JPH11284090A - 捺印シール及び半導体装置の捺印方法 - Google Patents
捺印シール及び半導体装置の捺印方法Info
- Publication number
- JPH11284090A JPH11284090A JP8368298A JP8368298A JPH11284090A JP H11284090 A JPH11284090 A JP H11284090A JP 8368298 A JP8368298 A JP 8368298A JP 8368298 A JP8368298 A JP 8368298A JP H11284090 A JPH11284090 A JP H11284090A
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- Japan
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- seal
- laser beam
- marking
- semiconductor device
- irradiation
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】捺印文字の視認性を上げるとともに、既存の製
造工程や製造装置からの変更を最小限に抑えた形での捺
印と修正を行うことの出来る捺印シール及び半導体装置
の捺印方法を提供する。 【解決手段】レーザー光２の照射により発色する捺印シ
ール３をパッケージ１に貼り、レーザー光２の照射によ
り捺印文字５を形成する。
造工程や製造装置からの変更を最小限に抑えた形での捺
印と修正を行うことの出来る捺印シール及び半導体装置
の捺印方法を提供する。 【解決手段】レーザー光２の照射により発色する捺印シ
ール３をパッケージ１に貼り、レーザー光２の照射によ
り捺印文字５を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は捺印シール及び半導
体装置の捺印方法に関し、特にレーザー光で発色する捺
印シール及び樹脂封止型半導体装置に関する。
体装置の捺印方法に関し、特にレーザー光で発色する捺
印シール及び樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来樹脂型半導体装置では、各ユーザか
らのニーズに応じた捺印文字をパッケージの表面に形成
することが行われている。通常捺印文字の形成は、パッ
ケージの表面に直接レーザー光を照射し、照射部分のパ
ッケージ表面を焼き、凹部を作ることにより表面の光の
反射の差で文字を認識するという手法が採用されてい
る。
らのニーズに応じた捺印文字をパッケージの表面に形成
することが行われている。通常捺印文字の形成は、パッ
ケージの表面に直接レーザー光を照射し、照射部分のパ
ッケージ表面を焼き、凹部を作ることにより表面の光の
反射の差で文字を認識するという手法が採用されてい
る。
【０００３】しかしながらこの方法では、パッケージ表
面を直接焼き凹部を作るという破壊的な作業になってい
るため、捺印修正が不可であり、色的にはモールドの黒
色とレーザー照射部分の焦げ茶という色の違いしかな
く、他に凹部の光の反射の差だけであり文字が見にくい
という欠点がある。さらに、パッケージ厚の薄いＩＣの
場合、レーザー光で５０μｍ程モールドに凹部をつけて
しまうため、金線露出などの不具合を発生させる可能性
を持っているという問題点がある。
面を直接焼き凹部を作るという破壊的な作業になってい
るため、捺印修正が不可であり、色的にはモールドの黒
色とレーザー照射部分の焦げ茶という色の違いしかな
く、他に凹部の光の反射の差だけであり文字が見にくい
という欠点がある。さらに、パッケージ厚の薄いＩＣの
場合、レーザー光で５０μｍ程モールドに凹部をつけて
しまうため、金線露出などの不具合を発生させる可能性
を持っているという問題点がある。
【０００４】この対策として例えば特開平１−２７８０
４９号公報では、図２に示すように、パッケージ１の捺
印面または全面にわたり白色または銀白色のコーティン
グ材４をコーティングしこのコーティング材４の表面に
レーザー光を照射し、コーティング材４を焼き飛ばし捺
印文字５Ａを形成する方法を提案している。尚、図２に
おいて６はリードである。
４９号公報では、図２に示すように、パッケージ１の捺
印面または全面にわたり白色または銀白色のコーティン
グ材４をコーティングしこのコーティング材４の表面に
レーザー光を照射し、コーティング材４を焼き飛ばし捺
印文字５Ａを形成する方法を提案している。尚、図２に
おいて６はリードである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
従来のパッケージの表面に直接レーザー光を照射する方
法では文字が見にくくしかも捺印文字の修正が困難であ
る。
従来のパッケージの表面に直接レーザー光を照射する方
法では文字が見にくくしかも捺印文字の修正が困難であ
る。
【０００６】またコーティング材を焼き飛ばす方法で
は、塗布するコーティング材の均一性を保つ必要性があ
るため、パッケージ表面のノックアウト部の改善、ある
いは焼き飛ばした後に発生する屑による選別工程への影
響などこれまでなかった新たな問題点が発生する。
は、塗布するコーティング材の均一性を保つ必要性があ
るため、パッケージ表面のノックアウト部の改善、ある
いは焼き飛ばした後に発生する屑による選別工程への影
響などこれまでなかった新たな問題点が発生する。
【０００７】本発明の目的は、捺印文字の視認性を上げ
るとともに、既存の製造工程や製造装置からの変更を最
小限に抑えた形での捺印と修正を行うことの出来る捺印
シール及び半導体装置の捺印方法を提供することにあ
る。
るとともに、既存の製造工程や製造装置からの変更を最
小限に抑えた形での捺印と修正を行うことの出来る捺印
シール及び半導体装置の捺印方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第１の発明の捺印シール
は、レーザー光の照射により発色する顔料を含むことを
特徴とするものである。
は、レーザー光の照射により発色する顔料を含むことを
特徴とするものである。
【０００９】第２の発明の半導体装置の捺印方法は、半
導体装置のパッケージ上に捺印シールを貼り、この捺印
シール面をレーザー光で照射して捺印シールに含まれる
顔料を発色させ、捺印文字を形成するか、またはレーザ
ー光の照射により捺印文字を形成した捺印シールをパッ
ケージ上に貼ることを特徴とするものである。
導体装置のパッケージ上に捺印シールを貼り、この捺印
シール面をレーザー光で照射して捺印シールに含まれる
顔料を発色させ、捺印文字を形成するか、またはレーザ
ー光の照射により捺印文字を形成した捺印シールをパッ
ケージ上に貼ることを特徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１１】図１は、本発明の実施の形態を説明するた
めの半導体装置の斜視図であり、捺印シール３をパッケ
ージ１の表面に貼りつけレーザー光を照射している様子
を示している。
めの半導体装置の斜視図であり、捺印シール３をパッケ
