JP2882420B2 - セラミックへの捺印方法及び半導体装置 - Google Patents
セラミックへの捺印方法及び半導体装置Info
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- JP2882420B2 JP2882420B2 JP2240149A JP24014990A JP2882420B2 JP 2882420 B2 JP2882420 B2 JP 2882420B2 JP 2240149 A JP2240149 A JP 2240149A JP 24014990 A JP24014990 A JP 24014990A JP 2882420 B2 JP2882420 B2 JP 2882420B2
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- laser
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- semiconductor device
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 セラミックへのレーザ捺印方法及び半導体装置に関
し、 レーザ捺印のコントラストの向上を目的とし、 セラミック面に対する識別記号のレーザ捺印方法にお
いて、捺印面の全面をセラミックが晶質化を伴わない溶
融をする程度の強度のレーザで照射する第１の工程と、
上記捺印面に形成する識別記号を、セラミックが晶質化
を伴う溶融をする程度の強度のレーザで照射する第２の
工程とよりなるように構成する。
し、 レーザ捺印のコントラストの向上を目的とし、 セラミック面に対する識別記号のレーザ捺印方法にお
いて、捺印面の全面をセラミックが晶質化を伴わない溶
融をする程度の強度のレーザで照射する第１の工程と、
上記捺印面に形成する識別記号を、セラミックが晶質化
を伴う溶融をする程度の強度のレーザで照射する第２の
工程とよりなるように構成する。
本発明は、セラミックへのレーザ捺印方法及び半導体
装置に関する。
装置に関する。
近年、半導体装置への識別記号の捺印は、コストダウ
ン（工程短縮）及び捺印強度の向上等の要求により、セ
ラミックパッケージへの捺印は、インクの熱硬化に長時
間（30分〜２時間）要するインク捺印に代わり、数秒で
捺印可能なレーザによる捺印が普及し始めている。
ン（工程短縮）及び捺印強度の向上等の要求により、セ
ラミックパッケージへの捺印は、インクの熱硬化に長時
間（30分〜２時間）要するインク捺印に代わり、数秒で
捺印可能なレーザによる捺印が普及し始めている。
従来のレーザ捺印方法には次の２通りの方法がある。
即ち、レーザでセラミック面を溶融する場合、その強度
に応じて溶融状態に２つのモードがあり、その第１は晶
質化を伴わない溶融であり、第２は晶質化を伴う溶融で
ある。そしてレーザの強度の増加に応じて第１から第２
の状態に移行する。通常のセラミック面への捺印は第１
か、第２の何れか一方の状態を利用している。
即ち、レーザでセラミック面を溶融する場合、その強度
に応じて溶融状態に２つのモードがあり、その第１は晶
質化を伴わない溶融であり、第２は晶質化を伴う溶融で
ある。そしてレーザの強度の増加に応じて第１から第２
の状態に移行する。通常のセラミック面への捺印は第１
か、第２の何れか一方の状態を利用している。
上記従来のレーザ捺印方法において、そのコントラス
トは、表面が黒色又は灰色のセラミックに対し、第１の
モードでは白〜ピンク系に発色し、第２のモードでは透
明な黒色となる。コントラストとしては前者の状態が優
れており、大勢はこの状態を用いて捺印を行っている
が、インクに比べると十分な状態とは言えない。
トは、表面が黒色又は灰色のセラミックに対し、第１の
モードでは白〜ピンク系に発色し、第２のモードでは透
明な黒色となる。コントラストとしては前者の状態が優
れており、大勢はこの状態を用いて捺印を行っている
が、インクに比べると十分な状態とは言えない。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、レーザ捺印のコン
トラストの向上を可能としたレーザ捺印方法を提供する
ことを目的とする。
トラストの向上を可能としたレーザ捺印方法を提供する
ことを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明のセラミックへの
