっていることが判る。

【００２４】図８および図３に示す試料について、図４
と同様に比ＴB／ＴAのｘ依存性を計算した。その結果を
図９に示す。両試料の均一度ｔB／ｔAは、それぞれ１．
０１（本発明）および１．６２（従来法＝比較例）であ
り、表面磁束密度分布の大幅な改善が本結果によって裏
付けられていることが判る。

【００２５】（実施例２）実施例１と同様な方法によ
り、直径８５ｍｍ、厚さ３０ｍｍのＡ混合粉圧縮成形
体、及び直径４０ｍｍ、厚さ１８ｍｍのＢ混合粉圧縮成
形体を作製し、引き続いて同様の結晶成長処理および酸
素富化処理を行った。得られた単結晶体は直径６５ｍｍ
であった。なお、Ｂ混合粉圧縮成形体を用いない従来法
によって、同様サイズの比較用試料を作製した。実施例
１と同様に、上記の二試料から直径約６５ｍｍの円盤状
バルク体を切り出し、しかる後に液体窒素中で１．７Ｔ
の磁場を印加後、表面磁束密度を測定した。本発明の試
料および比較試料の均一度ｔB／ｔAは、それぞれ１．０
３および１．１８であった。

【００２６】（実施例３）実施例１と同様な方法によ
り、直径１３０ｍｍのＡ混合粉圧縮成形体、及び直径６
０ｍｍのＢ混合粉圧縮成形体を作製し、引き続いて同様
の結晶成長処理および酸素富化処理を行った。本体部分
から得られた単結晶体の直径は約１００ｍｍ、厚さは２
０ｍｍである。比較用試料として、Ｂ混合粉圧縮成形体
を用いない従来法により同じサイズのバルク体を作製し
た。実施例１と同様に、液体窒素中で１．７Ｔの磁場を
印加後、表面磁束密度を測定した。本発明の試料および
比較試料の均一度ｔB／ｔAは、それぞれ１．２６、１．
９４であった。

【００２７】これらの試料を液体窒素温度に冷却し、し
かる後に円盤垂直上方から永久磁石を漸次近づけ、その
時の永久磁石が超電導試料より受ける反発力、すなわち
磁気浮上力を測定した。ここで使用した磁石は直径９０
ｍｍ、高さ７０ｍｍのネオジウム・鉄・ほう素系永久磁
石である。測定の結果、本発明材料の場合１５４ｋｇ
ｆ、比較試料の場合で１２７ｋｇｆであり、表面磁束密
度分布形状が改善された本発明のバルク試料において磁
気浮上力が大幅に改善されていることが判る。

【００２８】

【発明の効果】本発明により、大型試料においても、表
面磁束密度分布にバルク体形状以外の要因に起因する歪
曲が無く、基本的にはほぼ同心円状の磁束密度分布を有
する、超電導特性の極めて均一なバルク超電導材料が作
製可能になった。バルク体本体のマグネット応用や浮上
力応用は勿論のこと、バルク体を加工することによって
作製された試料についても超電導特性が極めて均一であ
るがゆえに、電流リード等の応用にあたっても、格段に
素子の動作特性や信頼性を向上することが可能になっ
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】直径が４５ｍｍの円盤状バルク体試料の表面磁
束密度分布

【図２】直径が６５ｍｍの円盤状バルク体試料の表面磁
束密度分布

【図３】直径が７５ｍｍの円盤状バルク体試料の表面磁
束密度分布

【図４】図１〜３に示す３試料の表面磁束密度分布につ
いて計算の結果、得られたＴA／ＴBのｘ依存性

【図５】円盤形状バルク体（中心付近の最大表面磁束密
度値＝１．０Ｔを仮定）の場合の均一度ｔB／ｔAを説明
する模式図

【図６】円柱状試料におけるａ／ｂ結晶領域およびｃ結
晶領域の存在部分を示す模式図

【図７】ａ／ｂ結晶領域の体積占有率が小さい酸化物バ
ルク超電導体を作製する製造方法の概念図

【図８】図７に示す方法により作製された、本発明の直
径７５ｍｍの円形状断面を有する円盤状バルク体試料の
表面磁束密度分布の測定結果

【図９】図８に示す本発明の試料、および図３に示す従
来法による試料の表面磁束密度分布について計算の結
果、得られたＴA／ＴBのｘ依存性

【符号の説明】

４１種結晶４２ａ／ｂ結晶領域４３ｃ結晶領域５１種結晶５２中間体５３本体結晶５４ａ／ｂ結晶領域５５ｃ結晶領域

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】単結晶状のＲＥＢａ₂ Ｃｕ₃ Ｏ_7-x 相
（１２３相）中（ＲＥはＹを含む希土類元素およびそれ
らの組み合わせ）に、微細なＲＥ₂ ＢａＣｕＯ₅ 相（２
１１相）が分散した組織からなるバルク体であり、かつ
断面の直径が５０ｍｍ以上７０ｍｍ未満である円盤ある
いは円柱形状を有し、その中心軸方向に１２３相結晶の
ｃ軸（［００１］軸）が平行な、ＲＥ、ＢａおよびＣｕ
の複合酸化物からなる酸化物バルク超電導体において、
液体窒素温度下で強磁場印加後に測定した上面あるいは
底面いづれかの表面磁束密度分布について、面中心付近
の最大磁束密度の０．６倍の磁束密度値に対応する等値
曲線と磁束密度最大位置までの距離のうち、面内の［１
００］あるいは［０１０］あるいはそれらと等価な１２
３相結晶方向の距離の最小値をｔA、また面内の［１１
０］あるいは［−１１０］あるいはそれらと等価な１２
３相結晶方向の距離の最大値をｔBとする場合に、ｔB／
ｔAが１．１以下であることを特徴とする酸化物バルク
超電導体。
【請求項２】単結晶状のＲＥＢａ₂ Ｃｕ₃ Ｏ_7-x 相
（１２３相）中（ＲＥはＹを含む希土類元素およびそれ
らの組み合わせ）に、微細なＲＥ₂ ＢａＣｕＯ₅ 相（２
１１相）が分散した組織からなるバルク体であり、かつ
断面の直径が７０ｍｍ以上である円盤あるいは円柱形状
を有し、その中心軸方向に１２３相結晶のｃ軸（［００
１］軸）が平行な、ＲＥ、ＢａおよびＣｕの複合酸化物
からなる酸化物バルク超電導体において、液体窒素温度
下で強磁場印加後に測定した上面あるいは底面いづれか
の表面磁束密度分布について、面中心付近の最大磁束密
度の０．６倍の磁束密度値に対応する等値曲線と磁束密
度最大位置までの距離のうち、面内の［１００］あるい
は［０１０］あるいはそれらと等価な１２３相結晶方向
の距離の最小値をｔA、また面内の［１１０］あるいは
［−１１０］あるいはそれらと等価な１２３相結晶方向
の距離の最大値をｔBとする場合に、ｔB／ｔAが１．３
以下であることを特徴とする酸化物バルク超電導体。