ージ１の表面に貼りつけレーザー光を照射している様子
を示している。
【００１２】捺印シール３は、レーザー光照射により発
色する顔料、例えばアニリンブラック系のＣｏ，Ｍｎ，
Ｎｉ合金顔料を約０．２〜１％含むものである。
色する顔料、例えばアニリンブラック系のＣｏ，Ｍｎ，
Ｎｉ合金顔料を約０．２〜１％含むものである。
【００１３】図１に示したように、このように構成され
た捺印シール３をリード６を有する半導体装置のパッケ
ージ１の上に貼り、レーザー光２の照射より捺印シール
３に文字や記号からなる捺印文字５を形成する。なお、
使用するレーザーとしては炭酸ガスレーザ等の従来のレ
ーザー光照射装置を用いる。
た捺印シール３をリード６を有する半導体装置のパッケ
ージ１の上に貼り、レーザー光２の照射より捺印シール
３に文字や記号からなる捺印文字５を形成する。なお、
使用するレーザーとしては炭酸ガスレーザ等の従来のレ
ーザー光照射装置を用いる。
【００１４】このように本実施の形態によれば、捺印文
字は捺印シールに形成されるため捺印済みの半導体装置
に捺印ミスがあった場合や、ユーザーの要求により捺印
文字の変更があった場合でも、捺印シールを張り替えて
再捺印することで対応は可能である。
字は捺印シールに形成されるため捺印済みの半導体装置
に捺印ミスがあった場合や、ユーザーの要求により捺印
文字の変更があった場合でも、捺印シールを張り替えて
再捺印することで対応は可能である。
【００１５】また単に捺印シール３上にレーザー光の照
射により、捺印文字を形成した後、この捺印シールをパ
ッケージ上に貼りつけてもよい。このような方法は多機
種少量の半導体装置の捺印や、パッケージ自体に直接捺
印文字を形成した半導体装置の捺印の修正等に有効であ
る。
射により、捺印文字を形成した後、この捺印シールをパ
ッケージ上に貼りつけてもよい。このような方法は多機
種少量の半導体装置の捺印や、パッケージ自体に直接捺
印文字を形成した半導体装置の捺印の修正等に有効であ
る。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、レーザー
光の照射により発色する顔料を含む捺印シールを用い
て、半導体装置の捺印を行うため、捺印文字の視認性を
上げられると共に、捺印文字の変更を容易に行う事が出
来るという効果がある。
光の照射により発色する顔料を含む捺印シールを用い
て、半導体装置の捺印を行うため、捺印文字の視認性を
上げられると共に、捺印文字の変更を容易に行う事が出
来るという効果がある。
【図１】本発明の実施の形態を説明するための半導体装
置の斜視図。
置の斜視図。
【図２】従来例を説明するための半導体装置の断面図。
１ パッケージ ２ レーザー光 ３ 捺印シール ４ コーティング材 ５，５Ａ 捺印文字 ６ リード
Claims (6)
- 【請求項１】 レーザー光の照射により発光する顔料を
含むことを特徴とする捺印シール。 - 【請求項２】 レーザー光の照射により発光するアニリ
ンブラック系のＣｏ、Ｍｎ、Ｎｉ合金顔料を含むことを
特徴とする捺印シール。 - 【請求項３】 レーザー光の照射により発光するアニリ
ンブラック系のＣｏ、Ｍｎ、Ｎｉ合金顔料を０．２％〜
１％含むことを特徴とする捺印シール。 - 【請求項４】 レーザー光の照射により発光する顔料を
含む捺印シール面にレーザー光を照射して捺印シールに
含まれる顔料を発光させ、捺印文字を形成させることを
特徴とする捺印方法。 - 【請求項５】 レーザー光の照射により発光する顔料を
含む捺印シールを半導体装置に貼り、この捺印シール面
にレーザー光を照射して捺印シールに含まれる顔料を発
光させ、捺印文字を形成させることを特徴とする半導体
装置の捺印方法。 - 【請求項６】 レーザー光の照射により捺印文字を形成
した捺印シールを半導体装置のパッケージ上に貼ること
を特徴とする半導体装置の捺印方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8368298A JPH11284090A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | 捺印シール及び半導体装置の捺印方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8368298A JPH11284090A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | 捺印シール及び半導体装置の捺印方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11284090A true JPH11284090A (ja) | 1999-10-15 |
Family
ID=13809269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8368298A Pending JPH11284090A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | 捺印シール及び半導体装置の捺印方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11284090A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7871899B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-18 | Amkor Technology, Inc. | Methods of forming back side layers for thinned wafers |
| CN114192989A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-03-18 | 深圳市裕展精密科技有限公司 | 在基材上打码的方法及打码设备 |
-
1998
- 1998-03-30 JP JP8368298A patent/JPH11284090A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7871899B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-18 | Amkor Technology, Inc. | Methods of forming back side layers for thinned wafers |
| US8643177B2 (en) | 2006-01-11 | 2014-02-04 | Amkor Technology, Inc. | Wafers including patterned back side layers thereon |
| CN114192989A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-03-18 | 深圳市裕展精密科技有限公司 | 在基材上打码的方法及打码设备 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010626 |