捺印方法では、セラミック面に対する識別記号のレーザ
捺印方法において、捺印面２の全面をセラミックが晶質
化を伴わない溶融をする程度の強度のレーザ３で照射す
る第１の工程と、上記捺印面２に形成する識別記号５
を、セラミックが晶質化を伴う溶融をする程度の強度の
レーザ４で照射する第２の工程とよりなることを特徴と
する。
捺印方法では、セラミック面に対する識別記号のレーザ
捺印方法において、捺印面２の全面をセラミックが晶質
化を伴わない溶融をする程度の強度のレーザ３で照射す
る第１の工程と、上記捺印面２に形成する識別記号５
を、セラミックが晶質化を伴う溶融をする程度の強度の
レーザ４で照射する第２の工程とよりなることを特徴と
する。
本発明方法は、先ずセラミックの捺印面全面を、セラ
ミックの晶質化を伴わない溶融をする程度の強度のレー
ザで照射することにより、捺印面２は白〜ピンクに発色
する。次にこの白〜ピンクに発色した面に晶質化を伴う
溶融をする程度の強度のレーザで識別記号５を描画する
ことにより識別記号は黒色となる。従って白〜ピンクの
地に対し黒色の識別記号が印字され、良好なコントラス
トが得られる。
ミックの晶質化を伴わない溶融をする程度の強度のレー
ザで照射することにより、捺印面２は白〜ピンクに発色
する。次にこの白〜ピンクに発色した面に晶質化を伴う
溶融をする程度の強度のレーザで識別記号５を描画する
ことにより識別記号は黒色となる。従って白〜ピンクの
地に対し黒色の識別記号が印字され、良好なコントラス
トが得られる。
第１図は本発明のセラミックへの捺印方法を説明する
ための図である。
ための図である。
（ａ）図は文字・記号等の識別記号を捺印すべきセラ
ミック部材１を示している。本発明方法はこのセラミッ
ク部材１に対し、（ｂ）図の如く、識別記号を捺印すべ
き捺印面２内の全面をセラミックの晶質化を伴わずに溶
融する程度の低パワーのレーザ３で照射する。これによ
り捺印面２内は白乃至うすいピンク色に発色する。次に
（ｃ）図に示すように、セラミックが溶融して結晶化す
る程度の高いパワーのレーザ照射４により文字・記号等
の識別記号５を捺印するのである。これにより文字・記
号等は黒色となる。従って文字・記号等は下地のピンク
系色調に対して黒く浮き上がり、コントラストの良好な
表示が得られる。
ミック部材１を示している。本発明方法はこのセラミッ
ク部材１に対し、（ｂ）図の如く、識別記号を捺印すべ
き捺印面２内の全面をセラミックの晶質化を伴わずに溶
融する程度の低パワーのレーザ３で照射する。これによ
り捺印面２内は白乃至うすいピンク色に発色する。次に
（ｃ）図に示すように、セラミックが溶融して結晶化す
る程度の高いパワーのレーザ照射４により文字・記号等
の識別記号５を捺印するのである。これにより文字・記
号等は黒色となる。従って文字・記号等は下地のピンク
系色調に対して黒く浮き上がり、コントラストの良好な
表示が得られる。
なお（ｂ）図のセラミックが晶質化を伴わずに溶融す
る程度の低パワーのレーザ照射条件としては、YAGレー
ザ（ル−モニクス社“Light Writer PC"）を用い、発振
周波数30000Hz,発振電流34〜35A,走査速度3000〜5000m:
1／secで良く、また（ｃ）図のセラミックが溶融して結
晶化する程度の高パワーのレーザ照射照射条件として
は、上記YAGレーザを用い、発振周波数30000Hz,発振電
流36〜37A,走査速度1000〜2000m:1／secで良い。
る程度の低パワーのレーザ照射条件としては、YAGレー
ザ（ル−モニクス社“Light Writer PC"）を用い、発振
周波数30000Hz,発振電流34〜35A,走査速度3000〜5000m:
1／secで良く、また（ｃ）図のセラミックが溶融して結
晶化する程度の高パワーのレーザ照射照射条件として
は、上記YAGレーザを用い、発振周波数30000Hz,発振電
流36〜37A,走査速度1000〜2000m:1／secで良い。
第２図は本発明の半導体装置の実施例を示す図であ
る。
る。
本実施例は、半導体装置のセラミックパッケージに本
発明のレーザ捺印方法により識別記号を捺印したもので
あり、同図において６はセラミックパッケージ、２は捺
印面で低パワーのレーザを照射して白乃至うすいピンク
色に発色させた部分、５は高パワーのレーザ照射により
黒色を発色させた識別記号である。
発明のレーザ捺印方法により識別記号を捺印したもので
あり、同図において６はセラミックパッケージ、２は捺
印面で低パワーのレーザを照射して白乃至うすいピンク
色に発色させた部分、５は高パワーのレーザ照射により
黒色を発色させた識別記号である。
このように構成された本実施例は、従来のインク捺印
に比して耐久性があり、また従来のレーザ捺印に比して
コントラストの向上が得られる。
に比して耐久性があり、また従来のレーザ捺印に比して
コントラストの向上が得られる。
以上説明した様に本発明によれば、下地を低パワーの
レーザで照射し、識別記号を高パワーのレーザで照射す
ることにより、ピンク色系の下地に黒色の文字・記号を
浮き出させることができ、耐久性が優れ、且つコントラ
ストの良好な捺印を短時間で行うことができ、半導体装
置の外観品質の向上に寄与することが可能となる。
レーザで照射し、識別記号を高パワーのレーザで照射す
ることにより、ピンク色系の下地に黒色の文字・記号を
浮き出させることができ、耐久性が優れ、且つコントラ
ストの良好な捺印を短時間で行うことができ、半導体装
置の外観品質の向上に寄与することが可能となる。
第１図は本発明のセラミックへの捺印方法を説明するた
めの図、 第２図は本発明の半導体装置の実施例を示す図である。 図において、 １はセラミック部材、２は捺印面、３は低パワーのレー
ザ、４は高パワーのレーザ、５は識別記号、６はセラミ
ックパッケージ を示す。
めの図、 第２図は本発明の半導体装置の実施例を示す図である。 図において、 １はセラミック部材、２は捺印面、３は低パワーのレー
ザ、４は高パワーのレーザ、５は識別記号、６はセラミ
ックパッケージ を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/00 B23K 26/00
Claims (2)
- 【請求項１】セラミック面に対する識別記号のレーザ捺
印方法において、 捺印面（２）の全面をセラミックが晶質化を伴わない溶
融をする程度の強度のレーザ（３）で照射する第１の工
程と、 上記捺印面（２）に形成する識別記号（５）を、セラミ
ックが晶質化を伴う溶融をする程度の強度のレーザ
（４）で照射する第２の工程とよりなることを特徴とす
るセラミックへの捺印方法。 - 【請求項２】請求項１記載のセラミックへの捺印方法を
用いてセラミックパッケージ（６）に識別記号（５）が
捺印されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2240149A JP2882420B2 (ja) | 1990-09-12 | 1990-09-12 | セラミックへの捺印方法及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2240149A JP2882420B2 (ja) | 1990-09-12 | 1990-09-12 | セラミックへの捺印方法及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04120758A JPH04120758A (ja) | 1992-04-21 |
| JP2882420B2 true JP2882420B2 (ja) | 1999-04-12 |
Family
ID=17055225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2240149A Expired - Lifetime JP2882420B2 (ja) | 1990-09-12 | 1990-09-12 | セラミックへの捺印方法及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2882420B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008256477A (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-23 | Ngk Spark Plug Co Ltd | センサ素子の製造方法及びセンサ素子並びにセンサ |
-
1990
- 1990-09-12 JP JP2240149A patent/JP2882420B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04120758A (ja) | 1992-04-21 |
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